CN220202035U - 真空镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种真空镀膜装置，属于光伏产品制造领域。一种真空镀膜装置，其包括：等离子体枪、片状等离子体调整室、工艺腔室和阳极室；所述等离子体枪、片状等离子体调整室、工艺腔室和阳极室在第一方向上依次连通设置，所述等离子体枪放出的等离子体在第一方向上输送；所述工艺腔室内设有基片和至少一个靶材，所述靶材和基片在第二方向上间隔布置，且等离子体在靶材和基片之间输送，第一方向与第二方向相互垂直；所述等离子体枪的数量为至少两个。本申请可以缓解当前镀膜装置应用范围受限、灵活性较差的问题，实现大尺寸圆柱靶溅射过程中的溅射粒子的有效离化，满足工业应用需求。

Description

真空镀膜装置

技术领域

本申请属于光伏产品制造技术领域，具体涉及一种真空镀膜装置。

背景技术

磁控溅射镀膜是物理气相沉积的重要方法之一，其主要通过环绕在阴极靶表面工作气体低气压辉光放电的方式产生沉积到衬底上所需要的粒子或原子物质。传统的磁控溅射镀膜，沉积粒子主要为原子，而原子态沉积方式，不易受到电场和磁控的约束，因此控制和调整工艺的手段较有限，其对于提高沉积薄膜的速率及质量已达到瓶颈。而通过采用等离子体枪(如压力梯度型等离子体枪)与磁控溅射相结合的方式，可以实现离子镀膜，即实现一种新的沉积方式。传统的磁控溅射镀膜，如对于TCO薄膜的沉积，由于薄膜的电学性能(迁移率，载流子浓度等)和光学性能易受到沉积粒子活性的影响，而通过采用离子镀膜可以有效提高沉积粒子活性，成为得到优质膜层质量的一种有效方式。

相关技术中，离子镀膜过程中，多采用平面磁控溅射靶材与等离子体枪相结合，采用的靶材多为小尺寸平面靶材，通过等离子体枪所形成的等离子体的范围也是有限的，其应用范围受限，灵活性较差，难以满足实际工业生产需求。

实用新型内容

本申请旨在至少在一定程度上解决上述相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的目的在于提供一种真空镀膜装置，可以缓解当前镀膜装置应用范围受限、灵活性较差的问题，能够增强应用灵活性，满足工业化生产需求。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种真空镀膜装置，其包括：等离子体枪、片状等离子体调整室、工艺腔室和阳极室；

所述等离子体枪、所述片状等离子体调整室、所述工艺腔室和所述阳极室在第一方向上依次连通设置，所述等离子体枪放出的等离子体在第一方向上输送；

所述工艺腔室内设有基片和至少一个靶材，所述靶材和所述基片在第二方向上间隔布置，且所述等离子体在所述靶材和所述基片之间输送，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；

所述等离子体枪的数量为至少两个。

另外，根据本申请的真空镀膜装置，还可以具有如下附加的技术特征：

在其中的一些实施方式中，所述靶材在第三方向上的长度不低于1000mm；

所述等离子体枪的数量为2-10个。

在其中的一些实施方式中，所述靶材的数量为一个或多个，一个或多个所述靶材在第三方向上的长度均不低于1000mm；

所述靶材包括圆柱形靶材或平面方形靶材。

在其中的一些实施方式中，至少两个所述等离子体枪并排设置，且至少两个所述等离子体枪均在所述第一方向的一端布置。

在其中的一些实施方式中，至少两个所述等离子体枪中，部分所述等离子体枪在所述第一方向的一端布置，其余部分所述等离子体枪在所述第一方向的另一端布置。

在其中的一些实施方式中，所述等离子体枪为压力梯度型等离子体枪，所述压力梯度型等离子体枪包括放射电子的阴极，以及第一电极和第二电极，所述压力梯度型等离子体枪发射柱状等离子体。

在其中的一些实施方式中，所述片状等离子体调整室设有第一聚集线圈、对向磁铁和第二聚集线圈，所述对向磁铁位于所述第一聚集线圈和所述第二聚集线圈之间，用于将柱状等离子体转变为片状等离子体；

所述阳极室设有第三聚集线圈，用于调整片状等离子体的形状。

在其中的一些实施方式中，所述靶材为圆柱形靶材，所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈的线圈面相对于第二方向倾斜布置，以使片状等离子体具有弧形分布。

在其中的一些实施方式中，所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈分别具有预设的倾斜角度，且所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈的倾斜方向相反。

在其中的一些实施方式中，所述阳极室还设有聚集磁铁和阳极。

与现有技术相比，本实用新型的至少具有以下有益效果：

本申请实施例中，所提供的真空镀膜装置包括在第一方向上依次连通设置的等离子体枪、片状等离子体调整室、工艺腔室和阳极室；其中工艺腔室内在第二方向上间隔设置有基片和靶材，靶材的数量为一个或多个，等离子体枪的数量为至少两个，等离子体枪的数量可以与靶材的尺寸和/或靶材的数量相适应。从而，通过采用磁控溅射与等离子体枪相结合的方式，等离子体枪提供等离子体，从靶材表面溅射出来的原子，向基片传输的过程中，穿过等离子体，溅射粒子被离化，成为离子态，沉积到基片。并且，本申请的装置中设置至少两个等离子体枪，靶材可以采用大尺寸靶材如大尺寸圆柱形靶材，可以根据靶材的尺寸如靶材的长度选择等离子体枪的数量，改善等离子体覆盖区域，减少或避免等离子体覆盖区域受限，实现大尺寸圆柱靶溅射过程中的溅射粒子的有效离化，增强应用灵活性，进而满足工业应用需要。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

图1为本申请一些实施例公开的真空镀膜装置的结构示意图；

图2为本申请一些实施例公开的真空镀膜装置的另一视角结构示意图；

图3为本申请一些实施例公开的另一种真空镀膜装置的结构示意图；

图4为本申请一些实施例公开的另一种真空镀膜装置的另一视角结构示意图；

图5为本申请一些实施例公开的又一种真空镀膜装置的结构示意图；

图6为本申请一些实施例公开的又一种真空镀膜装置的另一视角结构示意图；

图7为本申请一些实施例公开的等离子体枪的另一种分布示意图；

图8为本申请一些实施例公开的第二聚集线圈和第三聚集线圈的倾斜设置示意图。

附图标记说明：

100-等离子体枪；

101-阴极；102-第一电极；103-第二电极；

110-第一等离子体枪；120-第二等离子体枪；130-第三等离子体枪；

200-片状等离子体调整室；

201-第一聚集线圈；202-对向磁铁；203-第二聚集线圈；

300-工艺腔室；

301-基片；302-靶材；321-大尺寸圆柱形靶材；3211-第一大尺寸圆柱靶材；3212-第二大尺寸圆柱靶材；322-大尺寸矩形靶材；

400-阳极室；

401-第三聚集线圈；402-聚集磁铁；403-阳极；

500-柱状等离子体；

600-片状等离子体。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。

请参阅图1至图8所示，本申请的一些实施例中，提供一种真空镀膜装置，可以应用在太阳能电池生产领域中，例如在太阳能电池的制程中，需要在硅片上沉积各种薄膜，即可以采用真空镀膜装置在硅片上进行各种薄膜沉积。应理解，该真空镀膜装置可以应用在太阳能电池生产领域中，除此之外，真空镀膜装置还可以用于其他具有类似需求的系统中，本申请实施例对于真空镀膜装置的具体使用场景和工况不作具体限制。

该真空镀膜装置，包括：等离子体枪100、片状等离子体调整室200、工艺腔室300和阳极室400。其中，等离子体枪100可用于提供等离子体；片状等离子体调整室200可用于调整等离子体的形状，如通过等离子体枪100发射出柱状等离子体500，在片状等离子体调整室200中可将该片状等离子体调整室200调整转变为片状等离子体600。工艺腔室300可用于进行薄膜沉积，本实施例中，采用磁控溅射同等离子体枪100(如压力梯度型等离子体枪)相结合的方式，等离子体枪100提供的等离子体进入至工艺腔室300中，在工艺腔室300中，从靶材302表面溅射出来的原子，向基片301传输的过程中，穿过等离子体，溅射粒子被离化，成为离子态，并沉积到基片301表面。该工艺腔室300可以为磁控溅射室，工艺腔室300能将内部抽真空。阳极室400可用于调整等离子体如片状等离子体600的形状，使其易于收敛于阳极403，并将等离子体聚集于阳极室400。

上述等离子体枪100、片状等离子体调整室200、工艺腔室300和阳极室400在第一方向上依次连通设置，等离子体枪100放出的等离子体在第一方向上输送。也即，沿着第一方向，等离子体枪100、片状等离子体调整室200、工艺腔室300和阳极室400依次设置，且等离子体枪100、片状等离子体调整室200、工艺腔室300和阳极室400通过输送等离子体的通道保持相互气密状态地连通。通过等离子体枪100提供的等离子体进入片状等离子体调整室200被调整转变为片状等离子体600后，进入工艺腔室300，而后片状等离子体600再聚集收敛于位于阳极室400中的阳极403。

本实施例中，等离子体枪100与片状等离子体调整室200之间，或者片状等离子体调整室200与工艺腔室300之间，或者工艺腔室300与阳极室400之间，可以通过玻璃制或金属制等材质的管件连接，以确保气密性。

上述工艺腔室300内设有基片301和至少一个靶材302，靶材302和基片301在第二方向上间隔布置，且等离子体在靶材302和基片301之间输送，第一方向与第二方向相互垂直。上述靶材302和基片301可以在第二方向如在片状等离子体的厚度方向上保持间隔而且夹着片状等离子体600在工艺腔室300内相对配置。

本申请实施例中，如图1所示，第一方向为X轴方向(或者为水平方向)，第二方向为Z轴方向(或者为竖直方向)，第三方向为Y轴方向。

本实施例中，靶材302的数量可以为一个或多个，等离子体枪100的数量为多个也即为至少两个，如等离子体枪100的数量可以为两个或两个以上，等离子体枪100的数量可以与靶材302的尺寸和/或数量相适应，等离子体枪100的数量可以根据靶材302的尺寸如靶材302的长度进行调整，或者等离子体枪100数量可以根据靶材302的尺寸和靶材302的数量进行调整。

在一些优选的实施方式中，所述靶材302为大尺寸靶材。本实施例中的采用主要针对的是大尺寸靶材302，如大尺寸圆柱形靶材321或大尺寸矩形靶材322，相较于现有技术中采用的小尺寸平面靶材，本实施例将大尺寸圆柱形靶材321或大尺寸矩形靶材322与等离子体枪100如压力梯度型等离子体枪相结合，可以实现大尺寸磁控溅射镀膜，并实现与多个压力梯度型等离子体枪的结合，进而实现大面积的镀膜，可以缓解现有技术中小尺寸镀膜，效率低或应用受限，灵活性欠佳等问题。

应理解，该大尺寸靶材是相对普通的或者小尺寸靶材而言，尺寸相对较大的靶材，大尺寸靶材具有本领域常规的理解或定义，对于大尺寸靶材的具体尺寸范围可根据本领域的熟知的范围进行选择设定。

从而，基于以上设置，该真空镀膜装置中，靶材302可以采用大尺寸靶材，将大尺寸靶材如大尺寸圆柱形靶材321或大尺寸矩形靶材322与等离子体枪100如压力梯度型等离子体枪相结合，可以实现大尺寸磁控溅射镀膜，并能实现与多个等离子体枪100的结合，进而实现大面积的镀膜。

对于大尺寸靶材，由于单个等离子体枪，提供的片状等离子体的浓度有限，也即单个等离子体枪提供的等离子体覆盖区域有限，本实施例配置了多个等离子体枪100。且本实施例中，可以根据靶材302的尺寸如靶材的长度，选择调整等离子体枪100的数量，即可以根据大尺寸靶材302的实际靶材长度，选择使用等离子体枪100的数量，如两个、三个或三个以上的等离子体枪100，从而可以改善等离子体覆盖区域面积，在保证等离子体区的浓度的同时，满足大尺寸靶材的应用工业生产需求，实现了大尺寸靶材302如圆柱靶溅射过程中的溅射粒子的有效离化，增强了大尺寸靶材的应用范围或应用灵活性，在大规模工业化生产领域，具有重要应用前景。

一些实施例中，靶材302的在第三方向也即在Y轴方向上的长度不低于1000mm；进一步，靶材302的数量为一个或多个，一个或多个靶材302的长度均不低于1000mm。本实施例中，主要针对大尺寸靶材302，因此所采用的靶材302均可以为长度不低于1000mm的大尺寸靶材。

示例性的，靶材302的长度可以不低于1500mm，或者靶材302的长度可以不低于1600mm，或者靶材302的长度可以不低于1800mm，或者靶材302的长度可以为1000mm-5000mm，或者靶材302的长度可以为1500mm-3000mm；例如靶材302的长度可以为1000mm、1500mm、1600mm、1800mm、2000mm、2200mm、2300mm、2500mm、3000mm等。采用上述范围的大尺寸靶材302，可以实现大尺寸的磁控溅射镀膜，实现更大面积的镀膜，提高镀膜效率，并配合多个等离子体枪100可以改善镀膜质量，满足大尺寸靶材的工业生产需求，提高生产效率。示例性的，上述大尺寸靶材的长度为1000mm，单个等离子体枪的片状等离子体覆盖范围为333mm；进一步，对于单个等离子枪所支配范围为250mm-500mm左右，根据实际需求，可以通过调整对向磁铁的磁场大小和形状，以及投入的电源功率，来调整片状等离子体的浓度和空间分布；同时也可以适当调整等离子体枪的数量。

一些实施例中，靶材302包括圆柱形靶材或平面方形靶材。示例性的，靶材可以为大尺寸圆柱形靶材321，或者靶材可以为大尺寸矩形(平面)靶材322。如图1至图2所示，对于大尺寸圆柱形靶材321，可以配置三个或更多个等离子体枪100。类似的，如图3至图4所示，对于大尺寸矩形靶材322，也可以配置三个或更多个等离子体枪100；并且在其他实施方式中，可以根据大尺寸矩形平面靶材的实际靶材长度，选择使用等离子体枪100的数量，例如配置两个、三个或更多个等离子体枪100。

一些实施例中，等离子体枪100的数量为2-10个。较佳的，等离子体枪100的数量为3-8个。进一步，等离子体枪100的数量为3-5个。示例性的，等离子体枪100的数量可以为2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个等。等离子体枪100的数量优选为3个或3个以上，这样可以扩宽等离子体覆盖区域，在保证等离子体区的浓度的同时，满足大尺寸靶材的工业应用生产需求。

可选的，等离子体枪100为压力梯度型等离子体枪，该压力梯度型等离子体枪发射柱状等离子体500。

对于大尺寸圆柱形靶材321和大尺寸矩形靶材322配置三个或者三个以上的压力梯度型等离子体枪，可根据靶材长度调整等离子体枪100的配置数量，同时靶材数量可以是一个也可以两个或者也可以是两个以上。

示例性的，对于大尺寸圆柱形靶材321，或者大尺寸矩形靶材322，本实施例中，配置三个等离子体枪100，如平行并排设置三个等离子体枪100，该三个等离子体枪100可以依次为第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130。

需要指出的是，本实施例的附图中，配置三个等离子体枪只是示意图，在实际应用中，可以根据靶材长度，调整等离子体枪的配置数量，在此不再一一列举。

可选的，大尺寸靶材302可以为单个靶材或者也可以为多个靶材。示例性地，如图5至图6所示，大尺寸靶材302包括第一大尺寸圆柱靶材3211和第二大尺寸圆柱靶材3212。对于大尺寸双靶结构，如由第一大尺寸圆柱靶材3211和第二大尺寸圆柱靶材3212构成的双靶结构，可以平行并排设置三个等离子体枪100，依次设置为第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130。此外，在其他实施方式中，可以根据第一大尺寸圆柱靶材3211和第二大尺寸圆柱靶材3212的实际靶材长度，选择使用等离子体枪100的数量，例如配置三个以上的等离子体枪100。

可选的，工艺腔室300内设置有安装架，靶材302可以安装于安装架，可以提供安装或支撑等作用。如可以在工艺腔室300的顶部中央设置安装架，并将靶材302安装于该安装架，将基片301置于工艺腔室300中，并使基片301需沉积膜层的一侧端面朝向靶材302的溅射面。

根据本申请实施例，当配置多个如三个等离子体枪100的情况下，多个等离子体枪100的排布方式可以具有多种，如，多个等离子体枪100可以均在一端设置，或者也可以在对向的两端设置。

如图1至图6所示，在一些实施例中，至少两个即多个等离子体枪100并排设置，且多个等离子体枪100均在第一方向的一端布置。示例性的，等离子体枪100的数量为三个，三个等离子体枪100包括第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130，该第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130平行并排设置在第一方向的一端，如均设置在镀膜装置的右端，也即第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130平行并排设置在阴极端。

或者，如图7所示，在另一些实施例中，至少两个即多个等离子体枪100中，部分等离子体枪100在第一方向的一端布置，其余部分等离子体枪100在第一方向的另一端布置。示例性的，等离子体枪100的数量为三个，三个等离子体枪100包括第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130，该第一等离子体枪110、第二等离子体枪120和第三等离子体枪130相邻等离子体枪阴，阳极对向设置的方式。如，第一等离子体枪110和第三等离子体枪130设置在镀膜装置的右端，而第二等离子体枪120设置在镀膜装置的左端，也即，第二等离子体枪120的阴极设置于第一等离子体枪110阴极和第三等离子体枪130阴极的对面。采用这种等离子体枪的布置方式，使相邻等离子体枪对向设置，更有利于等离子体的均匀性，可以提高等离子体分布的均匀性。

继续参考图1所示，在一些实施例中，压力梯度型等离子体枪包括放射电子的阴极101，以及第一电极102和第二电极103，该压力梯度型等离子体枪发射柱状等离子体500。

上述压力梯度型等离子体枪具有放出电子的阴极101，还具有沿电子的轨道形成电位梯度的第一电极102和第二电极103。该等离子体枪100可以具有圆筒状的筒部，利用该筒部的内部空间形成放电空间；利用等离子体放电在等离子体枪100的放电空间形成作为带电粒子(如Ar⁺与电子)的结合体的等离子体。

可选的，第一电极102可以是在内部收容有永磁体构成的极内磁铁的中空环状的电极。可选的，第二电极103可以是在内部收容有空心线圈构成的极内磁铁的中空环状的电极。等离子体枪100将气体例如氩气通过电离而等离子体化的放电气体贯穿阴极101、第一电极102和第二电极103后进行喷射。可选的，上述等离子体枪100可以具有用于单独的所放射的放电气体的流量进行调节的调节阀。

在一些实施例中，片状等离子体调整室200设有第一聚集线圈201、对向磁铁202和第二聚集线圈203，对向磁铁202位于第一聚集线圈201和第二聚集线圈203之间，用于将柱状等离子体500转变为片状等离子体600。

上述第一聚集线圈201可用于调整和约束等离子体的形状，对向磁铁202可用于将柱状等离子体500转变为片状等离子体600，第二聚集线圈203可用于调整入射到工艺腔室300内的片状等离子体600的形状。

在一些实施例中，阳极室400设有第三聚集线圈401，用于调整片状等离子体600的形状。在一些实施例中，阳极室400还设有聚集磁铁402和阳极403。

上述片状等离子体600进入阳极室400后，可利用聚集磁铁402起到引导的作用，将片状等离子体600进行聚集，可以利用第三聚集线圈401，整片状等离子体600的形状，使其易于收敛阳极403。

如图8所示，在一些实施例中，靶材302为圆柱形靶材，尤其是靶材302为大尺寸圆柱形靶材321，第二聚集线圈203和第三聚集线圈401的线圈面相对于第二方向倾斜布置，以使片状等离子体600具有弧形分布。例如，上述第二聚集线圈203和第三聚集线圈401的线圈面可以均相对于竖直轴线倾斜布置，可以使片状等离子体600形成弧形，如可以使片状等离子体600具有在厚度方向上突出的弯曲部。

此外，在其他实施例中，对于靶材302为大尺寸矩形平面靶材，也可以利用第二聚集线圈203和第三聚集线圈401倾斜的方式，实现片状等离子体600的弧形分布。

由于大尺寸圆柱形靶材321的弧形靶面的形状，通过使第二聚集线圈203和第三聚集线圈401倾斜设置，调整第二聚集线圈203和第三聚集线圈401的角度，可以将片状等离子体600调整为弧形分布，也即可以实现片状等离子体600的弧形分布，进而可以保证弧形靶面的前方区域等离子体的均匀性。该种方式同样适用于多个等离子体枪100的配置情况。

在一些实施例中，第二聚集线圈203和第三聚集线圈401分别具有预设的倾斜角度，且第二聚集线圈203和第三聚集线圈401的倾斜方向相反。上述片状等离子体600具有适宜的弯曲弧度，且片状等离子体600以大致一定的曲率半径弯曲。示例性的，第二聚集线圈203、第三聚集线圈401的倾斜角度可以选择在-45°至45°之间；若该倾斜角度小于-45°，则等离子体容易直射靶材，对溅射产生不良影响，若该倾斜角度大于45°，则弧度过大，等离子体中间区域等离子体稀薄。

通过调整第二聚集线圈203和第三聚集线圈401的角度，角度可以自由选择，将片状等离子体600讲调整成合适的弧形的分布，保证大尺寸圆柱靶的弧形靶面的前方区域等离子体的均匀性，从而提高了等离子体的分布均匀性。

本实施例中，真空镀膜装置中配置了多个等离子体枪100，等离子体枪100为压力梯度型等离子体枪，发射出柱状等离子体500。在等离子体枪100内部，电子由阴极101射出，经过第一电极102和第二电极103，形成柱状等离子体500。如图1或图2所示，从等离子体枪100射出的柱状等离子体500进入到片状等离子体调整室200后，首先通过第一聚集线圈201，调整和约束等离子体的形状，再经过对向磁铁202，将柱状等离子体500转变成片状等离子体600，然后再通过第二聚集线圈203，调整入射到工艺腔室300内的片状等离子体600的形状。该片状等离子体600通过工艺腔室300后，进入到阳极室400；并且在工艺腔室300内，从大尺寸靶材302表面溅射出来的原子，向基片301传输的过程中，穿过片状等离子体600，溅射粒子被离化，成为离子态，并沉积到基片301表面。片状等离子体600进入阳极室400后，首先经过第三聚焦线圈，调整片状等离子体600形状，并在阳极室400中利用聚集磁铁402起到引导的作用，将片状等离子体600进行聚集，使其易于收敛阳极403。

本实用新型未详细说明部分为本领域技术人员公知技术。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种真空镀膜装置，其特征在于，包括：等离子体枪、片状等离子体调整室、工艺腔室和阳极室；

所述等离子体枪、所述片状等离子体调整室、所述工艺腔室和所述阳极室在第一方向上依次连通设置，所述等离子体枪放出的等离子体在第一方向上输送；

所述工艺腔室内设有基片和至少一个靶材，所述靶材和所述基片在第二方向上间隔布置，且所述等离子体在所述靶材和所述基片之间输送，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；

所述等离子体枪的数量为至少两个。

2.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述靶材在第三方向上的长度不低于1000mm；

所述等离子体枪的数量为2-10个。

3.根据权利要求2所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述靶材的数量为一个或多个，一个或多个所述靶材在第三方向上的长度均不低于1000mm；

所述靶材包括圆柱形靶材或平面方形靶材。

4.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于，至少两个所述等离子体枪并排设置，且至少两个所述等离子体枪均在所述第一方向的一端布置。

5.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于，至少两个所述等离子体枪中，部分所述等离子体枪在所述第一方向的一端布置，其余部分所述等离子体枪在所述第一方向的另一端布置。

6.根据权利要求1-5任一项所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述等离子体枪为压力梯度型等离子体枪，所述压力梯度型等离子体枪包括放射电子的阴极，以及第一电极和第二电极，所述压力梯度型等离子体枪发射柱状等离子体。

7.根据权利要求1-5任一项所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述片状等离子体调整室设有第一聚集线圈、对向磁铁和第二聚集线圈，所述对向磁铁位于所述第一聚集线圈和所述第二聚集线圈之间，用于将柱状等离子体转变为片状等离子体；

所述阳极室设有第三聚集线圈，用于调整片状等离子体的形状。

8.根据权利要求7所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述靶材为圆柱形靶材，所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈的线圈面相对于第二方向倾斜布置，以使片状等离子体具有弧形分布。

9.根据权利要求8所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈分别具有预设的倾斜角度，且所述第二聚集线圈和所述第三聚集线圈的倾斜方向相反。

10.根据权利要求7所述的真空镀膜装置，其特征在于，所述阳极室还设有聚集磁铁和阳极。