CN101957796B

CN101957796B - 存储系统及信息处理设备

Info

Publication number: CN101957796B
Application number: CN2010102296079A
Authority: CN
Inventors: 宫崎贞夫; 石桥修; 中野力藏
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2009-07-13
Filing date: 2010-07-13
Publication date: 2012-09-19
Anticipated expiration: 2030-07-13
Also published as: CN101957796A; US8473675B2; US20110010508A1; KR101166980B1; KR20110006607A; EP2278470A1; JP2011022657A

Abstract

本发明涉及存储系统及信息处理设备。该存储系统包括：第一存储器，其作为目标设备的主存储器；第二存储器，其存取速度低于所述第一存储器的存取速度；保证部，其确保所述第一存储器的预定区域作为所述第二存储器的临时存储区；以及存储控制部，其接收将数据写入所述第二存储器的指令，将所述数据临时存入所述第一存储器，并且将所存储的数据从所述第一存储器转送到所述第二存储器。

Description

存储系统及信息处理设备

技术领域

本文讨论的实施方式涉及一种存储系统以及一种信息处理设备。

背景技术

近来，作为替代HDD(硬盘驱动器)的存储设备，所谓的SSD(固态硬盘)使用闪存作为存储介质，得到了广泛关注(例如，参见日本专利未决公开H5-150913号、H6-4399号和2007-41813号)。

由于SSD没有类似HDD的磁盘，不需要将磁头移动到所期望的磁轨的寻道操作时间以及磁头到达所期望的数据在磁轨中的位置的时间。因此，利用SSD，可以进行比HDD更快的数据存储和再现，从而，SSD得到了广泛的关注。进一步，和HDD不同，SSD不需要利用电机来旋转磁盘或者移动磁头，使得功耗更低，这是其得到广泛关注的另一个原因。

此处，大多数SSD配备了DRAM(动态随机访问存储器)，用于在闪存中存储数据时进行缓存。近来，要求SSD进一步加速，并且，作为一种方法，考虑增加用于缓存的DRAM容量。

另一方面，要求SSD进一步节省功耗。然而，在很多情况下，DRAM功耗较大，并且，功耗随着DRAM容量增加而增大。因此，目前很难在节省SSD功耗的同时进一步实现加速。

此处，到目前为止，以SDD为例解释了高速和节能难以同时实现的问题。然而，此问题通常出现在使用高能耗存储介质(诸如DRAM)作为缓存来存储数据的存储系统中。

因而，本发明的目的在于在将数据存储到存储器中时同时实现高速和节能。

发明内容

根据本发明的第一方面，基本模式的存储系统包括第一存储器、第二存储器、保证部以及存储控制部。

使用所述第一存储器作为目标设备的主存储器。

所述第二存储器的存取速度低于所述第一存储器的存取速度。

所述保证部确保所述第一存储器的预定区域作为所述第二存储器的临时存储区。

所述存储控制部接收将数据写入所述第二存储器的指令，将所述数据临时存入所述第一存储器，并且将所存储的数据从所述第一存储器转送到所述第二存储器。

根据本发明第二方面，基本模式的存储设备包括所述第二存储器和如下所述的数据接收部。

所述数据接收部连接到所述存储控制部。所述数据接收部接收要写入所述第二存储器的数据输入，并将所输入的数据发送给所述存储控制部。

根据本发明的第三方面，基本模式的存储控制设备包括保证部、数据输入部以及数据分配部，它们在下文描绘。

所述数据输入部接收第一数据输入以及第二数据输入。

在所述数据输入部输入的数据中，所述数据分配部接收针对第一数据的将所述第一数据写入所述第一存储器的指令，并将所述第一数据直接存入所述第一存储器。并且，所述数据分配部接收将所述第二数据写入所述第二存储器的指令。然后，所述数据分配部将所述第二数据临时存入所述第一存储器，并且将所存储的第二数据从所述第一存储器转送到所述第二存储器。

根据本发明的第四方面，基本模式的信息处理设备包括所述第一存储器、所述第二存储器、所述保证部、所述存储控制部、以及以下描述的处理部。

所述处理部对所述第一存储器和所述第二存储器进行存取。

根据本发明的所述方面，在将数据存入存储器时可以同时实现高速和节能。

附图说明

图1是示出了第一实施方式的图；

图2是示出了第二实施方式的图；

图3是示出了第三实施方式的图；

图4是示出了第四实施方式的示意图；

图5是示出了对比例的示意图；

图6是示出了表示在所述第四实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图；

图7是示出了表示在所述第四实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的后半部分的图；

图8是示出了表示在所述第五实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图；

图9是示出了表示在所述第五实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的后半部分的图；

图10是示出了第六实施方式的示意图；

图11是示出了第七实施方式的示意图；

图12是示出了表示在所述第七实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图；

图13是示出了表示在所述第七实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的后半部分的图；

图14是示出了全部结束处理的流程图；

图15是示出了第八实施方式的示意图；

图16是示出了表示在所述第八实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图；

图17是示出了表示在所述第八实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的后半部分的图；

图18是示出了全部结束处理的流程图；

图19是示出了利用MRAM的另一示例的图；

图20是示出了表示在所述另一示例中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图；

图21是示出了表示在所述另一示例中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的后半部分的图；

图22是示出了第九实施方式的示意图；

图23是示出了表示在所述第九实施方式中执行的写入处理的流程图的前半部分的图；

图24是示出了表示在所述第九实施方式中执行的写入处理的流程图的后半部分的图；

图25是示出了全部结束处理的流程图；

图26是示出了第十实施方式的示意图；

图27是示出了表示在所述第十实施方式中执行的写入处理的流程图的前半部分的图；

图28是示出了表示在所述第十实施方式中执行的写入处理的流程图的后半部分的图；以及

图29是示出了第十一实施方式的示意图。

具体实施方式

此后，将参照附图描述已经解释了其基本模式的存储系统、存储设备、存储控制设备以及信息处理设备的具体实施方式。

首先，将解释第一实施方式。

图1是示出了第一实施方式的图。

在此图1中，示出了一种信息处理设备10，其包括存储系统11和处理部12。在第一实施方式中，图1中的信息处理设备10对应于所述信息处理设备的具体实施方式。也在第一实施方式中，图1中的存储系统11对应于所述存储系统的具体实施方式。进一步在第一实施方式中，图1中的处理部12对应于基本模式的所述信息处理设备的所述处理部的示例。

此外，存储系统11包括第一存储器11_1、第二存储器11_2、保证部11_3以及存储控制部11_4。在所述第一实施方式中，第一存储器11_1、第二存储器11_2、保证部11_3以及存储控制部11_4分别对应于基本模式中的所述第一存储器、所述第二存储器、所述保证部以及所述存储控制部的示例。

第一存储器11_1作为目标设备的主存储器。

第二存储器11_2的存取速度比第一存储器11_1的存取速度慢。

保证部11_3确保第一存储器11_1的预定区域11_1a作为第二存储器11_2的临时存储区。

存储控制部11_4接收将数据写入第二存储器11_2的指令，将所述数据临时存入第一存储器11_1，并将所存储的数据从第一存储器11_1转送到第二存储器11_2。

处理部12在存取第一存储器11_1和第二存储器11_2时起作用。

此外，尽管图1中没有指出将数据存入第一存储器11_1，但其可以利用存储控制部11_4或者存储控制部11_4之外的未说明的构成元素来实现。

在图1的存储系统11中，第一存储器11_1本身是主要保存数据的存储器，同时，确保内部的预定存储区域11_1a作为其中存储数据的速度相对较慢的第二存储器11_2的临时存储区(缓存)。根据存储系统11的此构造，需要第二存储器11_2的缓存具有大容量，以使得第二存储器11_2具有快速的表观存储速度。然而，由于其中确保了缓存的第一存储器11_1本身如前所述是主存储器，因此，无需特别增加容量即可确保足够大的容量。并且，由于可以在具有这样大容量的存储器中确保大容量缓存，因而由于对第二存储器11_2进行加速导致的功耗增加几乎为零。即，根据图1的存储系统11，在存储数据时可以同时实现加速和省电。最后，在使用存储系统11来存储在信息处理中已经处理了的数据的图1的信息处理设备10中，可以在存储数据时同时实现高速和节能。

接着，将解释第二实施方式。

图2是示出了第二实施方式的图。

在此图2中，用与图1相同的数字来表示与图1中相同的构成元素，省略对相同构成元素的冗余解释。

在此图2中，示出了存储设备20，存储设备20包括第二存储器11_2和数据接收部21。在第二实施方式中，图2的存储设备20对应于所述存储设备的具体实施方式。还是在第二实施方式中，图2的数据接收部21对应于所述存储设备的基本模式中的所述数据接收部的示例。

数据接收部21连接到存储控制部11_4。接收部21接收要写入第二存储器11_2的数据输入，并将所输入的数据发送给存储控制部11_4。

根据图2的存储设备20，使用第一存储器11_1作为存储设备20内部的第二存储器11_2的缓存，其中，所述第一存储器11_1是存储设备20外部的主存储器。即，根据存储设备20，可以方便地实现图1的上述存储系统11，并且最终在存储数据时同时实现高速和节能。

接着，将解释第三实施方式。

图3是示出了第三实施方式的图。

在此图3中，同样，用与图1相同的数字来表示与图1中相同的构成元素，省略对相同构成元素的冗余解释。

在图3中，示出了配备有保证部11_3、数据输入部31以及数据分配部32的存储控制设备30。在第三实施方式中，图3的存储控制设备30对应于所述存储控制设备的具体实施方式。进一步在第三实施方式中，图3的数据保证部11_3、数据输入部31和数据分配部32分别对应于基本模式中的所述存储控制设备的所述保证部、所述数据输入部以及所述数据分配部的示例。

数据输入部31接收第一数据的输入以及第二数据的输入。

在数据输入部31输入的数据中，数据分配部32接收针对第一数据的将所述第一数据写入第一存储器11_1的指令，并将所述第一数据直接存入所述第一存储器11_1。并且，数据分配部32接收将所述第二数据写入所述第二存储器11_2的指令。然后，数据分配部32将所述第二数据临时存入第一存储器11_1，并且将所存储的第二数据从第一存储器11_1转送到第二存储器11_2。

根据此存储控制设备30，数据分配部32在将第二数据发送到第二存储器11_2时，使用作为主存储器的第一存储器11_1的预定区域11_1a作为缓存。即，根据存储控制设备30，可以方便地实现图1的上述存储系统11，并且，最后，可以在存储数据时同时实现高速和节能。

接着，将解释第四实施方式。

图4是示出了第四实施方式的示意图。

应注意到，在图4中，关注与计算机100中的数据存储相关的构成元素地示出了计算机100。此外，计算机100包括具有针对外部设备的I/O接口以及其上显示信息处理结果的监控设备。在图4中，为解释简洁起见，省略了对与数据存储相关的构成元素之外的其它构成元素的说明。此外，在后文将描述的示出各种实施方式的示意图中，也是类似的。

在第四实施方式中，图4的计算机100对应于所述信息处理设备的具体实施方式。

在图4中，示出了在计算机100中执行各种信息处理的CPU 110。进一步在图4中，作为与计算机100中的数据存储相关的构成元素，示出了主存储器120、SSD 130、第一芯片组140以及第二芯片组150。在第四实施方式中，主存储器120、SSD 130和第一芯片组140的组合对应于所述存储系统的具体实施方式。进一步，在第四实施方式中，图4的CPU 110对应于基本模式中的上述信息处理设备的所述处理部的示例。

主存储器120是这样的存储器，在该存储器中，CPU为执行信息处理而对用于各种信息处理的程序和各种数据进行了扩展。在第四实施方式中，主存储器120是所谓的DIMM(双列直插存储模块)，其中，在印刷板上安装了两个或更多个易失性存储器DRAM。在主存储器120中，易失性存储器DRAM负责存储数据。因此，存入主存储器120中的数据是临时使用的数据，进行信息处理时其被临时使用，而当主存储器120的电源切断时，其丢失。在第四实施方式中，主存储器120对应于基础模式中的第一存储器的示例。进一步，在第四实施方式中，存入主存储器120的临时使用数据对应于基础模式中的第一数据的示例。

此外，主存储器120是具有所谓的SPD(串行存在检测)信息的存储器。SPD信息包括诸如容量和速度信息等存储器本身的信息、SSD缓存区信息和映射信息。在诸如EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)的非易失性存储器中存储SPD信息，其中，所述非易失性存储器是主存储器120中未示出的构成元素。

进一步在第四实施方式中，主存储器120的存储区在使用时被分为其中存储临时使用数据的主存储区和所述主存储区的保留区。预先在所述SPD信息中描述了指示主存储器120中的哪个地址区属于主存储区以及哪个地址区属于保留区的信息。在第四实施方式中，通过查阅此SPD信息，主存储区和保留区如下所述地被单独使用。

首先，临时使用数据被存入主存储区中的各个地址，其中，所述主存储区的位置在SPD信息中得到描述。在存储时，如果在将临时使用数据存入某一地址时失败，则认为所述地址被损坏。然后，通过预定程序在保留区中选出地址，将该地址设置为主存储区中被认为损坏的地址的替代地址。在SPD信息中描述主存储区中被认为损坏的地址以及对应于所述损坏的地址的替代地址。出现故障之后，将发送给被认为损坏的地址的数据存入保留区中的替换地址中。

SSD 130是存储设备，其中存储了程序和各种数据。SSD 130包括NAND型闪存131和控制部132。在第四实施方式中，SSD 130对应于存储设备的具体实施方式。

NAND型闪存131是SSD 130的存储介质。NAND型闪存131是非易失性存储器，其存储数据的速度比具有DRAM的主存储器120的速度慢。NAND型闪存131是SSD 130中的存储介质，其对应于HDD中的磁盘，并且具有大的容量。存入所述NAND型闪存131的数据是希望在SSD 130的电源被切断之后仍保留的数据。在第四实施方式中，NAND型闪存131对应于基本模式中的第二存储器的示例。此外，希望存入NAND型闪存131保留的数据对应于基本模式中的第二数据的示例。

在第四实施方式中，使用主存储器120的保留区作为NAND型闪存131的缓存区121。此外，将保留区中的替代地址之外的地址作为缓存区121进行使用。

此处，取决于主存储区的被损坏情况，保留区中的很多地址被设置为替代地址，这可能导致作为缓存区121的剩余容量出现不足。在第四实施方式中，如果保留区的剩余容量像这样出现不足，则主存储区中的部分存储区被占用，以便补偿所述不足并扩展保留区。如果执行了这样的扩展，则SPD信息中指示保留区地址的点被指示扩展之后的保留区地址的内容所替代。在这种情况下，SPD信息中指示主存储区地址的点也被指示由于所述占用而减少了的主存储区地址的内容所替代。

这样，在第四实施方式中，使用主存储器120中最初准备的或者相应扩展后的保留区作为缓存区121。这样，可以使用主存储器120的一部分作为缓存区121，而不会明显排挤临时使用数据的存储(存储临时使用数据是主存储器120的最初作用)。

在第四实施方式中，CPU 110将临时使用的数据输入第一芯片组140。并且，CPU 110将希望保留的数据输入到第二芯片组150。

控制部132从第二芯片组150接收希望保留的数据，并发送给第一芯片组140。在第四实施方式中，控制部132对应于基本模式中的数据接收部的示例。

如果临时使用数据被从CPU 110输入到第一芯片组140，则第一芯片组140首先查阅SPD信息，并确认主存储区的位置、主存储区中的损坏地址以及过去在保留区中设置的替代地址。然后，第一芯片组140将临时使用数据存入经这样确认的主存储区的地址以及保留区中的替代地址。此时，如果向主存储区中的地址的存入失败，则第一芯片组140执行替代地址的上述设置。并且第一芯片组140将存入主存储区失败的临时使用数据存入保留区中新设置的替代地址。

当从SSD 130的控制部132接收到希望保留的数据时，第一芯片组140参照SPD信息如下地进行确认。即，这种情况下，第一芯片组140确认保留区中的替代地址之外的区域，将其作为SSD 130的NAND型闪存131的缓存区121。并且第一芯片组140将希望保留的数据存入经这样确认的缓存区121。之后，第一芯片组140将希望保留的存储数据从缓存区121移动到NAND型闪存131。

进一步，第一芯片组140以与作为高速存储器的主存储器120相适合的高输入输出速度输入并且输出用于指定数据存储位置的地址的控制数据以及存入所述存储位置的各种数据。因此，在第四实施方式中，分别在第一芯片组140和主存储器120之间以及在第一芯片组140和SSD130之间提供了高速总线，将其作为数据输入及输出的路径。

在第四实施方式中，第一芯片组140对应于存储控制设备的具体实施方式。并且，第一芯片组140还对应于结合了基础模式中的保证部和存储控制设备的示例。

在第四实施方式中，第一芯片组140负责与主存储器120交换临时使用数据，还负责经由缓存区121将希望保留的数据存入NAND型闪存131。在第四实施方式中，通过使用第一芯片组140来存储这两种类型的数据，与这两种类型数据的存储相关的结构将变得简单。

这意味着，对于上述基本模式而言，其中存储控制部还接收将数据写入第一存储器的写入指示并将该数据直接存入第一存储器的应用模式是优选的。

在第四实施方式中，图4的第一芯片组140还对应于此应用模式中的存储控制部的示例。

此外，在第四实施方式中，第一芯片组140将主存储器120的存储区分别作为存储临时使用数据的主存储区以及保留区，其中，该保留区作为如上所述的缓存区121使用。第一芯片组140查阅之前存储在主存储器120的EEPROM中的SPD信息或者第一芯片组140本身适当重写的SPD信息来执行这种分开使用。

在第四实施方式中，通过这种分开使用，可以将主存储器的保留区作为SSD的缓存区，而无需例如进行附加性改变(例如，将DRAM加到市场上已有的主存储器中)。

这意味着，对于上述基本模式而言，在第一存储器中将预定区域之外的区域作为主存储器的应用模式是优选的。

第四实施方式中的主存储器120还对应于此应用模式中的第一存储器的示例。

此外，第一芯片组140还包括第一输入端口141、第二输入端口142以及数据分配部143。

第一输入端口141用于从CPU 110输入临时使用数据。

第二输入端口142用于从SSD 130的控制部132输入希望保留的数据。

数据分配部143向主存储区发送在第一输入端口141接收的临时使用数据。并且，数据分配部143经由缓存区121向SSD 130的NAND型闪存131发送在第二输入端口142处接收的希望保留的数据时，指定所述保留区作为缓存区121。

在第四实施方式中，第一输入端口141和第二输入端口142的结合对应于基本模式中的存储控制设备的数据输入部的示例。

并且，在第四实施方式中，通过在第一芯片组140中提供这两种类型的数据输入端，在第一芯片组140的内部可以方便地确定输入第一芯片组140的这两种类型的数据。

这意味着，对于其中存储控制部还接收将数据写入第一存储器的写入指令的上述应用模式而言，以下描述的应用模式是优选的。

根据此更优选的应用模式，存储控制部还包括向其输入数据的第一输入端口以及向其输入数据的第二输入端口。并且在该更优选的应用模式中，存储控制部将其输入由第一输入端口接收的数据处理为将写入第一存储器的数据，以及将其输入由第二输入端口接收的数据处理为将写入第二存储器的数据。

第四实施方式中的第一芯片组140还对应于此更优选的应用模式中的存储控制部的示例。并且，在此更优选的应用模式中，第四实施方式中的第一输入端口141和第二输入端口142分别对应于第一输入端口和第二输入端口的示例。

第二芯片组150从CPU 110接收希望保留的数据，并将希望保留的数据输入SSD 130的控制部132。第二芯片组150以比第一芯片组140的输入输出速度低的速度输入并输出用以指明数据的存储位置的地址等的控制数据以及将要存储在所述存储位置的各种数据。因此，在第四实施方式中，在第二芯片组150和SSD 130之间提供低速总线，作为这些数据的输入和输出路径。

在第四实施方式中，由SSD 130的控制部132经由高速总线将第二芯片组150经由低速总线输入SSD 130的希望保留的数据输入第一芯片组140。然后，第一芯片组140经由高速总线将希望保留的数据存入缓存区121之后，将其移入NAND型闪存131。

此处，将解释与参照图4解释的第四实施方式相对比的对比例。

应注意到，此对比例与第四实施例的不同之处在于用于缓存的DRAM集成在SSD中。接着，将集中于此不同点来解释此对比例。

图5是示出了所述对比例的示意图。

应注意到，在图5中，将相同的数字“110”赋予CPU，此CPU等同于图4所示的CPU 110，其作为计算机100’的一个构成元素。

在作为图5所示对比例的计算机100’中，具有DRAM的主存储器120’是与SSD 130’分开的存储器，而第一芯片组140’仅与主存储器120’交换数据。

在图5的SSD 130’中，如上所述地集成了作为NAND型闪存131’的缓存的DRAM 133’。在SSD 130’中，控制部132’将从第二芯片组150’输入的希望保留的数据存入集成的DRAM 133’之后，移动到NAND型闪存131’。通过用于缓存的DRAM 133’，解决了第二芯片组150’的数据输入速度与NAND型闪存131’的存储速度之间的差异。

近来，要求SSD进一步加速，作为这样一种方法，考虑了增加用于缓存的DRAM的容量。另一方面，要求SSD进一步节能。然而，DRAM在很多情况下需要较大的功耗，而且随着DRAM的容量变大，功耗进一步增加。因此，和图5的对比例一样，利用在SSD中集成作为缓存的DRAM的结构，在很多情况下，由于节能要求等，存在几MB的容量限制。

相反，在图4所示的第四实施方式中，可以适当地使用计算机100的主存储器120中包含的约几GB的DRAM作为缓存区121。即，在图4的计算机100中，可以获得的缓存容量是图5的对比例中的计算机100’的缓存容量的约100倍至1000倍。这样，由于可以使用大容量的缓存区121，几乎不需要加入新的DRAM，因此，功耗的增加实质上为零。即，根据第四实施方式，可以实现数据存储的加速，同时节省电能。

在第四实施方式中，通过以这种方式使用计算机100中包含的大容量的主存储器120，无需以上代价即可实现缓存区的增加。

这意味着，对于上述基本模式而言，第一存储器是利用数据执行信息处理的信息处理设备的主存储器的应用模式是优选的。

本实施方式的主存储器120还对应于此应用模式中的第一存储器的示例。

接着，详细解释在图4所示的第四实施方式中执行的将希望保留的数据写入SSD 130的处理。

图6是示出了表示在所述第四实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图，而图7是示出了该流程图的后半部分的图。

当将组成存储目标文件的数据从图4的CPU 110发送到第二芯片组150时，开始进行图6、7的流程图中所示的写入处理。当开始所述处理时，首先第二芯片组150打开SSD 130的电源(步骤S101)。

然后，SSD 130的控制部132如下对第一芯片组140进行询问(步骤S 102)。

在图6的步骤S102中，询问主存储器120的保留区中是否有足够的剩余容量作为缓存区121。第一芯片组140查阅主存储器120中的SPD信息，并确定保留区中是否有足够的剩余容量作为缓存区121。

当第一芯片组140确定保留区中的剩余容量不足以作为缓存区121时(步骤S102的判断为否)，则SSD 130的控制部132请求第一芯片组140执行如下处理(步骤S103)。

首先，控制部132请求第一芯片组140计算为补偿缓存区121的不足所需要的容量。并且控制部132请求第一芯片组140从主存储区中提取具有根据替代地址之外的存储区所计算出的容量的存储区部分。此外，控制部132请求第一芯片组140如下地重写SPD信息中指示保留区地址的点。即，关于SPD信息中指示保留区地址的点，从控制部132向第一芯片组140发出重写内容的请求，使得所述内容指示加入了所提取的存储区后的新的保留区地址。此时，还将SPD信息中指示主存储区地址的点重写为指示由于将所述部分加入保留区而减少后的主存储区地址的内容。

通过以上解释的步骤S103的处理，以保留区的形式确保了缓存区121具有足够容量。

另一方面，当针对步骤S102中所执行的询问返回了指示保留区的剩余容量足够作为缓存区121的响应时(步骤S102的判断为是)，则省略步骤S103的处理，程序前进到下一步骤S104。

根据步骤S102和步骤S103中的处理，使用具有几十GB的主存储区120中的适当容量的存储区作为缓存区121。

随后，在步骤S104中，第二芯片组150开始将希望保留的数据输入SSD 130中。

因而，SSD 130的控制部132将从第二芯片组150输入的希望保留的数据输入第一芯片组140的第二输入端口142(步骤S105)。在步骤S105中，第一芯片组140的数据分配部143通过查阅主存储器120的SPD信息来确认缓存区121的位置，并将希望保留的数据输入缓存区121。

此处，在将希望保留的数据的一个文件从第二芯片组150输入SSD130时，根据经由低速总线的数据传输能力将一定量的数据指定为一个单位。在此处的流程图中，在从第二芯片组150输入了一个单位的希望保留的数据之后，暂时结束所述输入(步骤S106)。然后，第一芯片组140确定由于此次存储了一个单位的希望保留的数据，是否在缓存区121中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S107)。

如果确定出仍然没有累积一定量的希望保留的数据(步骤S107判断为否)，则程序返回步骤S105，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，此时在流程图中，在缓存区121中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S107的判断为是)之前，重复存储希望保留的数据。

如果在缓存区121中累积了一定量的希望保留的数据，则第一芯片组140从缓存区121读取所累积的希望保留的数据，并将其移动到SSD130的NAND型闪存131(步骤S108)。结果，将希望保留的数据存入了NAND型闪存131中。此外，在执行将希望保留的数据存入NAND型闪存131时，根据在NAND型闪存131中存储数据的速度，指定一定量的数据作为一个单位。并且当将一个单位的希望保留的数据存入了NAND型闪存131时，SSD 130的控制部132确定是否完成了对缓存区121中累积的所有希望保留的数据的存储(步骤S109)。

如果确定出对于一定量的希望保留的数据还没有完成存储(步骤S109处的判断为否)，则程序返回步骤S108，以便执行对下一个单位的希望保留的数据的存储。

另一方面，如果确定出已经完成了对该一定量的所有希望保留的数据的存储(步骤S109处的判断为是)，则SSD 130的控制部132如下请求第一芯片组140(步骤S110)。即，这种情况下，控制部132请求第一芯片组140擦除缓存区121中的希望保留的数据。在步骤S110中，从控制部132接收到请求之后，第一芯片组140执行此擦除。

当完成擦除希望保留的数据时，随后，第二芯片组150确定此次特定量之后是否完成了对所有属于该文件的希望保留的数据的存储(步骤S111)。如果确定出仍然没有完成存储(步骤S111判断为否)，则程序返回步骤S104，重复从步骤S104至步骤S110的处理。另一方面，如果确定出已完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S111判断为是)，则第二芯片组150断开SSD 130的电源(步骤S112)，以便结束此次写入处理。

此处，在此实施方式中，通过作为计算机100的未示出的构成元素的电源控制部执行对主存储器120的电源的开启和关闭，主存储器120的一部分作为SSD 130的缓存区121。在此实施方式中，通过电源的开启指令，开启第一芯片组140和主存储器120的电源。并且当完成了对主存储器的存取以及将希望保留的数据存入SSD 130之后，利用电源控制部关闭主存储器120的电源。

在上述步骤S112中，当关闭SSD 130的电源时，结束对主存储器120的存取，并且当发出关闭电源的指令时，也利用电源控制部关闭主存储器120的电源。

通过以上解释的处理，执行了将希望保留的数据写入SSD 130，其中，主存储器120的一部分作为缓存区121。

接着，将解释第五实施方式。

此第五实施方式与第四实施方式的不同之处在于不使用全部保留区作为缓存区，而是根据保留区中的上述替代地址之外的存储区确保缓存区。接着，将集中于此不同点来解释第五实施方式。第五实施方式的硬件配置与图4所示的第四实施方式类似，因此，此处省略说明以及冗余的解释。此外，在以下解释中，将图4所示的各个构成元素相应称为第五实施方式的构成元素。

图8是示出了表示在所述第五实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图。进一步，图9是示出了该流程图的后半部分的图。

在图8和图9中，利用与图6和图7相同的数字表示与图6和图7的流程图中表示第四实施方式的写入处理的步骤S相同的步骤。之后，也省略关于那些相同步骤的冗余解释。

在图8和图9的流程图中，当在步骤S101中利用第二芯片组150开启SSD 130的电源时，按如下步骤在主存储区120中确保缓存区。

首先，根据来自SSD 130的控制部132的请求，第一芯片组140查阅主存储器120的SPD信息，确认有多少保留区被替代地址占据(步骤S201)。在步骤S201中，通过确定保留区中的替代地址之外的剩余容量是否超出预定阈值来进行此确认。

在第五实施方式中，作为缓存区121的保证模式，有确保相对大的容量的存储区的第一模式以及确保相对小的容量的存储区的第二模式。

当在步骤S201中确定出剩余区低于阈值时，第一芯片组140通过第二模式在保留区中确保缓存区121(步骤S202)。另一方面，当在步骤S201中确定出剩余区大于阈值时，第一芯片组140通过第一模式在保留区中确保缓存区121(步骤S203)。并且，在第五实施方式中，在SPD信息中描述指示在保留区中设置的缓存区121的地址的信息。

如果以此方式确保了缓存区121，与第四实施方式类似，利用从步骤S104至步骤S112的程序执行使用缓存区121将数据写入SSD 130的处理。

并且利用以上解释的第五实施方式，与上述第四实施方式类似，毫无疑问，在存储数据时同时实现了高速和节能。进一步，在此第五实施方式中，根据主存储器120的使用情况调整缓存区121的容量。通过此调整，可以更加高效地使用主存储器120的一部分作为缓存区121。

接着，将解释第六实施方式。

此第六实施方式与第四实施方式的不同之处在于SSD的控制部负责通过使用主存储器的一部分作为缓存来将希望保留的数据存入NAND型闪存。此后，将集中于此不同点来解释第六实施方式。

图10是示出了第六实施方式的示意图。

注意到，在图10中，利用与图4所示相同的数字表示与图4所示第四实施方式的构成元素相同的构成元素。此后，省略对于这些相同构成元素的冗余解释。

在图10的计算机200中，主存储器210安装在SSD 220上。结果，在第六实施方式中，主存储器210和SSD 220的控制部221之间的物理距离变得更近。因此，在第六实施方式中，SSD 220的控制部221负责上述存储控制功能，在第四实施方式中由第一芯片组管理存储控制功能。

于是，在第六实施方式中，第一芯片组230仅在其本身和主存储器210之间具有高速总线。

SSD 220的控制部221将经由低速总线发送的希望保留的数据从第二芯片组150存入缓存区211时指定主存储器210的保留区作为缓存区211。之后，控制部221将缓存区211中存储的数据移至NAND型闪存131。

另一方面，第六实施方式的第一芯片组230从CPU 110接收临时使用的数据，并经由高速总线将该数据存入主存储器210的主存储区。

在第六实施方式中，主存储器210和SSD 220的组合对应于存储系统的具体实施方式。进一步，在第六实施方式中，图10的主存储器210对应于基本模式中的第一存储器的示例。此外，在第六实施方式中，图10的SSD 220的控制部221对应于将基本模式中的保证部和存储控制部组合的示例。

附带地，与第四实施方式类似，顺着图6和图7的流程图执行由控制部221执行的将希望保留的数据写入SSD 220的处理。然而，在第六实施方式中，在第四实施方式的流程图中，完全通过控制部221本身来执行控制部132请求执行的处理。此处，省略与第六实施方式的写入处理有关的说明和重复解释。

毋庸赘言，与上述第四实施方式类似，在存储数据时同时实现了高速和节能。

接着，将解释第七实施方式。

在第七实施方式中，经由非易失性闪存将希望保留的数据从主存储区中的缓存区存入NAND型闪存。

并且在第七实施方式中，负责开启和关闭SSD的电源的第二芯片组独立于将希望保留的数据存入NAND型闪存的结束来执行电源的关闭。并且在第七实施方式中，在关闭电源时将仍然没有存入NAND型闪存的希望保留的数据撤出放入该闪存。

因此，第七实施方式与第四实施方式的不同之处在于经由闪存将希望保留的数据从缓存区存入NAND型的闪存中，并且在关闭SSD的电源时将希望保留的数据撤出放入闪存。此后，将集中于这些不同点解释第七实施方式。

图11示出了第七实施方式的示意图。

附带地，在图11中，将与图4中相同的数字“110”赋予与图4所示的第四实施方式的CPU 110相同的CPU，其作为计算机300的构成元素。

在图11所示的计算机300中，SSD 320具有非易失性闪存323，以便将来自缓存区311的希望保留的数据临时累积进NAND型闪存321中。在此闪存323中临时累积缓存区311中希望保留的数据，直到其达到一定量的数据。当希望保留的数据累积到一定量的数据时，将希望保留的数据移至NAND型闪存321。此处，在NAND型闪存321中，在此结构中存储数据的次数本质上存在上限。在第七实施方式中，在闪存323中累积了希望保留的数据之后，才将其存入NAND型闪存321，从而限制存储的次数。

并且，在第七实施方式中，使用控制存储数据次数的闪存323来在关闭SSD 320的电源时将希望保留的数据从主存储器310的缓存区311撤出。

此外，为了简化从缓存区311向闪存323输入数据，在第七实施方式中，与第六实施方式类似，主存储器310安装在SSD 320上。

此外，第七实施方式的第一芯片组330在其本身和主存储器310之间具有高速总线，并负责将数据存入主存储器310。

第七实施方式的第二芯片组340在其本身和SSD 320的控制部322之间具有低速总线，并负责存储希望保留的数据。第二芯片组340还负责打开以及关闭SSD 320的电源。在此实施方式中，独立于从缓存区311向NAND型闪存321输入数据的结束来执行电源关闭。在第七实施方式中，希望通过此处理简化电源关闭。

在第七实施方式中，SSD 320的控制部322负责将希望保留的数据存入NAND型闪存321，并在关闭电源时经由缓存区311将希望保留的数据撤出放入闪存323中。

在第七实施方式中，图11中的主存储器310和SSD 320的组合对应于存储系统的具体实施方式。

进一步，在第七实施方式中，图11的主存储器310对应于基本模式的第一存储器的示例。进一步，在第七实施方式中，图11的SSD 320对应于存储设备的具体实施方式。并且在第七实施方式中，图11的SSD 320的NAND型闪存321对应于基本模式的第二存储器的示例。此外，在第七实施方式中，图11的SSD 320的控制部322对应于基本模式的保证部和存储控制部的组合的示例。

在第七实施方式中，如上所述，在闪存323中累积了希望保留的数据后才将其存入NAND型闪存321，从而限制了存入NAND型闪存321的次数。

这意味着，对于上述基本模式而言，以下描述的应用模式是优选的。所述应用模式配备了第三存储器，该第三存储器存取速度高于第二存储器的存取速度。在此应用模式中，当完成了将数据临时存储到第一存储器的处理时，存储控制部将存入第一存储器的数据传送至第三存储器。

在此应用模式中，第七实施方式的闪存323对应于第三存储器的示例。进一步，第七实施方式中的SSD 320的控制部322还对应于此应用模式中的存储控制部的示例。

并且在第七实施方式中，利用闪存323的非易失性，在关闭SSD 320的电源时，闪存323还用于撤出希望保留的数据。

这意味着，对于提供了第三存储器的应用模式而言，第三存储器是非易失性存储器的应用模式是优选的。

本实施方式的闪存323还对应于此更优选应用模式中的第三存储器的示例。

此后，将解释图11所示的第七实施方式中执行的将希望保留的数据写入SSD 320的处理。

图12是示出了表示在所述第七实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图。图13是示出了该流程图的后半部分的图。

当将希望保留的数据从图11的CPU 110发送到第二芯片组340时，开始执行图12、图13的流程图所示的写入处理。当开始处理时，首先，第二芯片组340开启SSD 320的电源(步骤S301)。

然后，SSD 320的控制部322通过查阅管理SSD 320的各个存储器存储状态的管理表来确认闪存323中是否留有希望保留的数据(步骤S302)。

在步骤S302中的此确认具有如下意义。

在第七实施方式中，将数据最后存入NAND型闪存321是将闪存323中临时累积的希望保留的数据存入NAND型闪存321。在步骤S302中所查阅的管理表中，是否完成了将来自闪存323的数据存入NAND型闪存321被作为标记进行记录。换言之，闪存323中是否留存有希望保留的数据在管理表中作为标记而得到记录。在此实施方式中，如上所述，在关闭电源时，将仍然没有被存入NAND型闪存321而留在主存储器310的缓存区311中的希望保留的数据撤出放入闪存323中。

此时在步骤S302中，假设已经确认闪存323中余留了希望保留的数据。这意味着，闪存323中留存有前一次开启电源时执行写入处理所撤出的希望保留的数据。另一方面，假设已经确认闪存323中没有剩余希望保留的数据。这意味着，之前的写入处理被完全完成，这包括将闪存323中希望保留的数据存入NAND型闪存321。

换言之，在步骤S302中，确认闪存323中是否剩余没有存入NAND型闪存321的希望保留的数据。

当闪存323中留存有没有存储的希望保留的数据时，SSD 320的控制部322将没有存储的、剩余在闪存323中的希望保留的数据存入NAND型闪存321(步骤S303)。

在第七实施方式中，在执行将闪存323中的希望保留的数据存入NAND型闪存321时，指定一定量的数据作为一个单位。在此处的流程图中，当存储了闪存323中的一个单位的希望保留的数据时，暂时结束存储希望保留的数据。当以这种方式结束存储时，控制单元322确定是否通过此次存储一个单位的希望保留的数据而完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S304)。

如果确定出仍然没有完成对没有存储的希望保留的数据的存储(步骤S304判断为否)，则程序返回步骤S303，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，在此处的流程图中，重复对希望保留的数据的存储，直到完全存储了所有没有存储的希望保留的数据(步骤S304判断为是)。此后，当完成了对没有存储的希望保留的数据的全部存储时，控制部322擦除闪存323中的希望保留的数据(步骤S305)，并继续进行至下一步骤S306。

另一方面，在步骤S302中，如果确认闪存323中没有剩余希望保留的数据，则省略从步骤S303至步骤S305的处理，继续进行至步骤S306。

在步骤S306中，SSD 320的控制部322查阅主存储器310的SPD信息，以便确定保留区中是否有没有被设置为替代地址的足够的剩余容量(步骤S307)。如果确定出保留区中的剩余容量作为缓存311不足(步骤S306的判断为否)，则SSD 320的控制部322执行如下的处理。即，在这种情况下，控制部322计算补偿该不足的容量，从主存储区中提取具有所计算出的容量的存储区，并根据提取的结果重写SPD信息。通过一系列这样的处理，将保留区扩展至具有作为缓存区311的足够容量。

另一方面，如果确定出保留区中的剩余容量足够(步骤S306中的判断为是)，则省略步骤S307的处理，继续进行至下一步骤S308。

在步骤S308中，第二芯片组340开始将希望保留的数据输入SSD320。

因而，控制部322接收希望保留的数据，将希望保留的数据存入如上所述确保的缓存区311(步骤S309)。

此处，执行存储一个文件的希望保留的数据时，指定一定量的数据作为一个单位。在此处的流程图中，在存储了一个单位的希望保留的数据之后，暂时结束存储(步骤S310)。然后，利用SSD 320的控制部322，确定通过此次存储一个单位的希望保留的数据是否在缓存区311中累积一定量的希望保留的数据(步骤S311)。

如果确定出仍然没有累积一定量的希望保留的数据(步骤S311的判断为否)，则程序返回步骤S309，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，在此处的流程图中，重复存储希望保留的数据，直到在缓存区311中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S311的判断为是)。

如果在缓存区311中累积了一定量的希望保留的数据，则SSD 320的控制部322从缓存区311中读取希望保留的数据，并将其存入闪存323(步骤S312)。此外，在将希望保留的数据存入闪存323时，指定一定量的数据作为一个单位。并且当将一个单位的希望保留的数据存入闪存323时，SSD 320的控制部322确定是否完成了对缓存区311中累积的所有希望保留的数据的存储(步骤S313)。

如果确定出仍然没有完成存储(步骤S313判断为否)，则程序返回S312，以便对下一个单位的希望保留的数据执行存储。

另一方面，如果确定出完成了对所有一定量的希望保留的数据的存储(步骤S313判断为是)，则SSD 320的控制部322执行如下的处理(步骤S314)。即，这种情况下，控制部322擦除此时存储在闪存323中的一定量的希望保留的数据。

当擦除希望保留的数据完成时，随后，SSD 320的控制部322确定到此处理为止闪存中累积的希望保留的数据的量是否超出特定阈值(步骤S315)。

如果确定闪存323中累积的希望保留的数据的量没有超出所述阈值(步骤S315判断为否)，则程序返回步骤S308，重复从步骤S308至步骤S314的处理。通过此重复处理，再次执行将希望保留的数据存入主存储器310的缓存区311以及将希望保留的数据存入闪存323。

如果确定出闪存323中累积的希望保留的数据达到超出该阈值的数据量(步骤S315判断为是)，则SSD 320的控制部322执行如下处理(步骤S316)。即，在这种情况下，控制部322将闪存323中希望保留的数据存入NAND型闪存321中。

如上所述，在执行将闪存323中的希望保留的数据存入NAND型闪存321中时，指定一定量的数据作为一个单位。在此处流程图中，在存储了一个单位的希望保留的数据之后，暂时结束来自闪存323的希望保留的数据的存储。然后，控制部322确定是否完成了对闪存323中累积的所有希望保留的数据的存储(步骤S317)。

如果确定出仍然没有完成对所有希望保留的数据的存储(步骤S317判断为否)，则程序返回步骤S316，以便对下一个单位的希望保留的数据进行存储。即，在此处的流程图中，重复存储希望保留的数据，直到所有希望保留的数据都存入了闪存323(步骤S317判断为是)。当完成了对所有希望保留的数据的存储时，控制部322擦除闪存323中的希望保留的数据(步骤S318)，并且执行下面解释的全部结束处理(步骤S350)。

应注意，此处，全部结束处理实质上是独立的处理，它的执行并行于迄今解释的写入处理。然而，在本实施方式中，还将该全部结束处理用作写入处理的子程序，在上述步骤S318之后执行。

图14是示出了该全部结束处理的流程图。

此处，首先解释作为写入处理的子程序在步骤S318之后执行的该全部结束处理(步骤S350)的情况。

首先，第二芯片组340确定此时是否已完成了将组成文件的所有希望保留的数据存入SSD 320(步骤S351)。

如果确定出仍然没有完成存储(步骤S351的判断为否)，则程序返回图12的步骤S308中的写入处理。然后，继续执行写入处理。

另一方面，如果确定出完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S351判断为是)，则在全部结束处理中准备下一个步骤S352的处理。步骤S352的处理是SSD 320的控制部322将主存储器310的缓存区311中的希望保留的数据存入闪存323中的处理。然而，当作为写入处理的子程序在步骤S318之后执行该全部结束处理时，已经在图13的步骤S314中擦除了缓存区311中的希望保留的数据。因此，在图14的步骤S352中，实质上没有执行任何处理，程序进行到下一个步骤S353。

在步骤S353中，在完成了将希望保留的数据存入SSD 320后的预定时间之后，第二芯片组340关闭SSD 320的电源，并完成图14中的包括写入处理的全部结束处理。

此处，在第七实施方式中，通过未示出的作为计算机300的构成元素的电源控制部来执行主存储器310的开启和关闭。在第七实施方式中，根据开启电源的指示，利用电源控制部开启第一芯片组330和主存储器310的电源。通过第二芯片组340开启SSD 320的电源。当完成了对主存储器310的存取并且将希望保留的数据存入了SSD 320时，电源控制部关闭主存储器310的电源。

在步骤S353中，在关闭SSD 320的电源时结束对主存储310的存取，并且当发出关闭电源的指令时，电源控制部关闭主存储器310的电源。

接着，将解释该全部结束处理独立于写入处理地与该写入处理并行执行的情况(步骤S350)。

在这种情况下，步骤S351中的处理每隔一定时间监控由第二芯片组340输入数据的处理本身。此时，即使确定没有完成数据输入，程序也不像此前那样返回图12的步骤S308，而仅仅是继续进行监控。

此处，将解释步骤S351中独立于写入处理执行所述全部结束处理以及确定所述数据输入即将完成的情况。

如上所述，在执行将来自第二芯片组340的一个文件的希望保留的数据输入SSD 320时，指定一定量的数据作为一个单位。此时，在属于此文件并且依序存储的多个单位的数据中，对于刚好在最后一个单位数据之前的单位数据，全部结束处理与子程序相同。并且在这种情况下，通过图14的步骤S351中的确定，程序总是返回图12的步骤S308。

然而，当从第二芯片组340向SSD 320输入最后的单位数据时，当完成了图12的步骤S310的处理的时间点，在图14的步骤S351的处理中确定出完成了所述数据输入。此外，由于此时仍然没有执行图12的步骤S312的处理以及步骤S314的处理，因而缓存区311中仍然剩余着没有被存入闪存323的最后单位的数据。

如上所述，如果完成了对主存储器310的存取，则电源控制部关闭主存储器310的电源。由于将缓存区311中剩余的单位数据存入主存储器310的DRAM，因而随着电源关闭，此单位数据丢失。

因此，在独立于写入处理地执行全部结束处理时，在图14的步骤S352的处理中，将缓存区311中剩余的最后数据撤出存入闪存323。在完成对第二芯片组340的数据输入之后，直到在步骤S353中关闭主存储器310和SSD 320的电源，才完成此撤出。在步骤S353中，完成此撤出之后，关闭主存储器310和SSD 320的电源。

当第二芯片组340开始下一数据输入时，利用图12的步骤S303的处理，将以此方式撤出的最后一个单位的数据存入NAND型闪存321中。

毋庸赘言，通过以上解释的第七实施方式，与上述第四实施方式类似，在存储数据时同时实现高速和节能。

接着，将解释第八实施方式。

第八实施方式是第七实施方式的变型例，其中，独立于将希望保留的数据存入SSD的NAND型闪存的完成，执行SSD的电源关闭处理。第八实施方式与第七实施方式的不同之处在于以下两点。首先，第一点是主存储器具有MRAM(磁阻随机访问存储器)，其具有非易失属性，并且，存入MRAM的数据不同于第七实施方式。其次，第二点是SSD仅包括与第一至第六实施方式类似的NAND型闪存，其不同于第七实施方式。如下，将集中于这些不同点来解释第八实施方式。

图15是示出了第八实施方式的示意图。

附带地，在图15中，利用与图11相同的数字表示与图11所示的第七实施方式相同的构成元素。此后，省略对那些相同构成元素的冗余解释。

在图15的计算机400中，如上所述，不同于迄今为止的各种实施方式，主存储器410包括MRAM而不是DRAM。MRAM具有磁阻效应元件，并且是在磁化方向上存储数据的存储介质。进一步，MRAM还具有低功耗和非易失性的性质。

此外，在图15的计算机400中，即使在完成将希望保留的数据存入NAND型闪存321之前就关闭了SSD 420的电源，由于MRAM的非易失性，在关闭电源之后，仍然没有被存储的希望保留的数据还存留在缓存区411中。因此，在第八实施方式中，与第七实施方式不同，不需要将仍然没有被存储的希望保留的数据撤出至闪存中。

在第八实施方式中，图15的主存储器410和SSD 420的组合对应于存储系统的具体实施方式。并且，在此实施方式中，图15的主存储器410对应于基本模式的第一存储器的示例。此外，在第八实施方式中，图15的SSD 420的控制部421对应于基本模式中的保证部和存储控制部的组合的示例。

进一步，在第八实施方式中，主存储器410具有非易失性MRAM，并且主存储器410的一部分用作缓存区411。因此，在关闭主存储器410的电源时，即使缓存区411中还留着仍然没有存入NAND型闪存321的希望保留的数据，该仍然没有存储的希望保留的数据留在缓存区411中。在第八实施方式中，通过此构造，希望保留的数据向NAND型闪存321的保存得到保证。

这意味着，对于基本模式而言，第一存储器是非易失性存储器的应用模式是优选的。

在第八实施方式中，图15的缓存区411对应于此应用模式中的第一存储器的示例。

此后，将解释图15所示的第八实施方式中执行的将希望保留的数据写入SSD 420的处理。

图16是示出了表示在所述第八实施方式中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图。图17是示出了所述流程图的后半部分的图。

当开始图16、图17的流程图中所示的写入处理时，首先，第二芯片组340开启SSD 420的电源(步骤S401)。

然后，SSD 420的控制部421通过查阅管理SSD 420的各个存储器中的数据的存储状态的管理表来确认缓存区411中是否留有希望保留的数据(步骤S402)。

步骤S402中的确认具有如下意义。

在第八实施方式中，将数据存入NAND型闪存321最后是将临时累积在缓存区411中的希望保留的数据进行存储。在步骤S402所查阅的管理表中，用标记记录是否已经将缓存区411中的数据都存入NAND型闪存321。换言之，在管理表中用标记记录缓存区411中是否留有希望保留的数据。在此实施方式中，如上所述，由于主存储器410中包含的MRAM的非易失性，当关闭电源时主存储器410的缓存区411中留存的希望保留的数据留在了缓存区411中。

此处，在步骤S402中，假设已经确认出缓存区411中留存有希望保留的数据。这意味着，在上次开启电源时执行的写入处理中，关闭电源时仍然没有存储的希望保留的数据留在缓存区411中。另一方面，假设已经确认出缓存区411中没有留存希望保留的数据，这意味着，上次的写入处理已经全部完成，这包括缓存区411中的希望保留的数据的存储。

换言之，在步骤S402中，确认缓存区411中是否留存有仍然没有存入NAND型闪存321的希望保留的数据。

如果缓存区411中留存有仍然没有存储的希望保留的数据，则SSD420的控制部421将仍然没有存储的保留在缓存区411中的希望保留的数据存入NAND型闪存321中(步骤S403)。

在第八实施方式中，在将缓存区411中的希望保留的数据存入NAND型闪存321时，指定一定量的数据作为一个单位。在此处的流程图中，当存储了缓存区411中的一个单位的希望保留的数据时，暂时结束希望保留的数据的存储。当以这种方式结束存储时，控制部421确定是否通过此次存储一个单位的希望保留的数据而完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S404)。

如果确定出仍然没有完成对没有存储的希望保留的数据的存储(步骤S404判断为否)，则程序返回步骤S403，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，在此处的流程图中，重复对希望保留的数据的存储，直到完全存储了所有没有存储的希望保留的数据(步骤S404判断为是)。此后，当完成了对没有存储的希望保留的数据的全部存储时，控制部421擦除缓存411中的希望保留的数据(步骤S405)，并继续进行至下一步骤S406。

另一方面，在步骤S402中，如果确认缓存411中没有留存希望保留的数据，则省略从步骤S303至步骤S305的处理，继续进行至步骤S406。

在步骤S406中，SSD 420的控制部421查阅主存储器410的SPD信息，以便确定主存储器410的保留区中是否确保了缓存区411。如果确定没有确保缓存区411(步骤S406判断为否)，则SSD 420的控制部421执行如下的处理。即，在这种情况下，控制部421在主存储器410的保留区内部确保缓存区411(步骤S407)。进一步，在SPD信息中描述所确保的缓存区411的地址等。

另一方面，如果确定出已经确保了缓存区411(步骤S406中的判断为是)，则省略步骤S407的处理，继续进行至下一步骤S408。

在步骤S408中，第二芯片组340开始将希望保留的数据输入SSD420。

因而，控制部421接收希望保留的数据，查阅SPD信息以便确认缓存区411的地址，并将希望保留的数据存入缓存区411(步骤S409)。

此处，在存储一个文件的希望保留的数据时，指定一定量的数据作为一个单位。在此处的流程图中，在存储了一个单位的希望保留的数据之后，临时结束存储(步骤S410)。然后，SSD 420的控制部421确定是否通过此次存储一个单位的希望保留的数据来在缓存区411中累积一定量的希望保留的数据(步骤S411)。

如果确定出还没有累积一定量的希望保留的数据(步骤S411的判断为否)，则程序返回步骤S409，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，在此处的流程图中，重复存储希望保留的数据，直到在缓存区411中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S411的判断为是)。

如果在缓存区411中累积了一定量的希望保留的数据，则SSD 420的控制部421从缓存区411中读取希望保留的数据，并将其存入NAND型闪存321(步骤S412)。此外，在将希望保留的数据存入NAND型闪存321时，也指定一定量的数据作为一个单位。并且当将一个单位的希望保留的数据存入NAND型闪存321时，SSD 420的控制部421确定是否完成了对缓存区411中累积的所有希望保留的数据的存储(步骤S413)。

如果确定仍然没有完成存储(步骤S413判断为否)，则程序返回S412，以便对下一个单元的希望保留的数据执行存储。

另一方面，如果确定出完成了对所有一定量的希望保留的数据的存储(步骤S413判断为是)，则SSD 420的控制部421执行如下的处理(步骤S414)。即，这种情况下，控制部421擦除此时存储在缓存区411中的一定量的希望保留的数据。

当擦除希望保留的数据完成时，随后，执行将在下文解释的全部结束处理(步骤S450)。

应注意到，此处，全部结束处理实质上是独立的处理，它的执行并行于迄今解释的写入处理。然而，在本实施方式中，还将全部结束处理作为写入处理的子程序，在上述步骤S414之后执行。

图18是示出了该全部结束处理的流程图。

此处，首先解释全部结束处理作为写入处理的子程序在步骤S414之后执行(步骤S450)的情况。

首先，第二芯片组340确定是否已经将组成此文件的所有希望保留的数据都存入了SSD 420(步骤S451)。

如果确定出仍然没有完成存储(步骤S451的判断为否)，则程序返回图16的步骤S408。然后，继续执行写入处理。

另一方面，如果确定出完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S451判断为是)，则从已经将希望保留的数据存入SSD 420开始等待预定时间之后，第二芯片组340关闭SSD 420的电源(步骤S452)。

此时，如果完成了对主存储器410的存取，则在步骤S452中，电源控制部还关闭主存储器410的电源。

随着以上解释的在步骤S452中的关闭电源，完成了图18的全部结束处理以及图16、17的写入处理。

随后，将解释全部结束处理独立于写入处理与写入处理并行地执行(步骤S450)的情况。

在这种情况下，步骤S451中的处理每隔一定时间就监控第二芯片组340的输入数据的处理本身。此时，即使确定出没有完成数据输入，该程序也不像此前一样返回图16的步骤S408，而仅仅继续进行监控。

此处，将解释步骤S451中独立于写入处理执行所述全部结束处理以及确定所述数据输入是否完成的情况。

如上所述，在将来自第二芯片组340的一个文件的希望保留的数据输入SSD 420时，指定一定量的数据作为一个单位。此时，在属于此文件并且依序存储的多个单位的数据中，针对刚好在最后一个单位数据之前的单元数据，全部结束处理的作用与子程序一样。并且在这种情况下，通过图18的步骤S451中的确定，程序总是返回图16的步骤S408。

然而，当从第二芯片组340向SSD 420输入最后的单元数据时，当完成图18的步骤S451的处理的时间点，确定出在图18的步骤S451的处理中完成所述数据输入。此外，由于此时还没有执行图17的步骤S414的处理，因而缓存区411中仍然留有没有被存储的最后单位的数据。由于缓存区411的非易失性，在关闭主存储器410的电源之后，缓存区411中的希望保留的数据还存留在缓存区411中。

当第二芯片组340开始下一个数据输入时，利用图16的步骤S403的处理，将这样留存在缓存区411中的最后一个单位的数据存入NAND型闪存420中。

此处，与对上述基本模式的具体实施方式的解释不同，将解释使用MRAM的另一种示例。

图19是示出了使用MRAM的另一示例的图。

图19所示的计算机500基本上是将安装在参照图5解释的对比例的SSD 130’中作为专用缓存的DRAM 133’改换成MRAM 511的计算机。

在此另一示例中，SSD 510的控制部512经由作为专用缓存的MRAM 511将从第二芯片组150’接收的希望保留的数据存入NAND型闪存131’中。

另一方面，与对比例类似，主存储器120’是独立于SSD 130’的存储器，并且第一芯片组140’仅与此主存储器120’交换数据。

此后，将描述在图19中所示的另一示例中执行的将希望保留的数据写入SSD 510的处理。

图20是示出了表示在所述另一种示例中执行的对希望保存在SSD中的数据进行写入处理的流程图的前半部分的图。图21是示出了此流程图的后半部分的图。

当开始图20、图21的流程图所示的写入处理时，首先，第二芯片组150’开启SSD 510的电源(步骤S501)。

随后，第二芯片组150’开始将希望保留的数据输入SSD 510(步骤S502)。因而，控制部512接收希望保留的数据，并将其存入作为专用缓存的MRAM 511(步骤S503)。

此处，在输入一个文件的数据时指定一定量的数据作为一个单位。在此处的流程图中，在从第二芯片组150’输入一个单位的希望保留的数据之后，暂时结束来自第二芯片组150’的输入(步骤S504)。在结束该数据输入之后，控制部512确定通过此次存储一个单位的希望保留的数据是否已在MRAM 511中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S505)。

如果确定出还没有累积所述一定量的希望保留的数据(步骤S505判断为否)，则程序返回步骤S503，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。即，在此处的流程图中，重复对希望保留的数据的存储，直到在MRAM 511中累积了所述一定量的希望保留的数据(步骤S505判断为是)。

如果在MRAM 511中累积了所述一定量的希望保留的数据，则SSD510的控制部512从MRAM 511中读取所累积的希望保留的数据，并将其存入NAND型闪存131’(步骤S506)。此外，在将希望保留的数据存入NAND型闪存131’时，也指定一定量的数据作为一个单位。并且当将所述一个单位的希望保留的数据存入NAND型闪存131’时，SSD 510的控制部512确定是否完成了对MRAM 511中累积的所有希望保留的数据的存储(步骤S507)。

如果确定出还没有完成所述存储(步骤S507判断为否)，则程序返回步骤S506，以便存储下一个单位的希望保留的数据。

另一方面，如果确定出已经完成了对所有一定量的希望保留的数据的存储(步骤S507判断为是)，则SSD 510的控制部512执行如下处理(步骤S508)。即，在这种情况下，控制部512执行从MRAM 511中清除此时已存储在NAND型闪存131’中的所述一定量的希望保留的数据。

当完成了步骤S508的处理时，第二芯片组150’确定是否已经将组成此文件的所有希望保留的数据都存入了SSD 510(步骤S509)。

如果确定还没有完成存储(步骤S509的判断为否)，则程序返回图20的步骤S502中的写入处理。然后，继续执行写入处理。

另一方面，如果确定完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S509判断为是)，则在所述确定之后，第二芯片组150’关闭SSD 510的电源(步骤S510)。此时，如果完成了对主存储器120’的存取，则电源控制部还关闭主存储器120’的电源。随着在步骤S510中电源的关闭，图20、图21的写入处理结束。

如以上解释的，在该另一示例中，在将希望保留的数据存入SSD 510的NAND型闪存131’时，将MRAM 511作为专用缓存。并且在所述另一示例中，在确认了已将属于一个文件的全部希望保留的数据都存入了NAND型闪存131’之后，执行关闭电源的处理。因此，在所述另一示例中，可以关闭SSD 510的电源，而不会遗漏还没有存储的希望保留的数据。

接着，将解释第九实施方式。

第九实施方式是第七实施方式的变型例，其中，经由主存储器的缓存区以及闪存将希望保留的数据存入NAND型闪存。第九实施方式与第七实施方式的不同之处在于利用SSD的控制部将从一个芯片组输入的数据分配给主存储器和NAND型闪存。此后，将集中于此不同点解释第九实施方式。

图22是示出了第九实施方式的示意性框图。

附带地，在此图22中，将与图4中相同的数字“110”赋予CPU，此CPU等同于图4所述的第四实施方式中的CPU 110，其作为计算机600的构成元素。

图22的计算机600具有芯片组610和SSD 620。

进一步，在SSD 620中，安装了主存储器630，该主存储器630为具有DRAM的DIMM。在主存储器630的保留区中，设置了用于NAND型闪存621的缓存区631。

芯片组610将临时使用的数据和希望保留的数据都输入到SSD 620的控制部622中。此处，在此实施方式中，芯片组610将标识符附加到数据上指示该数据是临时使用的数据还是希望保留的数据，并将具有该标识符的数据输入到控制部622中。

如果从芯片组610输入的数据的标识符指示临时使用的数据，则SSD620的控制部622将所述数据存入主存储器630的主存储区中。进一步，如果所述标识符指示希望保留的数据，则SSD 620的控制部622通过主存储器630的缓存区631以及闪存623将所述数据存入NAND型闪存621。

此处，与其它实施方式类似，在主存储器630的SPD信息中描述主存储器630的主存储区、主存储器630的保留区以及缓存区631各自的地址。当向主存储器630发送数据时，SSD 620的控制部622查阅SPD信息来确认各个区域。并且，根据所述数据的标识符所指示的内容，控制部622将所述数据存入如此确认的缓存区631或者主存储区。

并且在第九实施方式中，与第七实施方式类似，独立于将数据输入NAND型闪存621的结束来执行关闭SSD 620的电源的处理。将关闭电源时缓存区631中剩余的希望保留的数据撤出到闪存623中。

在第九实施方式中，图22中的主存储器630和SSD 620的组合对应于存储系统的具体实施方式。

在第九实施方式中，图22的主存储器630对应于基本模式中的第一存储器的示例。

此外，在第九实施方式中，图22的SSD 620的NAND型闪存621对应于基本模式中的第二存储器的示例。并且，在第九实施方式中，图22的SSD 620的控制部622对应于基本模式中的保证部和存储控制部两者的示例。此外，在第九实施方式中，闪存623对应于上述包含第三存储器的应用模式中的第三存储器的示例。进一步，在第九实施方式中，图22的SSD 620的控制部622还对应于上述存储控制部接收第一数据的输入的应用模式中的存储控制部的示例。

在第九实施方式中，SSD 620的控制部622根据所述数据附带的标识符来分配数据。由此，在第九实施方式中，存储系统中构成元素较少，实现了结构简化。

这意味着，对于其中存储控制部还接收将数据写入第一存储器的指令的上述应用模式而言，稍后描述的应用模式是优选的。在此更优选的应用模式中，上述存储控制部接收附有从第一标识符和第二标识符中选出的标识符的数据的输入。进一步，在此更优选的应用模式中，存储控制部将附有第一标识符的数据作为将写入第一存储器的数据进行处理，并将附有第二标识符的数据作为将写入第二存储器的数据进行处理。

第九实施方式中的SSD 620的控制部622还对应于此更优选的应用模式中的存储控制部的示例。

此后，将解释图22中所示的第九实施方式中执行的写入处理。

应注意到，在至此解释的从第一至第五实施方式的各种实施方式中，对于写入处理，仅对其中SSD的控制部通过缓存区将希望保留的数据存入所述SSD的写入处理进行了解释。

与此不同，在第九实施方式中，将解释对于主存储器以及SSD的写入处理。这是因为在第九实施方式中，SSD 620的控制部622负责将临时使用的数据存入主存储器以及将希望保留的数据存入SSD这两者，并且根据一种流程图执行这些存储。

图23是示出了表示在所述第九实施方式中执行的写入处理的流程图的前半部分的图。图24是示出了此流程图的后半部分的图。

当开始图23、图24中的流程图所示的写入处理时，首先，芯片组610开启SSD 620的电源(步骤S601)。

然后，SSD 620的控制部622通过查阅管理各个存储器中的数据的存储状态的管理表来确认闪存623中是否留有在上次电源关闭时仍然没有存储的希望保留的数据(步骤S602)。

当闪存623中留有仍然没有存储的希望保留的数据时，SSD 620的控制部622将闪存623中的希望保留的数据存入NAND型闪存621(步骤S603)。

接着，控制部622确定是否通过此次存储完成了对希望保留的数据的所有存储(步骤S604)。

如果确定出还没有完成对没有存储的希望保留的数据的存储(步骤S604的判断为否)，则程序返回步骤S603，以便对下一个希望保留的数据执行存储。重复对希望保留的数据的存储，直到存储了所有没有存储的希望保留的数据(步骤S604判断为是)。当完成了对没有存储的所有希望保留的数据的存储时，控制部622删除闪存623中的希望保留的数据(步骤S605)，并进行到下一步骤S606。

另一方面，在步骤S602中，如果确认出闪存623中没有留存希望保留的数据，则省略从步骤S603至步骤S605的处理，进行至步骤S606。

在步骤S606中，SSD 620的控制部622查阅主存储器630的SPD信息来确定主存储器630的保留区中是否确保了缓存区631。当确定出没有确保缓存区631时(步骤S606的判断为否)，则控制部622在主存储器630的保留区中确保缓存区631(步骤S607)。并且，在SPD信息中描述所确保的缓存区631的地址等。

另一方面，当确定出确保了缓存区631时(步骤S606的判断为是)，则省略步骤S607的处理，进行至下一步S608。

在步骤S608中，芯片组610开始向SSD 620输入数据。

因而，控制部622从芯片组610接收数据，并查阅所述数据的标识符来确定所述数据是否是希望保留的数据(步骤S609)。

如果确定出其不是希望保留的数据(步骤S609判断为否)，则所述数据是临时使用的数据。因此，在这种情况下，控制部622将临时使用的数据存入主存储区(通过查阅SPD信息确认主存储区的地址)(步骤S610)。此临时使用的数据是临时存入主存储器630的，假设其会被CPU110中程序处理等中立即读出。在图23的步骤S610中，控制部622还执行了从主存储器630中读取如上存储的数据。经由控制部622和芯片组610，将所读取的临时使用的数据发送给CPU 110。

当完成此步骤S10的处理时，执行稍后描述的全部结束处理(步骤S650)的一部分，其还作为图23和图24中的写入处理的子程序。稍后将与所述全部结束处理一起解释此步骤S610之后的处理。

如果在步骤S609的处理中确定出所述数据是希望保留的数据(步骤S609的判断为是)，则控制部622在缓存区631中存储希望保留的数据，通过查阅SPD信息来确认缓存区631的位置(步骤S611)。

然后，控制部622确定通过此次对希望保留的数据的存储是否在缓存区631中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S612)。

如果确定出还没有累积所述一定量的希望保留的数据(步骤S612的判断为否)，则程序返回步骤S611，以便执行存储下一个单位的希望保留的数据。重复存储希望保留的数据，直到在缓存区631中累积了所述一定量的希望保留的数据(步骤S612的判断为是)。

如果在缓存区631中累积了所述一定量的希望保留的数据，则SSD620的控制部622从缓存区631中读取所累积的希望保留的数据，并将其存入NAND型闪存623中(步骤S613)。

接着，SSD 620的控制部622确定通过此次对希望保留的数据的存储，是否已经将缓存区631中累积的所有希望保留的数据都存入了闪存623(步骤S614)。

如果确定出还没有完成存储(步骤S614判断为否)，则程序返回步骤S613，以便对希望保留的数据执行下一次存储。

另一方面，如果确定出完成了对所有所述一定量的希望保留的数据的存储(步骤S614判断为是)，则控制部622删除缓存区631中存储的希望保留的数据(步骤S615)。

当完成了希望保留的数据的删除时，随后，SSD 620的控制部622确定至此处理为止闪存623中累积的希望保留的数据量是否超出特定阈值(步骤S616)。

如果确定出闪存623中累积的希望保留的数据量没有超出所述阈值(步骤S315的判断为否)，则程序返回步骤S608，以便再次执行将希望保留的数据存入缓存区631和闪存623。

如果确定出所累积的希望保留的数据量超出了所述阈值(步骤S616的判断为是)，则控制部622将闪存323中希望保留的数据存入NAND型闪存621(步骤S617)。

随后，控制部622确定通过此次对希望保留的数据的存储，是否将闪存623中的所有希望保留的数据都存入了NAND型闪存621(步骤S618)。

如果确定出还没有完成对希望保留的数据的存储(步骤S618的判断为否)，则程序返回步骤S617，存储下一希望保留的数据。重复此存储，直到将闪存623中的所有希望保留的数据都存入了NAND型闪存621中(步骤S618的判断为是)。当完成了对希望保留的数据的全部存储时，控制部622擦除闪存623中的希望保留的数据(步骤S619)，并且执行全部结束处理(步骤S650)。

此处，虽然至此解释的，并行于写入处理来执行所述全部结束处理，但它实质上是独立的处理。然而，在本实施方式中，还使用所述全部结束处理作为写入处理的子程序，在上述步骤S610或S619之后执行。

图25是示出了全部结束处理的流程图。

此处，首先解释全部结束处理作为写入处理的子程序在步骤S619之后执行(步骤S650)的情况。

首先，芯片组610确定是否已经将组成此文件的所有希望保留的数据都存入了SSD 620中(步骤S651)。

如果确定出仍然没有完成存储(步骤S651的判断为否)，则程序返回图23的步骤S608中的写入处理。然后，继续执行写入处理。

另一方面，如果确定出完成了对所有希望保留的数据的存储(步骤S651的判断为是)，则SSD 620的控制部622将主存储器630的缓存区631中的希望保留的数据存入闪存623中(步骤S652)。然而，当在写入处理的步骤S619之后来执行此全部结束处理时，在图24的步骤S615中删除了缓存区631中的希望保留的数据。因此，在图25的步骤S652中实质上没有执行任何处理，程序进行到下一步S653。

在此步骤S653中，在将所有希望保留的数据存入了SSD 620开始等待预定时间之后，芯片组610关闭SSD 620的电源，并完成图25中的全部结束处理，包括写入处理。

将解释此全部结束处理作为写入处理的子程序在步骤S610之后来执行(步骤S650)的情况。

步骤S610中的写入处理是这样的处理：在主存储器630中以DRAM存储速度的高速处理所述临时使用的数据。在步骤S610的处理中，对所述临时使用的数据执行高速数据输入和存储，并立即完成。并且，无需通过缓存区，直接将临时使用的数据存入主存储器630。

因此，如果在此步骤S610之后执行所述全部结束处理(步骤S650)，则省略步骤S651中结束数据输入的确认以及步骤S652中的将数据输入到闪存623。步骤S610之后，在步骤S653中执行电源的关闭，并完成图25中的全部结束处理，包括写入处理。

接着，将解释并行于写入处理执行此独立于写入处理的全部结束处理(步骤S650)的情况。

在这种情况下，步骤S651中的处理每隔一定时间就监控芯片组610数据输入处理本身。此时，即使确定出没有完成数据输入，程序也不像此前一样返回图23的步骤S608，而仅仅继续进行监控。

然后，完成将来自芯片组610的最后的数据输入SSD 620，在步骤S651中，SSD 620的控制部622确定完成了所述数据输入(步骤S651中的判断为是)。

在第九实施方式中，在这种情况下，在步骤S653中的电源关闭处理之前，将缓存区631中仍旧剩余的最后的希望保留的数据撤出到闪存623中。

当第二芯片组610开始输入数据时，通过图23的步骤S603的处理，将以此方式撤出的最后的希望保留的数据发送到NAND型闪存621。

毋庸赘言，与第四实施方式类似，利用以上解释的第九实施方式，在存储数据时同时实现了高速和节能。

接着，将解释第十实施方式。

第十实施方式与第九实施方式的不同之处在于仅通过具有MRAM的主存储器中的缓存区来执行将希望保留的数据存入NAND型闪存。此后，将集中于此不同点来解释第十实施方式。

图26是示出了第十实施方式的示意图。

附带地，在此图26中，利用与图22所示相同的数字表示与图22所示的第九实施方式的计算机600的构成元素相同的构成元素，并且，省略对那些相同构成元素的冗余解释。

在图26的计算机700中，如果从芯片组610接收的数据上附带的标识符指示希望保留的数据，则控制部711执行如下处理。在这种情况下，控制部711仅通过具有MRAM的主存储器720中的缓存区721向NAND型闪存621发送希望保留的数据。

并且，在第十实施方式中，所采用的结构不需要使用闪存来撤出最后的希望保留的数据。因此，在第十实施方式中，在确认完成了将来自缓存区721的最后希望保留的数据存入了NAND型闪存621之后，执行SSD 710的电源关闭处理。

在第十实施方式中，图26的主存储器720和SSD 710的组合对应于存储系统的具体实施方式。进一步，此主存储器720还对应于上述第一存储器是非易失性存储器的应用模式中的第一存储器的示例。此外，在第十实施方式中，图26的SSD 710的控制部711对应于基本模式中的保证部和存储控制部的示例。此外，控制部711还对应于其中根据标识符来区分数据的上述应用模式中的存储控制部的示例。

此后，将解释图26所示的第十实施方式中执行的写入处理。

图27是示出了表示在所述第十实施方式中执行的写入处理的流程图的前半部分的图。图28是示出了此流程图的后半部分的图。

当开始图27、图28的流程图所示的写入处理时，首先，芯片组610开启SSD 710的电源(步骤S701)。

然后，SSD 710的控制部711查阅主存储器720的SPD信息来确定在具有MRAM的主存储器720的保留区中是否确保了缓存区721(步骤S702)。如果确定出没有确保缓存区721(步骤S702的判断为否)，则控制部711在主存储器720的保留区内确保缓存区721(步骤S703)。进一步，在SPD信息中描述所确保的缓存区721的地址等。

另一方面，如果确定出确保了缓存区721(步骤S702的判断为是)，则省略步骤S703的处理，进行至下一步S704。

在此步骤S704中，芯片组610开始向SSD 710输入数据。

然后，控制部711从芯片组610接收数据，查阅所述数据的标识符，并确定所述数据是否是希望保留的数据(步骤S705)。

如果确定出其不是希望保留的数据(步骤S705的判断为否)，则所述数据是临时使用的数据。因此，在这种情况下，控制部711将临时使用的数据存入主存储区中(查阅SPD信息确认主存储区的位置)(步骤S706)。此外，在步骤S706中，还执行从主存储器720中读取所存储的临时使用的数据。经由控制部711和芯片组610将所读取的临时使用的数据发送给CPU 110。

当完成步骤S706的处理时，执行稍后描述的电源关闭处理(步骤S712)。

另一方面，如果在步骤S705的处理中确定出所述数据是希望保留的数据(步骤S705的判断为是)，则控制部711在缓存区721中存储希望保留的数据，其中，参考SPD信息来确认缓存区721的位置(步骤S707)。

然后，控制部711确定通过此次对希望保留的数据的存储是否在缓存区721中累积了一定量的希望保留的数据(步骤S708)。

如果确定出还没有累积所述一定量的希望保留的数据(步骤S708的判断为否)，则程序返回步骤S707，以便执行下一希望保留的数据的存储。重复存储希望保留的数据，直到在缓存区721中累积了所述一定量的希望保留的数据(步骤S708的判断为是)。

如果在缓存区721中累积了所述一定量的希望保留的数据，则SSD710的控制部711从缓存区711中读取所累积的希望保留的数据，并将其存入NAND型闪存621中(步骤S709)。

随后，SSD 710的控制部711确定通过此次对希望保留的数据的存储，是否完成了将缓存区721中累积的所有所述一定量的希望保留的数据都存入了NAND型闪存621中(步骤S710)。

如果确定出还没有完成存储(步骤S710的判断为否)，则程序返回S709，以便对希望保留的数据执行下一次存储。

另一方面，如果确定出对于所有所述一定量的希望保留的数据完成了存储(步骤S710的判断为是)，则控制部711删除缓存区721中存储的希望保留的数据(步骤S711)。

当完成了希望保留的数据的删除时，随后，控制部711确定是否确实完成了将希望保留的数据存入NAND型闪存621以及对主存储器720的存取(步骤S712)。在此步骤S712中，在确认之后，芯片组610根据控制部711的请求关闭SSD 710的电源。在第十实施方式中，通过确认之后关闭电源，可以省去将希望保留的数据存入NAND型闪存621以及对主存储器720的存取。

毋庸赘言，利用以上解释的第十实施方式，与第四实施方式类似，在存储数据时同时实现了高速和节能。

接着，将解释第十一实施方式。

第十一实施方式与第十实施方式的不同之处在于通过具有DRAM的主存储器中的缓存区来将希望保留的数据输入NAND型闪存。此后，将集中于此不同点来解释第十一实施方式。

图29是示出了第十一实施方式的示意图。

附带地，在图29中，利用与图26相同的数字来表示与图11中的构成元素相同的构成元素。此后，省略对相同构成元素的冗余解释。

在图29的计算机800中，主存储器820与第十实施方式不同，其包括DRAM。并且如果附加在所述数据上的标识符指示所述数据是希望保留的数据，则SSD 810的控制部811通过主存储器820中的缓存区821将希望保留的数据存入NAND型闪存621。

此外，在第十一实施方式中，与第十实施方式类似，在充分确认已完成了将希望保留的数据存入NAND型闪存621以及完成了对主存储器820的存取之后，才关闭SSD 810的电源。

在第十一实施方式中，图29的主存储器820和SSD 810的组合对应于存储系统的具体实施方式。并且，在第十一实施方式中，图29的SSD810对应于存储设备的具体实施方式。此外，在第十一实施方式中，图29的SSD 810的控制部811对应于基本模式中的控制部的示例。此外，在第十一实施方式中，图29的SSD 810的控制部811还对应于基本模式中的保证部和存储控制部的组合的示例。

由于图29的第十一实施方式的写入处理与图25至图23所示的写入处理相同，因而此处省略对此第十一实施方式中的写入处理的解释。

毋庸赘言，利用以上解释的第十一实施方式，与第四实施方式类似，在存储数据时同时实现了高速和节能。

应注意，尽管将计算机作为关于基本模式解释的信息处理设备的具体实施方式，但是，所述信息处理设备不限于此。所述信息处理设备可以是计算机之外的诸如便携信息终端、数码相机或者蜂窝电话的电子设备，只要所述设备将数据存储在SSD等之中即可。

进一步，尽管将SSD的NAND型闪存作为基本模式中的第二存储器的示例，但是，第二存储器不限于此。第二存储器可以是除NAND型闪存之外的存储器，只要通过缓存存储数据。

此外，在以上描述中，尽管将诸如用于确保主存储器的SSD的缓存区的信息写入SPD(在诸如EEPROM的非易失性存储器中存储的信息)以及从SPD读出所述信息作为示例，但是，不限于使用SPD。

可以采用在诸如控制部、芯片组或CPU的非易失性存储器中存储所述信息并且存取所述数据的方法。

此外，在以上描述中，尽管利用电源控制部对主存储器执行电源开启和电源关闭，并且利用第二芯片组控制SSD的电源，但是，这些可以完全由电源控制部进行控制，或者，所述芯片组可以对主存储器执行电源开启和电源关闭。

Claims

1.一种存储系统，该存储系统包括：

第一存储器，所述第一存储器用作目标设备的主存储器，并包括存储数据的主存储区和所述主存储区的保留存储区，其中当将所述数据存入所述主存储区中的地址失败时，从所述保留存储区中选出存入所述数据失败的所述地址的替代地址，并将所述数据存入所述替代地址；

第二存储器，所述第二存储器的存取速度低于所述第一存储器的存取速度；

保证部，其确保所述第一存储器的具有所述保留存储区中的所述替代地址之外的地址的区域作为所述第二存储器的临时存储区；以及

存储控制部，所述存储控制部接收将数据写入所述第二存储器的指令，将所述数据临时存入所述第一存储器，并且还将所存储的数据从所述第一存储器传送到所述第二存储器。

2.根据权利要求1所述的存储系统，所述存储系统还包括第三存储器，所述第三存储器的存取速度高于所述第二存储器的存取速度，其中，

当完成将所述数据临时存入所述第一存储器时，所述存储控制部将所述第一存储器中所存储的所述数据传送到所述第三存储器。

3.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述第三存储器是非易失性存储器。

4.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述第一存储器是使用数据来执行信息处理的信息处理设备的主存储器。

5.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述第一存储器是非易失性存储器。

6.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制部还接收将数据写入所述第一存储器的指令，并且，所述数据被直接存入所述第一存储器。

7.根据权利要求6所述的存储系统，其中，所述存储控制部包括用于输入数据的第一输入端口以及用于输入数据的第二输入端口，并且其输入由所述第一输入端口接收的数据被作为将要写入所述第一存储器的数据处理，其输入由所述第二输入端口接收的数据被作为将要写入所述第二存储器的数据处理。

8.根据权利要求6所述的存储系统，其中，所述存储控制部接收具有从第一标识符和第二标识符中选出的标识符的数据的输入，并且所述存储控制部将具有所述第一标识符的数据作为要写入所述第一存储器的数据来进行处理，将具有所述第二标识符的数据作为要写入所述第二存储器的数据来进行处理。

9.一种存储控制设备，所述存储控制设备包括：

数据输入部，所述数据输入部接收第一数据的输入和第二数据的输入；

保证部，其确保用作目标设备的主存储器的并包括存储数据的主存储区和所述主存储区的保留存储区的第一存储器的具有所述保留存储区的替代地址之外的地址的区域作为第二存储器的临时存储区，其中，当将所述数据存入所述主存储区中的地址失败时从所述保留存储区中选出所述替代地址来替代存入所述数据失败的所述地址，并将所述数据存入所述替代地址，并且所述第二存储器的存取速度低于所述第一存储器的存取速度；以及

数据分配部，在所述数据输入部处输入的数据中，针对第一数据，所述数据分配部接收将所述第一数据写入所述第一存储器的指令，并将所述第一数据直接存入所述第一存储器，并且，针对第二数据，所述数据分配部接收将所述第二数据写入所述第二存储器的指令，将所述第二数据临时存入所述第一存储器，并且还将所存储的第二数据从所述第一存储器传送到所述第二存储器。

10.一种信息处理设备，所述信息处理设备包括：

存储控制部，其接收将数据写入所述第二存储器的指令，将所述数据临时存入所述第一存储器，并且将所存储的数据从所述第一存储器传送到所述第二存储器；以及

处理部，其对所述第一存储器以及所述第二存储器进行存取。

11.根据权利要求10所述的信息处理设备，所述信息处理设备还包括第三存储器，所述第三存储器的存取速度高于所述第二存储器的存取速度，并且，当完成将所述数据临时存入所述第一存储器时，所述存储控制部将所述第一存储器中所存储的数据传送到所述第三存储器。

12.根据权利要求11所述的信息处理设备，其中，所述第三存储器是非易失性存储器。