CN101956161A - 离子镀膜装置 - Google Patents
离子镀膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101956161A CN101956161A CN 201010265137 CN201010265137A CN101956161A CN 101956161 A CN101956161 A CN 101956161A CN 201010265137 CN201010265137 CN 201010265137 CN 201010265137 A CN201010265137 A CN 201010265137A CN 101956161 A CN101956161 A CN 101956161A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating
- ion source
- ion
- plated film
- ionically plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种离子镀膜装置,涉及一种通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆的装置,尤其涉及离子镀膜装置,包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料,其特征是,所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源,离子源发射等离子体加热所述膜料,使之成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上,有效增强膜层强度,镀膜的致密性更好,降低了镜片生产过程中刮伤、点渍等不良发生率,有效提高制程良率;离子源设置在镀膜炉的中后部,有助于离子源离子发射角度的均匀性,实现均匀镀膜;混合气体中加入氩气,可增大离子密度,延长离子源灯丝的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆的装置,尤其涉及离子镀膜装置。
背景技术
光学薄膜,就是在镜片上镶上一层或多层非常薄的特殊材料,使镜片能达到某种特定的光学效果。光学薄膜的制造是以真空蒸镀方式制作,最普通的方式为热电阻式,是将蒸镀材料在真空蒸镀机内置于电阻丝或片上,在高真空的情况下,加热使材料成为蒸气,直接镀于镜片上。由于有许多高熔点的材料,不易使用此种方式使之熔化、蒸镀。而以电子枪式改进此缺点,其方法是以高压电子束直接打击材料,由于能量集中可以蒸镀高熔点的材料。另一方式为溅射方式,是通过高压使惰性气体离子化,打击材料使之直接溅射至镜片,以此方式所作薄膜的附着力非常好。
离子镀膜是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术,将各种气体放电方式引入到气相沉积领域,整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。离子镀大大提高了膜层粒子能量,可以获得更优异性能的膜层,扩大了“薄膜”的应用领域。但是,现有技术中离子源主要起清洗或镀单层光学薄膜的作用,且镀膜均匀性相对较差,离子源使用寿命相对较短。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可镀多层薄膜的离子镀膜装置,降低了镜片生产过程不良发生率,有效提高制程良率,改善了镀膜的致密性、均匀性,延长离子源的使用寿命。
为解决上述技术问题,本发明提供一种离子镀膜装置,包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料,其特征是,所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源,离子源发射等离子体加热所述膜料,使之成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上。
所述镀膜炉内充入的是混合气体。
所述混合气体为氧气和氩气,氧气与氩气的体积比例为1∶2。
所述离子源与离子源电源连接。
所述离子源电源阳极电压为200-380V。
所述离子源电源阳极电流为8-20A。
所述镀膜炉顶端设有镀膜伞。
所述玻璃片设在所述镀膜伞内。
本发明所达到的有益效果:本装置有效增强膜层强度,镀膜的致密性更好,降低了镜片生产过程中刮伤、点渍等不良发生率,有效提高制程良率;离子源设置在镀膜炉的中后部,有助于离子源离子发射角度的均匀性,实现均匀镀膜;混合气体中加入氩气,可增大离子密度,延长离子源灯丝的使用寿命。
附图说明
图1本发明离子镀膜装置的结构示意图。
图中,1、镀膜炉;2、膜料;3、离子源;4、离子源电源;5、镀膜伞
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
如图1所示,本发明的离子镀膜装置中,优选的方案是,镀膜炉1为圆柱体,镀膜炉内设有离子源3、膜料2,离子源3与设在镀膜炉1外的离子源电源4相连,离子源电源4阳极电压200-380V、阳极电流8-20A,通入镀膜炉1内的是体积比为1∶2的氧气与氩气的混合气体,气体流量为30sccm(标准毫升/分钟),离子源3可镀42-68层膜,在镀膜炉1内的上部设有镀膜伞5。离子源3发射等离子体,加热膜料2,使之成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片或镜片上,玻璃片或镜片设在镀膜伞5内。玻璃片,是指用于手机摄像头或其他摄像头的滤光片。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种离子镀膜装置,包括镀膜炉及设置在镀膜炉内的膜料,其特征是,所述镀膜炉内设有发射等离子体的离子源,离子源发射等离子体加热所述膜料,使之成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上。
2.根据权利要求1所述离子镀膜装置,其特征是,所述离子源设置在所述镀膜炉内相对膜料的中后部位置。
3.根据权利要求1所述离子镀膜装置,其特征是,所述镀膜炉内充入的是混合气体。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述离子镀膜装置,其特征是,所述混合气体为氧气和氩气,氧气与氩气的体积比例为1∶2。
5.根据权利要求1所述离子镀膜装置,其特征是,所述离子源与离子源电源连接。
6.根据权利要求5所述离子镀膜装置,其特征是,所述离子源电源阳极电压为200-380V。
7.根据权利要求5所述离子镀膜装置,其特征是,所述离子源电源阳极电流为8-20A。
8.根据权利要求1所述离子镀膜装置,其特征是,所述镀膜炉顶端设有镀膜伞。
9.根据权利要求8所述离子镀膜装置,其特征是,所述玻璃片设在所述镀膜伞内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010265137 CN101956161A (zh) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 离子镀膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010265137 CN101956161A (zh) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 离子镀膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101956161A true CN101956161A (zh) | 2011-01-26 |
Family
ID=43483746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010265137 Pending CN101956161A (zh) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 离子镀膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101956161A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104962865A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-07 | 京浜光学制品(常熟)有限公司 | 一种离子源辅助ito膜热蒸镀工艺 |
CN107267935A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-20 | 深圳市鼎新光电有限公司 | 一种改善镀膜伞内外圈雾度均匀性的方法 |
CN108545955A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-18 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种用于曲面玻璃真空柔性加热的方法 |
CN115198245A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-18 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4551221A (en) * | 1980-06-25 | 1985-11-05 | Axenov Ivan I | Vacuum-arc plasma apparatus |
CN2067280U (zh) * | 1990-05-14 | 1990-12-12 | 苏州市轻工业品设计研究所 | 等离子镀膜装置 |
CN2399400Y (zh) * | 1999-12-22 | 2000-10-04 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 | 离子束溅射镀膜机 |
CN101654769A (zh) * | 2009-08-26 | 2010-02-24 | 杭州泛亚水暖器材有限公司 | 一种真空离子镀膜方法 |
CN201817542U (zh) * | 2010-08-27 | 2011-05-04 | 苏州五方光电科技有限公司 | 离子镀膜装置 |
-
2010
- 2010-08-27 CN CN 201010265137 patent/CN101956161A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4551221A (en) * | 1980-06-25 | 1985-11-05 | Axenov Ivan I | Vacuum-arc plasma apparatus |
CN2067280U (zh) * | 1990-05-14 | 1990-12-12 | 苏州市轻工业品设计研究所 | 等离子镀膜装置 |
CN2399400Y (zh) * | 1999-12-22 | 2000-10-04 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 | 离子束溅射镀膜机 |
CN101654769A (zh) * | 2009-08-26 | 2010-02-24 | 杭州泛亚水暖器材有限公司 | 一种真空离子镀膜方法 |
CN201817542U (zh) * | 2010-08-27 | 2011-05-04 | 苏州五方光电科技有限公司 | 离子镀膜装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104962865A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-07 | 京浜光学制品(常熟)有限公司 | 一种离子源辅助ito膜热蒸镀工艺 |
CN107267935A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-20 | 深圳市鼎新光电有限公司 | 一种改善镀膜伞内外圈雾度均匀性的方法 |
CN108545955A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-18 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种用于曲面玻璃真空柔性加热的方法 |
CN108545955B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-12-29 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种用于曲面玻璃真空柔性加热的方法 |
CN115198245A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-10-18 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种氧化物高阻隔膜、制备的方法以及真空卷绕镀膜设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN206956141U (zh) | 一种磁控溅射镀膜机 | |
JP2004157497A (ja) | 光学用反射防止膜及びその成膜方法 | |
US9455057B2 (en) | Method and apparatus for sputtering with a plasma lens | |
CN109295414B (zh) | 一种深孔内镀膜的技术和设备 | |
CN101956161A (zh) | 离子镀膜装置 | |
CN104364416A (zh) | 过滤阴极电弧沉积设备和方法 | |
CN109055901A (zh) | 一种提高硬质涂层与基材结合力的装置及工艺 | |
CN201817542U (zh) | 离子镀膜装置 | |
CN206494965U (zh) | 多功能真空离子镀膜机 | |
EP3876307B1 (en) | Film preparation process | |
CN101509122B (zh) | 一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法 | |
CN203530419U (zh) | 一种电子束蒸镀ito膜的蒸镀装置 | |
CN108754444A (zh) | 一种pvd镀膜装置 | |
Anders et al. | A plasma lens for magnetron sputtering | |
US20070170865A1 (en) | Plasma display panel, method for producing the plasma display panel, protective layer of the plasma display panel, and method for forming the proctective layer | |
CN205710898U (zh) | 电子束辅助等离子溅镀挠性覆铜板的设备 | |
CN114086143A (zh) | 基材镀膜工艺 | |
CN210620929U (zh) | 一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机 | |
JP2005226091A (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
US20100044214A1 (en) | Physical vapour deposition coating device as well as a physical vapour deposition method | |
CN205821446U (zh) | 一种低温沉积磁控溅射镀膜装置 | |
JP3958870B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
CN101045983A (zh) | 高密度无液滴金属等离子体的产生方法 | |
CN103290380A (zh) | 一种在线反馈ito薄膜特性装置 | |
CN220202035U (zh) | 真空镀膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20110126 |