CN101855713B - 半导体微粒的制造方法及其微粒 - Google Patents

Abstract

本发明的课题为提供，可根据目的制造单分散的化合物半导体微粒、并且通过自我排出性也没有产物的堵塞、不需要很大的压力、而且生产率高的制造方法；使半导体原料在流体中析出·沉淀来制造化合物半导体微粒时，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使半导体原料析出·沉淀。另外，使含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂发生反应来制造含有前述半导体元素的半导体微粒时，将上述流体在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使含有上述半导体元素的化合物和还原剂发生反应。

Description

半导体微粒的制造方法及其微粒

技术领域

本发明涉及半导体微粒的制造方法。 

背景技术

专利文献1：特开2001-302399号公报 

专利文献2：特开2005-272516号公报 

专利文献3：特开2007-12702号公报 

专利文献4：特开平11-12091号公报 

专利文献5：特开2007-197382号公报 

非专利文献1：国武丰喜监修，“纳米材料手册(ナノマテリアルハンドブツク)，株式会社NTS，2005年2月25日 

半导体粒子，一般具有通过吸收光、电子射线这样的能量而发出与2个能量基准的差成反比例的波长的光的性质。该性质已经作为阴极射线管(CRT)、等离子体显示器(PDP)等的显示器的荧光材料而利用。用于其中的半导体粒子被称为块状体(bulk body)，粒径为数μm水平(1～10μm)。该半导体粒子的粒径为1～数十nm那样，如果比该物质的玻尔半径(a0)的2倍还小，则在体半导体中所见到的能带的简并被解决、轨道离散化，呈现由于粒径所引起的禁带的能量的宽度进行变化这样的量子尺寸效果，显示出与块状体不同的性质。这样的半导体微粒，被称作为超微粒、胶体粒子、纳米粒子、纳米结晶，或量子点等，强烈要求作为新的光功能材料在产业上利用。 

另外，通过该量子尺寸效果的呈现，随着粒径增加或减少，半导体纳米粒子中的禁带的能量的宽度减少或增大。例如，该禁带的能量宽度的变化对粒子的荧光特性产生影响。粒径小、禁带的能量宽度大时，具有更短波长侧的荧光波长，粒径大、禁带的能量宽度小时，具有更长波长侧的荧光波长。即，半导体纳米粒子，也作为可通过控制 粒径而创造出任意的荧光颜色的材料得到关注。 

这样的半导体微粒，作为新的功能性物质群从基础及应用的两方面受到活跃的研究。其中，由于1990年的来自多孔硅的室温红色的发光的报告，很多的研究人员、技术人员对半导体纳米粒子也变得有兴趣，半导体纳米粒子的基础的理解的大部分为，获得以多孔硅为代表的硅纳米粒子、纳米结晶。硅、锗、碳、锡这样的第IV族半导体、其中特别是硅，特征为无毒性，资源丰富，可仅由单一的元素来形成半导体。另外，热稳定性也高，是具有能形成质量良好的表面氧化膜的魅力的特征的物质，为电子学的核心存在。但是，用于高灵敏度测定等离子体显示器面板、荧光灯、抗原、抗体、DNA等的生物体相关物质、二氧芑等的环境相关物质的标记物质等，以应用于广泛的用途的光信息通讯领域、光子学的应用为目标的荧光物质，即作为发光材料的纳米半导体的主体是第III-V族化合物，以硅为代表的硅系半导体材料(其他为锗、碳、锡)的研究，几乎没有进展。其大的理由为，硅本身不是发光材料(非专利文献1、专利文献3)。 

在光器件的领域中使用的第III-V族化合物半导体中，在直接迁移型半导体内被激发了的电子和空穴通过直接再结合而发光。另一方面，硅、锗、碳的单元素半导体为间接迁移型半导体，根据动量守恒定律，声子在发光再结合迁移中变得必要，其发光再结合概率小。因此，为了得到硅体晶中所没有的光功能性，以纳米粒子为代表的各种各样的硅物质群成为对象。到现在为止作为使硅发光的方法，纳米粒子、纳米结晶、多孔硅、添加有稀土类离子的体晶、混晶结晶(SiGe、SiGeC、SiC)等、超晶格结构(Si/Ge、Si/SiO₂)、非晶硅、热氧化硅、有机硅化合物、半导体硅化物等成为研究的对象，特别是纳米粒子在室温中呈现高发光效率，作为发光材料受到关注。 

结晶硅及锗的激子玻尔半径是约5nm和约18nm，为了通过量子限制效应得到与体晶不同的发光特性，需要制造激子玻尔半径程度大小的纳米粒子，显示可见发光的硅、或锗的纳米粒子的大小需要比20nm左右小。 

硅、硅碳化物、硅锗等，一直以来作为构成太阳能电池的半导体材料成为主流。另外，这些半导体的微粒在如膜晶体管的活性层、太阳能电池的硅层等那样作为涂膜使用的情况下，因粒径的大小其特性存在差异。并且，为了将前述的硅作为发光材料使用，一直在进行研究，在纳米粒子、纳米结晶、多孔硅中，在以液相合成它们的情况下，不均匀的还原反应成为原因，难以控制纳米粒子的结构和粒径。其次，在添加(掺杂)了Er离子的等稀土类离子的体晶·纳米结晶中，由于在硅结晶中发光性的Er这样的稀土类离子几乎不熔，结果难以得到发光。另外，气相合成簇(気相合成クラスタ一)法只能制造粒径大的粒子。除此以外，FeSi₂等硅化物半导体、无定形、热氧化，现状还没有达到使硅效率地发光。(专利文献3) 

为了利用上述的半导体微粒的特性，制造均匀大小的半导体微粒非常重要。 

另外，为了能赋予以硅为代表的硅系半导体微粒发光功能且高效率地发挥其特性，制造20nm以下的均匀大小的硅系半导体微粒非常重要。进而，将粒径及结晶型(无定形等)严密地分开制作的制造方法是必要的。 

作为半导体微粒的制造方法，有分子束外延法或CVD法等的高真空工艺，逆胶束法和热皂(hot soap)法，利用了酸碱反应的方法等的各种各样的方法，但是，即使在这些制造方法中也难以得到均匀大小的半导体微粒，因此，用如专利文献1所述在遮光条件下进行半导体微粒的结晶增长的方法、如专利文献2所述将析出有化合物半导体的溶液进一步在50℃～300℃进行加热处理等的方法而得到均匀大小的化合物半导体微粒。 

但是，在这些制造方法中，需要对反应后的半导体微粒实施特别的后处理、加工，工序变得复杂化，制造中需要长时间的反应、操作。另外，这些问题全部是由于得到半导体微粒时的、由于光反应所产生的副反应、温度不均匀性、由于反应容器的搅拌的不均匀性所引起的副反应所引起的。因此，通过抑制这样的副反应，可有效且高效率地 进行粒子大小的均匀化、反应产物的单一化。 

另外，在上述的制造方法中，难以得到20nm以下的均匀大小的硅系半导体微粒。另外，虽然也存在如专利文献4所示通过高频率热等离子法将制作的球状多晶硅的周围用热氧化膜被覆之后、加热溶融该热氧化膜被覆球状多晶硅的一部分，一边使该溶融部分移动一边进行再结晶化的方法等，但是，工序的复杂化、装置的大型化等问题不能避免，另外存在由于使用动力也变大而对环境的负荷也变大的等的问题。 

在用液相法制作均匀大小的半导体微粒的情况下，需要使其反应容器内的全部的条件均匀。并且在该微粒的大小为纳米数量级的情况下，需要特别严密的反应条件的管理。因此，已知有如专利文献5所述在称之为微化学过程的宽度1mm以下的流路内进行反应、由此得到半导体微粒的方法。具体而言已知使用有微反应器、微混合器的方法。认为，通过在微反应器中的微小流路内进行反应，提高混合速度、效率，改善流路内的反应条件中的浓度、温度的均匀性，抑制副反应等，由此可有效地且高效率地进行粒子大小的均匀化、反应产物的单一化。但是，由于因产物、反应而产生的泡、副产物堵塞流路，引起微流路的关闭的可能性高、由于基本上只通过分子的扩散反应来进行反应，不可能适用于所有的反应。另外，在微化学过程中，虽然使用并行排列小反应器的称为层叠(mumbering up)的放大法，但1个反应器的制造能力小，大的放大是不现实的，另外难以使各个反应器的性能一致，存在得不到均匀的产物等的问题。并且，在粘度高的反应液、伴有粘度上升这样的反应中，为了使其流过微小的流路，需要非常高的压力，也存在能使用的泵受限、不能解决由于暴露于高压所引起的由装置的泄漏这样的问题点。 

鉴于上述，本发明的课题是提供：在可接近·分离地互相对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中得到的半导体微粒的制造方法，由于在该薄膜流体中的温度的均匀性高、及反应容器的搅拌中的均匀性高、可根据目的制作单分散的半导体微粒，进而由于自我排出性而没有产物的堵塞，不需要大的压 力，另外生产率高的半导体微粒的制造方法。 

因此，本发明的课题为提供，解决以往的被称为“微化学加工技术”的技术的课题和问题点、基于全新概念的微化学加工技术，更详细而言，在可接近·分离的互相对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中得到的半导体微粒的制造方法，由于在该薄膜流体中的浓度、温度的均匀性高，反应容器及反应流路的搅拌中的均匀性高，因此可根据目的制作单分散的半导体微粒，进而由于自我排出性而没有产物的堵塞，不需要大的压力，另外生产率也高的半导体微粒的制造方法。 

发明内容

鉴于上述的课题，本申请的权利要求1涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，在被处理流动体中使半导体原料析出而制造半导体微粒时，将上述的被处理流动体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使半导体原料析出。 

另外，本申请的权利要求2涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使含有半导体元素的化合物在被处理流动体中与还原剂反应而制造含有上述半导体元素的半导体微粒时，将上述的被处理流动体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应。 

另外，本申请的权利要求3涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种被处理流动体，其中至少1种，含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各被处理流动体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到半导体微粒。 

另外，本申请的权利要求4涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种被处理流动体，上述的各被处 理流动体为含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子的逆胶束溶液，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各被处理流动体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到半导体微粒。 

另外，本申请的权利要求5涉及的发明，提供权利要求3或4所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，含有具有作为上述半导体原料的元素的离子的被处理流动体中，至少1种中含有分散剂。 

另外，本申请的权利要求6涉及的发明，提供权利要求5所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述分散剂为六磷酸、八磷酸、四磷酸、三磷酸等的多磷酸类，乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸等的高分子有机酸，聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或六偏磷酸钠这样的高分子有机物，2-巯基乙醇、巯基乙酸、2-巯基乙胺、β-硫二甘醇、2，2′-硫代二乙酸等的硫醇类，或聚苯乙烯、膦氧化物类这样的水溶性有机物，或丁二酸二异辛酯磺酸钠(AOT)中的至少1种。 

另外，本申请的权利要求7涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种被处理流动体，其中至少1种含有至少1种含半导体元素的化合物，在上述以外的被处理流动体中至少1种为含有还原剂的流体，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各被处理流动体合流，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。 

另外，本申请的权利要求8涉及的发明，提供一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2种被处理流动体，其中至少1种为含有至少1种含半导体元素的化合物的逆胶束溶液，在上述以外的被处理流动体中至少1种含有至少1种还原剂，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述各被处理流动体合流，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。 

另外，本申请的权利要求9涉及的发明，提供半导体微粒的制造方法，其特征在于，在上述被处理流动体中含有：含活化元素的化合物、或活化元素离子。 

另外，本申请的权利要求10涉及的发明，提供权利要求9所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述活化元素为选自Mn、Cu、Ag、Tb、Tm、Eu、Sm、F、Cl、Al、Pb、V、Zr、Hf、P、B中的至少1种。 

另外，本申请的权利要求11涉及的发明，提供半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述制造方法具有：对被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构，第1处理用部、及相对于该第1处理用部可相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，使上述第1处理用部和第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构；在上述的各处理用部中相互对向的位置上，设置有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用面，上述的各处理用面构成上述压力的被处理流动体流过的、被密封了的流路的一部分，在上述的两处理用面之间，均匀混合至少任一种中含有反应物的2种以上的被处理流动体，使其反应，上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具有受压面，并且，该受压面的至少一部分是由上述的第2处理用面构成，该受压面承受上述的流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力而产生在使第2处理用面从第1处理用面分离的方向上移动的力，通过将上述压力的被处理流动体通入可接近分离且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间，上述被处理流动体形成薄膜流体，还具有独立于上述压力的被处理流动体流过的各处理用面间的流路的另外的导入路，上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一个中具有至少一个与上述另外的导入路相通的开口部，通过将从上述另外的导入路输送的至少一种被处理流动体导入上述两处理用面间，至少上述的各被处理流动体的任一种中所含的上述的反应物和与上述的被处理流动体不同的被处理流动体，在上述薄膜流体内混合。 

另外，本申请的权利要求12涉及的发明，提供半导体微粒的制造 方法，其特征在于，冷却或加温上述处理用面间。 

另外，本申请的权利要求13涉及的发明，提供半导体微粒的制造方法，其特征在于，在能确保减压或真空状态的容器内进行上述的反应、至少处理后使被处理流动体被排出的2次侧为减压或真空状态，由此可进行上述反应中发生的气体以及上述被处理流动体中所含有的气体的脱气、或上述被处理流动体的脱溶剂。 

另外，本申请的权利要求14涉及的发明，提供权利要求13所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在可以温度调节的容器内进行上述的反应，将容器内加温，由此提高上述脱溶剂处理及脱气处理的效率。 

另外，本申请的权利要求15涉及的发明，提供权利要求13所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在可以温度调节的容器内进行上述的反应，冷却刚被排出后的处理后被处理流动体。 

另外，本申请的权利要求16涉及的发明，提供半导体微粒的制造方法，其特征在于，在惰性气体气氛下进行上述的反应。 

另外，本申请的权利要求17涉及的发明，提供半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述半导体微粒的平均一次粒径为1nm～30nm。 

另外，本申请的权利要求18涉及的发明，提供通过上述的制造方法制造的半导体微粒。 

本发明，为通过在可接近·分离的互相对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中生成半导体微粒子而得到的、半导体微粒的制造方法及利用该制造方法制造的半导体微粒；即使与到现在为止的半导体微粒的制造方法相比，容易控制平均一次粒径，可得到单分散的半导体微粒。另外，本发明能连续性地效率高地得到半导体微粒，制造效率也高，可应对大量生产。另外本发明，可根据必要的生产量采用一般的放大(scale up)概念来进行装置的大型化。 

附图说明

图1(A)是表示本申请发明的实施中使用的装置的概念的简略纵 剖面图，(B)是表示上述装置的其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)是表示上述装置的另外其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(D)是表示上述装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图2(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图3(A)是图2(C)所示装置的主要部分的简略仰视图，(B)是上述装置的其它实施方式的主要部分的简略仰视图，(C)是另外其它实施方式的主要部分的简略仰视图，(D)是表示上述装置的进一步其它实施方式的概念的简略仰视图，(E)是表示上述装置的另外进一步其它实施方式的概念的简略仰视图，(F)是表示上述装置的进一步另外其它实施方式的概念的简略仰视图。 

图4(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图5(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图6(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图7(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图8(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图9(A)～(C)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图10(A)～(D)分别是表示图1所示装置的进一步其它的实施方式的概念的简略纵剖面图。 

图11(A)及(B)分别表示上述图1所示装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(C)为图1(A)所示装置的主要部分的简略仰视图。 

图12(A)是关于图1(A)所示装置的受压面、表示其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图，(B)是该装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。

图13是关于图12(A)所示装置的连接触表面压力赋予机构4的、其它实施方式的主要部分的简略纵剖面。 

图14是关于图12(A)所示装置上的、设置了温度调节用封套的、其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。 

图15是关于图12(A)所示装置的接触表面压力赋予机构4的，进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。 

图16(A)是图12(A)所示装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略横剖面图，(B)(C)(E)～(G)是该装置的另外其它实施方式的主要部分的简略横剖面图，(D)是该装置的另外其它实施方式的局部的主要部分的简略纵剖面图。 

图17是图12(A)所示装置的进一步其它实施方式的主要部分的简略纵剖面图。 

图18(A)是表示在本申请发明的实施中使用的装置的进一步其它实施方式的概念的简略纵剖面图，(B)是该装置的局部的主要部分的说明图。 

图19(A)是图18所示装置的第1处理用部的俯视图，(B)是其主要部分的纵剖面图。 

图20(A)是图18所示装置的第1及第2处理用部的主要部分的纵剖面图，(B)是隔开微小间隔的上述第1及第2处理用部的主要部分的纵剖面图。 

图21(A)是上述第1处理用部的其它实施方式的俯视图，(B)是其主要部分的简略纵剖面图。 

图22(A)是上述第1处理用部的进一步其它实施方式的俯视图，(B)是其主要部分的简略纵剖面图。 

图23(A)是第1处理用部的另外其它实施方式的俯视图，(B)是第1处理用部的进一步另外其它实施方式的俯视图。 

图24(A)(B)(C)分别是关于处理后的被处理物的分离方法、 表示上述以外的实施方式的说明图。 

图25是用于说明本申请发明的装置的概要的纵剖面的概略图。 

图26(A)是图25所示装置的第1处理用面的简略俯视图，(B)是图25所示装置的第1处理用面的主要部分的扩大图。 

图27(A)是第2导入部的剖面图，(B)是用于说明第2导入部的处理用面的主要部分的扩大图。 

图28(A)及(B)分别是用于说明设置于处理用部的倾斜面的主要部分的扩大剖面图。 

图29是用于说明设置于处理用部的受压面的图，(A)是第2处理用部的仰视图，(B)是第1及第2处理用部的主要部分的扩大剖面图。 

具体实施方式

本发明，虽然与专利文献1及2所涉及的发明同样、使半导体原料在流体中析出·沉淀来制造半导体微粒，但是，其特征为，将上述的流体作为在可接近·分离的相互对向配设的、至少一方向对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使半导体原料析出·沉淀。 

另外，本发明中利用还原反应的发明，虽然与专利文献3及5所涉及的发明同样、将含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂反应来制造半导体微粒，但是，其特征为，将上述的流体作为在可接近·分离的相互对向配设的、至少一方向对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中将含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂反应。 

更具体而言，使用至少2种流体，对于其中至少1种流体为，含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子，在上述处理用面之间使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述半导体原料的元素反应来获得半导体微粒。 

 另外，本发明中利用还原反应的发明，使用至少2种流体，对于其中至少1种流体，含有至少1种含半导体元素的化合物，对于其它 流体为含有还原剂的流体，在上述处理用面之间使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使含有上述半导体原料的化合物在流体中与还原剂反应，获得半导体微粒子。另外，所谓的半导体元素，具体而言，为从由硅(Si)、锗(Ge)、碳(C)、锡(Sn)组成的群中所选取的元素。另外，在本发明中，“半导体微粒子”包括半导体性n型半导体微粒和半导体性p型半导体微粒。即，在硅微粒的情况下，包括半导体性n型硅微粒和半导体性p型硅微粒。另外，硅微粒也可为多孔硅微粒。 

作为本发明所使用的、在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方可相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中均匀搅拌·混合的方法，可以使用例如与本发明申请人的、特开2004-49957号公报中所记载的装置同原理的装置。 

以下，对适于该方法的实施的流体处理装置进行说明。 

如图1(A)所示，该装置具有对向的第1及第2的2个处理用部10、20，至少一方的处理用部进行旋转。两处理用部10、20的对向面分别作为处理用面1、2，在两处理用面间进行被处理流动体的处理。第1处理用部10具有第1处理用面1，第2处理用部20具有第2处理用面2。 

两处理用面1、2与被处理流动体的流路连接，构成被处理流动体的流路的一部分。 

更详细而言，该装置构成至少2个被处理流动体的流路，同时使各流路合流。 

即，该装置与第1被处理流动体的流路接接，形成该第1被处理流动体的流路的一部分，同时形成除了第1被处理流动体外的第2被处理流动体的流路的一部分。并且，该装置使两流路合流，在处理用面1、2间，混合两流动体，在伴有反应的情况下使其反应。在图1(A)所示的实施方式中，上述的各流路是被密闭的，形成液密(被处理流动体为液体的情况)·气密(被处理流动体为气体的情况)。 

如果具体地说明，如图1(A)所示，该装置具有：上述的第1处 理用部10、上述的第2处理用部20、保持第1处理用部10的第1托架11，保持第2处理用部20的第2托架21、接触表面压力赋予机构4、旋转驱动部、第1导入部d1、第2导入部d2、流体压力赋予机构p1、第2流体供给部p2及壳体3。 

予以说明的是，旋转驱动部省略图示。 

第1处理用部10和第2处理用部20的至少任一方可相对于至少任意另一方接近·分离，两处理用面1、2可接近·分离。 

在本实施方式中，第2处理用部20相对于第1处理用部10接近分离。但是，也可与之相反，第1处理用部10相对于第2处理用部20接近·分离，也可以两处理用部10、20相互接近·分离。 

第2处理用部20配置在第1处理用部10的上方，第2处理用部20的朝向下方的面、即下表面，为上述的第2处理用面2，第1处理用部10的朝向上方的面、即上面，为上述的第1处理用面1。 

如图1(A)所示，在本实施方式中，第1处理用部10及第2处理用部20分别为环状体，即圆环。以下，根据需要，称第1处理用部10为第1圆环10，称第2处理用部20为第2圆环20。 

在本实施方式中，两圆环10、20是金属制的一端被镜面研磨了的构件，以该镜面作为第1处理用面1及第2处理用面2。即，第1圆环10的上端面作为第1处理用面1，被镜面研磨，第2圆环20的下端面作为第2处理用面2，被镜面研磨。 

至少一方的托架可通过旋转驱动部相对于另一方的托架相对地进行旋转。图1(A)的50表示旋转驱动部的旋转轴。在旋转驱动部中可采用电动机。通过旋转驱动部，可使一方的圆环的处理用面相对于另一方的圆环的处理用面相对地进行旋转。 

在本实施方式中，第1托架11通过旋转轴50受到来自旋转驱动部的驱动力，相对于第2托架21进行旋转，这样，和第1托架11形成一体的第1圆环10相对于第2圆环20旋转。在第1圆环10的内侧，旋转轴50以如下方式设置在第1托架11上，即，俯视时，与圆形的第1圆环10的中心同心。 

第1圆环10的旋转以第1圆环10的轴心为中心。虽未图示，但是，轴心指第1圆环10的中心线，是假想线。 

如上所述，在本实施方式中，第1托架11使第1圆环10的第1处理用面1朝向上方，保持第1圆环10，第2托架21使第2圆环20的第2处理用面2朝向下方，保持第2圆环20。 

具体而言，第1及第2托架11、21分别具有凹状的圆环收容部。在本实施方式中，第1圆环10嵌合于第1托架11的圆环收容部，第1圆环10固定于圆环收容部，以使得不能从第1托架11的圆环收容部出没。 

即，上述第1处理用面1从第1托架11露出，面向第2托架21侧。 

第1圆环10的材质除了金属以外，还可采用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质。特别是，因为旋转，优选用轻质的原料形成第1处理部10。关于第2圆环20的材质，也可以采用与第1圆环10相同的材质。 

另一方面，第2托架21所具有的圆环收容部41可出没地收容第2圆环20的处理用面2。 

该第2托架21所具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是与处理用面2侧相反侧部位的凹部，在俯视时呈圆形，即形成环状的沟槽。 

圆环收容部41的尺寸比第2圆环20大，与第2圆环20之间有足够的间隔，收容第2圆环20。 

通过该间隔，在该圆环收容部41内，该第2圆环20可在环状的圆环收容部41的轴方向以及在与该轴方向交叉的方向位移。换言之，通过该间隔，该第2圆环20能够以改变与上述圆环收容部41的轴方向的平行关系的方式使第2圆环20的中心线相对于圆环收容部41位移。 

以下，将第2托架21的被第2圆环20围绕的部位称为中央部分 22。 

对于上述说明，换言之，该第2圆环20以如下方式收容在圆环收容部41内，即，能够在圆环收容部41的推力方向即上述出没方向位移，另外，能够在相对于圆环收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第2圆环20以如下方式被收容，即，相对于圆环收容部41，在第2圆环20的周方向的各位置，能够以从圆环收容部41出没的幅度分别不同的方式位移，即，能够中心振摆。 

虽然第2圆环20具有上述3个位移的自由度，即，与圆环收容部41相对的第2圆环20的轴方向、偏心方向、中心振摆方向的自由度，但第2圆环20以不随第1圆环10旋转的方式保持在第2托架21上。虽未图示，但有关这一点，只要在圆环收容部41和第2圆环20上分别相对于圆环收容部41设置限制在其周方向的旋转的适当的突出部即可。但是，该突出部不得破坏上述3个位移的自由度。 

上述接触表面压力赋予机构4沿使第1处理用面1和第2处理用面2接近的方向对处理用部赋予力。在本实施方式中，接触表面压力赋予机构4设置在第2托架21上，将第2圆环20向第1圆环10弹压。 

接触表面压力赋予机构4将第2圆环20的周方向的各位置、即第2处理用面2的各位置均等地向第1圆环10弹压。接触表面压力赋予机构4的具体结构在后面进行详细叙述。 

如图1(A)所示，上述壳体3配置在两圆环10、20外周面的外侧，收容产物，该产物在处理用面1、2之间生成并排出到两圆环10、20的外侧。如图1(A)所示，壳体3是收容第1托架11和第2托架21的液密的容器。但是，第2托架21可以作为该壳体3的一部分而与壳体3一体地形成来实施。 

如上所述，不必说形成壳体3的一部分的情况，即使在与壳体3分体地形成的情况下，第2托架21也同样不可动，以使得不会影响两圆环10、20间的间隔，即，两处理用面1、2之间的间隔。换言之，第2托架21不会对两处理用面1、2之间的间隔产生影响。 

在壳体3上，壳体3的外侧设有用于排出产物的排出口32。 

第1导入部d1向两处理用面1、2之间供给第1被处理流动体。 

上述流体压力赋予机构p1直接或间接地与该第1导入部d1连接，对第1被处理流动体赋予流体压力。在流体压力赋予机构p1中，可采用压缩机、其它泵。 

在该实施方式中，第1导入部d1是设置在第2托架21的上述中央部分22内部的流体通道，其一端在第2托架21的俯视为圆形的第2圆环20的中心位置开口。另外，第1导入部d1的另一端在第2托架21的外部、即壳体3的外部与上述流体压力赋予机构p1相连接。 

第2导入部d2向处理用面用1、2间供给与第1被处理流动体混合的第2流动体。在该实施方式中，第2导入部为设置在第2圆环20内部的流体通道，其一端在第2处理用面2开口，其另一端与第2流体供给部p2相连接。 

在第2流体供给部p2中，可采用压缩机等其它泵。 

通过流体压力赋予机构p1加压的第1被处理流动体从第1导入部d1被导入两圆环10、20的内侧的空间，通过第1处理用面1和第2处理用面2之间，从两圆环10、20的外侧穿过。 

此时，受到第1被处理流动体的输送压力的第2圆环20克服接触表面压力赋予机构4的弹压，远离第1圆环10，使两处理用面间分开微小的间隔。关于因两处理用面1、2的接近·分离而形成的两面1、2间的间隔，后面详细叙述。 

在两处理用面1、2间，从第2导入部d2供给第2被处理流动体并与第1被处理流动体合流，利用处理用面的旋转促进混合(反应)。然后，两流动体的混合(反应)所生成的产物从两处理用面1、2排出到两圆环10、20的外侧。在两圆环10、20的外侧排出的产物最终通过壳体3的排出口32排出到壳体3的外部(自我排出)。 

上述的被处理流动体的混合及反应(在伴有反应的情况下)通过相对于第2处理用部20的第1处理用部10的由旋转驱动部所产生的旋转，在第1处理用面1与第2处理用面2进行。 

在第1及第2处理用面1、2间，第2导入部d2的开口部m2的下 游侧形成使上述第1被处理流动体和第2被处理流动体混合的处理室。具体而言，在两处理用面1、2间，在表示第2圆环20的底面的图11(C)中以斜线表示的第2圆环20直径的内外方向r1上，第2导入部的开口部m2即第2开口部m2的外侧区域H作为上述处理室发挥功能。因此，该处理室在两处理用面1、2间位于第1导入部d1和第2导入部d2的两开口部m1、m2的下游侧。 

从第2开口部m2导入至两处理用面1、2间的第2被处理流动体，在上述形成处理室的区域H内，与从第1开口部m1经过圆环内侧的空间的导入至两处理用面1、2之间的第1被处理流动体混合，在伴有反应的情况下两被处理流动体反应。流动体通过流体压力赋予机构p1而受到输送压力，在两处理用面1、2间的微小间隔中朝着圆环的外侧移动，但是，由于第1圆环10旋转，所以，在上述反应区域H内，被混合的流动体并不是在圆环直径的内外方向上从内侧向外侧直线地移动，而是在俯视处理用面的状态下，以圆环的旋转轴为中心，涡旋状地从圆环的内侧向外侧移动。这样，在进行混合(反应)的区域H，通过螺旋状地从圆环的内侧向外侧移动，从而可以确保在两处理用面1、2间的微小间隔中具有充分的混合(反应)所需要的区间，可促进均匀的混合。 

另外，混合(反应)产生的产物在上述微小的第1及第2处理用面1、2间形成均质的产物，特别是在结晶、析出的情况下形成微粒。 

至少，在上述流体压力赋予机构p1负荷的输送压力、上述接触表面压力赋予机构4的弹压力、以及圆环的旋转所产生的离心力的平衡的基础上，可使两处理用面1、2之间的间隔平衡为为优选的微小间隔，并且，受到流体压力赋予机构p1负荷的输送压力及圆环的旋转所产生的离心力的被处理流动体，涡旋状地在上述处理用面1、2之间的微小间隔中移动，促进混合(反应)。 

上述的混合(反应)通过流体压力赋予机构p1负荷的输送压力、圆环的旋转而强制地进行。即，混合(反应)在可接近·分离地对向配设的且至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间，强制地 均匀发生。 

所以，特别是，由反应所产生的产物的结晶或析出，可通过流体压力赋予机构p1负荷的输送压力的调整、圆环的旋转速度即圆环的转速的调整这样的、比较容易控制的方法来控制。 

这样，该流体处理装置，通过输送压力、离心力的调整，进行对产物的大小给予影响的处理用面1、2间的间隔的控制，并且，在对产物的均匀生成给予影响的上述反应区域H中进行移动的距离的控制方面优异。 

另外，上述的处理的产物并不局限于产物析出的情况，也包括液体的情况。另外，在产物为微粒等的微细的固体物的情况下，产物也可以在处理后的流体中沉淀，另外，也可处于在连续相中分散相存在的分散液的状态。 

予以说明的是，旋转轴50并不限于垂直配置，也可以水平方向配置，也可倾斜配置。处理中，图示为两处理用面1、2间的微小间隔内进行混合(反应)的情况，这是因为实质上可以排除重力的影响。 

图1(A)中示出第1导入部d1在第2托架21中，与第2圆环20的轴心一致，上下垂直第进行延伸的机构。但是，第1导入部d1并不仅限于与第2圆环20的轴心一致，只要是能够向两圆环10、20所围成的空间供给第1被处理流动体即可，也可以设置在第2托架21的中央部分22的其它位置，而且，也可以是非垂直的倾斜进行延伸。 

图12(A)表示上述装置的更优选的实施方式。如图所示，第2处理用部20具有上述第2处理用面2，同时具有受压面23，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。以下，该受压面23又称为分离用调整面23。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。 

如前所述，在第2托架21的底部、即下部，形成圆环收容部41，该圆环收容部41内收容有第2处理用部20。另外，虽没有图示，但通过旋转阻止装置，使第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述的第2处理用面2从第2托架21中露出。 

在该实施方式中，处理用面1、2间的、第1处理用部10及第2处理用部20的内侧为被处理物的流入部，第1处理用部10及第2处理用部20的外侧为被处理物的流出部。 

上述的接触表面压力赋予机构4相对于第1处理用面1以压接或接近的状态推压第2处理用面2，通过该接触表面压力与流体压力等的使两处理用面1、2间分离的力的均衡，形成规定厚度的薄膜流体。换言之，通过上述力的均衡，两处理用面1、2间的间隔保持为规定的微小间隔。 

具体而言，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由以下部分构成：上述的圆环收容部41；发条收容部42，该发条收容部42设置在圆环收容部41的内部即圆环收容部41的最深处；弹簧43；和空气导入部44。 

但是，接触表面压力赋予机构4也可具有上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43以及空气导入部44中的至少任意一个。 

圆环收容部41与第2处理用部20间隙配合，以使得圆环收容部41内的第2处理用部20的位置或深或浅地、即上下位移。 

上述弹簧43的一端与发条收容部42的内部抵接，弹簧43的另一端与圆环收容部41内的第2处理用部20的前部即上部抵接。在图1中，弹簧43虽仅显示1个，但是优选通过多个弹簧43来推压第2处理用部20的各个部分。即，这是因为通过增加弹簧43的数目，可以给予第2处理用部20更加均等的推压力。所以，对于第2托架21，优选为安装数个至数十个弹簧43的复合型。 

在该实施方式中，可通过上述空气导入部44向圆环收容部41内导入空气。通过这样的空气的导入，将圆环收容部41与第2处理用部20之间作为加压室，将弹簧43与空气压力一起作为推压力给予第2处理用部20。因此，通过调整从空气导入部44导入的空气压力，可调整运转中第2处理用面2相对于第1处理用面1的接触表面压力。予以说明的是，也可代替利用空气压力的空气导入部44、利用通过油压等其它的流体压力而产生推压力的机构来实施。 

接触表面压力赋予机构4除了供给、调节上述推压力即接触表面压力的一部分之外，还兼作位移调整机构和缓冲机构。 

详细而言，接触表面压力赋予机构4作为位移调整机构，通过空气压力的调整而追随启动时、运转中的向轴方向的伸展、磨耗所引起的轴向位移，可维持初期的推压力。另外，如上所述，接触表面压力赋予机构4通过采用可位移地保持第2处理用部20的浮动机构，也作为作为微振动、旋转定位的缓冲机构而发挥功能。 

接着，对于采用上述的构成的处理装置的使用的状态，根据图1(A)进行说明。 

首先，第1被处理流动体受到来自流体压力赋予机构p1的输送压力，从第1导入部d1导入被密闭了的壳体的内部空间。另一方面，通过由旋转驱动部所产生的旋转轴50的旋转，第1处理用部10旋转。由此，第1处理用面1与第2处理用面2在保持微小间隔的状态下相对地进行旋转。 

第1被处理流动体在保持微小间隔的两处理用面1、2间形成薄膜流体，从第2导入部d2导入的第2被处理流动体在两处理用面1、2间与该薄膜流体合流，同样构成薄膜流体的一部分。通过该合流，第1及第2被处理流动体混合而形成产物。而且，在伴有反应的情况下两流动体反应，均匀的反应得到促进，形成该反应产物。由此，在伴有析出的情况下可比较均匀地生成微细的粒子，即使在不伴有析出的情况下，仍可实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)。予以说明的是，可认为析出的产物由于第1处理用面1的旋转而在与第2处理用面2之间受到剪切，有时被进一步微小化。在此，通过将第1处理用面1与第2处理用面2的间隔调整为1μm至1mm、特别是1μm至10μm的微小间隔，从而能够实现均匀的混合状态(伴有反应的情况下均匀的反应)，同时，可生成数nm单位的超微粒。 

产物从两处理用面1、2间排出，从壳体3的排出口32排出到壳体外部。排出的产物通过公知的减压装置在真空或减压了的环境内形成雾状，在碰到环境内的其它部分后作为流动体而流下，可以作为除 气后的液态物回收。 

予以说明的是，在该实施方式中，处理装置虽具有壳体，但也可以不设置这样的壳体来实施。例如，可以设置除气用的减压罐，即真空罐，在该罐内部配置处理装置来实施。在该情况下，在处理装置上当然不具有上述排出口。 

如上所述，可将第1处理用面1与第2处理用面2的间隔调整为机械的间隔设定不可能达到的μm单位的微小间隔，其机理说明如下。 

第1处理用面1与第2处理用面2可相对地接近分离，并且相对地进行旋转。在该例中，第1处理用面1旋转，第2处理用面2具有在轴方向可移动的构造(浮动构造)、相对于第1处理用面1接近分离。 

因此，在该例中，第2处理用面2的轴方向位置通过力、即上述的接触表面压力与分离力的平衡，设定为μm单位的精度，由此进行处理用面1、2间的微小间隔的设定。 

如图12(A)所示，作为接触表面压力，可以举出以下：在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44赋予的空气压力、即正压的情况下的该压力、弹簧43的推压力。 

予以说明的是，在图12～15、17所示的实施方式中，为避免图面的繁杂，第2导入部d2省略进行描述。关于这一点，也可以看成是未设置第2导入部d2的位置的剖面。另外，图中，U表示上方，S表示下方。 

另一方面，作为分离力，可以举出以下：作用在分离侧的受压面、即第2处理用面2及分离用调整面23上的流体压力、第1处理用部10的旋转所产生的离心力和对空气导入部44施加负压的情况下的该负压。 

予以说明的是，在对装置进行清洗时，通过增大施加于上述空气导入部44的负压，可加大两处理用面1、2的分离，可容易地进行清洗。 

并且，通过这些力的均衡，使第2处理用面2以相对于第1处理 用面1隔开规定的微小间隔的位置来稳定化，由此实现μm单位的精度的设定。 

对分离力进一步详细地说明。 

首先，关于流体压力，在密闭了的流路中的第2处理用部20受到来自于流体压力赋予机构p1的被处理流动体的送入压力即流体压力。此时，与流路中的第1处理用面对向的面、即第2处理用面2和分离用调整面23成为分离侧的受压面，流体压力作用在该受压面上，产生因流体压所引起的分离力。 

其次，关于离心力，如果第1处理用部10高速旋转，则离心力作用于流体，该离心力的一部分成为分离力，该分离力作用在两处理用面1、2相互远离的方向上。 

而且，在从上述的空气导入部44向第2处理用部20给予负压的情况下，该负压作为分离力起作用。 

以上，在本申请的发明中，将使第1与第2处理用面1、2相互分离的力作为分离力进行说明，并非将上述表示的力从分离力中排除。 

如上所述，在被密闭了的被处理流动体的流路中，介由处理用面1、2间的被处理流动体，形成分离力与接触表面压力赋予机构4实现的接触表面压力达到均衡的状态，由此在两处理用面1、2间实现均匀的混合状态，在伴有反应的情况下实现均匀的反应，同时形成适合进行微细产物的结晶·析出的薄膜流体。这样，该装置，通过在两处理用面1、2间强制地介由薄膜流体，可维持两处理用面1、2间的间隔为以往的机械的装置中不可能实现的微小间隔，从而实现高精度地生成作为产物的微粒。 

换言之，处理用面1、2间的薄膜流体的厚度，通过上述的分离力与接触表面压力的调整而调整至所希望的厚度，能够进行必要的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)的实现和微细的产物的生成处理。因此，在要形成小的薄膜流体的厚度的情况下，只要调整接触表面压力或分离力以使得接触表面压力对于分离力相对第增大即可，相反地，在要形成大的薄膜流体的厚度的情况下，只要调整接 触表面压力或分离力以使得分离力对于接触表面压力相对地增大即可。 

在增加接触表面压力的情况下，在接触表面压力赋予机构4中，从空气导入部44赋予空气压力即正压，或者，将弹簧43变更为推压力大的弹簧或增加其个数即可。 

在增加分离力的情况下，可以增加流体压力赋予机构p1的送入压力，或者增加第2处理用面2、分离用调整面23的面积，另外除此之外，还可以调整第1处理用部10的旋转使离心力增大，或者降低来自空气导入部44的压力。或者可以赋予负压。弹簧43是作为在伸长方向产生推压力的推力发条，但是，也可以是作为在收缩方向产生力的拉力发条，可形成接触表面压力赋予机构4的构成的一部分或全部。 

在减小分离力的情况下，可以减少流体压力赋予机构p1的送入压力，或者减少第2处理用面2、分离用调整面23的面积，另外除此之外，还可以调整第1处理用部10的旋转使离心力减小，或者增大来自空气导入部44的压力。或者也可以降低负压。 

而且，作为接触表面压力以及分离力的增加减少的要素，除上述以外，还可加入粘度等的被处理流动体的性状，这样的被处理流动体的性状的调整也可作为上述要素的调整来进行。 

予以说明的是，分离力中，作用于分离侧的受压面即第2处理用面2以及分离用调整面23上的流体压力，可理解为构成机械密封中的开启力的力。 

在机械密封中，第2处理用部20相当于密封环，但在对该第2处理用部20施加流体压力的情况下，当从第1处理用部10分离第2处理用部20的力发挥作用时，该力为开启力。 

更详细而言，如上述的第1实施方式那样，当在第2处理用部20中仅设置分离侧的受压面、即第2处理用面2以及分离用调整面23的情况下，送入压力的全部构成开启力。予以说明的是，当在第2处理用部20的背面侧也设置受压面的情况下，具体而言，在后述的图12(B)及图17的情况下，在送入压力中，作为分离力发挥作用的力 与作为接触表面压力发挥作用的力的差形成开启力。 

在此，使用图12(B)对第2处理用部20的其它实施方式进行说明。 

如图12(B)所示，在从该第2处理用部20的圆环收容部41露出的部位并且在内周面侧，设置面向第2处理用面2的相反侧即上方侧的接近用调整面24。 

即，在该实施方式中，接触表面压力赋予机构4由圆环收容部41、空气导入部44以及上述接近用调整面24构成。但是，接触表面压力赋予机构4也可以只具备上述圆环收容部41、上述发条收容部42、弹簧43、空气导入部44以及上述接近用调整面24中的至少任意一个。 

该接近用调整面24受到施加在被处理流动体上的规定压力，产生使第2处理用面2向第1处理用面1接近的方向移动的力，作为接近用接触表面压力赋予机构4的一部分，担当接触表面压力的供给侧的作用。另一方面，第2处理用面2与上述的分离用调整面23，受到施加在被处理流动体上的规定压力，产生在使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向移动的力，担当对于分离力的一部分的供给侧的作用。 

接近用调整面24、第2处理用面2以及分离用调整面23均为受到上述的被处理流动体的输送压力的受压面，根据其方向，实现产生上述接触表面压力与产生分离力这样的不同的作用。 

接近用调整面24的投影面积A1与合计面积A2的面积比A1/A2称为平衡比K，对上述的开启力的调整是重要的，其中，接近用调整面24的投影面积A1是在与处理用面的接近·分离的方向、即第2圆环20的出没方向正交的假想平面上投影的接近用调整面24的投影面积，合计面积A2是在该假想平面上投影的第2处理用部20的第2处理用面2及分离侧受压面23的投影面积的合计面积。 

接近用调整面24的前端与分离侧受压面23的前端，一同被限定在环状的第2处理用部20的内周面25即前端线L1上。因此，通过决定接近用调整面24的基端线L2的位置，可进行平衡比K的调整。 

即，在该实施方式中，在利用被处理用流动体的送出压力作为开启力的情况下，通过使第2处理用面2以及分离用调整面23的合计投影面积大于接近用调整面24的投影面积，可产生与其面积比率相对应的开启力。 

对于上述的开启力，变更上述平衡线、即接近用调整面24的面积A1，由此，能够通过被处理流动体的压力、即流体压力进行调整。 

滑动面实际表面压力P、即接触表面压力中的流体压力所产生的表面压力可用下式计算。 

P＝P1×(K-k)+Ps 

式中，P1表示被处理流动体的压力、即流体压力，K表示上述平衡比，k表示开启力系数，Ps表示弹簧及背压力。 

通过该平衡线的调整来调整滑动面实际表面压力P，由此使处理用面1、2间形成所希望的微小间隔量，形成被处理流动体所产生的薄膜流体，使产物变微细，进行均匀的混合(反应)。 

通常，如果两处理用面1、2之间的薄膜流体的厚度变小，则可使产物更细。相反，如果薄膜流体的厚度变大，处理变得粗糙，每单位时间的处理量增加。所以，通过上述的滑动面实际表面压力P的调整，能够调整两处理用面1、2间的间隔，可以实现所希望的均匀混合状态(伴有反应的情况下均匀的反应)，同时得到微细的产物。以下，称滑动面实际表面压力P为表面压力P。 

归纳该关系，在上述产物粗的情况下，可以减小平衡比，减小表面压力P，增大上述间隔，增大上述薄膜流体的厚度。相反，在上述产物较细的情况下，可以增大平衡比K，增大表面压力P，减小上述间隔，减小上述薄膜流体的厚度。 

这样，作为接触表面压力赋予机构4的一部分，形成接近用调整面24，通过其平衡线的位置，可以实施接触表面压力的调整，即可调整处理用面间的间隔。 

在上述间隔的调整中，如上所述，考虑通过改变上述弹簧43的推压力、空气导入部44的空气压力来进行。另外，流体压力即被处理流 动体的输送压力的调整、及成为离心力的调整的第1处理用部10即第1托架11的旋转的调整，也是重要的调整要素。 

如上所述，该装置以如下方式构成，即，对于第2处理用部20及相对于第2处理用部20进行旋转的第1处理用部10，通过取得被处理流动体的送入压力、该旋转离心力以及接触表面压力的压力平衡，在两处理用面上形成规定的薄膜流体。另外圆环的至少一方作为浮动构造，吸收芯振动等的定位，排除接触所引起的磨耗等的危险性。 

该图12(B)的实施方式中，对于具备上述调整用面以外的构成，与图1(A)所示的实施方式一样。 

另外，在图12(B)所示的实施方式中，如图17所示，也可以不设置上述分离用调整面23来实施。 

如图12(B)、图17所示的实施方式那样，在设置接近用调整面24的情况下，通过使接近用调整面24的面积A1大于上述面积A2，从而不产生开启力，相反，施加在被处理流动体上的规定压力全部作为接触表面压力而起作用。也可进行这样的设定，在该情况下，通过增大其它的分离力，可使两处理用面1、2均衡。 

通过上述的面积比决定了作用在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向的力，该力作为从流体所受到的力的合力。 

上述实施方式中，如上所述，弹簧43为了对滑动面即处理用面给予均匀的应力，安装个数越多越好。但是，该弹簧43也可如图13所示那样，采用单卷绕型弹簧。其为如图所示的、中心与环状的第2处理用部20同心的1个卷绕型弹簧。 

第2处理用部20与第2托架21之间以成为气密的方式密封，该密封可采用公知的手段。 

如图14所示，第2托架21中设有温度调整用封套46，该温度调整用封套46冷却或加热第2处理用部20，可调节其温度。并且，图14的3表示上述的壳体，在该壳体3中，也设有同样目的的温度调节用封套35。 

第2托架21的温度调节用封套46是水循环用空间，该水循环用 空间形成于在第2托架21内的圆环收容部41的侧面，并与与第2托架21外部相通的通道47、48相连接。通道47、48的其中一方向温度调整用封套46导入冷却或加热用的介质，其中另一方排出该介质。 

另外，壳体3的温度调整用封套35是通过加热用水或冷却水的通道，其通过设置在覆盖壳体3的外周的覆盖部34而设置在壳体3的外周面与该覆盖部34之间。 

在该实施方式中，第2托架21及壳体3具备上述温度调整用封套，但是，第1托架11中也可设置这样的封套。 

作为接触表面压力赋予机构4的一部分，除上述以外，也可设置如图15所示的汽缸机构7。 

该汽缸机构7具有：汽缸空间部70，该汽缸空间部70设置在第2托架21内；连接部71，该连接部71连接汽缸空间部70与圆环收容部41；活塞体72，该活塞体72收容在汽缸空间部70内且通过连接部71与第2处理用部20相连接；第1喷嘴73，该第1喷嘴73与汽缸空间部70的上部相连接；第2喷嘴74，该第2喷嘴74连接汽缸空间部70的下部；推压体75，该推压体75为介于汽缸空间部70上部与活塞体72之间的发条等。 

活塞体72可在汽缸空间部70内上下滑动，通过活塞体72的该滑动，第2处理用部20上下滑动，从而可变更第1处理用面1与第2处理用面2之间的间隔。 

虽未图示，具体而言，将压缩机等的压力源与第1喷嘴73相连接，通过从第1喷嘴73向汽缸空间部70内的活塞体72的上方施加空气压力即正压，使活塞体72向下方滑动，第2处理用部20可使第1与第2处理用面1、2之间的间隔变窄。另外，虽未图示，将压缩机等的压力源与第2喷嘴74相连接，通过从第2喷嘴74向汽缸空间部70内的活塞体72的下方施加空气压力即正压，使活塞体72向上方滑动，从而可使第2处理用部20朝着扩大第1与第2处理用面1、2之间的间隔的方向即打开的方向移动。这样，利用从喷嘴73、74得到的空气压力，可调整接触表面压力。 

即使圆环收容部41内的第2处理用部20的上部与圆环收容部41的最上部之间有足够的空间，通过与汽缸空间部70的最上部70a抵接地设定活塞体72，该汽缸空间部70的最上部70a也限定了两处理用面1、2间的间隔的宽度的上限。即，活塞体72与汽缸空间部70的最上部70a作为抑制两处理用面1、2分离的分离抑制部而发挥作用，换言之，作为限制两处理用面1、2之间的间隔的最大分开量的机构发挥作用。 

另外，即使两处理用面1、2彼此未抵接，通过与汽缸空间部70的最下部70b抵接地设定活塞体72，该汽缸空间部70的最下部70b限定了两处理用面1、2之间的间隔宽度的下限。即，活塞体72与汽缸空间部70的最下部70b作为抑制两处理用面1、2接近的接近抑制部而发挥作用，更换言之，作为限制两处理用面1、2之间的间隔的最小分开量的机构而发挥作用。 

这样，一边限定上述间隔的最大及最小的分开量，一边可通过上述喷嘴73、74的空气压力来调整汽缸体72与汽缸空间部70的最上部70a的间隔z1，换言之，调整汽缸体72与汽缸空间部70的最下部70b的间隔z2。 

喷嘴73、74可以与另一个压力源连接，也可以通过切换或转接连接于一个压力源。 

另外压力源可以是供给正压或供给负压的任一种来实施。在真空等的负压源与喷嘴73、74相连接的情况下，形成与上述的动作相反。 

取代上述的其它接触表面压力赋予机构4或者作为上述的接触表面压力赋予机构4的一部分，设置这样的汽缸机构7，根据被处理流动体的粘度、性状，进行与喷嘴73、74相连接的压力源的压力、间隔z1、z2的设定，使薄膜流体的厚度达到所期望的值，施以剪切力，实现均匀的混合状态(在伴有反应的条件下为均匀的反应)，可生成微细的粒子。特别是，通过这样的汽缸机构7，可以在清洗、蒸汽灭菌时等进行滑动部的强制开闭，可提高清洗、灭菌的可靠性。 

如图16(A)～(C)所示，可以在第1处理用部10的第1处理 用面1上形成从第1处理用部10的中心侧朝向外侧、即在径向上延伸的沟槽状凹部13...13来实施。在该情况下，如图16(A)所示，凹部13...13可作为在第1处理用面1上弯曲或涡旋状延伸来实施，如图16(B)所示，也可以各个凹部13弯曲为L字型来实施，另外，如图16(C)所示，凹部13...13也可呈直线放射状延伸来实施。 

另外，如图16(D)所示，优选图16(A)～(C)的凹部13以成为向第1处理用面1的中心侧逐渐加深的方式形成梯度来实施。另外，沟槽状的凹部13除了可以是连续的之外，也可是间断的来实施。 

通过形成这样的凹部13，具有应对被处理流动体的排出量的增加或发热量的减少、空蚀控制、流体轴承等的效果。 

在上述的图16所示的各实施方式中，凹部13虽然形成在第1处理用面1上，但也可实施为形成在第2处理用面2上，并且，也可实施为形成在第1及第2处理用面1、2双方上。 

在处理用面上未设置上述凹部13、锥形的情况下，或者，在使它们偏置于处理用面的一部分的情况下，处理用面1、2的表面粗糙度给予被处理流动体的影响比形成上述凹部13的大。因此，在这样的情况下，如果要使被处理流动体的粒子变小，就必须降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特别是，在以均匀的混合(反应)为目的的情况下，对于其处理用面的表面粗糙度，在以实现均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)、得到微粒为目的的情况下，前述镜面、即施加了镜面加工的面有利于实现微细的单分散的产物的结晶·析出。 

在图12至图17所示的实施方式中，对于特别明示了的以外的构成，与图1(A)或图11(C)所示实施方式相同。 

另外，在上述的各实施方式中，壳体内全部被密封，但除此以外，也可实施为，仅第1处理用部10及第2处理用部20的内侧被密封，其外侧开放。即，直到通过第1处理用面1及第2处理用面2之间为止，流路被密封，被处理流动体受到全部输送压力，但是，在通过后，流路被开放，处理后的被处理流动体不受到输送压力。 

在流体压力赋予机构p1中，作为加压装置，如上所述，优选使用 压缩机来实施，但是，只要能一直对被处理流动体施加规定压力，也可使用其它的手段来实施。例如，可以通过利用被处理流动体的自重、一直对被处理流动体施加一定的压力来实施。 

概括上述各实施方式中的处理装置，其特征为，对被处理流动体施加规定压力，在受到该规定压力的被处理流动体所流过的被密封了的流体流路中，连接第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个可接近·分离的处理用面，赋予使两处理用面1、2接近的接触表面压力，通过使第1处理用面1与第2处理用面2相对地进行旋转，使用被处理流动体而产生机械密封中用于密封的薄膜流体，与机械密封相反(不是将薄膜流体用于密封)，使该薄膜流体从第1处理用面1及第2处理用面2之间特意漏出，在两面1、2间成为膜的被处理流动体间，实现混合(反应)的处理，进行回收。 

通过这样的划时代的方法，可将两处理用面1、2间的间隔调整为1μm至1mm，特别是可以为1～10μm的调整。 

在上述的实施方式中，装置内构成被密闭了的流体的流路，通过在处理装置的(第1被处理流动体的)导入部侧设置的流体压力赋予机构p1，被处理流动体被加压。 

另外，也可以不用这样的流体压力赋予机构p1进行加压，而是通过被处理流动体的流路被开放来实施。 

图18至图20表示这样的处理装置的一个实施方式。予以说明的是，在该实施方式中，作为处理装置，例示有具有除气功能的装置、即，具有从作为处理物而生成的物质中除去液体、最终仅确保作为目的的固体(结晶)的功能的装置。 

图18(A)为处理装置的简略纵剖面图，图18(B)是其局部的扩大剖面图。图19是图18所示的处理装置具有的第1处理用部1的俯视图。图20是上述处理装置的第1及第2处理用部1、2的局部的主要部分的简略纵剖面图。 

该图18至图20中所示的装置，如上所述在大气压下，投入作为处理的对象的流体，即被处理流动体或输送这样的处理的对象物的流 体。 

予以说明的是，图18(B)及图20中，为避免图面的繁杂，第2导入部d2省略进行描述(也可看成不设有第2导入部d2位置的剖面)。 

如图18(A)所示，该流体处理装置具备混合装置G及减压泵Q。该混合装置G具备：作为进行旋转的构件的第1处理用部101；保持该处理用部101的第1托架111；作为相对于壳体被固定了的构件的第2处理用部102；固定该第2处理用部102的第2托架121；弹压机构103；动压发生机构104(图19(A))；使第1处理用部101与第1托架111一同旋转的驱动部；罩体106；供给(投入)第1被处理流动体的第1导入部d1；向减压泵Q排出流体的排出部108。关于驱动部省略图示。 

上述第1处理用部101及第2处理用部102分别为具有挖空圆柱中心的形状的环状体。两处理用部101、102是分别把两处理用部101、102所呈圆柱的一个底面为作为处理用面110、120的构件。 

上述处理用面110、120具有被镜面研磨了的平坦部。在该实施方式中，第2处理用部102的处理用面120是整个面都实施了镜面研磨的平坦面。另外，虽然使第1处理用部101的处理用面110的整个面成为与第2处理用部102相同的平坦面，但是，如图19(A)所示，在平坦面中，有多个沟槽112...112。该沟槽112...112以第1处理用部101所呈圆柱的中心为中心侧，向圆柱的外周方向放射状地延伸。 

对于的上述第1及第2处理用部101、102的处理用面110、120的镜面研磨，优选表面粗糙度Ra为0.01～1.0μm。对于该镜面研磨更优选Ra为0.03～0.3μm。 

对于处理用部101、102的材质，采用硬质且可以镜面研磨的材质。有关处理用部101、102的该硬度，优选为至少维氏硬度1500以上。另外，优选采用线膨胀系数小的原料或热传导高的原料。这是由于，在处理时产生热量的部分与其它部分之间，如果膨胀率的差较大，就会发生变形，从而影响适当间隔的确保。 

作为上述处理用部101、102的原料，尤其优选采用以下物质等： SIC即碳化硅，其维式硬度为2000～2500；表面以DLC即类金刚石碳涂层的SIC，其中类金刚石碳的维式硬度为3000～4000；WC即碳化钨，其维式硬度为1800；表面施加了DLC涂层的WC、ZrB₂或以BTC、B4C为代表的硼系陶瓷，维式硬度为4000～5000。 

图18所示的罩体106虽省略了底部的图示，但是为有底的筒状体，上方被上述第2托架121覆盖。第2托架121在其下表面固定有上述第2处理用部102，在上方设有上述导入部d1。导入部d1具有用于从外部投入流体、处理物的料斗170。 

虽未图示，上述的驱动部具有电动机等的动力源和从该动力源接受动力供给而旋转的轴50。 

如图18(A)所示，轴50配置于罩体106的内部朝上下延伸。并且，轴50的上端部设有上述的第1托架111。第1托架111是保持第1处理用部101，通过设置在上述轴50上，使第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120相对应。 

第1托架111为圆柱状体，在其上表面中央固定有第1处理用部101。第1处理用部101与第1托架111成为一体地被固定，相对于第1托架111不改变其位置。 

另一方面，在第2托架121的上表面中央形成有收容第2处理用部102的收容凹部124。 

上述的收容凹部124具有环状的横剖面。第2处理用部102以与收容凹部124同心的方式收容在圆柱状的收容凹部124内。 

该收容凹部124的构成与图1(A)所示的实施方式相同(第1处理用部101对应第1圆环10，第1托架111对应第1托架11，第2处理用部102对应第2圆环20，第2托架121对应第2托架21)。 

并且，该第2托架121具备上述的弹压机构103。优选弹压机构103使用弹簧等的弹性体。弹压机构103与图1(A)的接触表面压力赋予机构4对应，采用同样构成。即，弹压机构103推压与第2处理用部102的处理用面120相反侧的面、即底面，对位于第1处理用部101侧、即下方的第2处理用部102的各位置均等地弹压。 

另一方面，收容凹部124的内径大于第2处理用部102的外径，由此，当如上所述同心地配设时，在第2处理用部102的外周面102b与收容凹部124的内周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t1。 

同样，在第2处理用部102的内周面102a与收容凹部124的中心部分22的外周面之间，如图18(B)所示那样，设定间隔t2。 

上述间隔t1、t2分别用于吸收振动、偏心举动，其大小以如下方式设定，即，大于等于能够确保动作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第1处理用部101的直径为100mm至400mm的情况下，优选该间隔t1、t2分别为0.05～0.3mm。 

第1托架111被一体地固定在轴50上，与轴50一起旋转。另外，虽未图示，利用制动器，第2处理用部102不会相对于第2托架121旋转。但是，在两处理用面110、120间，为了确保处理所必要的0.1～10微米的间隔，即图20(B)所示的微小间隔t，如图18(B)所示，在收容凹部124的底面、即顶部以及面向第2处理用部102的顶部124a、即上面之间，设有间隔t3。对于该间隔t3，与上述间隔一起，考虑轴50振动、伸长而设定。 

如上所述，通过间隔t1～t3的设定，第1处理用部101，如图18(B)所示，在相对于第2处理用部102接近·分离的方向z1上可变，对于其处理用面110的倾斜方向z2也可变。 

即，在该实施方式中，弹压机构103和上述间隔t1～t3构成浮动机构，通过该浮动机构，至少第2处理用部102的中心、倾斜可以在从数微米至数毫米左右的很小量可变。由此，吸收旋转轴的芯振动、轴膨胀、第1处理用部101的面振动、振动。 

对第1处理用部101的处理用面110所具有的上述的沟槽112，进一步详细地说明如下。沟槽112的后端到达第1处理用部101的内周面101a，其前端朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧延伸。该沟槽112如图19(A)所示，其横截面积从环状的第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧逐渐减少。 

沟槽112的左右两侧面112a、112b的间隔w1随着从第1处理用 部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧减小。并且，沟槽112的深度w2如图19(B)所示，随着从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用侧101的外侧y即外周面侧减小。即，沟槽112的底112c随着从第1处理用部101的中心x侧朝着第1处理用部101的外侧y即外周面侧变浅。 

这样，沟槽112的宽度及深度两者随着朝着外侧y即外周面侧逐渐减小，从而使其横截面积朝着外侧y逐渐减小。并且，沟槽112的前端即y侧成为终点。即，沟槽112的前端即y侧不到达第1处理用部101的外周面101b，在沟槽112的前端与外周面101b之间，隔着外侧平坦面113。该外侧平坦面113为处理用面110的一部分。 

在该图19所示的实施方式中，这样的沟槽112的左右两侧面112a、112b及底112c构成流路限制部。该流路限制部、第1处理用部101的沟槽112周围的平坦部以及第2处理用部102的平坦部构成动压发生机构104。 

但是，也可仅对沟槽112的宽度及深度的其中任一方采用上述构成，减小截面积。 

上述的动压发生机构104通过在第1处理用部101旋转时穿过两处理用部101、102间的流体，在两处理用部101、102间可确保所希望的微小间隔，在使两处理用部101、102分离的方向上产生作用力。通过这样的动压的发生，可在两处理用面110、120间产生0.1～10μm的微小间隔。这样的微小间隔，虽可以根据处理的对象进行调整选择，但是，优选1～6μm，更优选1～2μm。在该装置中，可实现通过上述微小间隔产生的以往不可能的均匀的混合状态(在伴有反应的情况下均匀的反应)和生成微粒。 

沟槽112...112分别能够以如下方式实施，即，笔直地从中心x侧朝向外侧y延伸。但是，在该实施方式中，如图19(A)所示，对于第1处理用部101的旋转方向r，沟槽112的中心x侧以比沟槽112的外侧y先行的方式、即位于前方的方式弯曲，使沟槽112延伸。 

通过这样的沟槽112...112弯曲地延伸，可更有效地通过动压发 生机构104产生分离力。 

下面，对该装置的动作进行说明。 

如图18(A)所示，从料斗170投入的、通过第1导入部d1的第1被处理流动体R通过环状的第2处理用部102的中空部，受到第1处理用部101的旋转所产生的离心力，进入两处理用部101、102间，在进行旋转的第1处理用部101的处理用面110与第2处理用部102的处理用面120之间，进行均匀的混合(反应)及根据情况进行微细粒子的生成，随后，来到两处理用部101、102的外侧，从排出部108排出至减压泵Q侧(以下，根据需要将第1被处理流动体R仅称为流体R)。 

在上述中，进入到环状的第2处理用部102的中空部的流体R如图20(A)所示，首先，进入旋转的第1处理用部101的沟槽112。另一方面，被镜面研磨的、作为平坦部的两处理用面110、120即使通入空气或氮气等气体也维持气密性。所以，即使受到旋转所产生的离心力，流体R也不能够原样从沟槽112进入由弹压机构103压合的两处理用面110、120之间。但是，流体R与作为流路限制部而形成的沟槽112的上述两侧面112a、112b、底112c慢慢地碰撞，产生作用于使分离两处理用面110、120分离的方向上的动压。如图20(B)所示，由此，流体R从沟槽112渗出到平坦面上，可确保两处理用面110、120间的微小间隔t即间隙。而且，在这样的被镜面研磨了的平坦面之间，进行均匀的混合(反应)、以及根据情况的微细粒子的生成。另外上述沟槽112的弯曲更为可靠地对流体作用离心力，更有效地产生上述的动压。 

这样，该流体处理装置通过动压与弹压机构103所产生的弹压力的均衡，能够在两镜面即处理用面110、120之间确保微细、均匀的间隔即间隙。而且，通过上述的构成，该微小间隔可形成为1μm以下的超微细间隔。 

另外，通过采用上述浮动机构，处理用面110、120间的定位的自动调整成为可能，对于因旋转、产生的热所引起的各部分的物理变形， 能够抑制处理用面110、120间的各个位置的间隔的偏差，可维持该各个位置的上述微小间隔。 

予以说明的是，在上述实施方式中，浮动机构是仅在第2托架121上设置的机构。除此以外，还可以取代第2托架121，或者与第2托架121一起在第1托架111上也设置浮动机构来实施。 

图21至图23表示上述的沟槽112，示出其它的实施方式。 

如图21(A)(B)所示，沟槽112作为流路限制部的一部分，可在前端具备平坦的壁面112d来实施。并且，在该图21所示的实施方式中，在底112c中，在第1壁面112d与内周面101a之间设有台阶112e，该台阶112e也构成流路限制部的一部分。 

如图22(A)(B)所示，沟槽112可实施为，具有多个分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通过缩小其宽度而具有流路限制部来实施。 

在图21及图22的实施方式中，特别是对于没有示出的结构，与图1(A)、图11(C)、图18至图20中所示的实施方式相同。 

并且，在上述各实施方式中，对于沟槽112的宽度及深度的至少其中一方，从第1处理用部101的内侧朝向外侧，逐渐减小其尺寸，由此构成流路限制部。此外，如图23(A)、图23(B)所示，通过不改变沟槽112的宽度、深度，在沟槽112中设置终端面112f，该沟槽112的终端面112f也可以形成流路限制部。如图19、图21及图22表示的实施方式所示，动压产生以如下方式进行，即，通过沟槽112的宽度及深度如前述那样变化，使沟槽112的底、两侧面成为倾斜面，由此，该倾斜面成为相对于流体的受压部，产生动压。另一方面，在图23(A)(B)所示实施方式中，沟槽112的终端面成为相对于流体的受压部，产生动压。 

另外，在该图23(A)(B)所示的情况下，也可同时使沟槽112的宽度及深度的至少其中一方的尺寸逐渐减小来实施。 

予以说明的是，关于沟槽112的结构，并不限定于上述图19、图21至图23所示，也可具有其它形状的流路限制部来实施。 

例如，在图19、图21至图23所示结构中，沟槽112并不穿透到第1处理用部101的外侧。即，在第1处理用部101的外周面与沟槽112之间，存在外侧平坦面113。但是，并不限定于这样的实施方式，只要能产生上述的动压，沟槽112也可到达第1处理用部101的外周面侧来实施。 

例如，在图23(B)所示的第1处理用部101的情况下，如虚线所示，可实施为，使剖面面积小于沟槽112的其它部位的部分形成于外侧平坦面113上。 

另外，如上所述，以从内侧向外侧逐渐减小截面积的方式形成沟槽112，使沟槽112的到达第1处理用部101的外周的部分(终端)形成最小截面积即可(未图示)。但是，为有效地产生动压，如图19、图21至图23所示，优选沟槽112不穿透第1处理用部101的外周面侧。 

在此，对上述图18至图23所示的各种实施方式进行总结。 

该流体处理装置使具有平坦处理用面的旋转构件与同样具有平坦处理用面的固定构件以它们的平坦处理用面同心地相互对向、在旋转构件的旋转下，一边从固定构件的开口部供给被反应原料，一边在两构件的对向平面处理用面间进行处理的流体处理装置中不机械地调整间隔、而是在旋转构件上设置增压机构，通过其其压力的产生来保持间隔，并且可形成机械的间隔调整所不可能达到的1～6μm的微小间隔，混合(反应)的均匀化以及、根据情况的生成粒子的微细化的能力也显著提高。 

即，在该流体处理装置中，旋转构件与固定构件在其外周部具有平坦处理用面，该平坦处理用面中，通过具有面上的密封功能，提供产生流体静力学的力即流体静力、流体动力学的力即流体动力、或者空气静力学-空气动力学的力的高速旋转式的流体处理装置。上述的力使上述密封面间产生微小的间隔，并可提供具有如下功能的流体处理装置，即，非接触、机械安全、具有高度的混合(反应)的均匀化的功能。能形成该微小间隔的要因，一个是旋转构件的转速，另一个是被处理物(流体)的投入侧与排出侧的压力差。在投入侧设置压力赋 予机构的情况下，在投入侧未设置压力赋予机构的情况即在大气压下投入被处理物(流体)的情况下，由于无压力差，必须只依靠旋转构件的转速来产生密封面间的分离。这作为流体动力学的力或空气动力学的力而已知。 

图18(A)所示装置中，虽表示为将减压泵Q连接在混合装置G的排出部，但也可如前面所述那样实施为，不设置罩体106，且不设置减压泵Q，而是如图24(A)所示，将处理装置作为减压用的罐T，在该罐T中配设混合装置G。 

在该情况下，通过使罐T内减压至真空或接近真空的状态，混合装置G中生成的被处理物成雾状地喷射到罐T内，通过回收碰到罐T的内壁而流下的被处理物，或，回收相对于上述流下的被处理物作为气体(蒸汽)被分离的、充满罐T内上部的物质，可得到处理后的目的物。 

另外，在使用减压泵Q的情况下，如图24(B)所示，混合装置G经由减压泵Q连接气密的罐T，在该罐T内，处理后的被处理物形成雾状，可进行目的物的分离·抽出。 

此外，如图24(C)所示，减压泵Q直接连接于罐T，在该罐T内，连接减压泵Q以及除了减压泵Q之外的流体R的排出部，可进行目的物的分离。在该情况下，对于气化部，液体R(液状部)被减压泵Q吸引聚集，从排出部排出，而不从气化部排出。 

在上述各实施方式中，示出了如下，即，将第1及第2的两种被处理流动体分别从第2托架21、121及第2圆环20、102导入，使其混合(反应)。 

下面，对被处理流动体向装置导入所涉及的其它实施方式按顺序进行说明。 

如图1(B)所示，可实施为，在图1(A)所示的处理装置中，设置第3导入部d3，将第3被处理流动体导入两处理用面1、2间，使其与第2被处理流动体同样地与第1被处理流动体混合(反应)。 

第3导入部d3向处理用面1、2间供给与第1被处理流动体混合 的第3流体。在该实施方式中，第3导入部d3是设在第2圆环20的内部的流体的通道，其一端在第2处理用面2上开口，另一端连接第3流体供给部p3。 

在第3流体供给部p3中，可采用压缩机、其它的泵。 

第3导入部d3在第2处理用面2上的开口部与第2导入部d2的开口部相比，位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2上，第3导入部d3的开口部较第2导入部d2的开口部位于下游侧。在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第2圆环20的直径的内外方向上隔开间隔。 

该图1(B)所示装置中，第3导入部d3以外的构成也与图1(A)所示的实施方式相同，予以说明的是，在该图1(B)及下面说明的图1(C)、图1(D)、图2～图11中，为避免图面的繁杂，省略了壳体3。予以说明的是，在图9(B)(C)、图10、图11(A)(B)中，描述了壳体3的一部分。 

另外，如图1(C)所示，可实施为，在图1(B)所示处理装置中，设置第4导入部d4，将第4被处理流动体导入两处理用面1、2间，使其与第2及第3被处理流动体同样地与第1被处理流动体混合(反应)。 

第4导入部d4向处理用面1、2间供给与第1被处理流动体混合的第4被处理流动体。在该实施方式中，第4导入部d4是设在第2圆环20的内部的流体的通道，其一端在第2处理用面2上开口，另一端连接第4流体供给部p4。 

在第4流体供给部p4中，可采用压缩机、其它的泵。 

第4导入部d4在第2处理用面2上的开口部较第3导入部d3开口部位于第1处理用面1的旋转中心的外侧。即，在第2处理用面2上，第4导入部d4的开口部较第3导入部d3的开口部位于下游侧。 

对于图1(C)所示装置的第4导入部d4以外的构成，与图1(B)所示的实施方式相同。 

并且，虽未图示，也可实施为，另外设置第5导入部、第6导入 部等5个以上的导入部，分别使5种以上的被处理流动体混合(反应)。 

另外，如图1(D)所示，可实施为，在图1(A)的装置中，将设置在第2托架21上的第1导入部d1与第2导入部d2同样地设置在第2处理用面2上，以取代将其设置在第2托架21上。在该情况下，在第2处理用面2上，第1导入部d1的开口部也较第2导入部d2位于旋转的中心侧即上游侧。 

在上述图1(D)所示装置中，第2导入部d2的开口部与第3导入部d3的开口部一起配置在第2圆环20的第2处理用面2上。但是，导入部的开口部并不限于上述相对于处理用面的配置。特别是，可如图2(A)所示，将第2导入部d2的开口部设置在第2圆环20的内周面的、与第2处理用面2邻接的位置来实施。在该图2(A)所示装置中，第3导入部d3的开口部虽与图1(B)所示装置同样地配置在第2处理用面2上，但是，也可通过将第2导入部d2的开口部配置在上述第2处理用面2的内侧，即与第2处理用面2邻接的位置上，从而将第2被处理流动体立刻导入到处理用面上。 

这样通过将第1导入部d1的开口部设置在第2托架21上，将第2导入部d2的开口部配置在第2处理用面2的内侧，即与第2处理用面2邻接的位置(在该情况下，设置上述第3导入部d3不是必须的)，从而，特别是在使多个被处理流动体反应的情况下，能够将从第1导入部d1导入的被处理流动体与从第2导入部d2导入的被处理流动体在不反应的状态下导入两处理用面1、2间，并且可使两者在两处理用面1、2之间初次发生反应。因此，上述构成特别适合于使用反应性高的被处理流动体的情况。 

予以说明的是，上述的“邻接”并不仅限于以下情况，即，将第2导入部d2的开口部如图2(A)所示地以与第2圆环20的内侧侧面接触的方式设置。从第2圆环20至第2导入部d2的开口部的距离为以下程度即可，即，在多个的被处理流动体被导入两处理用面1、2间以前，不被完全混合(反应)的程度，例如，也可以设置在接近第2托架21的第2圆环20的位置。并且，也可以将第2导入部d2的开 口部设置在第1圆环10或第1托架11侧。 

另外，在上述的图1(B)所示装置中，在第3导入部d3的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第2圆环20的直径的内外方向隔开间隔，但也可实施为，如图2(B)所示，不设置上述间隔，将第2及第3被处理流动体导入两处理用面1、2之间，立刻两流动体合流。根据处理的对象选择上述图2(B)所示装置即可。 

另外，在上述的图1(D)所示装置中，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口之间，在第2圆环20直径的内外方向隔开了间隔，但也可实施为，不设置该间隔，而将第1及第2被处理流动体导入两处理用面1、2之间，立刻使两流动体合流。根据处理的对象选择这样的开口部的配置即可。 

在上述的图1(B)及图1(C)所示实施方式中，在第2处理用面2上，将第3导入部d3的开口部配置在第2导入部d2的开口部的下游侧，换言之，在第2圆环20的直径的内外方向上，配置在第2导入部d2的开口部的外侧。此外，如图2(C)及图3(A)所示，可在第2处理用面2上，将第3导入部d3的开口部配置于在第2圆环20的周方向r0上与第2导入部d2开口部不同的位置来实施。在图3中，m1表示第1导入部d1的开口部即第1开口部，m2表示第2导入部d2的开口部即第2开口部，m3表示第3导入部d3的开口部(第3开口部)，r1为圆环直径的内外方向。 

另外，在将第1导入部d1设置在第2圆环20上的情况下，也可如图2(D)所示，在第2处理用面2上，将第1导入部d1的开口部配置于在第2圆环20的周方向与第2导入部d2的开口部不同的位置来实施。 

在上述图3(A)所示装置中，在第2圆环20的处理用面2上，2个导入部的开口部被配置在周方向r0的不同位置，但是，也可实施为，如图3(B)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置3个导入部的开口部，或如图3(C)所示，在圆环的周方向r0的不同位置配置4个导入部的开口部。予以说明的是，在图3(B)(C)中，m4表示第 4导入部的开口部，在图3(C)中，m5表示第5导入部的开口部。并且，虽未图示，也可实施为，在圆环的周方向r0的不同位置配置5个以上的导入部的开口部。 

在上述所示装置中，第2导入部至第5导入部分别可导入不同的被处理流动体，即第2、第3、第4、第5被处理流动体。另一方面，可实施为，从第2～第5的开口部m2～m5，将全部同类的、即第2被处理流动体导入处理用面之间。虽未图示，在该情况下，可实施为，第2导入部至第5导入部在圆环内部连通，并连接到一个流体供给部，即第2流体供给部p2。 

另外，可以通过组合以下来实施，即，在圆环的周方向r0的不同位置设置多个导入部的开口部、和在圆环直径方向即直径的内外方向r1的不同位置设置多个导入部的开口部。 

例如，如图3(D)所示，在第2处理用面2上设有8个导入部的开口部m2～m9，其中的4个m2～m5设置在圆环的周方向r0的不同位置且在直径方向r1上的相同位置设置，其它4个m6～m9设置在圆环的周方向r0的不同位置且在直径方向r1上的相同位置。并且，该其它的开口部m6～m9在直径方向r上配置在上述4个开口部m2～m5的直径方向的外侧。并且，该外侧的开口部虽可分别设置于在圆环的周方向r0上与内侧的开口部相同的位置，但是，考虑圆环的旋转，也可实施为，如图3(D)所示，设置在圆环的周方向r0的不同位置。另外，在该情况下，开口部可为图3(D)所示的配置、数量。 

例如，如图3(E)所示，也可将径方向外侧的开口部配置在多边形的顶点位置，即该情况下的四边形的顶点位置，将直径方向内侧的开口部配置在该多边形的边上。当然，也可采用其它的配置。 

另外，在第1开口部m1以外的开口部都将第2被处理流动体导入处理用面间的情况下，可以实施为，各导入第2被处理流动体的该开口部不是在处理用面的周方向r0上散布，而是如图3(F)所示，在周方向r0上形成连续的开口部。 

予以说明的是，根据处理的对象，如图4(A)所示，可实施为， 在图1(A)所示装置中，将设置在第2圆环20上的第2导入部d2与第1导入部d1同样地设置在第2托架21的中央部分22。在该情况下，相对于位于第2圆环20的中心的第1导入部d1的开口部，第2导入部d2的开口部位于其外侧，并隔开间隔。并且，如图4(B)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，将第3导入部d3设置于第2圆环20。如图4(C)所示，可实施为，在图4(A)所示装置中，第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间不设置间隔，将第1及第2被处理流动体导入第2圆环20内侧的空间后，立刻两流动体合流。另外，根据处理的对象，可实施为，如图4(D)所示，在图4(A)所示装置中，和第2导入部d2相同，第3导入部d3也设置在第2托架21上。虽未图示，但是，也可实施为，在第2托架21上设置4个以上的导入部。 

并且，根据处理的对象，如图5(A)所示，可实施为，在图4(D)所示的装置中，在第2圆环20上设置第4导入部d4，将第4被处理流动体导入两处理用面1、2之间。 

如图5(B)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，将第2导入部d2设置于第1圆环10，在第1处理用面1上具有第2导入部d2的开口部。 

如图5(C)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，第1圆环10上设有第3导入部d3，在第1处理用面1上，第3导入部d3的开口部配置在与第2导入部d2的开口部在第1圆环10的周方向上不同的位置。 

如图5(D)所示，可实施为，在图5(B)所示装置中，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第2圆环20上设置第1导入部d1，在第2处理用面2上配置第1导入部d1的开口部。在该情况下，第1及第2导入部d1、d2的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。 

另外，如图6(A)所示，也可实施为，在图1(A)所示装置中，第3导入部d3设置于第1圆环10，第3导入部d3的开口部设置在第 1处理用面1上。在该情况下，第2及第3导入部d2、d3的两开口部在圆环直径的内外方向上配置在相同位置。但是，也可以将上述两开口部在圆环的直径的内外方向上配置于不同的位置。 

图5(C)所示装置中，虽然将第2及第3导入部d2、d3的两开口部在第1圆环10的直径的内外方向上设置在相同的位置，同时在第1圆环10的周方向即旋转方向上设置在不同的位置，但是，也可实施为，在该装置中，如图6(B)所示，将第2及第3导入部d2、d3的两开口部在第1圆环10的周方向上设置在相同的位置、同时在第1圆环10的直径的内外方向上设置在不同的位置。在该情况下，可实施为，如图6(B)所示，在第2及第3导入部d2、d3的两开口部之间，在第1圆环10的直径的内外方向上隔开间隔，另外，虽未图示，也可实施为，不隔开该间隔，立刻使第2被处理流动体与第3被处理流动体合流。 

另外，可实施为，如图6(C)所示，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，而是与第2导入部d2一起，将第1导入部d1设置在第1圆环10上。在该情况下，在第1处理用面1中，第1导入部d1的开口部设置在第2导入部d2的开口部的上游侧(第1圆环10的直径的内外方向的内侧)。在第1导入部d1的开口部与第2导入部d2的开口部之间，在第1圆环10的直径的内外方向上隔开间隔。但是，虽未图示，也可不隔开该间隔地实施。 

另外，可实施为，如图6(D)所示，在图6(C)所示装置的第1处理用面1中，在第1圆环10的周方向的不同位置，分别配置第1导入部d1及第2导入部d2的开口部。 

另外，虽未图示，在图6(C)(D)所示的实施方式中，可实施为，在第1圆环10上设置3个以上的导入部，在第2处理用面2上的周方向的不同位置，或者，在圆环直径的内外方向的不同位置，配置各开口部。例如，也可在第1处理用面1中采用第2处理用面2中所采用的图3(B)～图3(F)所示开口部的配置。 

如图7(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，取代在第 2圆环20上设置第2导入部d2，在第1托架11上设置第2导入部。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴的中心配置第2导入部d2的开口部。 

如图7(B)所示，在图7(A)所示的实施方式中，可将第3导入部d3设置于第2圆环20，将第3导入部d3的开口部配置在第2处理用面2上。 

另外，如图7(C)所示，可实施为，取代在第2托架21上设置第1导入部d1，在第1托架11上设置第1导入部d1。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，优选在第1圆环10的旋转的中心轴上配置第1导入部d1的开口部。另外，在该情况下，如图所示，可将第2导入部d2设置于第1圆环10，将其开口部配置在第1处理用面1上。另外，虽未图示，在该情况下，可将第2导入部d2设置于第2圆环20，在第2处理用面2上配置其开口部。 

并且，如图7(D)所示，可实施为，将图7(C)所示的第2导入部d2与第1导入部d1一起设置在第1托架11上。在该情况下，在被第1托架11上面的第1圆环10所包围的部位中，配置第2导入部d2的开口部。另外，在该情况下，在图7(C)中，也可把第2圆环20上设置的第2导入部d2作为第3导入部d3。 

在上述图1～图7所示的各实施方式中，第1托架11及第1圆环10相对于第2托架21及第2圆环20旋转。此外，如图8(A)所示，可实施为，在图1(A)所示装置中，在第2托架21上设置受到来自旋转驱动部的旋转力而旋转的旋转轴51，使第2托架21在与第1托架11相反的方向上旋转。对于旋转轴51的旋转驱动部，也可以与使第1托架11的旋转轴50旋转的装置分开设置，或者作为如下实施，即，通过齿轮等动力传递手段，从使第1托架11的旋转轴50旋转的驱动部受到动力。在该情况下，第2托架21与上述壳体分体地形成，并与第1托架11同样地可旋转地收容在该壳体内。 

并且，如图8(B)所示，可实施为，在图8(A)所示装置中，与 图7(B)的装置同样，在第1托架11上设置第2导入部d2，以取代在第2圆环20上设置第2导入部d2。 

另外，虽未图示，也可实施为，图8(B)所示装置中，在第2托架21上设置第2导入部d2，以取代在第1托架11上设置第2导入部d2。在该情况下，第2导入部d2与图4(A)的装置相同。如图8(C)所示，也可实施为，在图8(B)所示装置中，在第2圆环20上设置第3导入部d3，将该导入部d3的开口部设置在第2处理用面2上。 

并且，如图8(D)所示，也可实施为，不使第1托架11旋转，仅旋转第2托架21。虽未图示，也可实施为，在图1(B)～图7所示的装置中，第2托架21与第1托架11都旋转，或仅第2托架21单独旋转。 

如图9(A)所示，第2处理用部20为圆环，第1处理用部10不是圆环，而是与其它的实施方式的第1托架11同样的、直接具有旋转轴50作为进行旋转的构件。在该情况下，将第1处理用部10的上表面作为第1处理用面1，该处理用面不是环状，即不具备中空部分，形成一样的平坦面。并且，在图9(A)所示装置中，与图1(A)的装置同样，第2圆环20上设有第2导入部d2，其开口部配置在第2处理用面2上。 

如图9(B)所示，可实施为，在图9(A)所示装置中，第2托架21与壳体3独立，在壳体3与该第2托架21之间，设置接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4是使第2托架21向设有第2圆环20的第1处理用部10接近·分离的弹性体等。在该情况下，如图9(C)所示，第2处理用部20不形成圆环，作为相当于上述第2托架21的构件，可将该构件的下表面作为第2处理用面2来形成。并且，如图10(A)所示，可实施为，在图9(C)所示装置中，第1处理用部10也不形成圆环，与图9(A)(B)所示装置一样，在其它的实施方式中，将相当于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上表面作为第1处理用面1。 

在上述各实施方式中，至少第1被处理流动体是从第1处理用部 10与第2处理用部20即第1圆环10与第2圆环20的中心部供给的，通过利用其它的被处理流动体所进行的处理，即混合(反应)后，被排出至其直径的内外方向的外侧。 

此外，如图10(B)所示，也可实施为，从第1圆环10及第2圆环20的外侧朝向内侧供给第1被处理流动体。在该情况下，如图所示，以壳体3密闭第1托架11及第2托架21的外侧，将第1导入部d1直接设置于该壳体3，在壳体的内侧，该导入部的开口部配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位。并且，图1(A)的装置中，在设有第1导入部d1的位置，即成为第1托架11中的圆环1的中心的位置，设有排出部36。另外，夹着托架的旋转的中心轴，在壳体的该开口部的相反侧配置第2导入部d2的开口部。但是，第2导入部d2的开口部与第1导入部d1的开口部相同，只要是在壳体的内侧并且配置在与两圆环10、20的对接位置相对应的部位即可，而不限定为上述那样的形成在第1导入部d1的开口部的相反侧。 

在该情况下，两圆环10、20的直径的外侧成为上游，两圆环10、20的内侧成为下游侧。 

这样，在从外侧向内侧进行被处理流动体的移动的情况下，如图16(E)所示，可在第1处理用部10的第1处理用面1中，从第1处理用部10的外侧向中心侧延伸的沟槽状凹部13...13来实施。通过形成这样的凹部13...13，对于上述的平衡K，优选形成100％以上的不平衡型。其结果，在旋转时，在上述的沟槽状的凹部13...13中产生动压，两处理用面1、2可可靠地非接触地进行旋转，由接触产生的磨耗等的危险消失，在如图16(E)所示的实施方式中，由处理流体的压力产生的分离力，在凹部13的内端13a处产生。 

如图10(C)所示，可实施为，在图10(B)所示装置中，将设置于壳体3的侧部的第2导入部d2，改变该位置，设置于第1圆环10上，将其开口部配置在第1处理用面1上。在该情况下，如图10(D)所示，可实施为，第1处理用部10不作为圆环形成，与图9(A)、图9(B)、图10(A)所示装置相同，在其它的实施方式中，将相当 于第1托架11的部位作为第1处理用部10，将其上表面作为第1处理用面1，并且，将第2导入部d2设置于该第1处理用部10内，将其开口部设置在第1处理用面1上。 

如图11(A)所示，可实施为，在图10(D)所示的装置中，第2处理用部20不作为圆环形成，在其它的实施方式中，将相当于第2托架21的构件作为第2处理用部20，将其下表面作为第2处理用面2。而且，可以实施为，将第2处理用部20作为与壳体3独立的构件，在壳体3与第2处理用部20之间，与图9(B)(C)、图10(A)所示装置相同，设有接触表面压力赋予机构4。 

另外，如图11(B)所示，也可实施为，将图11(A)所示装置的第2导入部d2作为第3导入部d3，另外设置第2导入部d2。在该情况下，在第2处理用面2中，将第2导入部d2的开口部相比第3导入部d3的开口部配置在下游侧。 

上述图4所示的各装置、图5(A)、图7(A)(B)(D)、图8(B)(C)所示装置是其它被处理流动体在到达处理用面1、2之间之前与第1被处理流动体合流的装置，不适合结晶、析出的反应快速的物质。但是，对于反应速度慢的物质则可采用这样的装置。 

关于适合本申请所涉及的方法发明的实施的流体处理装置，归纳如下。 

如上所述，该流体处理装置具有：流体压力赋予机构，该流体压力赋予机构对被处理流动体赋予规定压力；第1处理用部10和第2处理用部20的至少2个处理用部，该第1处理用部10设置在该规定压力的被处理流动体流过的被密封了的流体流路中，该第2处理用部20相对于第1处理部10能够相对地接近分离；该第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面，第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面在上述处理用部10、20中相互对向的设置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对地旋转；在两处理用面1、2之间，进行至少2种被处理流动体的混合的处理(在伴有反应的情况下也进行反应的处理)。在第1 处理用部10和第2处理用部20中的至少第2处理用部20具有受压面，并且该受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予机构赋予被处理流动体的至少一方的压力，产生在第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上使其移动的力。而且，在该装置中，在可接近分离且相对地旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，通入受到上述的压力的被处理流动体，由此，各被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2间，从而，在该被处理流动体间产生所希望的混合状态(反应)。 

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备缓冲机构的装置，该缓冲机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的至少一方的微振动、定位。 

另外，在该流体处理装置中，优选采用具备位移调整机构，该位移调整机构调整第1处理用面1及第2处理用面2的一方或双方的、由磨耗等导致的轴方向的位移，可维持两处理用面1、2间的薄膜流体的厚度。 

并且，在该流体处理装置中，作为上述的流体压力赋予机构，可采用对被处理流动体施加一定的送入压力的压缩机等的加压装置。 

予以说明的是，这是因为上述的加压装置采用进行送入压力的增减的调整的装置。该加压装置需要能将设定的压力保持一定，但作为调整处理用面间的间隔的参数，也有必要能进行调整。 

另外，在该流体处理装置中，可以采用具有分离抑制部的结构，该分离抑制部规定上述的第1处理用面1与第2处理用面2之间的最大间隔，抑制最大间隔以上的两处理用面1、2的分离。 

而且另外，在该流体处理装置中，可以采用具有接近抑制部的结构，该接近抑制部规定上述第1处理用面1与第2处理用面2之间的最小间隔，抑制最小间隔以下的两处理用面1、2的接近。 

并且，在该流体处理装置中，可以采用以下结构，即，第1处理用面1与第2处理用面2双方朝着相互想法反的方向旋转。 

另外，在该流体处理装置中，可以采用具有温度调整用的封套的 结构，该温度调整用的封套调整上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的温度。 

另外进一步，在该流体处理装置中，优选采用以下结构，即，上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方的至少一部分进行了镜面加工。 

在该流体处理装置中，可以采用以下结构，即，上述第1处理用面1与第2处理用面2的一方或双方具有凹部。 

并且，在该流体处理装置中，优选采用以下结构，即，作为向一方的被处理流动体中混合(反应)的另一方的被处理流动体的供给手段，具有独立于一方的被处理流动体的通道的另外的导入路，在上述第1处理用面1与第2处理用面2的至少任意一方上，具有与上述另外的导入路相通的开口部，可以将从该另外的导入路输送的另一方的被处理流动体导入上述一方的被处理流动体。 

另外，作为实施本申请发明的流体处理装置，可采用如下：具有流体压力赋予机构，该流体压力赋予机构对被处理流动体附加规定压力；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个可相对地接近分离的处理用面，该第1处理用面1及第2处理用面2与该规定压力的被处理流动体流过的被密封了的流体流路连接；接触表面压力赋予机构，该接触表面压力赋予机构对两处理用面1、2间赋予接触表面压力；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用面1及第2处理用面2相对旋转；由此，在两处理用面1、2间，进行至少2种的被处理流动体的混合(反应)处理，在被赋予接触表面压力的同时相对进行旋转的第1处理用面1及第2处理用面2之间，通入从流体压力赋予机构赋予了压力的至少1种被处理流动体，并且，通过通入另一种被处理流动体，从流体压力赋予机构被赋予了压力的上述1种被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体，一边通过两处理用面1、2间，此时，该另一种被处理流动体被混合，在被处理流动体间，发生所希望的混合状态(反应)。 

该接触表面压力赋予机构可以构成上述装置中的调整微振动、定 位的缓冲机构或位移调整机构来实施。 

进而，作为实施本申请发明的流体处理装置，可以采用以下装置，即，该装置具有：第1导入部，该第1导入部将被混合(反应)的2种被处理流动体中的至少一方的被处理流动体导入该装置；流体压力赋予机构p，该流体压力赋予机构p连接于第1导入部并向该一方的被处理流动体赋予压力；第2导入部，该第2导入部将被混合(反应)的2种被处理流动体中的至少其它一方的被处理流动体导入该装置；至少2个处理用部，该至少2个处理用部为设置于该一方的被处理流动体流过的被密封了的流体流路的第1处理用部10和相对于第1处理用部10可相对接近·分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面，该第1处理用面1及第2处理用面2在这些处理用部10、20中设置在相互对向的位置；托架21，该托架21以第2处理用面2露出的方式收容第2处理用部20；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对地进行旋转；接触表面压力赋予机构4，该接触表面压力赋予机构4推压第2处理用部20，使第2处理用面2相对于第1处理用面1处于压接或接近的状态；在两处理用面1、2间，进行被处理流动体间的混合(反应)处理，上述托架21是不可动体，以使得在具有上述第1导入部的开口部的同时，对处理用面1、2间的间隔给予影响，第1处理用部10与第2导入部20的至少一方具有上述第2导入部的开口部，第2处理用部20为环状体，第2处理用面2相对于托架21滑动，与第1处理用面1接近分离，第2处理用部20具有受压面，受压面受到流体压力赋予机构p赋予被处理流动体的压力的作用，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离的方向上产生使其移动的力，上述受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，在可接近·分离且相对旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，被赋予了压力的一方的被处理流动体通入，同时，通过将另外一方的被处理流动体供给到两处理用面1、2间，两被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2间，将通过中的被处理流动体混合，由此促进被处理流动体间 的所希望的混合(反应)，通过接触表面压力赋予机构4的接触表面压力与流体压力赋予机构p所赋予的流体压力的使两处理用面1、2之间分离的力的均衡，在两处理用面1、2间保持产生上述规定厚度的薄膜流体的微小间隔。 

该流体处理装置也可实施为，第2导入部也与连接于第1导入部一样地连接于另外的流体压力赋予机构，从而被加压。并且，也可实施为，从第2导入部导入的被处理流动体不是被另外的流体压力赋予机构加压，而是被第2导入部中产生的负压吸引并供给到两处理用面1、2之间，上述负压是由第1导入部所导入的被处理流动体的流体压力所产生的。并且，也可实施为，该另一方的被处理流动体在第2导入部内通过其自重移动，即从上方流向下方，从而被供给至处理用面1、2之间。 

如上所述，不仅限于将第1导入部的开口部设置在第2托架上，也可将第1导入部的该开口部设置在第1托架上，上述第1导入部的开口部成为一方的被处理流动体的向装置内的供给口。另外，也可实施为，将第1导入部的该开口部形成在两处理用面的至少一方。但是，在以下情况下，即，根据反应，有必要从第1导入部供给必须先导入处理用面1、2之间的被处理流动体的情况下，形成另一方的被处理流动体的装置内的供给口的第2导入部的开口部无论位于哪一个处理用面，相比上述第1导入部的开口部都必须配置在下游侧的位置。 

并且，作为用于实施本申请发明的流体处理装置，可采用以下的装置。 

该流体处理装置具有：多个的导入部，该多个的导入部分别导入混合(反应)的2种以上的被处理流动体；流体压力赋予机构p，该流体压力赋予机构对该2种以上的被处理流动体的至少一种赋予压力；至少2个处理用部，该至少2个处理用部是设置在该被处理流动体流动的被密封了的流体流路中的第1处理用部10与可相对于第1处理用部10相对地接近·分离的第2处理用部20；第1处理用面1及第2处理用面2的至少2个处理用面1、2，该第1处理用面1及第 2处理用面2设置在这些处理用部10、20中相互对向的位置；旋转驱动机构，该旋转驱动机构使第1处理用部10与第2处理用部20相对旋转；在两处理用面1、2间，进行被处理流动体间的混合(反应)处理，在第1处理用部10与第2处理用部20中，至少第2处理用部20具有受压面，并且，该受压面的至少一部分由第2处理用面2构成，受压面受到流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力，在使第2处理用面2从第1处理用面1分离方向上产生使其移动的力，并且，第2处理用部20具有朝向与第2处理用面2相反侧的接近用调整面24，接近用调整面24受到施加在被处理流动体上的规定压力，在使第2处理用面2向第1处理用面1接近的方向上产生使其移动的力，通过上述接近用调整面24的接近分离方向的投影面积与上述受压面的接近分离方向的投影面积的面积比，决定第2处理用面2相对于第1处理用面1向分离方向移动的力，该力作为从被处理流动体所受到的全压力的合力，被赋予了压力的被处理流动体通入可接近分离且相对进行旋转的第1处理用面1与第2处理用面2之间，在该被处理流动体中被混合(反应)的其它的被处理流动体在两处理用面间被混合，被混合的被处理流动体一边形成规定厚度的薄膜流体一边通过两处理用面1、2间，在处理用面间的通过中得到所希望的产物。 

另外，对本申请发明的处理方法归纳如下。该流体处理方法为赋予第1被处理流动体规定压力，将第1处理用面1及第2处理用面2至少的2个可相对接近·分离的处理用面连接于受到该规定压力的被处理流动体所流过的被密封了的流体流路，赋予使两处理用面1、2接近的接触表面压力，使第1处理用面1与第2处理用面2相对地旋转、且将被处理流动体导入该处理用面1、2间，通过除了上述外的流路，将与该被处理流动体混合(反应)的第2被处理流动体导入上述处理用面1、2间，使两被处理流动体混合(反应)，至少将赋予第1被处理流动体的上述规定压力作为使两处理用面1、2分离的分离力，使该分离力与上述接触表面压力介由处理用面1、2间的被处理流动体而均衡，由此在两处理用面1、2间维持规定的微小间隔，被处理流动体成为规定厚度的薄膜流体通过两处理用面1、2间，在该通过中均匀地进行两被处理流动体的混合(反应)，在伴有析出反应的情况下，可结晶、析出所希望的反应产物。

以下，对本申请发明的其它实施方式进行说明。图25是在可接近·分离的至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间对被处理物进行处理的流体处理装置的简略化剖面图。图26的(A)为图25所示装置的第1处理用面的简略化俯视图，(B)为图25所示装置的处理用面的主要部分的放大图。图27的(A)为第2导入部的剖面图，(B)是用于说明第2导入部的处理用面的主要部分的放大图。 

在图25中，U表示上方，S表示下方。图26(A)、图27(B)中，R表示旋转方向。在图27(B)中，C表示离心力的方向(半径方向)。 

该装置使用至少2种流体，其中至少1种流体含有至少1种被处理物，在可接近·分离的相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间，使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中对上述的被处理物进行处理反应。予以说明的是，上述的“处理”，不限予被处理物反应的形式，也包括不伴有反应而仅仅进行混合·分散的形式。 

如图25所示，该装置具有：第1托架11、在第1托架11上方配置的第2托架21、流体压力赋予机构P、及接触表面压力赋予机构。接触表面压力赋予机构由弹簧43及空气导入部44构成。 

在第1托架11上设有第1处理用部10及旋转轴50。第1处理用部10是称为配合环的环状体，具有被镜面加工了的第1处理用面1。旋转轴50以螺栓等的固定件81固定在第1托架11的中心，其后端与电动机等的旋转驱动装置82(旋转驱动机构)连接，将旋转驱动装置82的驱动力传递给第1托架11而使该第1托架11旋转。第1处理用部10与上述第1托架11成为一体而进行旋转。 

在第1托架11的上部，设有可收容第1处理用部10的收容部，通过嵌入该收容部内，第1处理用部10安装在第1托架11上。并且，第1处理用部10通过止转销83固定，以使得不相对于第1托架11 旋转。但是，也可以取代止转销83，以热压配合等方法固定以使得不旋转。 

上述第1处理用面1从第1托架11露出，朝向第2托架21。第1处理用面的材质采用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质。 

在第2托架21上设有：第2处理用部20；从处理用部内侧导入流体的第1导入部d1；作为上述的接触表面压力赋予机构的弹簧43；和空气导入部44。 

第2处理用部20是称为压缩环的环状体，具有被镜面加工了的第2处理用面2以及受压面23(以下称其为分离用调整面23)，该受压面23位于第2处理用面2的内侧并与该第2处理用面2邻接。如图所示，该分离用调整面23为倾斜面。对第2处理用面2所施加的镜面加工采用与上述的第1处理用面1相同的方法。另外，第2处理用部20的原材料采用与第1处理用部10相同的原材料。分离用调整面23与环状的第2处理用部20的内周面25邻接。 

在第2托架21的底部(下部)，形成圆环收容部41，O形圆环与第2处理用部20一起被收容在该圆环收容部41内。并且，通过止转销84，第2处理用部20相对于第2托架21不旋转地被收容。上述第2处理用面2从第2托架21露出。在该状态下，第2处理用面2与第1处理用部10的第1处理用面1面对。 

该第2托架21所具有的圆环收容部41是收容第2圆环20的、主要是处理用面2侧的相反侧的部位的凹部，在俯视时，为形成环状的沟槽。 

圆环收容部41以大于第2圆环20的尺寸的方式形成，在其与第2圆环20之间具有充分的间隔，收容第2圆环20。 

通过该间隔，该第2处理用部20以能够在收容部41的轴向以及在与该轴向交叉的方向位移的方式收容在该圆环收容部41内。并且，该第2处理用部20以能够以如下方式位移的方式被收容，即，相对于圆环收容部41，使第2处理用部20的中心线(轴方向)与上述圆环 收容部41的轴方向不平行。 

至少在第2托架21的圆环收容部41中设有作为处理用部弹压部的弹簧43。弹簧43将第2处理用部20向第1处理用部10弹压。并且，作为其它的弹压方法，也可使用空气导入部44等供给空气压力或其它流体压力的加压手段，将第2托架21保持的第2处理用部20朝着接近第1处理用部10的方向弹压。 

弹簧43及空气导入部44等接触表面压力赋予机构将第2处理用部20的周方向的各位置(处理用面的各位置)均等地向第1处理用部10弹压。 

在该第2托架21的中央设有上述第1导入部d1，从第1导入部d1朝着处理用部外周侧被压送的流体首先被导入以下空间内，即，该第2托架21保持的第2处理用部20、第1处理用部10及保持该第1处理用部10的第1托架11所围的空间内。并且，在使第2处理用部20克服弹压部的弹压而从第1处理用部10分离的方向上，在第2处理用部20中设置的受压面23上，受到来自流体压力赋予机构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。 

予以说明的是，在其它位置，为简略说明，虽仅对受压面23加以说明，但是，正确而言，如图29(A)(B)所示，与上述受压面23一起，在与后述沟槽状的凹部13的第2处理用部20相对应的轴方向投影面中，将未设有上述受压面23的部分23X也作为受压面，受到流体压力赋予机构P所产生的上述流体的输送压力(供给压力)。 

也可实施为，不设置上述受压面23。在该情况下，如图26(A)所示，也可使用通过第1处理用面1旋转而得到的被处理流动体向处理用面间的导入效果(微泵效果)，上述第1处理用面1具有接触表面压力赋予机构发挥功能而形成的沟槽状的凹部13。这里的微泵效果是指，通过第1处理用面1的旋转，凹部内的流体具有速度地向凹部13的外周方向前端前进，接着送入凹部13的前端的流体进一步受到来自凹部13的内周方向的压力，最终形成向使处理用面分离的方向的压力，同时具有将流体导入处理用面间的效果。并且，即使在不进行旋 转的情况下，设置于第1处理用面1的凹部13内的流体所受压力最终作用在第2处理用面2上，该第2处理用面2作为作用于分离侧的受压面。 

对于设置于处理用面的凹部13，可对应于含有被处理物及产物的流体的物性来实施其深度、相对于处理用面在水平方向的总面积、条数、及形状。 

予以说明的是，可实施为，将上述受压面23与上述凹部13一同设置在一个装置内。 

该凹部13，对于深度，是1μm～50μm，更优选3μm至20μm，并且为设置在上述处理用面上的凹部，相对于处理用面在水平方向的总面积占处理用面整体的5％～50％，优选15％～25％，并且为设置在上述处理用面上的凹部，其条数为3～50条，优选8～24条，形状为在处理用面上的弯曲或螺旋状延伸的形状，或者为呈L字形弯折的形状。并且深度具有梯度，从高粘度区域到低粘度区域，即使在利用微泵效果导入的流体含有固体的情况下，也可将流体稳定地导入处理用面间。并且，设置在处理用面上的凹部13在导入侧即处理用面内侧各凹部之间可以彼此连接，也可以断开。 

如上所述，受压面23为倾斜面。该倾斜面(受压面23)以如下方式形成，即，以被处理流动体的流动方向为基准的上游侧端部的、与设有凹部13的处理用部的处理用面相对的轴方向上的距离，比下游侧端部的同距离大。而且，优选该倾斜面的以被处理流动体的流动方向为基准的下游侧端部设置在上述凹部13的轴方向投影面上。 

具体而言如图28(A)所示，上述倾斜面(受压面23)的下游侧端部60设置为使得在上述凹部13的轴方向投影面上。上述倾斜面的相对于第2处理用面2的角度θ1优选在0.1°至85°的范围，更优选在10°至55°的范围，进一步优选在15°至45°的范围。该角度θ1可根据被处理物的处理前的性状进行适当变更。另外，上述倾斜面的下游侧端部60设置在以下区域，即，从与第1处理用面1上设置的凹部13的上游侧端部13-b向下游侧离开0.01mm的位置开始，到与 下游侧端部13-c向上游侧离开0.5mm的位置为止的区域内。更优选的是，设置在以下区域内，即，从与上游侧端部13-b向下游侧离开0.05mm的位置开始，到与下游侧端部13-c向上游侧离开1.0mm的位置为止的区域内。与上述倾斜面的角度相同，对于该下游侧端部60的位置，也可根据被处理物的性状进行适当变更。另外，也可如图28(B)所示将倾斜面(受压面23)作为弧形面来实施。由此，可进一步均匀地进行被处理物的导入。 

凹部13除如上述那样连接之外，也可实施为间断的形式。在间断的情况下，间断的凹部13的、第1处理用面1的最内周侧上的上游侧端部成为上述13-b；同样第1处理用面1的最外周侧上的上游侧端部形成成为13-c。 

另外，虽然在上述中将凹部13形成在第1处理用面1上、将受压面23形成在第2处理用面2上，但是，也可相反地实施为将凹部13形成在第2处理用面2上，将受压面23形成在第1处理用面1上。 

进一步，也可为：将凹部13形成在第1处理用面1与第2处理用面2两方、将凹部13与受压面23交替地设置在各处理用面1、2的周方向上，由此第1处理用面1上形成的凹部13与第2处理用面2上形成的受压面23对向、同时、第1处理用面1上形成的受压面23与第2处理用面2上形成的凹部13对向。 

在处理用面上，也可实施与凹部13不同的沟槽。作为具体的实例，如图16(F)、图16(G)所示，在较凹部13的径向外侧(图16(F))或径向内侧(图16(G))，可实施放射状延伸的新的凹部14。这在想延长在处理用面间的停留时间的情况下、处理高粘稠物的流体的情况下是有利的。 

予以说明的是，对于与凹部13不同的沟槽，并不对形状、面积、条数、深度作特别限定。可根据目的实施该沟槽。 

在上述的第2处理用部20中，独立于被导入上述处理用面的流体的流路，形成具有与处理用面间相通的开口部d20的第2导入部d2。 

具体而言，第2导入部d2，如图27(A)所示，从上述的第2处 理用面2的开口部d20的导入方向相对于第2处理用面2以规定的仰角(θ1)倾斜。该仰角(θ1)被设定为大于0度小于90度，并且在反应速度快的反应的情况下，优选设置为1度以上45度以下。 

另外，如图27(B)所示，从上述的第2处理用面2的开口部d20的导入方向在沿上述第2处理用面2的平面内具有方向性。对于该第2流体的导入方向，处理用面的半径方向的成分为从中心远离的外方向，并且，与旋转的处理用面间的流体的旋转方向相对的成分为正向。换言之，以通过开口部d20的半径方向即外方向的线段作为基准线g，从该基准线g向旋转方向R具有固定的角度(θ2)。 

对于该角度(θ2)，也设定为大于0度小于90度，向图27(B)的网线部分，从开口部d20被排出。并且在反应速度快的反应的情况下，该角度(θ2)也可为小的角度，在反应速度慢的反应的情况下，优选该角度(θ2)设定为大的角度。另外，该角度可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等的各种条件进行变更来实施。 

开口部d20的口径优选为0.2μm～3000μm，更优选为10μm～1000μm。另外实质上，在开口部d20的直径不影响流体的流动的情况下，第2导入部d2的直径设置在该范围内即可。另外，在要求直线传播性的情况下和要求扩散性的情况下，优选使开口部d20的形状等变化，这些可根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种条件进行变更来实施。 

并且，上述另外的流路中的开口部d20可设置在以下点的外径侧，即，从设置在第1处理用面1的凹部通过微泵效果导入时的流动方向变换为在处理用面间形成的螺旋状层流的流动方向的点。即，图26(B)中，优选从第1处理用面1上设置的凹部13的处理用面径向最外侧向径向外侧的距离n为0.5mm以上。并且在对相同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在同心圆上。另外，在对不同流体设置多个开口部的情况下，优选设置在半径不同的同心圆上。如以(1)A+B→C(2)C+D→E这样的反应以顺序进行，有效地避免A+B+C→F这样本来不应该同时反应的反应发生、被处理物无法有效的接触而不进行反应这样 的问题。 

另外可实施为，将上述处理用部浸入流体中，将在上述处理用面间混合(反应)而得到的流体直接投入到在处理用部的外部的液体、或空气以外的气体中。 

并且也可对刚刚从处理用面间或处理用面排出的被处理物附加超声波能。 

接着，为了在上述第1处理用面1与第2处理用面2之间，即处理用面间产生温度差，对于第1处理用部10及第2处理用部20的至少之一设置调温机构(温度调节机构)J1、J2的情况进行说明。 

虽然该调温机构没有特别的限定，但是，在以冷却为目的的情况下，将冷却部设置于处理用部10、20。具体而言，将作为调温用介质的冰水、各种冷介质所通过的配管或者珀尔帖元件等能够电或化学地进行冷却作用的冷却元件安装于处理用部10、20。 

在以加热为目的的情况下，在处理用部10、20上设有加热部。具体而言，将作为调温用介质的蒸汽、各种热介质所通过的配管、或电加热器等的能够电或化学地进行发热作用的发热元件安装于处理用部10、20。 

另外，也可在圆环收容部设置可与处理用部直接接触的新的调温用介质用的收容部。由此，可以利用处理用部的热传导进行处理用面的调温。并且，将冷却元件、发热元件埋入处理用部10、20中并通电，或埋入冷热介质通过用通道并使调温用介质(冷热介质)通过该通道，从而能够从内侧对处理用面进行调温。予以说明的是，图25所示的调温机构J1、J2为其一例，是设置在各处理用部10、20内部的调温用介质所通过的配管(封套)。 

利用上述调温机构J1、J2，使一方的处理用面的温度高于另一方的处理用面温度，在处理用面间产生温度差。例如，将第1处理用部10以上述任意的方法加温至60℃，将第2处理用部20以上述任意的方法加温至15℃。此时，导入处理用面间的流体的温度从第1处理用面1向第2处理用面2从60℃变化至15℃。即，该处理用面间的流体 中产生温度梯度。而且，处理用面间的流体由于该温度梯度开始对流，产生相对于处理用面垂直方向的流动。予以说明的是，上述的“垂直方向的流动”是指流动的方向成分中，至少含有垂直上述处理用面的成分。 

即使在第1处理用面1或第2处理用面2进行旋转的情况下，由于相对于该处理用面垂直方向的流动持续，因此，可对处理用面进行旋转所产生的处理用面间的螺旋状层流的流动附加垂直方向的流动。该处理用面间的温度差可实施为1℃～400℃，优选为5℃～100℃。 

予以说明的是，本装置中的旋转轴50并不限定为垂直地配置。例如也可为倾斜地配置。这是因为在处理中，通过在两处理用面1、2之间形成的流体的薄膜，实质上可排除重力的影响。如图25所示，第1导入部d1在第2托架21中与第2圆环20的轴心一致，并上下垂直地延伸。但是，第1导入部d1并不限于与第2圆环20的轴心一致，如果能向两圆环10、20所围空间供给第1被处理流动体，在第2托架21的中央部分22中，也可设置在上述轴心以外的位置，并且，也可为非垂直而是斜向延伸。无论在哪个配置角度的情况下，通过处理用面间的温度梯度，可产生相对于处理用面垂直的流动。 

上述处理用面间的流体的温度梯度中，如果其温度梯度小，则仅仅进行对流体热传导，但如果温度梯度超过某临界值，流体中产生所谓的贝纳德(ベナ一ル)对流现象。该现象，在处理用面间的距离为L、重力加速度为g、流体的体积热膨胀率为β、流体的运动粘度系数为ν、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT时，被以下式定义的无因次数的瑞利(レイリ一)数Ra所支配。 

Ra＝L³·g·β·ΔT/(α·ν) 

开始产生贝纳德对流的临界瑞利数根据处理用面与被处理物流体的分界面的性质而不同，但大约为1700。比其大时产生贝纳德对流。并且，当该瑞利数Ra满足大于10¹⁰附近的值的条件时，流体为紊流状态。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L、以使瑞利数Ra为1700以上的方式调节本装置，可在处理用面间产生相对于处理 用面垂直方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。 

但是，上述贝纳德对流在1～10μm左右的处理用面间的距离中难以产生。严密来说，上述瑞利数适用于10μm以下的间隔中的流体，当研究贝纳德对流的发生条件时，如果为水，则其温度差必须为数千℃以上，现实中很难实现。贝纳德对流是由流体的温度梯度的密度差所形成的对流，即与重力相关的对流。10μm以下的处理用面之间为微重力场的可能性高，在这样的情况，浮力对流被抑制。即，在该装置中现实地产生贝纳德对流的是在处理用面间的距离超过10μm的情况。 

当处理用面间的距离为1～10μm左右时，并非通过密度差产生对流，而是通过温度梯度所产生的流体的表面张力差来产生对流。这样的对流为马兰哥尼(マランゴニ)对流，在处理用面间的距离为L、流体的运动粘度系数为ν、流体的温度传导率为α、处理用面间的温度差为ΔT、流体的密度为ρ、表面张力的温度系数(表面张力的温度梯度)为σ时，被下式定义的无因次数的马兰哥尼数所支配。 

Ma＝σ·ΔT·L/(ρ·ν·α) 

开始产生马兰哥尼对流的临界马兰哥尼数为80左右，在大于该值的条件下产生马兰哥尼对流。即，通过调节该处理用面间的温度差ΔT或处理用面的距离L、调节本装置以使得马兰哥尼数Ma为80以上，即使10μm以下的微小流路也能够在处理用面间产生相对于处理用面垂直方向的流动，可实施上述混合(反应)操作。 

瑞利数的计算使用下式。 

【数式1】 

$\mathrm{Ra}=\frac{L^3\·\mathrm{\β}\·g}{v\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀) 

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离[m]，β：体积热膨胀率[1/K]，g：重力加速度[m/s²] 

ν：运动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)]，ΔT：处理用面间的温度差[K] 

ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K]，k：热传导率[W/m·K] 

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K] 

在将开始产生贝纳德对流时的瑞利数作为临界瑞利数Ra_c的情况下，此时的温度差ΔT_c1可以如下求得。 

【数式2】 

$\mathrm{\Δ}{T}_{C1}=\frac{{\mathrm{Ra}}_C\·v\·\mathrm{\α}}{L^3\·\mathrm{\β}\·g}$

马兰哥尼数的计算使用下式。 

【数式3】 

$\mathrm{Ma}=\frac{{\mathrm{\σ}}_t\·L}{\mathrm{\ρ}\·v\·\mathrm{\α}}\mathrm{\ΔT}$

ΔT＝(T₁-T₀) 

$\mathrm{\α}=\frac{k}{\mathrm{\ρ}\·C_p}$

L：处理用面间的距离[m]，ν：运动粘度系数[m²/s]，α：温度传导率[(m²/s)] 

ΔT：处理用面间的温度差[K]，ρ：密度[kg/m³]，Cp：定压比热[J/kg·K] 

k：热传导率[W/m·K]，σ_t：表面张力温度系数[N/m·K] 

T₁：处理用面中的高温侧的温度[K]，T₀：处理用面中的低温侧的温度[K] 

在将开始产生马兰哥尼对流的马兰哥尼数作为临界马兰哥尼数Ma_c的情况下，此时的温度差ΔT_c2可以如下方式求得。 

【数式4】 

$\mathrm{\Δ}{T}_{C2}=\frac{M{a}_C\·\mathrm{\ρ}\·v\·\mathrm{\α}}{{\mathrm{\σ}}_t\·L}$

可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2的材质，并不作特别的限制，可用对陶瓷、烧结金属、耐磨耗钢、其它金属实施了固化处理的材质、对硬质材料进行内衬、涂覆、实行了镀覆等的材质等来制造。本发明中的可接近·分离的相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间的距离为0.1μm～100μm，特别优选为1～10μm。 

以下，对于本发明的半导体微粒生成的反应更详细进行说明。 

该反应，在如图1(A)所示装置的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间一边强制地均匀混合一边发生。 

首先，从作为1个流路的第1导入部d1，将作为第1流体的含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子的第一流体，导入可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2间，在该处理用面间生成由第1流体构成的薄膜流体。 

然后，从作为其它流路的第2导入部d2，将作为第2流体的含有至少1种与上述第一流体中含有的离子不同种类的、具有作为半导体原料的元素的离子的第二流体，直接导入在上述处理用面1、2间生成的由第1流体构成的薄膜流体中。 

如上所述，在通过流体的供给压力和在进行旋转的处理用面之间施加的压力的压力平衡而将距离固定了的处理用面1、2之间，第1流体与第2流体合流而形成薄膜流体。在该薄膜流体中，第1流体和第2流体被混合，使上述2种离子发生反应。更具体而言，可通过共沉淀·析出来进行半导体微粒生成的反应。 

予以说明的是，由于能够在处理用面1、2之间进行上述反应即可， 因此，与上述相反，也可从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各流体中的所谓第1、第2的称谓，是表示多个存在的流体的第n个，只是为了识别的记号而已，也可以存在第3以上的流体。 

另外，也可仅仅在第1流体和第2流体的任意一个中含有具有作为半导体原料的元素的离子。而且，以可以在第1流体和第2流体的两方中含有相同的离子。 

得到的半导体微粒的粒径、单分散度，或结晶型的控制，可通过改变处理用面1、2的转速、处理用面1、2之间的距离、以及薄膜流体的流速、温度或者原料浓度等进行调节。 

另外作为上述第1流体，可使用在有机溶媒中添加了分散剂(下述例示)和含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子的水溶液而得到的第1逆胶束溶液，作为上述第2流体，也可使用含有至少1种与上述第1逆胶束溶液中所含有的离子不同的、具有作为半导体原料的元素的离子的第2逆胶束溶液。即，可使用逆胶束法制造半导体微粒。 

虽然用本发明得到的半导体微粒不作特别的限定。但优选的是，可举出第II-VI族化合物半导体、第III-V族化合物半导体、第IV族化合物半导体、第I-III-VI族化合物半导体中的任意一种的化合物半导体微粒，具体而言，ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdMnS、CdSe、CdMnSe、CdTe、CdMnTe、HgS、HgSe、HgTe、InP、InAs、InSb、InN、GaN、GaP、GaAs、GaSb、TiO₂、WO₃、PbS、PbSe、MgTe、SiC、SiGe、AlAs、AlP、AlSb、AlS、AlGaAS、InGaAs、InGaP、InAlAs、InGaAlP、InGaAsP、InGaN。 

而且本发明得到的半导体微粒，可举出碳、硅、锗、锡等的周期表第14族元素的单体，磷(黑磷)等的周期表第15族元素的单体，硒、碲等的周期表第16族元素的单体，碳化硅(SiC)等多个周期表第14族元素形成的化合物，氧化锡(IV)(SnO₂)，硫化锡(II，IV)(Sn(II)Sn(IV)S₃)，硫化锡(IV)(SnS₂)，硫化锡(II)(SnS)，硒化 锡(II)(SnSe)，碲化锡(II)(SnTe)，硫化铅(II)(PbS)，硒化铅(II)(PbSe)，碲化铅(II)(PbTe)等的周期表第14族元素与周期表第16族元素的化合物，氮化硼(BN)，磷化硼(BP)，砷化硼(BAs)，氮化铝(AlN)，磷化铝(AlP)，砷化铝(AlAs)，锑化铝(AlSb)，氮化镓(GaN)，磷化镓(GaP)，砷化镓(GaAs)，锑化镓(GaSb)，氮化铟(InN)，磷化铟(InP)，砷化铟(InAs)，锑化铟(InSb)等的周期表第13族元素与周期表第15族元素的化合物，硫化铝(Al₂S₃)，硒化铝(Al₂Se₃)，硫化镓(Ga₂S₃)，硒化镓(Ga₂Se₃)，碲化镓(Ga₂Te₃)，氧化铟(In₂O₃)，硫化铟(In₂S₃)，硒化铟(In₂Se₃)，碲化铟(In₂Te₃)等的周期表第13族元素与周期表第16族元素的化合物，氯化铊(I)(TlCl)，溴化铊(I)(TlBr)，碘化铊(I)(TlI)等的周期表第13族元素与周期表第17族元素的化合物，氧化锌(ZnO)，硫化锌(ZnS)，硒化锌(ZnSe)，碲化锌(ZnTe)，氧化镉(CdO)，硫化镉(CdS)，硒化镉(CdSe)，碲化镉(CdTe)，硫化汞(HgS)，硒化汞(HgSe)，碲化汞(HgTe)等的周期表第12族元素与周期表第16族元素的化合物，硫化砷(III)(As₂S₃)，硒化砷(III)(As₂Se₃)，碲化砷(III)(As₂Te₃)，硫化锑(III)(Sb₂S₃)，硒化锑(III)(Sb₂Se₃)，碲化锑(III)(Sb₂Te₃)，硫化铋(III)(Bi₂S₃)，硒化铋(III)(Bi₂Se₃)，碲化铋(III)(Bi₂Te₃)等的周期表第15族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化铜(I)(Cu₂O)等的周期表第11族元素与周期表第16族元素的化合物，氯化铜(I)(CuCl)，溴化铜(I)(CuBr)，碘化铜(I)(CuI)，氯化银(AgCl)，溴化银(AgBr)等的周期表第11族元素与周期表第17族元素的化合物，氧化镍(II)(NiO)等的周期表第10族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化钴(II)(CoO)，硫化钴(II)(CoS)等的周期表第9族元素与周期表第16族元素的化合物，四氧化三铁(Fe₃O₄)，硫化铁(II)(FeS)等的周期表第8族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化锰(II)(MnO)等的周期表第7族元素与周期表第16族元素的化合物，硫化钼(IV)(MoS₂)，氧化钨(IV)(WO₂)等的周期表第6族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化钒(II)(VO)，氧化钒(IV)(VO₂)，氧化钽(V)(Ta₂O₅)等的周期表第5族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化钛(TiO₂，Ti₂O₅，Ti₂O₃，Ti₅O₉等)等的周期表第4族元素与周期表第16族元素的化合物，硫化镁(MgS)，硒化镁(MgSe)等的周期表第2族元素与周期表第16族元素的化合物，氧化镉(II)铬(III)(CdCr₂O₄)，硒化镉(II)铬(III)(CdCr₂Se₄)，硫化铜(II)铬(III)(CuCr₂S₄)，硒化汞(II)铬(III)(HgCr₂Se₄)等的硫属尖晶石类，钛酸钡(BaTiO₃)等。

上述例示的元素单体或构成化合物的元素，即，为作为半导体原料的元素，在流体中作为含有该元素的离子存在。予以说明的是，在本发明中，作为该半导体原料的元素为下述ZnS微粒中的硫(S)源，如H₂S这样的气体一样，以离子以外的形态在流体中存在也被容许。 

本发明中，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理面间形成的薄膜流体中的半导体微粒的制造方法中，使用共沉淀法的情况下，例如在制造ZnS微粒的情况下，首先，使用水系溶媒中溶解了锌(Zn)的乙酸盐或硝酸盐等的水溶液作为第1流体，通过使用在第2流体中溶解了如硫化钠(Na₂S)这样的硫(S)源的水溶液或如硫化氢(H₂S)这样的气体的硫(S)源，可以合成ZnS微粒。此时，如果在上述水溶液中添加作为活化元素(活化元素)的锰(Mn)、铜(Cu)、银(Ag)、铽(Tb)、铥(Tm)、铕(Eu)、钐(Sm)、氟(F)、氯(Cl)、铝(Al)等，由于这些元素是在ZnS微粒上作为活化剂而添加，可使其具有分别固有的发光特性。另外作为上述水系溶媒，并不作特别限定，可以使用离子交换水、纯水等的精制水，而且为了调节共沉淀反应后的产物的溶解度，也可添加甲醇等的醇类等、水溶性有机溶媒来实施。 

另外，也可在上述的流体中添加分散剂。在上述情况中，该分散剂在ZnS微粒表面被配位。作为分散剂，不受特别限定，可使用如下物质来实施：六磷酸、八磷酸、四磷酸、三磷酸等的多磷酸类，乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸等的高分子有机酸，聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、六偏磷酸钠这样的高分子有机物，2-巯基乙醇、巯基乙酸、2-巯基乙胺，β-硫二甘醇、2，2′-硫代二乙酸等的硫醇类，或聚苯乙烯、或氧化膦类的各种水溶性有机物，或丁二酸二异辛酯磺酸钠(AOT)、其它、一般市售的分散剂及表面活性剂。 

而且，为了促进有机配体的配位，可将处理用面间加热(加温)、或对处理用面间照射紫外线(UV)。特别是，在第1处理用面1与第2处理用面2设置了温度差的情况下，由于可在薄膜流体中发生对流，因此具有由此可使反应促进的优点。 

另外同时，为了调整反应时的pH，可以添加pH调整剂。反应条件为碱性的情况下，作为pH调整剂，可使用氢氧化钠水溶液或氢氧化钾溶液，氢氧化钙水溶液，氢氧化钡水溶液，氨水等的强碱性或弱碱性的水溶液。 

反应条件为酸性的情况下，作为pH调整剂，可使用盐酸水溶液或硝酸溶液，乙酸水溶液或柠檬酸水溶液等的强酸性或弱酸性的水溶液。 

这样，可制造在水系溶媒中分散有平均一次粒径1～30nm、优选1～10nm、更优选2～7nm的ZnS微粒的水系分散液(悬浮液)。而且，在溶解了Zn的乙酸盐或硝酸盐等的水溶液中添加上述分散剂的情况下，可制造分散有在表面上分散剂被配位的ZnS微粒的水系分散液(悬浮液)，得到的半导体微粒的再分散性变得非常良好。 

如上所述，除第1导入部d1，第2导入部d2以外，也可在处理装置上设置第3导入部d3，该情况下，例如可从各导入部，将pH调整剂、具有作为半导体原料元素的离子的水溶液、分散剂分别导入处理装置中。这样，可各个管理各溶液的浓度、压力，能更精密地控制半导体微粒生成的反应。即使在设置了第4以上的导入部的情况下，同样也可以如此将向处理装置导入的流体细分化。 

在这里，如果用镉(Cd)等的盐代替Zn盐，可制造分散有由硫化镉(CdS)等硫化物形成的半导体微粒的水系分散液(悬浮液)。另外，通过添加如硒化钠(Na₂Se)这样的硒(Se)源，代替如硫化钠(Na₂S)这样的硫(S)源，制造分散有由硒化锌(ZnSe)、硒化镉(CdSe)等硒化物形成的半导体微粒的水系分散液(悬浮液)。 

而且，可通过添加如氢氧化钠(NaOH)这样的氧(O)源，代替如硫化钠(Na₂S)这样的硫(S)源，可制造分散有由氧化锌(ZnO)，氧化镉(CdO)等氧化物形成的半导体微粒的水系分散液(悬浮液)。 

另外，在本发明中，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中的半导体微粒的制造方法中，使用逆胶束法的情况下，也与上述共沉淀法的情况下大致相同。例如，在制造ZnS微粒的情况下，作为第1流体在适当的有机溶媒，例如，庚烷中加入水及适当的分散剂、例如双(2-亚乙基己基)磺基丁二酸钠((以下、AOT))，制造逆胶束溶液。在该逆胶束溶液中加入乙酸锌水溶液，制造含有锌的逆胶束溶液。其次，通过使用含有如硫化钠(Na₂S)这样的硫(S)源的逆胶束溶液作为第2流体，得到含有ZnS微粒的悬浮液。此时，如果在上述逆胶束溶液中添加作为活化元素的锰(Mn)、铜(Cu)、银(Ag)、铽(Tb)、铥(Tm)、铕(Eu)、钐(Sm)、氟(F)、氯(Cl)、铝(Al)等，由于这些元素是作为对ZnS微粒的活化剂而添加，可使其具有分别固有的发光特性。 

以下，对本发明中利用还原反应的进行说明。 

该反应，与上述同样，在图1(A)所示装置的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方旋转的处理用面1、2之间，强制地一边均匀混合一边发生。 

首先，从作为1个流路的第1导入部d1，将作为第1流体的含有至少一种还原剂的第一流体，导入可接近·分离地相互对向配置的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间，在该处理用面间生成由第1流体构成的薄膜流体。 

然后，从作为其它流路的第2导入部d2，将作为第2流体的含有至少一种含半导体元素的化合物的流体的第二流体，直接导入在上述处理用面1、2间生成的由第1流体构成的薄膜流体中。 

如上所述，在通过流体的供给压力和在进行旋转的处理用面之间施加的压力的压力平衡而将距离固定了的处理用面1、2之间可形成薄膜流体。而且，在该薄膜流体中，第1流体与第2流体合流、被混合，使含有上述半导体元素的化合物与还原剂发生反应。更具体而言，可进行将半导体元素还原而生成半导体微粒的反应。 

予以说明的是，由于能够在处理用面1、2之间进行上述反应即可，因此，与上述相反，也可从第1导入部d1导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各流体中的所谓第1、第2的称谓，是表示多个存在的流体的第n个，只是为了识别的记号而已，也可以存在第3以上的流体。 

另外，也可仅仅在第1流体和第2流体的任意一个中含有含半导体元素的化合物。以可以在第1流体和第2流体的两方中含有含相同的半导体元素的化合物。 

得到的半导体微粒的粒径、单分散度，或结晶型的控制，可通过改变处理用面1、2的转速或处理用面1、2之间的距离、以及薄膜流体的流速或温度，或者原料浓度、原料种类等进行调节。 

另外，作为上述第1流体，也可使用在有机溶媒中添加了分散剂(下述例示)和含有至少1种还原剂的水溶液(极性液体)而得到的第1逆胶束溶液。作为上述第2流体，也可使用在有机溶媒中添加了分散剂与含有至少1种含半导体元素的化合物的水溶液(极性液体)而得到的第2逆胶束溶液。即，也可使用逆胶束法制造半导体微粒。 

本发明中，作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面间形成的薄膜流体中的半导体微粒的制造方法的方式，例如，制造硅微粒的情况下，首先作为第1流体使用在水等的溶媒中溶解了硫酸肼等的还原剂溶液、在第2流体中溶解了如四氯化硅(SiCl₄)这样的硅化合物的溶液，可合成单元系的硅微粒。 

作为还原剂，并不对其作特别限定，除上述的硫酸肼以外，例如，可举出硼氢化钠，次亚磷酸钠，肼，过渡金属元素的离子(三价的钛离子，二价的钴离子等)，甲醇，乙醇，2-丙醇等的醇，或抗坏血酸等，除此之外，还可举出乙二醇，谷胱甘肽，有机酸类(柠檬酸，苹果酸，酒石酸等)，还原性糖类(葡萄糖，半乳糖，甘露糖，果糖，蔗糖，麦芽糖，棉子糖，水苏糖(等)，及糖醇类和山梨糖醇等。另外，作为还原剂也可使用胺，所涉及的胺例如可举出丙胺，丁胺，己胺，二乙基胺，二丙胺，二甲基乙基胺，二乙基甲基胺，三乙基胺，乙二胺， N，N，N′，N′-四甲基乙二胺，1，3-二氨基丙烷，N，N，N′，N′-四甲基-1，3-二氨基丙烷，三亚乙基四胺，四亚乙基戊胺等的脂肪族胺，哌啶，N-甲基哌啶，哌嗪，N，N′-二甲基哌嗪，吡咯烷，N-甲基吡咯烷，吗啉等的脂环式胺，苯胺，N-甲基苯胺，N，N-二甲基苯胺，甲苯胺、茴香胺，氨基苯乙醚等的芳香族胺，苄胺，N-甲基苄胺，N，N-二甲基苄胺，苯乙胺，苯二甲胺，N，N，N′，N′-四甲基苯二甲胺等的芳烷基胺类等。另外，作为上述胺，例如可举出甲基氨基乙醇，二甲基氨基乙醇，三乙醇胺，乙醇胺，二乙醇胺，甲基二乙醇胺，丙醇胺，2-(3-氨基丙基氨基)乙醇，丁醇胺，己醇胺，二甲基氨基丙醇等的烷醇胺。另外，也可使用碱金属·萘络合物，EI₂(E＝如钐，镱，铕这样的稀土元素)，而且，也可使用作为M⁺Z^-(Z＝从芳香族分子选出的吸电子分子，M＝碱金属)的金属络合物来实施。虽然不作具体的特别限定，但是，除碱金属·萘络合物之外，可举出碱金属·联苯络合物、碱金属·4，4′-二叔丁基联苯络合物等的、碱金属原子(锂，钠，钾等)和由芳香族分子形成的碱金属芳烃，二碘化钐(SmI₂)，二碘化镱(YbI₂)，二碘化铕(EuI₂)等的稀土类碘化物。除此之外，也可使用镁·蒽络合物。而且，也可将这些还原剂组合起来使用。另外，也可实施使用LiBH₄或LiAlH₄、LiBH(CH₂CH₃)₃等来实施。其中，可根据目的适宜地分开使用。而且，虽可使用如锂，钠，钾，镁这样的不均匀体系的固体催化剂来实施，但从在处理用面间的均匀性方面考虑，优选使用均匀体系催化剂。 

作为硅化合物，并不作特别限定，可使用含有硅元素的、四氯化硅(SiCl₄)，溴化硅烷(SiBr₄)等的卤化硅烷(SiX₄，X＝卤元素)，四乙氧基硅烷(SiOEt₄，OEt＝乙氧基)等的烷氧基硅烷(SiOR₄，OR＝烷氧基)。在制造硅以外的半导体微粒的情况下，并不作特别限定，作为半导体化合物，可使用卤化锗(GeX₄)，烷氧化锗(GeOR₄)，卤化锡(SnX₄)，烷氧化锡(SnOR₄)，四溴化碳等的卤化碳(CX₄)等。 

另外，制造半导体微粒时，在含有选自上述的硅、锗、碳、及锡的半导体元素而成的化合物中，可组合含有作为活化元素的其它元素的化合物。作为上述其它元素，并不作特别限定，例如，也可通过组 合含有选自铅、钛、钒、锆、铪、磷、硼元素的金属元素的化合物，制造含有这些金属元素的半导体微粒。 

作为铅、钛、钒、锆、以及铪、磷、硼元素的供给源，并不作特别限定，可使用卤化铅(PbX₄)、烷氧化铅(PbOR₄)、卤化钛(TiX₄)、烷氧化钛(TiOR₄)、卤化钒(VX₄)、卤化锆(ZrX₄)、烷氧化锆(ZrOR₄)、卤化铪(HfX₄)、烷氧化铪(HfOR₄)、卤化硼(BX₃)等的化合物。 

此时，例如，可通过在包含含有由硅形成的半导体元素而成的化合物的流体中同时包含锗、碳、及锡、含有上述其它元素而成的化合物，也可得到多元体系的半导体微粒来实施。而且，通过第一流体中使用还原剂，第二流体中使用包含含有由硅形成的半导体元素而成的化合物的流体，作为第3流体使用含有硅以外的半导体元素的流体，也可将硅微粒表面用由其它半导体元素形成的半导体被覆来实施。 

另外，作为溶媒，也可使用水、离子交换水、超纯水等的水系溶媒，甲苯、二甲苯、醇等的有机溶媒来实施。 

而且，用有机溶媒体系制作半导体微粒的情况下，也可使用与上述还原剂、氯化硅不反应的惰性有机溶媒来实施，对应于上述化合物适宜地进行选择。作为这样的有机溶媒，例如，可使用乙二醇二甲醚(以下记为glyme)、四氢呋喃、二乙基醚、具有醚键的溶媒。 

而且，可加热(加温)或冷却处理用面间、或可对处理用面间照射紫外线(UV)、或照射微波，另外也可对处理用面间给予超声波能量。特别是，半导体微粒为因生成时的温度环境而对其粒径或结晶型给予很大影响的物质，通过直接加热或冷却作为薄膜的处理用面间，可严密地进行反应条件中的温度管理，是有效的。另外，在第1处理用面1和第2处理用面2设置了温度差的情况下，由于可在薄膜流体中发生对流，因此具有由此使反应促进的优点。 

更具体而言，对于加热(加温)，如上述已说明那样，例如通过在各处理用部10、20的至少一方设置加热器、通过热介质的封套，可加热(加温)薄膜流体。另外，对于照射紫外线(UV)，例如，在各处理用部10、20至少一方或两方设置照射紫外线的灯等的元件，从对应的处 理用面对薄膜流体照射紫外线(UV)。另外，通过在各处理用部10、20的至少一方或两方备有照射微波的磁控管等的微波发生装置，可进行处理流体的加热，反应促进。另外，对于给予超声波能量，例如，可在各处理用部10、20至少一方或两方设置超声波振荡器。 

而且，通过在能确保减压或真空状态的容器内进行上述反应、使处理后流体(半导体微粒分散液)被排出的2次侧形成减压或真空状态，进行在上述薄膜流体中的各流体的合流所产生的气体及上述流体中所含有的气体的脱气，或上述流体的脱溶剂。由此，即使在与半导体微粒制作处理的几乎同时进行脱溶剂处理的情况下，因为处理用面间含有半导体微粒的流体从处理用面以喷雾状态排出，因此该流体的表面积增大，脱溶剂效率非常高。因此比到现在为止还简单、实质上1个工序进行半导体微粒制作处理和脱溶剂处理。 

也可在可充填惰性气体的容器内进行上述的反应，在惰性气体气氛下使处理后的分散液排出来实施。可防止由大气中的水分或氧等所引起的、含有半导体元素的化合物在本发明的意图中没有的反应。作为上述惰性气体，只要根据目的选择其对于原料及反应产物为惰性气体，并不作特别限制，例如可举出氩气和氮气等。 

另外，通过在可温度调节的容器内进行上述反应，例如，可冷却刚刚被排出的处理后流体(半导体微粒分散液)。由此，可将通过反应得到的半导体微粒迅速冷却到作为微粒的稳定温度范围。另外，通过将容器内加温，也能提高上述脱溶剂处理及脱气处理的效率。 

另外同时，为了调整反应时的pH，可添加pH调整剂。反应条件为碱性的情况下，作为pH调整剂，并不作特别限定，可使用氢氧化钠水溶液或氢氧化钾溶液，氢氧化钙水溶液，氢氧化钡水溶液，氨水等的强碱性或弱碱性的水溶液。反应条件为酸性的情况下，作为pH调整剂，并不作特别限定，可使用盐酸水溶液或硝酸溶液，乙酸水溶液或柠檬酸水溶液等的强酸性或弱酸性的水溶液。由于还原反应受溶液的pH的影响，在如本申请发明这样的使半导体微粒和还原剂发生反应的情况下使有效的。 

另外，也可在上述流体中根据需要添加分散剂。在上述情况下，该分散剂在半导体微粒表面被配位。作为分散剂，并不作特别限定，在将半导体微粒作为分散液处理的情况下，为了在分散介质中半导体微粒不凝集，或，为了改变医药，荧光及发光特性等，可保护半导体微粒表面的物质。例如，可使用如下物质来实施：六磷酸、八磷酸、四磷酸、三磷酸等的多磷酸类，乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸等的高分子有机酸，聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇、六偏磷酸钠这样的高分子有机物，2-巯基乙醇，巯基乙酸，2-巯基乙基胺，β-硫二甘醇，2，2′-硫代二乙酸等的硫醇类，或聚苯乙烯、氧化膦类的各种有机物，或丁二酸二异辛酯磺酸钠(AOT)。 

如上所述，除第1导入部d1，第2导入部d2以外，也可在处理装置上设置第3导入部d3，该情况下，例如可从各导入部，将pH调整剂，含有半导体元素的化合物的溶液，还原剂分别导入处理装置中。这样，可各个管理各溶液的浓度、压力，能更精密地控制生成半导体微粒的反应。即使在设置了第4以上的导入部的情况下，同样也可以如此将向处理装置导入的流体细分化。另外，在处理用面间生成通过以锂，4，4′-二叔丁基联苯络合物(以下记为DBB)与四氢呋喃作为原料进行反应而得到锂·DBB络合物(以下记为LDBB络合物)这样的还原剂，在实际的半导体元素的即将还原反应前进行合成也是有效的。 

这样，可制造在水系溶媒中或有机溶媒中分散有平均一次粒径为0.8～100nm，优选1～50nm、最优选1～20nm的半导体微粒的分散液(悬浮液)。而且，在溶解有还原剂或含有半导体元素的化合物的溶液中添加上述分散剂的情况下，可制造分散有在表面上分散剂被配位了的半导体微粒的分散液(悬浮液)，得到的半导体微粒的再分散性变得非常良好。利用本发明的制造方法得到的半导体微粒，能在太阳能电池等的目的中使用。另外将利用本发明的制造方法得到的半导体微粒表面进行亲水化了的半导体微粒，优选在抗原、抗体、DNA等的生物体相关物质、二氧芑等的环境相关物质的测定中使用。另外，在粒度分布窄的单分散半导体微粒作为分子认识系抗体的标记物质而使用的情况 下等，可进行极高精度的测定。作为本发明的半导体纳米粒子的用途，可举出显示器装置或荧光灯，生物体相关物质检出用的标记物质等。另外，在由硅等的毒性比较低的物质形成的情况下，也可在用于研究细胞动态等的细胞成像体系中使用。 

另外，在本发明中，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方向对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中的半导体微粒的制造方法中使用逆胶束法的情况下，也与上述情况下大体相同，例如，在制造硅微粒的情况下，使用LiAlH₄的THF溶液作为第1流体。其次，在适当的有机溶媒(例如，甲苯)中加入适当的分散剂(例如，四辛烷基溴化铵与四氯化硅)作为第2流体。通过使用逆胶束溶液，可得到含硅微粒的悬浮液。此时，如果在上述的逆胶束溶液中添加作为活化元素的铅、钛、钒、锆、及由铪、磷、硼元素形成的化合物，因为这些元素作为对于硅微粒的活化剂而添加，因此能使其具有各自固有的发光特性，荧光特性等。 

另外，也可进行所得半导体微粒的表面稳定化处理来实施。所谓表面稳定化处理，是为了防止例如防止因在大气中直接取出氯终端(terminated)半导体微粒、表面氯原子与大气中的水分反应、表面变成羟基为代表的现象的处理。例如如果羟基封端硅微粒相互接触，因室温程度的热而容易发生水解，表面氧化劣化产生凝胶状有机硅，因此表面稳定化处理是重要的操作。 

作为表面稳定化处理的方法，例如首先，将氯封端硅微粒分散液冷却至0℃附近，慢慢滴加溶解了溴化己基镁的二乙基醚溶液。在0℃附近使其发生反应后，除去冷冻剂，在室温中自然升温、搅拌。这样，生成作为目的物的烷基(己基)封端硅纳米粒子。 

从溶液中的副产物抽出烷基封端硅纳米粒子、进行精制，可得到作为目的物的被烷基封端了的硅纳米粒子。 

另外，作为这样的表面稳定化处理，有使用有机锂试剂的方法等。将含有氯封端硅纳米粒子的溶液冷却至0℃，加入溶解了己基锂的二乙基醚溶液进行搅拌，在室温中自然升温，使其反应。这样，与上述 使用溴化己基镁的情况一样，可生成烷基(己基)封端硅纳米粒子。 

除此以外，也有一旦将氯封端硅微粒进行了氢封端化后、用含有碳双键的有机试剂(例如，烯烃)重新进行表面封端的方法。将含有氯封端硅纳米粒子的溶液冷却至0℃，加入溶解了氢化铝锂的glyme溶液进行搅拌，使其在室温中自然升温，而且使其反应，由此对氢封端硅微粒进行表面改性。其次，加入甲醇，急冷未反应的氢化铝锂。此后，加入作为反应催化剂的氯化铂酸盐·异丙醇溶液，继续将作为烯烃的1种的己烯一边回流一边反应。这样，与使用上述格氏试剂或有机锂试剂的情况一样，可生成烷基(己基)封端硅纳米粒子。 

此外，表面稳定化处理中已基以外的官能团，并不作特别限定，但是，可举出以下的基团。其中，可优选使用具有碳-碳双键C＝C的化合物。 

【化学式1】 

C＝C、C＝O、C＝N、C≡N、C＝S、(HO)C＝O 

作为上述在末端有碳-碳双键的分子，并不作特别限定，例如可举出通式H₂C＝CH-(CH₂)_n-1-X所表示的分子。在这里，X表示官能团，n表示正的整数。作为上述官能团X，例如可举出-NR₂，-NR′R，-NHR，-NH₂等的氨基，-CR″R′R，-CR′₂R，-CR₃，-CHR₂，-CHR′R，-CH₂R，-CH₃，-SR，-SH，-I，-Br，-Cl，-F。予以说明的是，在这里，R″，R′，R表示有机饱和化合物基，或，表示与粒子表面的Si-H不反应的其它反应性官能团。该情况下，可进一步在粒子表面上通过与其它的反应性官能团反应的化合物，实施表面处理。 

另外，作为上述在末端具有反应性官能团的分子，如果使用在末端有反应性官能团且具有亲水性基的分子，可将通过上述还原工序得到的半导体微粒进行亲水化。作为上述在末端有反应性官能团且具有亲水性基的分子，并不作特别限定，例如可举出烯丙胺等的在末端有碳-碳双键结合且具有亲水性基的分子等。 

作为在通过上述还原工序得到的半导体纳米粒子的表面上使上述在末端具有碳-碳双键的分子反应时所用的催化剂，并不作特别限定， 例如，可使用H₂PtCl₆等。还原工序中催化剂的种类，例如，可适宜地选择为，催化剂添加后，仅仅在室温中搅拌即可进行反应的物质，通过热、光等开始反应的物质等。 

对于如上所述的表面稳定化处理的工序，与公知的方法一样，可用一般的烧杯或烧瓶、槽等进行从处理用面被排出的半导体微粒分散液中的微粒表面稳定化处理，也可在本发明中的处理用面间实施达到半导体微粒的表面稳定化处理来实施。即，如作为第1流体的含有还原剂的流体，作为第2流体的包含含有半导体元素的化合物的流体，及作为第3流体的含有表面处理稳定剂的流体，以实质上的1个工序实施全部的处理。 

以下，对于本发明公开实施例更详细地进行说明。但本发明并不只限定于这些实施例。 

予以说明的是，在以下的实施例中，所谓“从中央”，指得是上述的、图1(A)所示处理装置的“从第1导入部d1”的意思，第1流体是指上述的第1被处理流动体，第2流体是指上述的、图1(A)所示处理装置的“从第2导入部d2导入的、上述的第2被处理流动体。 

(实施例1) 

使用如图1(A)所示的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间形成的薄膜流体中的均匀搅拌·混合的反应装置，使锌·锰混合水溶液在薄膜中与硫化钠水溶液合流，在薄膜中一边均匀混合一边进行共沉淀反应。 

一边从中央将作为第1流体的在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶液、以供给压力/背压力＝0.20MPa/0.01MPa、转速500rpm、送液温度25℃进行送液，一边将作为第2流体的在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液、以10ml/min导入处理用面1、2间。Mn添加ZnS微粒分散液从处理用面被排出。 

其次，从该分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的Mn添加ZnS微粒。从 其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为4nm。 

接着，从该分散液中通过真空冷冻干燥法除去溶媒。对得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒照射334nm波长的光，使用荧光分光光度计(FP-777，日本分光社制)测定激发的发光光谱。荧光强度显示为良好的值。 

而且，将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散物，平均一次粒径与真空冷冻干燥前相同，平均一次粒径为4nm，确认为得到的半导体微粒粉体的再分散性良好。 

(实施例2) 

一边从中央将作为第1流体的在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶液、以供给压力/背压力＝0.40MPa/0.01MPa、转速500rpm、送液温度25℃进行送液，一边将作为第2流体的在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液、以10ml/min导入处理用面1、2之间。Mn添加ZnS微粒分散液从处理用面被排出。 

其次，从该分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的Mn添加ZnS微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为6nm。 

而且，以与实施例1相同的方法，将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散物，平均一次粒径与真空冷冻干燥前相同，平均一次粒径为6nm，确认为得到的半导体微粒粉体的再分散性良好。 

(实施例3) 

一边从中央将作为第1流体的在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶液、以供给压力/背压力＝0.40MPa/0.01MPa、转速500rpm、送液温度 45℃进行送液，一边将作为第2流体的在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液、以10ml/min导入处理用面1、2之间。Mn添加ZnS微粒分散液从处理用面被排出。 

其次，从该分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的Mn添加ZnS微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为4nm。 

而且，以与实施例1相同的方法，将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散物，平均一次粒径与真空冷冻干燥前相同，平均一次粒径为4nm，确认为得到的半导体微粒粉体的再分散性良好。 

(实施例4) 

一边从中央将作为第1流体的在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶液、以供给压力/背压力＝0.20MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度25℃进行送液，一边将作为第2流体的在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液、以10ml/min导入处理用面1、2之间。Mn添加ZnS微粒分散液从处理用面被排出。 

其次，从该分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的Mn添加ZnS微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为10nm。 

而且，以与实施例1相同的方法，将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散物，平均一次粒径与真空冷冻干燥前相同，平均一次粒径为10nm，确认为得到的半导体微粒粉体的再分散性良好。 

(实施例5) 

一边从中央将作为第1流体的在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶 液、以供给压力/背压力＝0.20MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度52℃进行送液，一边将作为第2流体的在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液、以10ml/min导入处理用面1、2之间。Mn添加ZnS微粒分散液从处理用面被排出。 

其次，从该分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的Mn添加ZnS微粒。从其中任意选出100个粒子，测定平均一次粒径，结果为4nm。 

而且，以与实施例1相同的方法，将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散物，平均一次粒径与真空冷冻干燥前相同，平均一次粒径为4nm，确认为得到的半导体微粒粉体的再分散性良好。 

(比较例1) 

一边将在0.2mol/L乙酸锌水溶液中添加了乙酸锰4水合物而使得锰的量相对于锌的量成为0.5原子％(atm％)的溶液20g，在烧杯内，以溶液温度25℃、300rpm进行搅拌，一边投入在0.4mol/L硫化钠水溶液中添加了2-巯基乙醇而使得达到1.0mol/L的溶液20g，得到Mn添加ZnS微粒分散液。从得到的Mn添加ZnS微粒分散液用透析管对Mn添加ZnS微粒进行透析、精制后，使用透射电子显微镜(TEM)进行观察。从其中任意选出100个粒子，测定该分散液中的Mn添加ZnS微粒的平均一次粒径，结果为950nm。而且，以与实施例1相同的方法将得到的粉末状的Mn添加ZnS微粒再次投入离子交换水中，用高速搅拌型分散机(商品名：ClearMix，M技术社制)进行搅拌，结果再次得到Mn添加ZnS微粒分散液，但是，观察到Mn添加ZnS微粒强烈凝集的样子。 

上述结果示于表1。 

【表1】 

(实施例6) 

使用如图1(A)所示的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间形成的薄膜流体中的均匀搅拌·混合的反应装置，将硅化合物在薄膜中与还原剂合流，在薄膜中一边均匀混合一边还原硅化合物，得到硅微粒。 

(第一流体的调整) 

烧瓶内预先称取锂30mMol，用氩气充分使其干燥。接着，通过滴液漏斗，注入溶解了DBB 40mMol的无水四氢呋喃(以下称之为THF)溶液200ml，在室温中使用搅拌子，一边搅拌反应溶液，一边生成LDBB络合物(LDBB/THF溶液)。 

一边从中央将作为第1流体的上述制作的LDBB/THF溶液，以供给压力/背压力＝0.05MPa/0.01MPa、转速500rpm、送液温度-50℃进行送液，一边将作为第2流体的四氯化硅、以0.5ml/min导入处理用面1、2之间。硅半导体微粒的分散液在氩气环境下被排出。 

为了进行表面稳定化处理，将排出液调温至0℃附近，接着慢慢滴加溶解了溴化己基镁20mMol的二乙基醚溶液。在0℃附近使其反应30分钟左右后，除去冷冻剂，在室温中自然升温、搅拌24小时。生成作为目的物的烷基(己基)封端硅纳米粒子。 

为了从溶液中将烷基封端硅纳米粒子抽出进行精制，接着向烧瓶中注入己烷100ml，进行充分地搅拌，将硅纳米粒子完全溶解。用移液管抽出的该己烷溶液，使用分液漏斗用纯水水洗3次，除去残存的锂盐、镁盐。水洗了的己烷溶液在硫酸镁中穿过进行脱水。接着，用柱分离分别除去DBB和己烷，得到作为目的物的烷基封端了的硅微粒。 

由扫描电子显微镜观察、以及透射电子显微镜观察，确认为烷基封端硅纳米粒子的硅部分的平均粒径为约2.5nm。根据构成元素的组成分析，没有检出氯和氧，因此得到了高纯度的微粒。 

该烷基封端硅纳米粒子的己烷溶液的荧光特性，通过350nm的紫外线激发，得到峰发光波长为450nm、光谱半值宽度约55nm的荧光光谱。以若丹明6G色素为基准求得荧光量子效率，结果为约44％的值。由此，通过本发明的合成法，可有效地得到发光的硅系半导体材料。 

(实施例7～9) 

实施例7～9以与实施例6相同的次序、只改变送液温度来进行。 

上述结果示于表2。 

【表2】 

(比较例2) 

一边将作为第1流体的上述实施例1中制作的LDBB/THF溶液20g，在烧杯内，以溶液温度-50℃、300rpm搅拌，一边投入四氯化硅20g。得到硅半导体微粒的分散液。得到的半导体微粒的表面稳定化处理、及从分散液中除去DBB和己烷与实施例1相同地进行。由电子显微镜观察、及透射电子显微镜观察，确认为烷基封端硅纳米粒子的硅部分的平均粒径为约44.2nm。 

(实施例10) 

使用如图1(A)所示的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间形成的薄膜流体中的均匀搅拌·混合的反应装置，使用逆胶束法将硅化合物在薄膜中与还原剂合流，在薄膜中一边均匀混合一边还原硅化合物，得到硅微粒。 

一边从中央将作为第1流体的、在甲苯100ml中添加SiCl₄ 92μl及四辛基溴化铵1.5g、使用ClearMix 1.5S(M技术社制)以8000rpm 搅拌10分钟而得到逆胶束溶液，以供给压力/背压力＝0.08MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度30℃进行送液，一边将作为第2流体的1.0M LiAlH₄/THF溶液以1.0ml/min导入处理用面1、2之间。硅半导体微粒的分散液被排出。 

在被排出的硅半导体微粒的分散液中，加入甲醇。在得到的半导体纳米粒子溶液中添加1-庚烯2mL及H₂PtCl₆的0.1M异丙醇0.1mL溶液，使用ClearMix 1.5S(M技术社制)以8000rpm搅拌3小时。得到的溶液的精制，首先，通过旋转蒸发仪除去上述溶液中的甲苯和庚烯。其次，向其中添加己烷，进而添加正甲基甲酰胺2，转移到分液漏斗进行搅拌，通过将转移到正甲基甲酰胺中的未反应的还原剂及表面活性剂分离来进行精制。进而进行2次该正甲基甲酰胺添加以后的操作，通过处于己烷中的1-庚烯而得到封闭了(capped)由Si构成的半导体微粒。 

(实施例11～13) 

实施例11～13与实施例10相同的次序、改变转速及供给压力来进行。 

上述结果示于表3。 

【表3】 

(比较例3) 

在甲苯100ml中添加SiCl₄ 92μl与四辛基溴化铵1.5g，使用ClearMix 1.5S(M技术社制)以8000rpm的条件搅拌10分钟而得到逆胶束溶液20g，将该得到逆胶束溶液20g，在烧杯内，以溶液温度30℃、300rpm一边搅拌，一边投入1.0M LiAlH₄/THF溶液60g。在得到的半导体纳米粒子溶液中，添加1-庚烯2mL及H₂PtCl₆的0.1M异丙醇0.1mL溶液，使用ClearMix 1.5S(M技术社制)以8000rpm搅拌3小时。得到的溶液的精制，首先，通过旋转蒸发仪除去上述溶液中的甲苯和庚烯。 其次，向其中添加己烷，进而添加正甲基甲酰胺2，转移到分液漏斗进行搅拌，通过将转移到正甲基甲酰胺中的未反应的还原剂及表面活性剂分离来进行精制。进而进行2次该正甲基甲酰胺添加以后的操作，通过处于己烷中的1-庚烯而得到封闭了的由Si构成的半导体微粒。确认为由Si构成的半导体微粒的平均粒径为约44.2nm。 

(实施例14) 

使用如图1(A)所示的、可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面1、2之间形成的薄膜流体中的均匀搅拌·混合的反应装置，采用逆胶束法将硅化合物在薄膜中与还原剂合流，在薄膜中一边均匀混合一边还原硅化合物，得到硅微粒。 

一边从中央将作为第1流体的0.1mol/L硫酸肼水溶液、以供给压力/背压力＝0.20MPa/0.01MPa、转速1000rpm、送液温度80℃进行送液，一边将作为第2流体的0.1mol/L四氯化硅水溶液、以1.0ml/min导入处理用面1、2之间。硅半导体微粒的分散液被排出。除去分散液中的杂质后，使用透射电子显微镜(TEM)，对该分散液中的硅半导体微粒进行观察。从其中任意选取100个粒子测定平均一次粒径，结果为5.1nm。另外，采用荧光分光光度计FP-6500(日本分光社制)，测量量子效率，结果为58％。使用LUMI-COUNTER 2500，测定在27℃的活性氧生成速度，结果为0.5ml/min/g。 

(实施例15～17) 

实施例15～15以与实施例14相同的次序、改变送液温度来进行。 

上述结果示于表4。 

【表4】 

(比较例4) 

一边将0.1mol/L硫酸肼水溶液20g，在烧杯内，以溶液温度30℃、300rpm搅拌，一边投入0.1mol/L四氯化硅水溶液20g。除去得到的硅 半导体微粒的分散液中的杂质后，使用透射电子显微镜(TEM)，观察该分散液中的硅半导体微粒。从其中任意选取100个粒子测定平均一次粒径，结果为33.5nm。 

Claims (18)

1.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使含有半导体元素的化合物在被处理流动体中与还原剂反应而制造含有上述半导体元素的半导体微粒时，将上述的被处理流动体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应。

2.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种被处理流动体，

其中至少1种，含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各被处理流动体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到半导体微粒。

3.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种被处理流动体，

上述的各被处理流动体为含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子的逆胶束溶液，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各被处理流动体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到半导体微粒。

4.权利要求2或3所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，含有具有作为上述半导体原料的元素的离子的被处理流动体中，至少1种中含有分散剂。

5.权利要求4所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述分散剂为六磷酸、八磷酸、四磷酸、三磷酸、乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、六偏磷酸钠、2-巯基乙醇、巯基乙酸、2-巯基乙胺、β-硫二甘醇、2，2′-硫代二乙酸、聚苯乙烯、膦氧化物，或丁二酸二异辛酯磺酸钠(AOT)中的至少1种。

6.半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种被处理流动体，

其中至少1种含有至少1种含半导体元素的化合物，

在上述以外的被处理流动体中至少1种含有还原剂，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各被处理流动体合流，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。

7.半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种被处理流动体，

其中至少1种为含有至少1种含半导体元素的化合物的逆胶束溶液，

在上述以外的被处理流动体中至少1种为含有至少1种还原剂的流体，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各被处理流动体合流，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。

8.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在上述被处理流动体中含有：含活化元素的化合物、或活化元素离子。

9.权利要求8所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述活化元素为选自Mn、Cu、Ag、Tb、Tm、Eu、Sm、F、Cl、Al、Pb、V、Zr、Hf、P、B中的至少1种。

10.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述制造方法具有：

对被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构，

第1处理用部、及相对于该第1处理用部可相对地接近·分离的第2处理用部的至少2个处理用部，和

使上述第1处理用部和第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构；

在上述的各处理用部中相互对向的位置上，设置有第1处理用面及第2处理用面的至少2个处理用面，

上述的各处理用面构成上述压力的被处理流动体流过的、被密封了的流路的一部分，

在上述的两处理用面之间，混合至少任一种中含有反应物的2种以上的被处理流动体，使其反应，

上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具有受压面，并且，该受压面的至少一部分是由上述的第2处理用面构成，

该受压面承受上述的流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力而产生在使第2处理用面从第1处理用面分离的方向上移动的力，

通过将上述压力的被处理流动体通入可接近分离且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间，上述被处理流动体形成薄膜流体，

还具有独立于上述压力的被处理流动体流过的各处理用面间的流路的另外的导入路，

上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一个中具有至少一个与上述的另外的导入路相通的开口部，

通过将从上述另外的导入路输送的至少一种被处理流动体导入上述两处理用面间、形成上述的薄膜流体，至少上述的各被处理流动体的任一种中含有的上述的反应物和与上述的被处理流动体不同的被处理流动体，在上述薄膜流体内混合。

11.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，冷却或加温上述处理用面间。

12.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在能确保减压或真空状态的容器内进行上述的反应、至少处理后使被处理流动体被排出的2次侧为减压或真空状态，由此可进行上述反应中发生的气体以及上述被处理流动体中所含有的气体的脱气、或上述被处理流动体的脱溶剂。

13.权利要求12所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在可以温度调节的容器内进行上述的反应，将容器内加温，由此提高上述脱溶剂处理及脱气处理的效率。

14.权利要求12所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在可以温度调节的容器内进行上述的反应，刚被排出后的处理后冷却被处理流动体。

15.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在惰性气体气氛下进行上述的反应。

16.权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述半导体微粒的平均一次粒径为1nm～30nm。

17.通过权利要求1、2、3、6及7的任一项中所述的制造方法制造的半导体微粒。

18.权利要求10中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述开口部设置在通过了上述两处理用面间的被处理流动体的流动形成层流的点的下游侧。

Images