CN101978494A - 电压源转换器 - Google Patents

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Abstract

一种电压源转换器，其具有至少一个相桥臂，该相桥臂连接到转换器的直流电压侧的异性极并包括开关部件(7′)的串联连接，开关部件(7′)包括至少一个能量存储电容器并被配置成获取两个开关状态，即第一开关状态和第二开关状态，其中，所述至少一个能量存储电容器两端的电压和零电压分别被施加在开关部件的端子之间，所述开关部件的半导体芯片被布置为叠层(S)，每个叠层(S)包括至少两个半导体芯片。该转换器包括被配置成对每个叠层的相反端施加压力的结构(39)。

Description

电压源转换器
本发明的技术领域和背景技术
本发明涉及一种电压源转换器，其具有至少一个相桥臂(phase leg)，所述相桥臂连接到转换器的直流电压侧的异性极并且包括多个开关部件的串联连接，每个所述开关部件包括至少两个半导体芯片以及至少一个能量存储电容器，每个半导体芯片具有关断型半导体器件以及与该器件并联连接的续流二极管(free-wheeling diode)，形成相输出的所述串联连接的中点被配置为连接到转换器的交流电压侧并且将相桥臂分成上部阀分支和下部阀分支，每个所述开关部件被配置为通过每个开关部件的所述半导体器件的控制来获得两个开关状态，即第一开关状态和第二开关状态，其中所述至少一个能量存储电容器两端的电压和零电压分别被施加在开关部件的端子之间，以在所述相输出上获得确定的交流电压。
这种转换器虽然可包括任意数量的所述相桥臂，但是它们通常具有用于在其交流电压侧形成三相交流电压的三个这样的相桥臂。
可以在要将直流电压转换成交流电压或者要将交流电压转换成直流电压的各种情形下使用这种类型的电压源转换器，其中，这些用途的示例存在于：通常将直流电压转换成三相交流电压或将三相交流电压转换成直流电压的HVDC(High Voltage Direct Current，高压直流)设备的电站中；或者首先将交流电压转换成直流电压并然后将该直流电压转换成交流电压的所谓的“背靠背”电站中。其还可被用于在交流电压网络中吸收或注入无功功率。
例如通过DE 10103031A1和WO 2007/023064A1已知这种类型的电压源转换器，并且通常将其称为多单元转换器(multi-cell converter)或M2LC。以针对这种类型的转换器的机能的这些公布为参考。转换器的所述开关部件可以具有除所述公布中示出的表征之外的表征，例如，只要能够控制要在序言中提到的两个状态之间切换的开关部件，每个开关部件就可以具有多于一个的所述能量存储电容器。
本发明主要针对(但绝非仅仅针对)被配置为传输大功率的这种电压源转换器，为此，在下文中将主要讨论传输高电力的情况以说明但绝非限制本发明。当使用这种电压源转换器来传输高电力时，这还意味着对高电压加以处理，从而转换器的直流电压侧的电压由开关部件的所述能量存储电容器两端的电压来确定并通常被设置成这些电压之和的一半。这意味着要串联连接相当多的这种开关部件或者在每个所述开关部件中要串联连接大量的半导体器件(即所述半导体芯片)，并且当在所述相桥臂中的开关部件的数量相当多(比如至少8个)时，这种类型的电压源转换器尤为有益。大量被串联连接的这种开关部件意味着，可控制这些开关部件以在所述第一和第二开关状态之间变换并且业已在所述相输出处获得非常接近于正弦电压的交流电压。这已经通过采用比已知电压源转换器中通常使用的明显更低的开关频率而获得，所述已知电压源转换器是DE 10103031A1中的图1中示出的类型，包括具有至少一个关断型的半导体器件和至少一个与其反向并联连接的续流二极管的开关部件。这使得可能获得相当低的损耗，并且还显著地减小滤波和谐波电流以及无线电干扰的问题，从而可降低其设备成本。
然而，大量串联连接的开关部件以及属于这些开关部件的能量存储电容器导致这种类型的电压源转换器相当庞大，使得例如在HVDC设备的电站的情况下要针对这种转换器建造非常大的阀厅(valve hall)。
发明内容
本发明的目的在于提供序言中限定的类型的电压源转换器，其在至少一些方面上相对于已知电压源转换器获得改进。
根据本发明，上述目的通过提供如下电压源转换器而达到，在该电压源转换器中，所述开关部件的所述半导体芯片被布置为叠层(stack)，每个叠层包括至少两个半导体芯片，并且转换器包括被如下配置的结构：对每个所述叠层的相对两端施加压力，用于使所述芯片相互挤压，以便获得所述叠层中的半导体芯片之间的电接触。
使用通过美国专利5705853已知的这种所谓的“挤压封装”(presspack)技术，可以使这种类型的电压源转换器比之前更紧凑，使得专门用于这种转换器的阀厅形式的建筑物的体积可以减小。这种类型的转换器中的半导体芯片目前是通过螺纹连接而连接的，这需要更多的位置用于接近螺钉或螺栓以将其拧紧。通过将半导体芯片布置为叠层并且使它们相互挤压而获得半导体芯片之间的电接触还使得这种连接的可靠性相对于现有方案得到提高。
根据本发明的一个实施例，所述结构包括适合于对每个所述叠层施加弹簧加载压力的装置，从而在释放存储于所述装置的部件中的势能的同时将叠层的两端压向对方。所述部件可以是在被压缩时存储势能的任何类型，以及，根据本发明的另一实施例，所述部件是作用在每个所述叠层的至少一端上的弹簧，其中所述弹簧可以是机械弹簧，也可以是其它类型的弹簧，比如气体弹簧。这意味着能够以高可靠性获得在所述叠层中的半导体芯片之间的电接触，而与其尺寸方面的不规则程度无关，比如在所述叠层中的半导体芯片为并联连接的情况下。
根据本发明的另一实施例，所述结构包括被配置成布置在所述叠层的相对端附近的两个端板、以及在互连所述端板的同时决定所述端板之间的距离的长形部件，并且，存储势能的所述部件被布置成在所述板中的至少一个与所述叠层的相应端之间作用，以在将该叠层挤压在一起的同时使该端板与叠层端分开。于是所述结构可以包括被配置为允许所述板中的至少一个沿所述互连部件在所述互连部件的纵向方向上的位移，以改变所述距离，从而改变施加给所述叠层的压力的装置，使得按照所述结构的形式的同一设备可被用于并且适合于不同的这种叠层。
根据本发明的另一实施例，所述结构包括另一个板，该板被配置成布置在所述叠层的一端上并且可相对于所述长形部件在所述长形部件的纵向方向上移动，并且，存储势能的所述部件被布置成使所述另一个板与紧挨它的所述端板分开，以将叠层挤压在一起。
根据本发明的另一实施例，所述半导体芯片具有板状结构并且被布置为其较大的面位于叠层延伸的方向上。
根据本发明的另一实施例，所述至少两个半导体芯片属于同一开关部件，并且属于同一开关部件的相邻的半导体芯片被夹在其间的金属板分隔，以通过将这两个芯片压向所述金属板而获得它们之间的电连接。这意味着在属于同一开关部件的所述半导体芯片之间可获得可靠且良好的电接触。
根据本发明的另一实施例，所述金属板被布置在每个所述半导体芯片的两侧，这对于可能使用这样的金属板来冷却所述半导体芯片而言尤为优选。
根据本发明的另一实施例，每个所述叠层至少包括属于一个开关部件的所有半导体芯片。
根据本发明的另一实施例，每个所述叠层包括多个所述开关部件的所述半导体芯片，这使转换器非常紧凑。
根据本发明的另一实施例，在每个所述叠层中，一个开关部件的半导体芯片被布置为子叠层，在一个单叠层中，被同一所述结构压在一起的所有所述子叠层被逐层往上叠加地布置，电绝缘层被夹在相邻的这种子叠层之间从而将其分隔，并且布置用于电连接相邻子叠层的导体，从而相互电连接所述串联连接中的相邻的开关部件。所述叠层的这种设计使得能够将多个开关部件、甚至所述阀分支的所有开关部件布置为一个单叠层，从而使转换器非常紧凑。
根据本发明的另一实施例，被同一所述结构压在一起的所述半导体芯片被布置为至少两个平行叠层，每个所述平行叠层包括多个叠加的开关部件，每个所述开关部件具有被布置为子叠层的所述半导体芯片，每个所述平行叠层中的所有所述子叠层被逐层往上叠加地布置以形成所述平行叠层之一，电绝缘层被夹在相邻的这种子叠层之间从而将其分隔，每个子叠层开关部件包括由这个开关部件的至少一个半导体芯片分隔的两个金属板，并且所述平行叠层在其纵向方向上是错开的，使得对于每个开关部件，其拥有的所述两个金属板连接到另一平行叠层的不同的相邻的开关部件从而被它们共用，由此获得由一个所述平行叠层中的所述绝缘层分隔的两个开关部件的串联连接，其中在所述两个开关部件之间的这种串联连接中布置有另一平行叠层的开关部件。获得所述开关部件或单元的之字形串联连接的这种方式使得能够使转换器愈加紧凑，从而减小阀建筑物的尺寸(长度)。
根据本发明另一实施例，所述金属板装配有通道，且转换器包括被配置成使冷却介质在所述通道中流动的装置，以冷却与所述金属板相邻的所述半导体芯片，其中，所述冷却介质优选是水，但还可想到其它类型的冷却介质。由于这意味着冷却介质与转换器的开关部件的连接的数量可被减小到在所述开关部件不共用所述金属板的情况下所需数量的一半，因此该冷却技术的使用使得以上限定的具有平行叠层的实施例又有了另一优点。
根据本发明的另一实施例，每个开关部件包括被布置为所述叠层的多于两个的所述半导体芯片。在每个开关部件中具有大量半导体芯片的优点在于：由于开关部件数量较少使得需要连接到开关部件的连接的数量较少，因而可节约成本。然而，如果开关部件或单元的数量较多，则需在这一优点与在所述相输出获得质量更好的交流电压的优点之间折衷。
根据本方面的另一实施例，每个所述开关部件具有在所述叠层中相继的2N个所述半导体芯片，其中N是大于等于2的整数。
根据本发明的另一实施例，所述相桥臂的开关部件的数量为大于等于8、12-32、16-24或50-150。如以上所述，在所述相桥臂的开关部件的数量相当多从而导致在所述相输出上输送的电压脉冲的可能电平数量多时，这种类型的转换器尤为优选。
根据本发明的另一实施例，开关部件芯片的所述半导体器件是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)或者GTO(Gate Turn-Off thyristor，门极可关断晶闸管)。这些都是适合于这种转换器的半导体器件，但还可想到其它关断型的半导体器件，比如IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管)。
根据本发明的另一实施例，所述转换器被配置成具有：所述直流电压侧，被连接到用于传输高压直流(HVDC)的直流电压网络；以及交流电压侧，被连接到属于交流电压网络的交流电压相线。这归因于这种类型的转换器的特别有益的应用要求大量半导体芯片。
根据本发明的另一实施例，所述转换器被配置成在所述两个极之间的直流电压为1kV-1200kV、10kV-1200kV或100kV-1200kV。所述直流电压越高，本发明越为有益。
本发明还涉及根据对应的所附权利要求的用于传输电力的设备。可以使用序言中限定的类型的电压源转换器来相对于已知设备减小这种设备的电站的大小。
本发明的其它优点以及有利特征将从以下说明中显而易见。
附图说明
下面是参照附图的对引为示例的本发明实施例的说明。
在附图中：
图1是根据本发明的类型的电压源转换器的高度简化视图，
图2和图3图示两种不同的已知开关部件，它们可以是根据本发明的电压源转换器的一部分，
图4是高度示意性地图示根据本发明的电压源转换器的简化视图，
图5是图示在根据本发明第一实施例的转换器中在一个单叠层中可如何叠加两个开关部件的简化视图，
图6是图示在根据本发明所述第一实施例的转换器中图5中示出的类型的开关部件的叠层的获取和布置原理的简化视图，
图7是根据本发明第二实施例的转换器的开关部件的所谓“平行叠层”的一部分的对应于图5的高度简化视图，
图8是图7中示出的所述平行叠层的一部分的电路图，
图9是图示根据本发明第三实施例的转换器的开关部件的电路图，
图10是图示根据图9的开关部件的高度简化视图，以及
图11是图10中示出的开关部件的高度简化的俯视图。
具体实施方式
图1高度示意性地图示本发明所涉及类型的电压源转换器1的大概结构。该转换器具有三个相桥臂2-4，所述相桥臂2-4被连接到转换器的直流电压侧比如用于传输高压直流的直流电压网络的异性极5、6。每个相桥臂包括用方框表示的开关部件7(在本情况下数量为16)的串联连接，并且该串联连接被划分成由形成相输出的中点10-12分开的两个相等部分，即上部阀分支8和下部阀分支9，所述相输出被配置成连接到转换器的交流电压侧。相输出10-12有可能通过变压器连接到三相交流电压网络、负载等。在所述交流电压侧还布置滤波设备，用于改进所述交流电压侧的交流电压的形状。
装备控制装置13以控制开关部件7，从而控制转换器将直流电压转换成交流电压以及将交流电压转换成直流电压。
本电压源转换器具有以下类型的开关部件7，开关部件7包括至少两个半导体芯片以及至少一个能量存储电容器，每个半导体芯片具有关断型半导体器件以及与该器件并联连接的续流二极管，在图2和图3中示出了这种开关部件的两个示例。开关部件的端子14、15适合于连接到在形成相桥臂的开关部件的串联连接中的相邻开关部件。在这种情况下半导体器件16、17是与二极管18、19并联连接的IGBT。能量存储电容器20与二极管的串联连接和半导体器件的串联连接并联连接。一个端子14被连接到这两个半导体器件之间的中点以及这两个二极管之间的中点。另一端子15被连接到能量存储电容器20，在图2的实施例中其被连接到电容器20的一端，而在根据图3的实施例中其被连接到电容器20的另一端。应指出如图2和图3中所示的每个半导体器件和每个二极管可以是串联连接的多个，以能够处理要处理的电压，并且由此可以同时控制这样串联连接起来的半导体器件，以用作一个单一的半导体器件。
可以控制图2和图3中示出的开关部件以获得以下状态之一：a)第一开关状态和b)第二开关状态，其中，在a)状态下在端子14、15之间施加电容器20两端的电压，而在b)状态下在端子14、15之间施加零电压。为了获得第一状态，在根据图2的实施例中接通半导体器件16并关断半导体器件17，而在根据图3的实施例中接通半导体器件17并关断半导体16。通过改变半导体器件的状态将开关部件切换到第二状态，为此在根据图2的实施例中关断半导体器件16并接通半导体器件17，而在根据图3的实施例中关断半导体器件17并接通半导体器件16。
图4略为更详细地示出图3中示出的类型的开关部件如何形成根据图1的转换器的相桥臂，其中，为了简化附图略去总共十个开关部件。控制装置13适合于通过控制开关部件的半导体器件来控制开关部件，使得开关部件可提供零电压或电容器两端的电压来与所述串联连接中的另一个开关部件的电压相加。在此还图示出变压器21和滤波设备22。示出了每个阀分支如何通过相电抗器50、51而连接到相输出10，并且在图1中也有用于相输出10、11和12的这种相电抗器，但为了简化图示将其略去。
图5高度示意性地图示出叠层的一部分，该部分为两个叠加的图2中示出的类型的开关部件7′的形式。每个开关部件7′包括两个半导体芯片30、31，半导体芯片30、31各自具有关断型的半导体器件以及与所述器件并联连接的续流二极管并且具有板状结构，该板状结构中，在每个半导体芯片的每侧布置金属板32-34，由此形成子叠层35。图示了在所述叠层中相继的开关部件如何通过分隔金属板34与32的绝缘层36而关于彼此电绝缘。相邻的开关部件通过电线形式的电导体37而彼此连接。
图示了输送冷却介质(比如冷却水)的导管38如何连接到金属板32-34中的通道，以冷却位于这些金属板之间的半导体芯片。在本情况下，使水流过板32、33和34，以获得关系为9∶10∶1的冷却效果，该关系表明不同金属板的冷却需求。这种冷却当然被提供给转换器中的开关元件开关部件中的所有的金属板，但为了简化附图仅示出于图5中的较下方的开关部件的冷却。例如对于能量存储电容器20和电导体37也类似，它们也只在一个开关部件上被示出。
图6图示了根据图5的开关部件7′的四个这样的子叠层35可如何被布置为一个单叠层并且装备有结构39，结构39被配置成对叠层S的相对端40、41施加压力，用于将半导体芯片30、31压向对应的金属板并且相互挤压，以获得同一子叠层中的半导体芯片之间的电接触。这一结构39包括装置42，装置42适合于对每个所述叠层施加弹簧加载压力。该结构具有：两个端板43、44，其被配置成布置在该叠层的相反端的附近；和以例如玻璃纤维制成的条杆形式的长形部件45，其互连板43、44同时决定其间的距离。板43、44可以通过拧紧或拧松位于杆45的螺纹端上的螺帽46而相对于彼此产生位移。另一个板47被配置成放在该叠层的一端上并且可关于杆45在其纵向方向上移动。存储势能的弹簧部件48被布置成使所述另一个板47和紧挨它的端板44分开，以用于将该叠层挤压在一起。这产生在该叠层中半导体芯片的非常可靠的相互接触。
在图6中仅示出了转换器的上部阀分支8和相输出10，并且这个转换器因此具有在每个阀分支中串联连接的8个开关部件。当然可想到其它数量的开关部件，并且其可以被划分为被判断为最适合于相应应用的数量的叠层。例如可能将阀分支的所有开关部件布置为由一个单一的所述结构39保持在一起的一个单叠层。这种布置开关部件的方式使其半导体芯片的布置非常紧凑，从而能够继续减小阀厅的尺寸。
通过在图6右边的圆圈50示出了例如四个半导体芯片30可如何被并联布置在开关部件的每个金属板32-34之间，以能够一起承载可能流经的电流。因此，图5、还有图6和图7中示出的半导体芯片30、31可以代表多个半导体芯片的这种并联连接。
图7示意性图示了在所谓的“双”叠层中可如何布置根据本发明的第二实施例的转换器中的开关部件，并在图8中示出了其电路图。两个平行叠层51、52中的每个分别包括多个叠加的开关部件7b、7d和7a、7c，开关部件7b、7d和7a、7c各自具有被布置为子叠层的其半导体芯片30、31。电绝缘层53被夹在相邻的这种子叠层之间并将其分隔，这里所述子叠层被布置在半导体芯片30的集电器侧。每个子叠层开关部件包括延伸到另一个子叠层的两个金属板54、55。平行叠层51、52在其纵向方向上相错开的，使得对于每个开关部件，其拥有的所述两个金属板54、55连接到另一平行叠层的不同的相邻的开关部件从而被它们共用，由此获得由一个所述平行叠层中的所述绝缘层53分隔的两个开关部件的串联连接，其中在所述两个开关部件之间的这种串联连接中布置有另一平行叠层的开关部件。这意味着开关部件7b的两个金属板54、55还分别属于开关部件7a和7c。这产生根据以7a、7b、7c和7d的顺序的之字形图案的平行叠层中的开关部件的串联连接。
图7中示出的平行叠层51、52可以包含任何适合数量的叠加的开关部件，并且通过图6中示出类型的将其半导体芯片向金属板挤压的一个结构而被保持在一起。这种设计相对于图5所示的设计的优点是，叠层的高度可以针对于数量确定的串联连接的开关部件而降低，并且还可以减少与金属板连接的冷却介质(水)的数量。
图9示意性地图示了在根据本发明第三实施例的转换器中的开关部件。这个开关部件总共具有16个串联连接的半导体芯片30、31。示意性地图示了用于控制半导体芯片的对应的半导体器件的栅极驱动单元60。使用两个分压电阻器62、63的外部电容器分压器61被布置用于检测在所述电容器的任何一个中的可能错误，两个分压电阻器62、63用于测量在在电容器20+20′上的总电压以及这些电容器上的电压U20和U20′的差。在同一分支中的开关部件之间的分压控制中也用到电容器电压测量。
在图10中高度示意性地图示了由被布置为一个叠层的16个半导体芯片形成的开关部件，其间夹有金属板并且被上述类型的结构39保持在一起。图11示出了开关部件的俯视图，其中用箭头70示意性表示了电容器如何连接到半导体芯片。这种开关部件通常可在其电容器上具有20kV量级的电压(U20+U20′)。
在同一开关部件或单元中的这种较大数量的半导体芯片使得转换器中的开关部件的数量减少，从而可以节省关于与转换器的连接的成本。然而，这还意味着为所述相输出上的脉冲获取的各种可能电平的数量减少，使得由所述转换引起的交流电压的质量更差。
本发明当然决不限于上述的实施例，但是对于本领域的普通技术人员而言，在不背离如所附权利要求中所限定的本发明的基本思想的情况下显而易见有许多修改的可能性。
如在本公开中使用的、用于被压向叠层相对端的结构部件的“板”应在广义上加以解读，由此其还包括盒状部件以及具有不同类型的凹陷、空腔等的部件。

Claims (21)

1.一种电压源转换器，其具有至少一个相桥臂(2-4)，所述相桥臂连接到所述转换器的直流电压侧的异性极(5、6)并包括开关部件(7)的串联连接，每个所述开关部件包括至少两个半导体芯片(30、31)以及至少一个能量存储电容器(20)，每个所述半导体芯片具有关断型半导体器件(16、17)以及与所述器件并联连接的续流二极管(18，19)，形成相输出(10-12)的所述串联连接的中点被配置为连接到所述转换器的交流电压侧并且将所述相桥臂分成上部阀分支(8)和下部阀分支(9)，每个所述开关部件被配置为通过控制每个开关部件的所述半导体器件来获得两个开关状态，即第一开关状态和第二开关状态，其中，所述至少一个能量存储电容器两端的电压和零电压分别被施加在所述开关部件的端子(14、15)之间，以在所述相输出上获得确定的交流电压，其特征在于，所述开关部件的所述半导体芯片(30、31)被布置为叠层(S、51、52)，每个所述叠层(S、51、52)包括至少两个半导体芯片，以及在于，所述转换器包括被配置成对每个所述叠层的相对端(40、41)施加压力的结构(39)，用于使所述芯片相互挤压，以便获得所述叠层中的半导体芯片之间的电接触。
2.根据权利要求1所述的转换器，其特征在于，所述结构(39)包括适合于对每个所述叠层施加弹簧加载压力的装置(42)，从而在释放存储于所述装置的部件(48)中的势能的同时将所述叠层的两端(40、41)压向对方。
3.根据权利要求2所述的转换器，其特征在于，所述部件是作用在每个所述叠层的至少一端上的弹簧(48)。
4.根据权利要求2或3所述的转换器，其特征在于，所述结构包括被配置成布置在所述叠层的相对端(40、41)附近的两个端板(43、44)、以及在互连所述端板同时决定所述端板之间的距离的长形部件(45)，以及在于，存储势能的所述部件(48)被布置成在所述板中的至少一个与所述叠层的相应端之间作用，以在将所述叠层挤压在一起的同时使该端板与叠层端分开。
5.根据权利要求4所述的转换器，其特征在于，所述结构包括被配置为允许所述板中的至少一个沿所述互连部件在所述互连部件的纵向方向上位移，以改变所述距离，从而改变施加给所述叠层的压力的装置(45、46)。
6.根据权利要求4或5所述的转换器，其特征在于，所述结构包括另一个板(47)，所述另一个板(47)被配置成布置在所述叠层的一端上并且能够相对于所述长形部件(45)在所述长形部件的纵向方向上移动，以及在于，存储势能的所述部件被布置成使所述另一个板(47)与紧挨它的所述端板(44)分开，以将所述叠层挤压在一起。
7.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，所述半导体芯片(30、31)具有板状结构并且被布置为其较大的面位于所述叠层延伸的方向上。
8.根据权利要求7所述的转换器，其特征在于，所述至少两个半导体芯片(30、31)属于同一开关部件，以及在于，属于同一开关部件的相邻的半导体芯片被夹在其间的金属板(32-34、54、55)分隔，以通过将所述两个芯片压向所述金属板而获得所述两个芯片之间的电连接。
9.根据权利要求8所述的转换器，其特征在于，所述金属板(32-34、54、55)被布置在每个所述半导体芯片的两侧。
10.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，每个所述叠层至少包括属于一个开关部件(7、7′)的所有半导体芯片(30、31)。
11.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，每个所述叠层包括多个所述开关部件(7′)的所述半导体芯片(30、31)。
12.根据权利要求8所述的转换器，其特征在于，在每个所述叠层中，一个开关部件的半导体芯片(30、31)被布置为子叠层，在一个单叠层中，被同一所述结构压在一起的所有所述子叠层被逐层往上叠加地布置，电绝缘层(36)被夹在相邻的这种子叠层之间从而将其分隔，以及在于，布置用于电连接相邻子叠层的导体(37)，从而相互电连接所述串联连接中的相邻的开关部件。
13.根据权利要求11所述的转换器，其特征在于，被同一所述结构(39)压在一起的所述半导体芯片(30、31)被布置为至少两个平行叠层(51、52)，每个所述平行叠层包括多个叠加的开关部件，每个所述开关部件的所述半导体芯片被布置为子叠层，每个所述平行叠层中的所有所述子叠层被逐层往上叠加地布置以形成所述平行叠层之一，以及在于，电绝缘层(53)被夹在相邻的这种子叠层之间从而将其分隔，每个子叠层开关部件(7a-7d)包括由该开关部件的至少一个半导体芯片(30、31)分隔的两个金属板(54、55)，以及在于，所述平行叠层(51、52)在其纵向方向上是错开的，使得对于每个开关部件，其拥有的所述两个金属板连接到另一平行叠层的不同的相邻的开关部件从而被它们共用，由此获得由一个由所述平行叠层中的所述绝缘层分隔的两个开关部件的串联连接，其中在所述两个开关部件之间的这种串联连接中布置有另一平行叠层的开关部件。
14.根据权利要求8、9和13之一所述的转换器，其特征在于，所述金属板(32-34、54、55)被装配有通道，并且所述转换器包括被配置为使冷却介质在所述通道中流动的装置(38)，以冷却与所述金属板相邻的所述半导体芯片(30、31)。
15.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，每个开关部件包括被布置在所述叠层中的多于两个的所述半导体芯片(30、31)。
16.根据权利要求15所述的转换器，其特征在于，每个所述开关部件具有在所述叠层中相继的2N个所述半导体芯片(30、31)，其中N是大于等于2的整数。
17.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，所述相桥臂的所述开关部件(7、7′)的数量为大于等于8、12-32、16-24或50-150。
18.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，所述开关部件芯片的所述半导体器件(16、17)是IGBT(绝缘栅双极型晶体管)或者GTO(门极可关断晶闸管)。
19.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，所述转换器被配置成具有：所述直流电压侧，被连接到用于传输高压直流(HVDC)的直流电压网络；以及所述交流电压侧，被连接到属于交流电压网络的交流电压相线。
20.根据以上权利要求之一所述的转换器，其特征在于，所述转换器被配置成在所述两个极之间的直流电压为1kV-1200kV、10kV-1200kV或100kV-1200kV。
21.一种用于传输电力的设备，包括直流电压网络以及通过电站与其连接的至少一个交流电压网络，所述电站适合于在所述直流电压网络与所述交流电压网络之间进行电力的传输，所述设备包括适合于将直流电压转换成交流电压或者将交流电压转换成直流电压的至少一个电压源转换器，所述设备的特征在于，所述设备的所述电站包括根据权利要求1-20之一所述的电压源转换器。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104981901A (zh) * 2012-12-07 2015-10-14 Abb技术有限公司 半导体组件
CN105981284A (zh) * 2014-09-25 2016-09-28 株式会社日立制作所 电力变换单元和电力变换装置
CN106663924A (zh) * 2014-07-16 2017-05-10 Abb瑞士股份有限公司 由固体材料和气体绝缘的hvdc功率转换器的阀单元
CN107851642A (zh) * 2015-04-27 2018-03-27 东芝三菱电机产业系统株式会社 压接型半导体器件堆叠
CN108370159A (zh) * 2015-12-21 2018-08-03 西门子股份公司 纵向电压源和具有纵向电压源的直流输电系统

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008055515A1 (en) 2006-11-06 2008-05-15 Siemens Aktiengesellschaft Variable speed drive for subsea applications
WO2009086927A1 (en) 2008-01-08 2009-07-16 Abb Technology Ag A method for controlling a voltage source converter and a voltage converting apparatus
CN102067430B (zh) * 2008-05-07 2013-10-23 Abb技术有限公司 电压源转换器
WO2011073466A1 (es) 2009-12-18 2011-06-23 Ingeteam Technology, S.A. Convertidor modular basado en circuitos distribuidos multinivel de punto medio capacitivo
DE202013104510U1 (de) * 2013-10-04 2013-11-14 Abb Technology Ag Halbleiterstapel für Umrichter mit Snubber-Kondensatoren
JP2016208706A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 株式会社日立製作所 電力変換装置
KR102011307B1 (ko) * 2018-03-30 2019-10-21 엘에스산전 주식회사 무효전력보상장치의 스위치어셈블리
KR102094223B1 (ko) * 2018-03-30 2020-03-27 엘에스산전 주식회사 무효전력보상장치의 스위치어셈블리
KR102013774B1 (ko) * 2018-03-30 2019-08-23 엘에스산전 주식회사 무효전력보상장치의 스위치어셈블리
KR102020317B1 (ko) * 2018-03-30 2019-09-10 엘에스산전 주식회사 가압장치 및 스위칭모듈에서의 스위치 교체 방법
WO2020017033A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 東芝三菱電機産業システム株式会社 電力変換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59110149A (ja) * 1982-12-16 1984-06-26 Toshiba Corp 半導体素子ユニツトの加圧装置
DE3430194A1 (de) * 1983-08-19 1985-03-07 Jeumont-Schneider, Puteaux Vortariertes element fuer das zusammenhalten und gegeneinanderpressen von halbleitern und radiatoren, die abwechselnd saeulenartig angeordnet sind
DE10103031A1 (de) * 2001-01-24 2002-07-25 Rainer Marquardt Stromrichterschaltungen mit verteilten Energiespeichern
JP2008016601A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体素子スタック

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19530264A1 (de) 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
US6677673B1 (en) 2000-10-27 2004-01-13 Varian Medical Systems, Inc. Clamping assembly for high-voltage solid state devices
EP1263045A1 (en) 2001-06-01 2002-12-04 ABB Schweiz AG High power semiconductor module
EP1318545A1 (de) 2001-12-06 2003-06-11 Abb Research Ltd. Leistungshalbleiter-Submodul und Leistungshalbleiter-Modul
EP1318547B1 (de) 2001-12-06 2013-04-17 ABB Research Ltd. Leistungshalbleiter-Modul
DE102005001151B4 (de) 2005-01-10 2012-04-19 Infineon Technologies Ag Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen
DE102005040543A1 (de) 2005-08-26 2007-03-01 Siemens Ag Stromrichterschaltung mit verteilten Energiespeichern
JP4603956B2 (ja) * 2005-08-26 2010-12-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59110149A (ja) * 1982-12-16 1984-06-26 Toshiba Corp 半導体素子ユニツトの加圧装置
DE3430194A1 (de) * 1983-08-19 1985-03-07 Jeumont-Schneider, Puteaux Vortariertes element fuer das zusammenhalten und gegeneinanderpressen von halbleitern und radiatoren, die abwechselnd saeulenartig angeordnet sind
DE10103031A1 (de) * 2001-01-24 2002-07-25 Rainer Marquardt Stromrichterschaltungen mit verteilten Energiespeichern
JP2008016601A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体素子スタック

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104981901A (zh) * 2012-12-07 2015-10-14 Abb技术有限公司 半导体组件
CN104981901B (zh) * 2012-12-07 2018-05-15 Abb 技术有限公司 半导体组件
CN106663924A (zh) * 2014-07-16 2017-05-10 Abb瑞士股份有限公司 由固体材料和气体绝缘的hvdc功率转换器的阀单元
CN105981284A (zh) * 2014-09-25 2016-09-28 株式会社日立制作所 电力变换单元和电力变换装置
CN105981284B (zh) * 2014-09-25 2018-07-06 株式会社日立制作所 电力变换单元和电力变换装置
CN107851642A (zh) * 2015-04-27 2018-03-27 东芝三菱电机产业系统株式会社 压接型半导体器件堆叠
CN107851642B (zh) * 2015-04-27 2020-07-10 东芝三菱电机产业系统株式会社 压接型半导体器件堆叠
CN108370159A (zh) * 2015-12-21 2018-08-03 西门子股份公司 纵向电压源和具有纵向电压源的直流输电系统

Also Published As

Publication number Publication date
CA2718935C (en) 2016-05-10
US8339823B2 (en) 2012-12-25
WO2009115124A1 (en) 2009-09-24
CA2718935A1 (en) 2009-09-24
US20110038193A1 (en) 2011-02-17
ZA201006691B (en) 2011-05-25
EP2266137B1 (en) 2018-06-13
KR20100121522A (ko) 2010-11-17
KR101243515B1 (ko) 2013-03-20
EP2266137A1 (en) 2010-12-29
BRPI0822356B1 (pt) 2019-02-05
BRPI0822356A2 (pt) 2018-07-24
CN101978494B (zh) 2013-08-14

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