CN101908534A - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101908534A
CN101908534A CN201010202435.6A CN201010202435A CN101908534A CN 101908534 A CN101908534 A CN 101908534A CN 201010202435 A CN201010202435 A CN 201010202435A CN 101908534 A CN101908534 A CN 101908534A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting device
substrate
led
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010202435.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101908534B (zh
Inventor
叶文勇
颜玺轩
陈泽澎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI, Epistar Corp filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN101908534A publication Critical patent/CN101908534A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101908534B publication Critical patent/CN101908534B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

一种发光装置，包含多个微型二极管，其互相电连接以构成桥式整流器电路。桥式整流器电路的每个分支包含单一微型二极管或多个微型二极管。发光装置电连接至AC电源，其在两个电流回路中交替驱动发光装置。因此，在桥式整流器电路的两个电流回路中的微型二极管轮流发光。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，且特别是涉及一种具有桥式整流器电路的发光装置。
背景技术
由于制造技术的进步，发光二极管(Light emitting diode，LED)已被广泛使用在固态照明产品中。依据LED的物理特征，大部分建议提供低电压及直流电给LED。因此，每当只能取得高电压交流电时，LED就得提供有降压变压器与AC至DC转换器(AC-to-DC converter)。然而，变压器与转换器通常占据大容积，且对使用者而言显得太重以至于使用者无法携带其在身边。此外，当交流电被转换成直流电时，其总是伴随着能量浪费的问题。因此，对于制造商而言，提供具有较高效率的LED相关的产品是相当重要的。
发明内容
本发明涉及一种具有桥式整流器电路的发光装置。
根据本发明的实施例，提出一种发光装置，此发光装置包含：基板；多个粘着层，配置于基板上；以及多个微型二极管，配置于基板上，微型二极管互相电连接以构成桥式整流器电路并经由粘着层接合至基板，其中微型二极管包含：至少一微型发光二极管，其配置于桥式整流器电路的中间分支上，以及多个肖特基(Schottky Barrier)二极管，其配置于桥式整流器电路的其他分支上，并埋入基板中。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1A为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图1B为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图2为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图3为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图4A与图4B为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图5至图9为依据本发明的其他实施例的具有更复杂的桥式整流器电路的AC/DC发光装置的等效电路图。
图10A为依据本发明的实施例的AC/DC发光装置的俯视结构图。
图10B为依据本发明的实施例的AC/DC发光装置的剖面图。
图11为依据本发明的实施例的移除第10b图的原始基板的AC/DC发光装置的剖面图。
图12-22为依据本发明的其他实施例的AC/DC发光装置的剖面图。
附图标记说明
D、D1、D2、D3、D4、D5：微型发光二极管
L1、L2：电流回路
S1-S4：肖特基二极管(SBD)
21、22：桥式整流器电路
31、32：桥式整流器电路
41：侧分支
42：中间分支
101：焊垫
103：导电连接层
105、105′：接触金属
200：基板
201、203：半导体层
205：有源层
207、209：电极
207a、209a：电极
211、211a、211b：导电连接层
213、213a：绝缘层
220：基板
230、230a：电子元件
301、303：半导体层
305：有源层
307、309：电极
307a、309a：电极
311：导电连接层
311a：粘着层
320：置换基板
322：绝缘接合层
330、330a：电子元件
420：基板
具体实施方式
在本申请的说明书中，AC/DC发光装置使用桥式整流器电路作为其基本电路构造，也结合了倒装技术或薄膜LED的概念。微型发光二极管或肖特基二极管互相电连接以构成桥式整流器电路。在AC/DC发光装置的制造过程中，发光装置的微型发光二极管可通过粘着层而接合至散热基板，而非设置在原始基板，用以改善散热能力与发光效率。散热基板可以是一种置换基板或一种次载具(sub-mount)。导电配线可形成于微型发光二极管、置换基板或次载具(sub-mount)的表面上。此外，在桥式整流电路的每个电路分支中的微型发光二极管或肖特基二极管可串联、并联或串并联混合电连接。此外，其他电子元件可形成于置换基板上，并电连接至AC/DC发光装置的微型发光二极管，能增加AC/DC发光装置的效率、可靠度及使用寿命。以下将参考相关附图的说明来介绍AC/DC发光装置的电路构造的数个实施例。
图1A为依据一个实施例的AC/DC发光装置的等效电路图。AC/DC发光装置为惠斯通(Wheatstone)电桥式交流电发光二极管(AC-LED)。如图1A所示，AC/DC发光装置包含多个微型发光二极管，其互相电连接并构成桥式整流器电路。桥式整流器电路的每个分支包含单一微型发光二极管或多个微型发光二极管。举例而言，在图1A中的每个分支具有一个微型发光二极管，例如D1至D5。可注意到，桥式整流器电路的微型发光二极管形成于单一基板(例如芯片)上。AC/DC发光装置电连接至AC电源，其在两个电流回路L1与L2中交替驱动AC/DC发光装置。因此，在电流回路L1上的微型发光二极管D1、D2、D3以及在电流回路L2上的微型发光二极管D4、D2、D5轮流发光。依据AC/DC发光装置的桥式整流器电路构造，在中间分支上的微型发光二极管D2被双向驱动。在每个分支上的微型发光二极管的数量可被改变以增加AC/DC发光装置的发光效率与芯片面积利用率。因此，在中间分支上的微型发光二极管的数量对在其他分支上的微型发光二极管的数量的比率，可被计算并设计成可达成较高发光效率与芯片面积利用率。
图1B为依据一个实施例的AC/DC发光装置的等效电路图。如图1B所示，AC/DC发光装置包含至少一微型发光二极管D与多个肖特基二极管(SBD)S1至S4，用以构成桥式整流器电路。微型发光二极管D配置于中间分支上，而肖特基二极管S1至S4配置于其他分支上以对交流电整流。于某些实施例中，中间分支上可具有一个以上的微型发光二极管，以增加AC/DC发光装置的照明效率。举例而言，当供应电源为110V时，微型发光二极管的数量大约是22至32或更多。当供应电源为220V时，微型发光二极管的数量大约是50至60或更多。因为肖特基二极管可抵抗高反向电压，故不需要使用太多肖特基二极管于桥式整流器电路的四个整流分支上。举例而言，每个分支可仅具有一个肖特基二极管，而在中间分支上的微型发光二极管的数量可依据需求与限制而被预先决定。于某些实施例中，AC/DC发光装置的每个分支可具有一个以上的肖特基二极管，且并未受限于如图1B所示的一个肖特基二极管。因为在中间分支上的微型发光二极管一直接收来自AC电源的电流，所以它们维持发光并提供高发光效率。在中间分支上的微型发光二极管的剖面图说明于图16-22中，且在以下将作更详细的说明。
图2为依据一个实施例的AC/DC发光装置的等效电路图。AC/DC发光装置的电路构造是由串联连接的至少两个桥式整流器电路21与22所组成。
图3为依据一个实施例的AC/DC发光装置的等效电路图。AC/DC发光装置的电路构造是由并联连接的至少两个桥式整流器电路31与32所组成。
图4A与图4B为依据其他实施例的AC/DC发光装置的等效电路图。桥式整流器电路的至少一分支，例如图4A的侧分支41与图4B的中间分支42，具有并联、串联(未显示)或串并联混合(未显示)电连接的数个微型发光二极管。
图5至图9为依据本发明的其他实施例的具有更复杂的桥式整流器电路的AC/DC发光装置的等效电路图。如每个图所示，AC/DC发光装置的桥式整流器电路更进一步合并有一个或多个整流器分支(以虚线圆C1至C5标记)。
图10A为依据一个实施例的AC/DC发光装置的俯视结构图。AC/DC发光装置为惠斯通(Wheatstone)电桥式交流电发光二极管(AC-LED)，其譬如包含焊垫101、导电连接层103、接触金属105与105′等。具有倒装封装的AC/DC发光装置的剖面图显示于图10B中。
为了增加AC/DC发光装置的散热能力与照明效率，AC/DC发光装置可采用一种倒装LED构造，如图10B所示。图10B为AC/DC发光装置的剖面图。于图10B中，AC/DC发光装置的微型发光二极管成长于原始的单一基板200上。每一个微型发光二极管具有两个半导体层201、203，有源层205及两个对向电极207、209。有源层205配置于半导体层201、203之间，而电极207、209分别与半导体层201、203接触。其中一个半导体层为P型半导体，而另一个半导体层为N型半导体。半导体层201、203的材料选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGAInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN、ZnSe或其他材料。有源层205的厚度譬如小于300mn。当半导体层201、203的材料为GaN时，薄膜LED的厚度大约是1-4um，优选是2-3um。利用导电连接材料(例如金属)形成的多个导电连接层211电连接微型发光二极管的电极207、209。而且，利用介电材料(例如氧化硅)形成的多个绝缘层213覆盖微型发光二极管的外表面，以避免短路发生在半导体层201、203，有源层205与导电连接层211之间。于某些实施例中，原始基板200的材料为蓝宝石。因为蓝宝石基板200的散热能力并非十分良好，所以具有原始基板200的微型发光二极管被倒置，以接合至具有较高散热能力的置换基板220。用以将微型发光二极管接合至置换基板220的粘着层或接合构造可以是发光二极管的电极209。
当制造AC/DC发光装置时，导电连接层211与绝缘层213预先形成于原始基板200(例如蓝宝石基板)上的微型发光二极管上。然后，装载有微型发光二极管的原始基板200被倒置，能通过焊接而装设至置换基板220。后来，原始基板200可被移开，而使位于置换基板220的反侧的微型发光二极管的表面未被覆盖，如图11所示。未被覆盖的表面可被粗糙化，用以增加发光效率。
平整化步骤可被整合于制造AC/DC发光装置的制造过程中。如图12所示，微型发光二极管成长于原始基板220上，而在微型发光二极管之间的间隙是以例如氧化硅的绝缘材料填满，以形成绝缘层213a。电极207a、209a与绝缘层213a通过平整化步骤而对准于几乎相同水平的平面。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，CMP)法可被使用于平整化步骤中。在平整化步骤以后，导电连接层211a形成于绝缘层213a上，用以电连接电极207a、209a。然后，具有微型发光二极管的原始基板220被倒置，以使微型发光二极管的电极207a、209a与导电连接层211a接合至置换基板220。用以将微型发光二极管接合至置换基板220的粘着层或接合构造，为电极207a、209a与导电连接层211a。可注意到，电极207a、209a与导电连接层211a包含粘性材料，能使微型发光二极管可通过电极207a、209a与导电连接层211a而被直接地装设至置换基板220。于某些实施例中，原始基板220可被移开。
上述的导电连接层是在将微型发光二极管附着至置换基板之前，形成于微型发光二极管上。然而，如图13所示，导电连接层211b可譬如通过金属蒸镀、扩散或离子注入法而预先形成于置换基板220上，能提供低电阻电流路径于微型发光二极管之间。然后，具有微型发光二极管的原始基板200被倒置，以使电极207a、209a接合至置换基板220上的导电连接层211b。
AC/DC发光装置可合并有其他电子元件。以下以图13的AC/DC发光装置作为一例来说明，如图14所示，电子元件230配置于置换基板220上，并电连接至AC/DC发光装置，用以提供额外功能。电子元件230可串联或并联地电连接至AC/DC发光装置。或者，电子元件230譬如是电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管(High electron mobilitytransistor，HEMT)或静电放电(Electrostatic discharge，ESD)保护电路等，且亦适合于前述附图的AC/DC发光装置。于某些实施例中，电子元件230可被整合于AC/DC发光装置中。电子元件230可以是图1B所提到的肖特基二极管S1至S4。
如图15所示，在置换基板220的材料特性容许的条件下，提供额外功能的电子元件230a可被埋入于置换基板220中，或形成为置换基板220的一部分。举例而言，当置换基板220为例如硅基板或碳化硅(SiC)的半导体基板时，电子元件230a(例如图1B的肖特基二极管S1至S4)可通过施加至半导体基板的离子注入法而形成。用来注入的离子可以是氢离子(H+)。此外，电子元件230a譬如是电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电放电(ESD)保护电路，而形成于置换基板220上的金属材料选自于Al、Ti、Ni、Au、Cu、Pt或其他金属。
图16显示一种AC/DC发光装置，其通过薄膜式微型发光二极管而形成。每个微型发光二极管D都包含两个半导体层301、303及有源层305，且属于垂直式发光二极管，其中上电极307位于顶端，而下电极309位于底部。半导体层301、303的其中一个为P型半导体，而其中另一个为N型半导体。半导体层301、303的材料选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGAInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN、ZnSe或其他材料。有源层305的厚度譬如小于300mn。当半导体层301、303的材料为GaN时，薄膜LED的厚度大约是1-4um，优选是2-3um。微型发光二极管通过粘着层而接合于置换基板320。于某些实施例中，粘着层或接合构造可以是下电极309。因为置换基板320为绝缘基板，所以粘着层可导电并可被使用作为电极309的材料。利用导电连接材料(例如金属)形成的多个导电连接层311，电连接微型发光二极管D的电极307、309。
不像位于图16的反侧的微型发光二极管的电极307、309的是，微型发光二极管的电极307a、309a形成于相同侧，如图17所示，微型发光二极管属于水平式发光二极管，其中电极307a、309a位于相同侧。因此，不像图16的实施例的是，微型发光二极管通过额外粘着层311a(而非下电极)而接合于置换基板320上。粘着层311a的材料可以是聚酰亚胺、环苯丁烷(benzoyclobutene，BCB)或过氯环丁烷(perfluorocyclobutane，PFCB)的有机粘着剂。
如图18与图19所示，无论电极307a、309a位于相同侧或电极307、309位于微型发光二极管的反侧，只要置换基板320为导电基板，绝缘接合层322就会被配置于半导体层303与置换基板320之间或在下电极309与置换基板320之间，用以避免电力泄漏。绝缘接合层322的材料可以是聚酰亚胺、环苯丁烷(benzoyclobutene，BCB)或过氯环丁烷(perfluorocyclobutane，PFCB)的有机粘着剂。
如图20至图21所示，通过薄膜式微型发光二极管而形成的AC/DC发光装置亦可合并有其他电子元件330，例如是电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电放电(ESD)保护电路。而且，电子元件330a亦可直接埋入于置换基板320中，或形成为置换基板320的一部分。电子元件330或330a亦可是图1B所述的肖特基二极管。举例而言，当置换基板320为例如硅基板或碳化硅(SIC)的半导体基板时，电子元件330a(例如在图1B的肖特基二极管S1至S4)可通过施加至半导体基板的离子注入法而形成。用来注入的离子可以是氢离子(H+)。此外，电子元件330a譬如是电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电放电(ESD)保护电路，而形成于置换基板320上的金属材料选自于Al、Ti、Ni、Au、Cu、Pt或其他金属。
电子元件330或330a可串联、并联或串并联混合电连接至AC/DC发光装置。
在图22中，原始基板420的材料可以是碳化硅(SiC)或其他半导体材料。因为碳化硅具有良好散热能力，所以微型发光二极管可直接地成长于碳化硅基板420上，而不需导入倒装或薄膜工艺以接合于另一散热基板上。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。

Claims (20)

1.一种发光装置，包含：
基板；
多个粘着层，配置于该基板上；以及
多个微型二极管，配置于该基板上，该多个微型二极管互相电连接以构成桥式整流器电路，并经由该多个粘着层接合至该基板，其中该多个微型二极管包含：
多个微型发光二极管，配置于该桥式整流器电路的中间分支上；以及
多个肖特基二极管，配置于该桥式整流器电路的其他分支上并埋入于该基板中。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中位于该桥式整流器电路的该中间分支上的该多个微型发光二极管被双向驱动。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个微型二极管互相电连接以构成串联连接的两个以上的该桥式整流器电路。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个微型二极管互相电连接以构成并联连接的两个以上的该桥式整流器电路。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中该桥式整流器电路还合并有至少一整流器分支。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个粘着层被使用作为该多个微型二极管的多个下电极，并将该多个微型二极管接合至该基板。
7.如权利要求1所述的发光装置，还包含多个导电连接层，其形成于该多个微型发光二极管上，并电连接在该多个微型发光二极管的多个电极之间。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中该多个导电连接层通过金属蒸镀、扩散或离子注入法而形成于该多个微型发光二极管上。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个微型二极管为水平式二极管，其具有位于其相同侧的电极。
10.如权利要求1所述的发光装置，还包含电子元件，其配置于该基板上或埋入于该基板中，并电连接至该多个微型二极管。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中该电子元件包含电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管或静电放电保护电路。
12.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个微型二极管为垂直式二极管，其具有位于其相反侧的电极。
13.如权利要求1所述的发光装置，其中该基板为硅基板或碳化硅基板。
14.如权利要求1所述的发光装置，其中该基板为导电基板，且该多个粘着层包含多个绝缘接合层。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中该绝缘接合层的材料为选自于包含聚酰亚胺、环苯丁烷和过氯环丁烷的有机粘着剂。
16.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个粘着层的材料为选自于包含聚酰亚胺、环苯丁烷和过氯环丁烷的有机粘着剂。
17.如权利要求1所述的发光装置，其中每个微型发光二极管包含两个半导体层及在该两个半导体层之间的有源层，而该多个半导体层的材料选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGAInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN和ZnSe。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中该有源层的厚度小于300mn。
19.如权利要求17所述的发光装置，其中当该半导体层的该材料为GaN    时，该发光装置的厚度少于4um。
20.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光装置为惠斯通电桥式交流电发光二极管。
CN201010202435.6A 2009-06-08 2010-06-07 发光装置 Active CN101908534B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18486909P 2009-06-08 2009-06-08
US61/184,869 2009-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101908534A true CN101908534A (zh) 2010-12-08
CN101908534B CN101908534B (zh) 2012-06-13

Family

ID=43263942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010202435.6A Active CN101908534B (zh) 2009-06-08 2010-06-07 发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8338837B2 (zh)
CN (1) CN101908534B (zh)
TW (1) TWI506761B (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097562A (zh) * 2010-12-14 2011-06-15 金木子 交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管
CN102270632A (zh) * 2011-07-09 2011-12-07 内蒙古华延芯光科技有限公司 高压发光二极管及其制造方法
CN102454964A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 宏亚光电股份有限公司 多功能led基板
CN102610626A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 映瑞光电科技(上海)有限公司 惠斯登电桥交流led器件及其制造方法
CN103032846A (zh) * 2011-10-04 2013-04-10 奇力光电科技股份有限公司 交流发光装置
CN107039482A (zh) * 2012-02-21 2017-08-11 晶元光电股份有限公司 一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置
CN108265266A (zh) * 2018-03-07 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法及蒸镀系统
CN108447855A (zh) * 2012-11-12 2018-08-24 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
CN109378365A (zh) * 2017-08-08 2019-02-22 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
CN109390437A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
CN110379818A (zh) * 2018-04-11 2019-10-25 台湾爱司帝科技股份有限公司 微型发光二极管显示器及其制作方法
CN110646018A (zh) * 2019-09-12 2020-01-03 东南大学 一种低速运放实现的高频电流源惠斯通电桥检测电路
WO2020233542A1 (zh) * 2019-05-20 2020-11-26 视觉技术创投私人有限公司 Led显示器件及其制备方法、裸眼立体显示系统
CN112701116A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 厦门市三安集成电路有限公司 密封环结构及其制备方法
CN112864290A (zh) * 2020-04-09 2021-05-28 镭昱光电科技(苏州)有限公司 发光二极管结构及其制造方法
WO2021203986A1 (en) * 2020-04-09 2021-10-14 Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Co. Ltd. Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
US11302842B2 (en) 2017-08-08 2022-04-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200723559A (en) * 2005-12-13 2007-06-16 Ind Tech Res Inst Alternating current (AC) light emitting assembly and AC light emitting device
TWI527261B (zh) * 2009-09-11 2016-03-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
WO2011049613A1 (en) * 2009-10-19 2011-04-28 Lynk Labs, Inc. Led circuits and assemblies
CN101886759B (zh) * 2010-05-24 2012-07-25 晶科电子（广州）有限公司 一种使用交流电的发光器件及其制造方法
TWI451555B (zh) * 2010-10-25 2014-09-01 Epistar Corp 整流單元、發光二極體元件及其組合
KR101366013B1 (ko) * 2010-12-20 2014-02-24 삼성전자주식회사 고효율 정류기, 상기 정류기를 포함하는 무선전력 수신 장치
TW201314977A (zh) * 2011-09-21 2013-04-01 Xiu-Ru Lin Ｌｅｄ散熱基板之成型方法
CN102509731B (zh) * 2011-12-28 2013-09-11 厦门市三安光电科技有限公司 交流式垂直发光元件及其制作方法
TWI484626B (zh) 2012-02-21 2015-05-11 Formosa Epitaxy Inc 半導體發光元件及具有此半導體發光元件的發光裝置
RU2615215C2 (ru) 2012-02-28 2017-04-04 Конинклейке Филипс Н.В. Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока
JP5543514B2 (ja) * 2012-03-23 2014-07-09 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
KR101929891B1 (ko) * 2012-06-08 2018-12-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
US20140209961A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Alternating current light emitting diode flip-chip
TWI661578B (zh) * 2013-06-20 2019-06-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置及發光陣列
US9761774B2 (en) * 2014-12-16 2017-09-12 Epistar Corporation Light-emitting element with protective cushioning
WO2015052616A1 (en) * 2013-10-09 2015-04-16 Koninklijke Philips N.V. Monolithic led arrays for uniform and high-brightness light sources
TWI552385B (zh) * 2015-09-04 2016-10-01 錼創科技股份有限公司 發光元件
US10170455B2 (en) 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
US10510800B2 (en) * 2016-02-09 2019-12-17 The Penn State Research Foundation Device comprising a light-emitting diode and a Schottky barrier diode rectifier, and method of fabrication
TWI785106B (zh) * 2018-08-28 2022-12-01 晶元光電股份有限公司 半導體裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050205887A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Shih-Chang Shei [flip chip light-emitting diode package]
JP2007012808A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Univ Of Tokushima 交流電源用発光装置
US20080247205A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Chin-Weih Wu Controlling apparatus of an AC LED string

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
TWI229463B (en) * 2004-02-02 2005-03-11 South Epitaxy Corp Light-emitting diode structure with electro-static discharge protection
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
DE102006033713A1 (de) * 2006-05-30 2007-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement, Vorrichtung mit einem organischen lichtemittierenden Bauelement und Beleuchtungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
TWI371870B (en) * 2006-11-08 2012-09-01 Epistar Corp Alternate current light-emitting device and fabrication method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050205887A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Shih-Chang Shei [flip chip light-emitting diode package]
JP2007012808A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Univ Of Tokushima 交流電源用発光装置
US20080247205A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Chin-Weih Wu Controlling apparatus of an AC LED string

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102454964A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 宏亚光电股份有限公司 多功能led基板
CN102097562A (zh) * 2010-12-14 2011-06-15 金木子 交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管
CN102270632A (zh) * 2011-07-09 2011-12-07 内蒙古华延芯光科技有限公司 高压发光二极管及其制造方法
CN103032846A (zh) * 2011-10-04 2013-04-10 奇力光电科技股份有限公司 交流发光装置
CN107039482B (zh) * 2012-02-21 2020-03-31 晶元光电股份有限公司 一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置
CN107039482A (zh) * 2012-02-21 2017-08-11 晶元光电股份有限公司 一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置
CN102610626A (zh) * 2012-03-09 2012-07-25 映瑞光电科技(上海)有限公司 惠斯登电桥交流led器件及其制造方法
CN108447855A (zh) * 2012-11-12 2018-08-24 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
CN108447855B (zh) * 2012-11-12 2020-11-24 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
CN109378365A (zh) * 2017-08-08 2019-02-22 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
CN109390437A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
US11302842B2 (en) 2017-08-08 2022-04-12 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof
CN109378365B (zh) * 2017-08-08 2021-09-14 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
US11094675B2 (en) 2017-08-08 2021-08-17 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode device including different-type epitaxial structures having respective connection portions of different thicknesses
CN109390437B (zh) * 2017-08-08 2021-06-15 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光二极管装置及其制作方法
CN108265266A (zh) * 2018-03-07 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法及蒸镀系统
CN108265266B (zh) * 2018-03-07 2019-09-13 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法及蒸镀系统
CN110379818A (zh) * 2018-04-11 2019-10-25 台湾爱司帝科技股份有限公司 微型发光二极管显示器及其制作方法
CN110379818B (zh) * 2018-04-11 2021-10-08 台湾爱司帝科技股份有限公司 微型发光二极管显示器及其制作方法
WO2020233542A1 (zh) * 2019-05-20 2020-11-26 视觉技术创投私人有限公司 Led显示器件及其制备方法、裸眼立体显示系统
CN110646018A (zh) * 2019-09-12 2020-01-03 东南大学 一种低速运放实现的高频电流源惠斯通电桥检测电路
CN110646018B (zh) * 2019-09-12 2021-10-19 东南大学 一种低速运放实现的高频电流源惠斯通电桥检测电路
CN112864290A (zh) * 2020-04-09 2021-05-28 镭昱光电科技(苏州)有限公司 发光二极管结构及其制造方法
WO2021203986A1 (en) * 2020-04-09 2021-10-14 Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Co. Ltd. Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
CN112701116A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 厦门市三安集成电路有限公司 密封环结构及其制备方法
CN112701116B (zh) * 2020-12-28 2022-05-10 厦门市三安集成电路有限公司 密封环结构及其制备方法
WO2022142357A1 (zh) * 2020-12-28 2022-07-07 厦门市三安集成电路有限公司 密封环结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201044557A (en) 2010-12-16
US20100308347A1 (en) 2010-12-09
CN101908534B (zh) 2012-06-13
TWI506761B (zh) 2015-11-01
US8338837B2 (en) 2012-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101908534B (zh) 发光装置
RU2615215C2 (ru) Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока
TWI527261B (zh) 發光元件
US8383499B2 (en) Method for forming gallium nitride semiconductor device with improved forward conduction
CN103140927B (zh) 发光二极管芯片
JP3117281U (ja) 効率の高いマトリックス発光ダイオード素子
TWI495084B (zh) 發光元件
US20050274956A1 (en) LED chip with integrated fast switching diode for ESD protection
WO2011010235A1 (en) Thin-film flip-chip series connected leds
CN104241483B (zh) 发光器件
JP2009260311A (ja) 発光装置
WO2010088823A1 (zh) 发光元件
KR20080082101A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101281081B1 (ko) 수직형 발광 다이오드 셀 어레이 및 그의 제조 방법
TWI445156B (zh) 發光元件
KR20130077208A (ko) 반도체 발광 소자 및 ｌｅｄ 모듈
JP6776347B2 (ja) 発光素子、発光素子の製造方法及び発光モジュール
TW200525771A (en) Light-emitting device to increase the area of active region
CN112993115A (zh) 一种发光二极管
TWI515924B (zh) 發光元件及其封裝結構
TWI589027B (zh) 發光元件
CN103137819A (zh) 具有类金刚石层的发光二极管以及其制造方法与应用
TW201440200A (zh) 發光元件
CN112992957A (zh) 一种发光二极管
TW201025470A (en) Method of protecting compound semiconductor from electrostatic discharge damages

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JINGYUAN OPTOELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FINANCIAL GROUP LEGAL PERSON INDUSTRIAL TECHNOLOGY INST.

Effective date: 20111104

Free format text: FORMER OWNER: JINGYUAN OPTOELECTRONICS CO., LTD.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20111104

Address after: Hsinchu County, Taiwan, China

Applicant after: Jingyuan Optoelectronics Co., Ltd.

Address before: Hsinchu County, Taiwan, China

Applicant before: Industrial Technology Research Institute

Co-applicant before: Jingyuan Optoelectronics Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant