CN101919034B - 半导体晶片的保护膜的形成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体晶片的保护膜的形成装置，其在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜，该半导体晶片的保护膜的形成装置包括：机台和定盘，其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口；光反射体，其安装在上述定盘的下部并将紫外线向上方反射；紫外线照射单元，其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射；升降部件，其能够升降地配置在上述定盘的上方位置；紫外线透过性的受压部件，其在上述定盘的上表面以覆盖上述开口的方式被安装，且具有能够载置上述半导体晶片的平坦状的上表面；加压部件，其位于上述升降部件的下侧，经由角度调整单元并且与上述受压部件相对地安装于该升降部件，且具有平坦状的下表面；以及电动气缸，其使上述升降部件升降。

Description

半导体晶片的保护膜的形成装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片的保护膜的形成装置，更详细地说，涉及在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜的半导体晶片的保护膜的形成装置。
背景技术
在现有技术中，作为一种在基板的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜的装置，包括：使涂敷有紫外线固化树脂的基板旋转的旋转部；配置在上述基板的上方，对该基板照射紫外线的光线；以及配置在上述基板的外侧的大致圆环状的光反射体。上述光反射体使上述紫外线反射的反射面为曲面，被该反射面反射的紫外线照射上述基板的外周面(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2000-276785号公报
但是，在这样构成的现有的保护膜的形成装置中，利用离心力使未固化的紫外线固化树脂延伸，因此紫外线固化树脂容易集中在基板的外周部，随之，存在在基板的直径方向上发生厚度不均等的问题。
发明内容
于是，本发明的目的在于提供一种半导体晶片的保护膜的形成装置，其能够在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜。
本发明的半导体晶片的保护膜的形成装置，在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜，该半导体晶片的保护膜的形成装置包括：机台和定盘，其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口；光反射体，其安装在上述定盘的下部并将紫外线向上方反射；紫外线照射单元，其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射；升降部件，其能够升降地配置在上述定盘的上方位置；紫外线透过性的受压部件，其在上述定盘的上表面以覆盖上述开口的方式被安装，且具有能够载置上述半导体晶片的平坦状的上表面；加压部件，其位于上述升降部件的下侧，经由角度调整单元并且与上述受压部件相对地安装于该升降部件，且具有平坦状的下表面；以及电动气缸，其使上述升降部件升降。
根据本发明，在涂敷在受压部件上的紫外线固化树脂上载置半导体晶片，从半导体晶片的上方进行加压，使紫外线固化树脂变薄，延伸成均匀的膜厚，之后从下方对该紫外线固化树脂照射紫外线，使紫外线固化树脂固化，因此，能够在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜。
附图说明
图1是应用本发明的一实施方式的半导体晶片的保护膜的形成装置的主要部分切开主视图；以及
图2是图1的A部的放大细节图。
符号说明
W半导体晶片；1开口；2定盘；3机台；4光反射体；5紫外线照射单元；6升降部件；7受压部件；8角度调整单元；9加压部件；10电动气缸；10a伺服电机；10b编码器；20负载传感器；21控制器
具体实施方式
以下，对于应用本发明的半导体晶片的保护膜的形成装置的一个实施方式，基于图1和图2进行详细说明。本保护膜的形成装置如图1所示，包括：机台3和定盘2，其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口1；光反射体4，其安装在上述定盘2的下表面并将紫外线向上方反射；紫外线照射单元5，其安装在该光反射体4的下部并将紫外线向上方照射；升降部件6，其在上述定盘2的上方配置为与定盘2相对且能够升降；紫外线透过性的受压部件7，其在上述定盘2的上表面以覆盖上述开口1的方式被安装，且具有能够载置半导体晶片W的平坦状的上表面；加压部件9，其位于上述升降部件6的下侧，经由角度调整单元8并且与上述受压部件7相对地安装于该升降部件6，且具有平坦状的下表面；以及电动气缸10，其使上述升降部件6升降。
作为上述加压部件9，优选由表面粗糙度良好且热变形小的材料制作，例如能够使用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷或碳化硅陶瓷等陶瓷。在本实施方式中，加压部件9为电绝缘性、耐磨损性和化学稳定性优异的高纯度的氧化铝陶瓷，由此，杨氏模量高至380GPa，难以挠曲，而且热变形小，即使承受紫外线变形也很小。
上述受压部件7能够为紫外线透过率高的玻璃制品。此外，优选设置冷却该受压部件7的冷却单元(未图示)。例如，作为冷却单元，设置朝向受压部件7的送风风扇，或者设置在水平方向贯通受压部件7的多个通路，在该通路中使致冷剂循环，通过采用该结构，能够抑制受压部件7的变形。
而且，上述受压部件7由安装在上述定盘2的上表面的框状的引导部件11固定。而且，如图2所示，该受压部件7的周缘部呈高度比该受压部件7的上表面低的台阶状，利用螺纹接合于上述引导部件11的固定螺钉12，以插入有扁钢13和树脂制平板14的方式按压、固定该较低的台阶状部分。通过插入有这些扁钢13和树脂制平板14，能够分散由固定螺钉12引起的对上述受压部件7的按压力，能够防止受压部件7的损伤。另外，符号12a是固定引导部件11的螺栓。
此外，如图1所示，上述角度调整单元8包括：两个上下调整机构15，其贯通安装于上述升降部件6的左右两侧部，并且构成为螺钉能够进行出入调节；倾动板16，其枢轴支承并架设在该两个上下调整机构15的下端之间，能够倾动，并且在下表面安装有上述加压部件9；以及位移计17，其贯通安装于上述升降部件6的左右两侧部，检测上述倾动板16的左右两侧部的位移。
此外，如图1所示，上述升降部件6以能够上下自由滑动的方式架设安装于在上述定盘2的四角立式安装的四根支柱18，在四根支柱18的上端之间架设有顶部架19，而且，在顶部架19的中央部上，上述电动气缸10贯通顶部架19而安装，通过上述电动气缸10的活塞杆的伸缩运动，上述升降部件6升降。此外，在上述电动气缸10的活塞杆的下端，安装有测定上述加压部件9对半导体晶片W施加的加压力的作为加压力测定单元的负载传感器20。
此外，在上述电动气缸10的伺服电机10a、上述负载传感器20、上述紫外线照射单元5上，电连接有控制器21。在该伺服电机10a上附加有作为位置检测器的编码器10b。
上述控制器21，基于测定加压部件9对半导体晶片W施加的加压力的负载传感器20的测定值，使上述伺服电机10a动作，控制电动气缸的活塞杆的伸长动作。由此，在利用加压部件9对半导体晶片W进行加压、使紫外线固化树脂延伸时，能够控制加压部件9的加压位置或下降速度以及加压力，能够将紫外线固化树脂的膜厚设定为目标值(例如50μm)。
通过采用这样的结构，利用角度调整单元8的两个位移计17预先检测高度，同时利用上下调整机构15调整倾动板16的左右两侧部的高度，通过倾动板16调节加压部件9的倾动，使得加压部件9与受压部件7的平行度的精度较高。接着，在受压部件7的上表面中央部插入作为紫外线透过性的剥离片的聚酯膜S，例如利用分配器在中央部涂敷规定量的紫外线固化树脂(未图示)，接着，在该紫外线固化树脂上载置半导体晶片W。而且，该半导体晶片W上也能够载置作为剥离片的聚酯膜S。
接着，在控制器21的控制下，使电动气缸10的活塞杆最初以较高的速度进行伸长运动，使加压部件9接近半导体晶片W。
接着，检测电动气缸10的活塞杆的位置，使该活塞杆以低速进行伸长运动，此外，在检测负载传感器20的载重的同时利用加压部件9对半导体晶片W进行加压。由此，使紫外线固化树脂较薄地展开，延伸至均匀的厚度(目标值的膜厚)。之后，若从紫外线照射单元5照射紫外线，则照射的紫外线通过光反射体4向半导体晶片W收敛并且到达紫外线固化树脂，使紫外线固化树脂固化。
接着，剥离聚酯膜S取出形成有由紫外线固化树脂形成的保护膜的半导体晶片W。
本申请基于在日本2008年6月10日提出的专利申请2008-151153号和2008年11月12日提出的专利申请2008-289363号，将它们的内容作为本申请的内容，形成本申请的内容的一部分。
此外，本发明通过本说明书的详细说明能够进一步被完全理解。但是，详细说明和特定的实施例是本发明的优选实施方式，仅是为了进行说明而记载的。本领域的技术人员能够明确从该详细说明能够进行各种变更、改变。
申请人并不意图向公众贡献所记载的实施方式的任一个，公开的改变、代替方案，即使是在语言上不包含于权利要求的范围内的内容，基于均等论也属于本发明的一部分。
在本说明书或权利要求范围的记载中，名词和同样的指示语的使用，只要没有特别指示，或者能够由文章脉络明确地否定，就应该解释为包含单数和复数这两者的含义。本说明书中提供的任一举例表示或举例表示的用语(例如“等”)的使用，也仅是为了容易说明本发明而使用的，只要没有记载在权利要求中，就不对本发明的范围施加限制。

Claims (4)

1.一种半导体晶片的保护膜的形成装置，其在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜，该半导体晶片的保护膜的形成装置的特征在于，包括：
机台和定盘，该机台和定盘具有上下贯通且能够通过紫外线的开口；
光反射体，其安装在所述定盘的下部并将紫外线向上方反射；
紫外线照射单元，其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射；
升降部件，其能够升降地配置在所述定盘的上方位置；
紫外线透过性的受压部件，其在所述定盘的上表面以覆盖所述开口的方式被安装，且具有能够载置所述半导体晶片的平坦状的上表面；
加压部件，其位于所述升降部件的下侧，经由角度调整单元并且与所述受压部件相对地安装于该升降部件，且具有平坦状的下表面；以及
电动气缸，其使所述升降部件升降。
2.如权利要求1所述的半导体晶片的保护膜的形成装置，其特征在于：
所述加压部件是陶瓷。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片的保护膜的形成装置，其特征在于，设置有：
加压力测定单元，其测定所述加压部件对所述半导体晶片施加的加压力；以及
控制器，其基于该加压力测定单元的测定值控制所述电动气缸的活塞杆的伸长速度。
4.如权利要求1或2所述的半导体晶片的保护膜的形成装置，其特征在于：
设置有冷却所述受压部件的冷却单元。
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