CN101937885A - 半导体封装件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、半导体组件、封装体及导电部。基板具有电性接点。半导体组件设于基板上。封装体覆盖半导体组件并定义贯孔，贯孔露出电性接点。其中，封装体包括数层树脂体及数层纤维层。纤维层设于树脂体内并定义呈数组型的数个纤维开孔。导电部通过贯孔电性连接于基板。

Description

半导体封装件及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有纤维结构的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统的半导体封装件至少包括基板、芯片、数个焊球及封胶等组件。芯片设于基板上。封胶以填充(灌胶)方式包覆芯片，封胶并具有数个贯孔(through hole)以露出基板上的接垫。焊球通过贯孔电性连接于基板上的接垫，而一外部电路可通过焊球电性连接于芯片。

一般而言，封胶的材料可包括酚醛基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-based resin)、硅基树脂(silicone-based resin)或其它适当的包覆剂。

封胶的贯孔一般都是以激光加工成形。然而，上述封胶材料常加入加工性困难的添加物，导致封胶材料的质地变硬，使贯孔在制作上较困难，而所形成的贯孔的内侧壁的斜度也较大。由于贯孔的内侧壁的斜度较大，贯孔于封胶上的开口尺寸须够大才能露出基板上的接垫，如此一来，贯孔的数量受到限制，使传统半导体封装件的输出/入接点的数目无法进一步增加。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件的封装体的加工性较佳，因此可制作出较多数量的输出/入接点。

根据本发明的第一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、一封装体(package body)及一导电部。基板具有一电性接点。半导体组件设于基板上。封装体覆盖半导体组件的至少一部分并定义一贯孔，贯孔露出电性接点。其中，封装体包括一树脂体及数层纤维层，纤维层设于树脂体内并定义呈数组型的数个纤维开孔。导电部通过贯孔电性连接于基板。

根据本发明的第二方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，基板具有一电性接点；设置一半导体组件于基板上；形成一导电部于电性接点上；迭合数层树脂层及数层纤维层于基板上，树脂层及纤维层露出半导体组件，纤维层定义呈数组型的数个纤维开孔；施加压力及热量于树脂层及纤维层，使树脂层熔化，熔化的树脂层于凝固后形成一树脂体，树脂体及纤维层形成一封装体；形成一贯孔贯穿树脂体与纤维层以露出电性接点；以及，切割基板及封装体。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2绘示图1的局部A的上视图。

图3绘示本发明另一实施方面的半导体封装件的纤维结构的上视图。

图4绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图。

图5A至5E绘示图1的半导体封装件的制造示意图。

图6绘示本发明另一实施例的半导体封装件的导电部的示意图。

图7绘示依照本发明第二实施例的半导体封装件的剖视图。

图8绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的剖视图。

图9绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的局部剖视图。

图10绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的制造方法流程图。

图11A至11C绘示图8的半导体封装件的制造示意图。

图12绘示图11B的环绕部的局部上视图。

图13绘示依照本发明一实施例的环绕部的局部上视图。

图14绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的环绕部的局部上视图。

图15绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

主要组件符号说明

100、300、500、600：半导体封装件

102、502、902：基板

104：半导体组件

106、506、306、606：封装体

108、108’、208、308：导电部

110：侧面

112、112’：电性接点

114、214、314、814：贯孔

116：焊球

118：树脂体

120、420、520a、520b：纤维层

122：第一子纤维结构

124：第二子纤维结构

126：顶部开口

128：底部开口

130：第一开孔

132、532a、532b：树脂层

118a、118b、132a、132b、132c、518a：一部分

134：金属层

136、138、536、538、552：外侧面

140、240a、240b：第二开孔

142、144、542、662：上表面

148、448：纤维开孔

158：交接处

160：内侧壁

422：纤维结构

550、650、750、950：环绕部

554：环绕部开孔

556：金属板

764、864：块体

766：凹部

962：环绕部贯孔

P：压力

R：部分

S：空间

具体实施方式

第一实施例

请参照图1，其绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板102、半导体组件104、封装体(package body)106、导电部108、金属层134及数个焊球116。

金属层134例如是铜箔(copper foil)，其厚度约介于3微米(μm)至72μm之间，然此非用以限制本发明。金属层134设于半导体封装件100的最外层，可快速地将半导体封装件100的产热散逸至外界。此外，金属层134亦可提升半导体封装件100的结构强度。

半导体组件104可以是芯片，例如是覆晶(flip chip)。半导体组件104设于基板102的上表面142上并电性连接于基板102。

基板102具有数个电性接点112，电性接点112例如是接垫(pad)。焊球116设于基板102上，基板102可通过焊球116电性连接于一外部电路(未绘示)。焊球116可通过导通贯孔(未绘示)或通过基板102内的导电层(未绘示)电性连接于电性接点112。

封装体106定义数个贯孔114，每个贯孔114露出对应的电性接点112及对应的导电部108。导电部108例如是焊球(solder ball)，其设于贯孔114内并电性连接于电性接点112。一外部电路(未绘示)可与导电部108对接，以电性连接于半导体组件104。此处的外部电路例如是电路板或其它半导体组件。

基板102的材质例如是环氧树脂、聚酯树脂等。封装体106包括树脂体118及数层纤维层120，如图1中局部A的放大图所示。树脂体118的材质亦可为环氧树脂、聚酯树脂等，而纤维层120的材质可为玻璃纤维、碳纤维、硼纤维、亦或是其它合成纤维。由于基板102与树脂体118材质种类相似或相同，故基板102的热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion，CTE)与封装体106的热膨胀系数相近，使整个半导体封装件100的翘曲量较小。如此一来，即使基板102的厚度较薄，半导体封装件100的翘曲量亦可控制在预设范围内。

树脂体118的一部分118a填充于半导体组件104与基板102之间且树脂体118的一部分118b覆盖半导体组件104的上表面144及侧面110，即，整个半导体组件104被封装体106包覆，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，半导体组件104的上表面144亦可不被封装体106覆盖而外露出来。

该些纤维层120设于树脂体118内，每层纤维层120包括数个纤维结构。该些纤维结构呈条状的玻璃纤维，其由数条第一子纤维结构122及数条第二子纤维结构124所组成。请参照图2，其绘示图1的局部A的上视图。该些第一子纤维结构122与该些第二子纤维结构124彼此交织出呈数组型的数个纤维开孔148

于一实施方面中，第一子纤维结构122与第二子纤维结构124于交错部位彼此黏结固定；或者，于另一实施方面中，请参照图3，其绘示本发明另一实施方面的半导体封装件的纤维结构的上视图。图3中每层纤维层420一片状玻璃纤维层，其定义数个纤维结构422，该些纤维结构422围绕出呈数组型的数个纤维开孔448。另外一提的是，该些纤维结构422连接在一起而成为一体成形的片状玻璃纤维层。

由于封装体106的加工性较佳，因此贯孔114的内侧壁160(绘示于图1)的斜度较小。进一步地说，相较于传统半导体封装件的贯孔，本实施例图1中贯孔114的顶部开口126与底部开口128的尺寸差异较小(即贯孔114的内侧壁160的斜度较小)。也就是说，在相同大小的底部开口128的比较基准下，本实施例的顶部开口126的尺寸较小，因而可形成更多、更密集的贯孔114，露出更多导电部108，亦即增加更多输出/入电性接点。

以下以图4及图5A至5E说明图1的半导体封装件100的制造方法。图4绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图，图5A至5E绘示图1的半导体封装件的制造示意图。

于步骤S102中，提供如图5A所示的基板102，基板102具有数个电性接点112及112’。

然后，于步骤S104中，如图5A所示，设置数个半导体组件104于基板102的上表面142上。半导体组件104通过焊球电性连接于电性接点112’。

然后，于步骤S106中，如图5B所示，形成导电部108于对应的电性接点112上。第5B至5E图仅绘示出单个半导体组件104的范围。

本步骤S106中，可先执行植球步骤；之后，进行回焊(reflow)步骤，以形成如图5B所示的导电部108。回焊后的导电部108的外形近似于三分之二的球体，而其余三分之一的球体融接于电性接点112，使导电部108稳固地结合于电性接点112上。

然后，于步骤S108中，迭合数层如图5C所示的树脂层132及纤维层120于基板102上，其中，该些树脂层132及该些纤维层120彼此上下交错迭合。举例来说，二层树脂层132之间仅夹有单层纤维层120；或者，二层纤维层120之间仅夹有单层树脂层132；或者，二层树脂层132之间亦可夹有多层的纤维层120而不夹有树脂层132；或者，二层纤维层120之间亦可夹有多层的树脂层132而不夹有纤维层120。于其它实施方面中，树脂层132及纤维层120亦可任意交错迭合。

于步骤S108前，可先于树脂层132与纤维层120上制作出数个第一开孔130及数个第二开孔140。于步骤S108后，半导体组件104从第一开孔130露出，导电部108及电性接点112从第二开孔140露出。

此外，于步骤S108之后，可迭加如图5C所示的金属层134于树脂层132上及纤维层120上。

然后，于步骤S110中，如图5D所示，通过金属层134，施加压力P于树脂层132及纤维层120上以压缩树脂层132及纤维层120，并施加热量于树脂层132及纤维层120，以熔化树脂层132。熔化的树脂层132的一部分132a填充于半导体组件104与基板102之间而形成底胶(underfill)，且熔化后的树脂层132的一部分132b覆盖半导体组件104的上表面144及侧面110(侧面110绘示于图1)。

进一步地说，于步骤S110中，一次形成位于半导体组件104与基板102之间的填充层及包覆半导体组件104的包覆层。

此外，熔化后的树脂层132包覆导电部108，且熔化后的树脂层132的一部分132c填充于导电部108与电性接点112的交接处158。树脂层132的一部分132c可紧抓导电部108，使导电部108更稳固地设于电性接点112上。熔化的树脂层132于凝固后形成如图1所示的树脂体118，树脂体118与该些纤维层120成为封装体106(封装体106绘示于图1)。熔化的树脂层132的该部分132a于冷却凝固后形成图1中树脂体118的该部分118a，而熔化的树脂层132的该部分132b于冷却凝固后形成图1中树脂体118的该部分118b。

于一实施方面中，亦可于步骤S104先形成一底胶于半导体组件104与基板102间，然后再继续进行后续工艺。

于一实施方面中，图5C的金属层134中对应导电部108的部位定义数个金属层开孔(未绘示)。在通过金属层134压缩树脂层132及纤维层120后，导电部108可通过该些金属层开孔突出于金属层134，使最终半导体封装件100的导电部108突出于贯孔114的顶部开口126。如此一来，可增加导电部108与一电路组件的电性接触面积，以提升导电部108与该电路组件间的电性连接质量。此处的电路组件可以是电路板、另一半导体封装件或芯片，例如是覆晶。

然后，于步骤S112中，如第5E图所示，以例如是机械或激光加工的方式于图5D所示的封装体106形成数个贯孔114。贯孔114贯穿金属层134、树脂体118及纤维层120，以露出对应的电性接点112及对应的导电部108。

由于贯孔114的顶部开口126的面积较小，故相邻二贯孔114之间的距离拉近，因此可形成更多、更密集的贯孔114，露出更多的导电部108(输出/入电性接点)。

由于贯孔114于导电部108形成之后再形成，故即使贯孔114的顶部开口126的面积较小亦不致影响导电部108的形成。如此一来，可先形成彼此紧密相邻的数个导电部108，然后再形成对应的数个贯孔114以露出该些导电部108。由于该些导电部108可紧密相邻，因此可形成更多数量的导电部108，藉以增加半导体封装件100的输出/入电性接点的数量。

此外，由于封装体106的加工性较佳，使激光加工后的贯孔114的内侧壁160的斜度较小，顶部开口126的面积因此可以更小，藉此可形成更多数量的贯孔114。

虽然图1的半导体封装件100以包括有金属层134为例作说明，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，可于步骤S112之后，以例如是撕除或蚀刻方式移除金属层134；或者，亦可于步骤S110与S112之间移除金属层134。

然后，于步骤S114中，对应相邻二半导体组件104之间的部分，切割第5E图的基板102及封装体106。

由于切割路径(未绘示)通过重迭的基板102与封装体106，因此基板102的外侧面136及封装体106的外侧面138切齐，如图1所示。

此外，于步骤S114之前或之后，可形成如图1所示的焊球116于基板102上，以形成数个如图1所示的半导体封装件100。

虽然本实施例的导电部108于贯孔114的形成步骤之前形成，然此非用以限制本发明。于另一实施例中，请参照图6，其绘示本发明另一实施例的半导体封装件的导电部的示意图。导电部208可于贯孔114的形成步骤之后才形成，在此情况下，贯孔214与电性接点112间的交接处158与导电部208之间定义一空间S，该空间未被熔化的树脂层填满，然此非用以限制本发明。

第二实施例

请参照图7，其绘示依照本发明第二实施例的半导体封装件的剖视图。第二实施例中与第一实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第二实施例的半导体封装件300与第一实施例的半导体封装件100不同之处在于，半导体封装件300的导电部308导电柱(conductive pillar)，例如是铜柱。

半导体封装件300包括基板102、半导体组件104、封装体306、导电部308及焊球116。封装体306的技术特征相似于图1的封装体106，在此不再重复赘述。

以下以图4的流程图来说明图6的半导体封装件300的制造方法。于半导体封装件300的制造方法中，步骤S106可延后至步骤S112之后完成，即，导电部308于封装体306的贯孔314形成后才形成。此外，于步骤S106中，可应用例如是电镀方式形成呈圆柱状的导电部308，然此非用以限制本发明。在其它实施方面中，可应用涂布导电膏的方式形成呈柱状且填满整个贯孔314的导电部。此处的导电膏例如是铜膏亦或是锡膏。

虽然本实施例的半导体封装件300省略第一实施例的金属层134，然于一实施方面中，半导体封装件300亦可包括有金属层，其结构及形成方法相似于第一实施例的金属层134，在此不再重复赘述。

第三实施例

请参照图8，其绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的剖视图。第三实施例中与第一实施例相同之处沿用相同标号，在此不再赘述。第三实施例的半导体封装件500与第一实施例的半导体封装件100不同之处在于，半导体封装件500包括环绕部550，其可提升半导体封装件500的结构强度，减少半导体封装件500的翘曲量。

半导体封装件500包括基板502、半导体组件104、环绕部550、焊球116及封装体506。其中，环绕部550定义一环绕部开孔554，半导体组件104位于环绕部开孔554内。

环绕部550埋设于封装体506内而其的外侧面552外露。由于环绕部550的外侧面552外露，故半导体组件104的产热可通过环绕部550的外侧面552快速地散逸至外界，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，环绕部550亦可完全被封装体506包覆而不裸露出来。

导电部108可位于环绕部550与半导体组件104之间，如图8中右边的导电部108所示；或者，导电部108可邻近基板502的外侧面536，如图8中左边的导电部108’所示；或者，全部的导电部108可邻近基板502的外侧面536或位于环绕部550与半导体组件104之间；或者，于一实施例中，请参照图9，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的局部剖视图。环绕部950定义至少一环绕部贯孔962，单个导电部108设于对应的单个环绕部贯孔962内。

此外，由于后续切割步骤的切割路径通过重迭的基板502、封装体506及环绕部550，因此基板502的外侧面536、封装体506的外侧面538及环绕部550的外侧面552大致上切齐。

以下以图10并搭配图11A至11C说明图8的半导体封装件500的制造方法。图10绘示依照本发明第三实施例的半导体封装件的制造方法流程图，图11A至11C绘示图8的半导体封装件的制造示意图，其中图11A至11C仅绘示出单个半导体组件104的范围。制造半导体封装件500的步骤S202及S206相似于图4的步骤S102及S106，在此不再重复赘述，以下从步骤S208开始说明。

于步骤S208中，如第11A图所示，迭合数层树脂层532a及数层纤维层520a于基板502的上表面542上。树脂层532a及纤维层520a定义第二开孔240a，第二开孔240a露出导电部108。树脂层532a与纤维层520a的结构及迭合方式相似于第一实施例的树脂层132与纤维层120，在此不再重复赘述。

第二开孔240a可应用例如是激光加工、机械加工或图案化技术形成于树脂层532a及纤维层520a上。

然后，于步骤S210中，如图11B所示，设置数个(图11B仅绘示出单个)环绕部550于树脂层532a与纤维层520a上，每个环绕部550环绕对应的半导体组件104。

该些环绕部550一体成形。详细地说，请参照图12，其绘示图11B的环绕部的局部上视图。该些环绕部550定义于一金属板556中，环绕部550中的环绕部开孔554金属板556中的贯孔，其露出半导体组件104。其中，金属板556的贯孔可应用冲孔(press)制成。

上述金属板例如是铜板(copper plate)或铜箔(copper foil)，其厚度约介于3μm至72μm之间，然此非用以限制本发明。此外，该金属板的材质未受限于铜金属，亦可包含其它种类的金属。

虽然本实施例的环绕部550以定义于金属板为例作说明，然此非用以限制本发明。于一实施例中，请参照图13，其绘示依照本发明一实施例的环绕部的局部上视图。每个环绕部750包括数个块体(block)764，该些块体764定义或围绕ㄧ凹部766，半导体组件104可位于凹部766内。如此一来，切割路径可经过二分离设置的块体764之间的部分R而不切割到块体764，使环绕部750可被后续形成的封装体完全包覆而不从最终的半导体封装件中裸露出来。

此外，请参照图14，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的环绕部的局部上视图。每个环绕部包括二块体864，其邻近半导体组件104中相对二侧设置，而数个贯孔814中至少一些邻近于半导体组件104中另相对二侧。由于二块体864呈对称设置，故可降低半导体封装件的翘曲量，然此非用以限制本发明。于其它实施方面中，每个环绕部包括任意数量的块体，其可以任意型态环绕半导体组件104。

然后，于步骤S212中，如第11C图所示，迭合数层树脂层532b及数层纤维层520b于树脂层532a、纤维层520a及环绕部550上。树脂层532b及纤维层520b定义第二开孔240b，以露出第二开孔240a及导电部108。树脂层532b与纤维层520b的结构及迭合方式相似于第一实施例的树脂层132与纤维层120，在此不再重复赘述，而第二开孔240b的形成方法相似于步骤S208中的第二开孔240a的形成方法。

接下来的步骤S214及S218相似于图4的步骤S110及S114，在此不再重复赘述。

于一实施方面中，本实施例的步骤S206亦可延后至步骤S216之后执行。

图9所示的半导体封装件的制造方法中，于步骤S210中，环绕部950定义数个环绕部贯孔914，使导电部108从环绕部贯孔914露出。其中，环绕部贯孔914可应用例如是刀具或激光加工方式形成。

此外，在图9所示的半导体封装件的另一制造方法中，亦可将步骤S206延后至步骤S216之后执行。在此情况下，步骤S216更包括：应用刀具或激光加工方式，形成环绕部贯孔914于环绕部950上，使环绕部贯孔914露出基板902的电性接点112；然后，再形成导电部108于环绕部贯孔914内并接触对应的电性接点112。

此外，虽然本实施例的步骤S210中环绕部550以设于树脂层532a与纤维层520a上(如图8所示)为例作说明，然此非用以限制本发明。于一实施方面中，半导体封装件的制造方法亦可省略步骤S208，如此，于步骤S210中，环绕部550可设于基板502的上表面542上。

虽然本实施例半导体封装件500的半导体组件104的上表面144以被封装体506的树脂体的一部分518b覆盖(如图8所示)为例说明，然此非用以限制本发明。于另一实施例中，请参照图15，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件600的封装体606未覆盖半导体组件104的上表面144，半导体组件104的上表面144外露，使半导体组件104的产热快速地散逸至外界。详细而言，在图15中，只要半导体组件104与环绕部650中至少一者的厚度经过适当设计，即可形成如图15所示的半导体封装件600。进一步地说，只要在步骤S208、S210、S212中，使树脂层、纤维层与环绕部650的迭合高度不过分超出半导体组件104的上表面144，于步骤S214完成后即可露出半导体组件104的上表面144。

于另一实施例的半导体封装件的制造方法中，亦可省略步骤S212，使环绕部650的上表面662裸露出来。在适当地设计环绕部650的厚度下，使最终的半导体封装件中的环绕部650的上表面662可低于、高于或大致上齐平于半导体组件104的上表面144。

本发明上述实施例所揭露的半导体封装件及其制造方法，具有多项特征，列举部份特征说明如下：

(1).基板的热膨胀系数与封装体的热膨胀系数相近，使整个半导体封装件的翘曲量较小。

(2).由于封装体的加工性较佳，使激光加工后的贯孔的内侧壁的斜度较小，贯孔的顶部开口的面积因此可以更小，半导体封装件的输出/入接点的数目因此而增加。

(3).半导体封装件的导电部可以是导电柱或焊球，增加半导体封装件在设计上的弹性。

(4).通过树脂层及纤维层的设计，可一次形成半导体组件与基板之间的底胶及封装半导体组件的封胶。

(5).半导体封装件可包括环绕部，增加半导体封装件的结构强度。

综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (12)

1.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一电性接点；

一半导体组件，设于该基板上；

一封装体，覆盖该半导体组件的至少一部分并定义一贯孔，该贯孔露出该电性接点，其中该封装体包括一树脂体及数个层纤维层，该些纤维层设于该树脂体内，各该纤维层定义呈数组型的数个纤维开孔；以及

一导电部，通过该贯孔电性连接于该基板。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中各该纤维层由玻璃纤维所组成。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中各该纤维层包括数个条第一子纤维结构及数个条第二子纤维结构，该些第一子纤维结构与该些第二子纤维结构交织且彼此固定。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该导电部导电柱或焊球。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该半导体组件覆晶，该树脂体的一部分填充于该半导体组件与该基板之间。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该树脂体的一部分覆盖该半导体组件的上表面。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该基板的侧面与该封装体的侧面切齐。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括：

一环绕部，环绕该半导体组件设置；

其中，该封装体包覆该环绕部的至少一部分。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其中该环绕部埋设于该封装体的内部。

10.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一电性接点；

设置一半导体组件于该基板上；

形成一导电部于该电性接点上；

迭合数个层树脂层及数个层纤维层于该基板上，该些树脂层及该些纤维层露出该半导体组件，各该纤维层定义呈数组型的数个纤维开孔；

施加压力及热量于该些树脂层及该些纤维层，使该些树脂层熔化，熔化的该些树脂层于凝固后形成一树脂体，该树脂体及该些纤维层形成一封装体；

形成一贯孔贯穿该树脂体与该些纤维层，以露出该电性接点；以及

切割该基板及该封装体。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中于施加压力及热量于该些树脂层及该些纤维层的该步骤之前，该制造方法更包括：

设置一环绕部环绕该半导体组件。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中于该切割步骤中，切割路径经过重迭的该基板、该封装体与该环绕部，使该基板的侧面、该封装体的侧面及该环绕部的侧面切齐。

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