CN101931039B - 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 - Google Patents
具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101931039B CN101931039B CN2010102599955A CN201010259995A CN101931039B CN 101931039 B CN101931039 B CN 101931039B CN 2010102599955 A CN2010102599955 A CN 2010102599955A CN 201010259995 A CN201010259995 A CN 201010259995A CN 101931039 B CN101931039 B CN 101931039B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- double
- emitting diode
- perforated holes
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 36
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开的一种具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺，包括衬底及形成于衬底上的第一外延层、第二外延层，该第一外延层包含P-GaN层，第二外延层包含P-GaN层、发光区和N-GaN层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有N电极，P-GaN层上设置有P电极；发光二极管第一外延层及第二外延层侧面各具有一呈周期性分布的贯穿孔洞，两层贯穿孔洞具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。本发明可以有效地降低氮化镓基基外延生长中的位错密度、提高晶格质量、提高发光效率、改善光电器件性能的优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其是一种具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺。
背景技术
发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、 易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓（GaN）基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。随着功率型GaN基LED的效率不断提升，用GaN基LED半导体灯替代现有的照明光源将成为势不可挡的趋势。然而半导体照明要进入千家万户，还有许多问题需要解决，其中最核心的就是生产成本和发光效率。
目前，适合商用的蓝绿光LED都是基于GaN的III-V族化合物半导体材料。市场上销售的GaN基LED外延生长大部分是采用蓝宝石（Al2O3）衬底或碳化硅（SiC）衬底制备的。SiC衬底非常昂贵，用其制备的LED成本很高；而蓝宝石的晶格常数和热膨胀系数与GaN相比相差很大，导致了GaN基生长层的穿透位错密度高达108～1010cm-2 。高位错密度的存在限制了其光电子器件性能的进一步提高，因此提高发光效率和提升使用寿命必须设法降低衬底与GaN之间的位错密度。
有改善LED发光效率的方法主要有采用图形衬底、透明衬底、分布布拉格反射镜（英文为Distributed Bragg Reflector，简称DBR）结构、表面微结构、倒装芯片、芯片键合、激光剥离技术等。其中较广泛使用的蓝宝石图形衬底技术（英文为Patterned Sapphire Substrates，简称PSS），即在蓝宝石衬底上制作图形化的掩膜，通常采用的是二氧化硅 （SiO2）或金属掩膜；刻蚀蓝宝石；去掉掩膜，得到凹凸图案的蓝宝石衬底（参见文献[1] S Kitamura, K Hiramatsu and N Sawaki. Fabrication of GaN hexagonal pyramids on dot-patterned GaN/sapphire substrates via selective metalorganic vapor phase epitaxy[J]. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34: L1184–L1186；[2] W K Wang, D S Wuu, S H Lin, et al. Efficiency Improvement of Near-Ultraviolet InGaN LEDs Using Patterned Sapphire Substrates[J].IEEE Photo. Technol. Lett., 2005, 17(2): 288-290）。但由于蓝宝石衬底比较坚硬，无论是干法刻蚀还是湿法腐蚀，整片图形做好一致性、均匀性都有一定难度，制作过程对设备和工艺要求很高，PSS衬底价格偏高，LED生产成本也较高。
中国发明专利申请（CN101388427）所公开的一种发光二极管元件的制造方法，结合磊晶方式及蚀刻方式，使该发光二极管磊晶层从底部开始蚀刻，形成侧面外悬凸出的结构形状，使发光二极管磊晶层结构成为非矩形的斜面，由此改善发光二极管组件界面全反射的现象。但该发明仅通过改变磊晶层的侧面形状进而降低全反射，并未形成贯穿孔洞结构，故其光取出率的提高受一定限制。
发明内容
为解决上述发光二极管的所存在的问题，本发明旨在提供一种具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺。本发明可以有效地降低氮化镓基外延生长中的位错密度、提高晶格质量，并具有改善光电器件的性能、提高发光效率的优点。
为达到上述目的，本发明提供的是外延层侧面具有双层交错贯穿孔洞结构的氮化镓基发光二极管，其包括衬底及形成于衬底上的第一外延层、第二外延层，该第一外延层包含P-GaN层，第二外延层包含 P-GaN 层、发光区和N-GaN 层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有N电极，P-GaN 层上设置有P电极，其特征在于：发光二极管第一外延层及第二外延层侧面各具有一呈周期性分布的贯穿孔洞，两层贯穿孔洞具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。
制备上述具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其步骤如下：
1) 在衬底上镀第一过渡层；
2) 通过光刻、蚀刻，得周期性分布的第一图形化过渡层；
3) 在第一图形化过渡层长第一外延层；
4) 在第一外延层上镀第二过渡层；
5) 通过光刻、蚀刻，得与周期性分布的第一图形化过渡层成十字交错排列的周期性分布的第二图形化过渡层；
6) 在第二图形化过渡层长第二外延层；
7) 在第二外延层上镀保护层；
8) 切割出所定义尺寸的芯粒；
9) 通过湿蚀刻，去除衬底上的第一图形化过渡层、第二图形化过渡层及第二外延层上的保护层，形成双层十字交错排列的贯穿孔洞结构；
10) 在第二外延层上制作导电层；
11) 通过光刻、蚀刻工艺制作P电极和N电极。
本发明中的衬底材料选用蓝宝石或碳化硅，过渡层选自SiO2、SiNX、TiO2或前述的任意组合之一；第一图形化过渡层、第二图形化过渡层均呈周期性分布，并且第一图形化过渡层的形状、第二图形化过渡层的形状均为矩形或除矩形外的多边形；保护层选自SiO2、SiNX、TiO2或前述的任意组合之一；芯粒切割方法选用激光切割或钻石刀切割；孔洞呈周期性分布；孔洞的形状为矩形或除矩形外的多边形；湿蚀刻采用的蚀刻液选自HF、NH4F、CH3COOH、H2SO4、H2O2或前述的任意组合之一；导电层材料选自Ni/Au合金、Ni/ITO合金、ITO或前述的任意组合之一。
本发明的有益效果是：本发明使发光二极管芯粒形成具有双层十字交错贯穿孔洞结构，有效地降低 GaN 基外延生长中的位错密度、改善晶格质量、提升光电器件的性能、提高发光效率。
附图说明
图1～图10是本发明制作具有低折射率孔洞的氮化镓基发光二极管的流程剖视图；
图11是本发明实施例图2的俯视图；
图12是本发明实施例图4第二过渡层通过光刻、蚀刻后得到的第二图形化过渡层的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺进一步说明。
如图1所示，在蓝宝石衬底201上镀SiNx第一过渡层202。
如图2 、图11所示，通过光刻、蚀刻，得呈周期性分布的矩形状第一图形化SiNX过渡层203。
如图3所示，在第一图形化SiNX 过渡层203层生长第一外延层，其中第一外延层由P-GaN层204组成。
如图4所示，在第一外延层204上镀第二过渡层205。
如图12所示，通过光刻、蚀刻，得与第一SiNX图形化过渡层203和成十字交错排列的第二图形化SiNX过渡层206。
如图5所示，在第二图形化SiNX过渡层206 上生长第二外延层；其中第二外延层由 N-GaN 层207、发光区208和P-GaN层209组成。
如图6所示，在第二外延层上镀SiO2保护层210。
如图7所示，采用钻石刀切割出所定义尺寸的芯粒。
如图8所示，通过湿蚀刻，去除蓝宝石衬底 201上的第一SiNX图形化过渡层 203、第二图形化SiNX过渡层206及第二外延层上的保护层210，形成双层十字交错贯穿的呈周期性分布的孔洞结构211，湿蚀刻采用的蚀刻液由HF、NH4F、CH3COOH、H2SO4 、H2O2组成。
如图9所示，在第二外延层上制作Ni/ITO合金导电层212。
如图10所示，通过光刻、蚀刻工艺分别在Ni/ITO合金导电层212和P-GaN层204上制作P电极213和N电极214。
如图10所示，依照上述工艺制备的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管，包括蓝宝石衬底 201及形成于蓝宝石衬底 201上的第一外延层204、第二外延层，该第一外延层包含P-GaN层，第二外延层包含 N-GaN 层207、发光区208和P-GaN 209层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有P电极213， P-GaN层209 上设置有N电极214，发光二极管第一外延层204及第二外延层侧面各具有一呈周期性分布的贯穿孔洞，两层贯穿孔洞具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化；因此，所有等同的技术方案均属本发明的保护范畴，由各权利要求限定。
Claims (12)
1.具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管，包括衬底及形成于衬底上的第一外延层、第二外延层，该第一外延层包含P-GaN层，第二外延层包含 P-GaN 层、发光区和N-GaN 层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有N电极，P-GaN 层上设置有P电极，其特征在于：发光二极管第一外延层及第二外延层侧面各具有一呈周期性分布的贯穿孔洞，两层贯穿孔洞具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。
2.具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其步骤如下：
1) 在衬底上镀第一过渡层；
2) 通过光刻、蚀刻，得周期性分布的第一图形化过渡层；
3) 在第一图形化过渡层长第一外延层；
4) 在第一外延层上镀第二过渡层；
5) 通过光刻、蚀刻，得与周期性分布的第一图形化过渡层成十字交错排列的周期性分布的第二图形化过渡层；
6) 在第二图形化过渡层长第二外延层；
7) 在第二外延层上镀保护层；
8) 切割出所定义尺寸的芯粒；
9) 通过湿蚀刻，去除衬底上的第一图形化过渡层、第二图形化过渡层及第二外延层上的保护层，形成双层十字交错排列的贯穿孔洞结构；
10) 在第二外延层上制作导电层；
11) 通过光刻、蚀刻工艺制作P电极和N电极。
3.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于衬底材料选用蓝宝石或碳化硅。
4.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于过渡层选自SiO2、SiNX、TiO2或前述的任意组合之一。
5.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于第一图形化过渡层、第二图形化过渡层均呈周期性分布。
6.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于第一图形化过渡层的形状、第二图形化过渡层的形状均为矩形或除矩形外的多边形。
7.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于保护层选自SiO2、SiNX、TiO2或前述的任意组合之一。
8.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于芯粒切割方法选用激光切割或钻石刀切割。
9.如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于孔洞呈周期性分布。
10.如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于孔洞的形状为矩形或除矩形外的多边形。
11.如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于湿蚀刻采用的蚀刻液选自HF、NH4F、CH3COOH、H2SO4、H2O2或前述的任意组合之一。
12.如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于导电层材料选自Ni/Au合金、Ni/ITO合金、ITO或前述的任意组合之一。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102599955A CN101931039B (zh) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 |
| US13/214,601 US8436377B2 (en) | 2010-08-23 | 2011-08-22 | GaN-based light-emitting diode and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010102599955A CN101931039B (zh) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101931039A CN101931039A (zh) | 2010-12-29 |
| CN101931039B true CN101931039B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=43370091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010102599955A Active CN101931039B (zh) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8436377B2 (zh) |
| CN (1) | CN101931039B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| TWI506816B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-11-01 | Dowa Electronics Materials Co | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element |
| CN102544249A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制作方法 |
| TW201232814A (en) * | 2011-01-17 | 2012-08-01 | Lextar Electronics Corp | Solid state light emitting device with mesh channel and manufacturing method thereof |
| CN102760798B (zh) * | 2011-04-29 | 2015-03-11 | 清华大学 | 一种发光二极管的制备方法 |
| CN103456852B (zh) * | 2012-05-30 | 2016-09-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led外延片及制备方法 |
| CN102832303B (zh) * | 2012-09-05 | 2014-11-19 | 安徽三安光电有限公司 | 一种氮化镓基高亮度发光二极管的制作方法 |
| TWI577041B (zh) * | 2014-10-02 | 2017-04-01 | 錼創科技股份有限公司 | 磊晶結構 |
| CN104993012B (zh) * | 2015-05-25 | 2017-04-12 | 中国科学院半导体研究所 | 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 |
| CN105140351B (zh) * | 2015-07-03 | 2017-11-17 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管结构及其制作方法 |
| CN111554785B (zh) * | 2020-03-27 | 2021-10-08 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN112071964B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-18 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Micro LED芯片的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1641835A (zh) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | Lg电子有限公司 | 高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047170A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-22 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device |
| US6294440B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same |
| JP4255168B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2009-04-15 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体の製造方法及び発光素子 |
| JP3587081B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2004-11-10 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| US6812053B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-02 | Cree, Inc. | Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures |
| US6599362B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-29 | Sandia Corporation | Cantilever epitaxial process |
| JP4486506B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2010-06-23 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長 |
| JP2004335716A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Fujikura Ltd | 白色ｌｅｄ |
| CN100592539C (zh) | 2007-09-12 | 2010-02-24 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发光二极管元件的制造方法 |
| JP5180050B2 (ja) * | 2008-12-17 | 2013-04-10 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-08-23 CN CN2010102599955A patent/CN101931039B/zh active Active
-
2011
- 2011-08-22 US US13/214,601 patent/US8436377B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1641835A (zh) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | Lg电子有限公司 | 高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2000-174343A 2000.06.23 |
| JP特开2004-335716A 2004.11.25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8436377B2 (en) | 2013-05-07 |
| US20120043578A1 (en) | 2012-02-23 |
| CN101931039A (zh) | 2010-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101931039B (zh) | 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺 | |
| US8507357B2 (en) | Method for lift-off of light-emitting diode substrate | |
| US9780259B2 (en) | Light-emitting device having a patterned substrate and the method thereof | |
| US8390010B2 (en) | Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing | |
| KR100649769B1 (ko) | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP5165276B2 (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
| KR100986557B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI433353B (zh) | 包含紋路化基板的裝置及形成半導體裝置的方法 | |
| KR20130102341A (ko) | 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| WO2012048506A1 (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN102610715A (zh) | 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 | |
| JP2005268734A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| KR100735488B1 (ko) | 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
| KR101425167B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된질화물 반도체 발광소자 | |
| KR20100103962A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN105047769B (zh) | 一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法 | |
| CN216250771U (zh) | 复合图形衬底及包含该衬底的led外延结构 | |
| KR101316121B1 (ko) | 수직형 발광 다이오드의 제조방법 | |
| KR101180414B1 (ko) | 고휘도 엘이디 용 기판 구조 및 그 기판에서의 에피택시 기반층 성장방법 | |
| KR101014045B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR101360882B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| CN215496767U (zh) | 图形化衬底结构及led器件 | |
| KR101340322B1 (ko) | 수평형 파워 led 소자 | |
| JP5449415B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100734374B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ANHUI SAN AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: XIAMEN SAN AN PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20120104 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 361009 XIAMEN, FUJIAN PROVINCE TO: 241000 WUHU, ANHUI PROVINCE |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20120104 Address after: 241000 Anhui city of Wuhu Province Economic and Technological Development Zone Dong Liang Road No. 8 Applicant after: Anhui San'an Optoelectronics Co., Ltd. Address before: Siming District of Xiamen City, Fujian province 361009 Luling Road No. 1721-1725 Applicant before: Xiamen San'an Photoelectric Technology Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |