CN101819981A - 固态摄像装置及其制造方法以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供固态摄像装置的制造方法、固态摄像装置以及电子设备。固态摄像装置的制造方法包括步骤：在基板上形成多个光接收部分；形成多个传输栅极，该多个传输栅极连接到形成在基板上的多个光接收部分；在基板上形成绝缘膜；通过蚀刻绝缘膜而暴露基底，使得绝缘膜的蚀刻部分在相邻的传输栅极之间逐渐变细；以及采用蚀刻后保留的绝缘膜作为掩模而将杂质注入到暴露部分中，从而形成杂质注入部分。
Description
技术领域
本发明涉及固态摄像装置的制造方法、固态摄像装置以及电子设备，更具体地，涉及以被多个光接收部分共用的电荷电压转换部分的制造方法及其结构为特征的固态摄像装置的制造方法、固态摄像装置以及电子设备。
背景技术
大量的CMOS(互补金属氧化物半导体)和MOS(金属氧化物半导体)型的固态摄像装置被安装在数码相机、摄影机、复印机、配备有照相机的蜂窝电话等上。固态摄像装置趋于小型化并且像素的数目增加，而且光电二极管的面积趋于减小。结果，由于信号电荷量也减小，所以需要将光电二极管中、漂移扩散(floating diffusion)、复位晶体管中的泄露电流抑制得较小，从而抑制噪声。
这里，在多个像素共用单个漂移扩散的固态摄像装置中，在漂移扩散的形成过程中，光接收部分和传输栅极首先形成。之后，通过图案化使抗蚀剂掩模具有开口，并且经由开口注入杂质，从而在对应开口的位置处形成漂移扩散(例如见日本专利申请No.2007-335905)。
发明内容
然而，在多个像素共用漂移扩散的固态摄像装置中，在漂移扩散的形成过程中发生抗蚀剂掩模的位置偏离。当发生位置偏离时，在共用同一漂移扩散的像素之间信号检测特性变化，从而引发图像质量退化的问题。此外，由电场集中引起的高电场区域出现在传输栅极的例壁与漂移扩散区域交叉的区域中，结果出现由泄露电流引起的白点(white spot)。
考虑到上述情况，存在抑制信号检测特性在像素之间变化并抑制由泄露电流引起的白点的需要。
根据本发明的实施例，提出了一种固态摄像装置的制造方法，包括步骤：在基板上形成多个光接收部分；形成多个传输栅极，该多个传输栅极连接到形成在基板上的多个光接收部分；在基板上形成绝缘膜；通过蚀刻绝缘膜而暴露基底，使得绝缘膜的在相邻的传输栅极之间的蚀刻部分逐渐变细；以及采用蚀刻后保留的绝缘膜作为掩模而将杂质注入到暴露部分中，从而形成杂质注入部分。
通过这样的结构，以通过蚀刻形成在传输栅极上的绝缘膜而形成的开口作为掩模，杂质注入部分以自对准的方式形成在相邻的传输栅极之间。此外，由于在绝缘膜的在相邻传输栅极之间的蚀刻部分逐渐变细的状态下将基底暴露，所以杂质注入部分与传输栅极在相邻的传输栅极之间倾斜地交叉，结果可以缓解电场集中。
为了形成绝缘膜的逐渐变细的蚀刻部分，在基板上形成绝缘膜的步骤包括：将绝缘材料涂敷到基板上，以使得相邻的传输栅极之间的绝缘膜形成凹陷部分。通过这样的结构，当绝缘膜被回蚀刻时，蚀刻在凹陷部分的拐角部分继续进行，从而形成逐渐变细的结构。
绝缘膜的该凹陷部分通过旋涂法涂敷绝缘材料或者通过准大气压化学气相沉积沉积绝缘材料而形成。
根据本发明的另一实施例，提出一种固态摄像装置，包括：多个光接收部分，形成在基板上；多个传输栅极，连接到多个光接收部分；以及杂质注入部分，设置为使得杂质注入部分的中央部分形成在被多个传输栅极包围的位置处，并且使得杂质注入部分的从中央部分延伸于相邻的传输栅极之间的部分逐渐变细。还提出了使用该固态摄像装置的电子设备。
通过这样的结构，由于相邻的传输栅极之间的杂质注入部分逐渐变细，所以杂质注入部分和传输栅极在相邻的传输栅极之间倾斜地交叉，结果可以缓解电场集中。
根据本发明的实施例，可以将作为电荷电压转换部分的杂质注入部分形成在准确的位置，并降低共用该电荷电压转换部分的像素在特性上的差异。也可以缓解传输栅极和杂质注入部分之间的电场集中并且抑制由于泄露电流而产生白点。
如附图所示，根据下面的最优模式实施例的详细描述，本发明的这些和其他目的、特征和优势将更为清楚易懂。
附图说明
图1是解释构成CMOS图像传感器的固态摄像装置的整个结构的示意图；
图2是示出单元像素的电路结构的示例的电路图；
图3A至3B是解释对比示例的固态摄像装置的像素部分的布局的示意图；
图4A至4B是解释对比示例的结构中的电场集中的示意图；
图5A至5B是解释根据本发明实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图；
图6是解释根据该实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图；
图7A至7B是解释根据该实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图；
图8A至8B是解释根据该实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图；
图9A至9B是解释根据该实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图；
图10A至10B是解释根据该实施例的固态摄像装置的示意图；以及
图11是示出作为根据该实施例的电子设备的示例的摄像装置的结构示例的方框图；
具体实施方式
以下，将参照附图描述本发明的实施例。应该注意将以下面的顺序给出描述。
1.固态摄像装置的整体结构(CMOS图像传感器的结构和单元像素的电路结构)
2.固态摄像装置的制造方法(对比示例和本发明实施例的制造方法)
3.固态摄像装置(像素部分的结构和电力线)
4.电子设备
<1.固态摄像装置的整体结构>
(CMOS图像传感器的结构)
图1是解释CMOS图像传感器构成的固态摄像装置的整体结构的示意图。如图1所示，CMOS图像传感器10包括形成在半导体基板(芯片)(未示出)上的像素阵列部分11和设置在与像素阵列部分11相同的半导体基板上的外围电路。作为像素阵列部分11的外围电路，垂直驱动电路12、每个均作为信号处理电路的列电路13、水平驱动电路14、输出电路15、计时发生器(TG)16等被采用。
在像素阵列部分11上，包括光电转换器件的单元像素(此后，可简称作“像素”)20被二维地布置成矩阵，其中该光电转换器件将入射的可见光光电转换为与可见光的光量对应的电荷量。单元像素20的具体结构将在后面描述。
此外，在像素阵列部分11上，对于单元像素20的矩阵对准，为每个像素行沿着图中的横向方向(像素行中的像素对准方向)形成像素驱动线17，并且为每个像素列沿着图中的纵向方向(像素列中的像素对准方向)形成垂直信号线18。虽然像素驱动线17示出为一条线，但是线的数量并不限于一条。每条像素驱动线17的一端被连接到垂直驱动电路12的与对应的一个像素行相对应的输出端。
垂直驱动电路12由移位寄存器、地址解码器等构成。尽管垂直驱动电路12的详细结构的说明被省略，但是垂直驱动电路12包括读出扫描系统，用于在像素20上顺序执行选择扫描以读出行单元中的信号。垂直驱动电路12还包括清除扫描系统(sweep-out scan system)，对于读出扫描系统在其上执行读出扫描的读出行执行清除扫描，以清除(复位)来自读出行的像素20的光电转换器件的不需要的电荷，清除扫描仅以对应于快门速度(shutterspeed)的时间而在读出扫描之前。
通过由清除扫描系统清除(复位)不需要的电荷，执行所谓的电子快门操作。这里采用的电子快门操作是指释放光电转换器件的光电荷并重新开始曝光(开始存储光电荷)。
由读出扫描系统的读出操作读出的信号是对应于入射光量的信号，该信号在读出操作之后或者在该读出操作前执行的电子快门操作之后获得。从在前的读出操作的读出计时或者在前的电子快门操作的清除计时到电流读出操作的读出计时的时间段为单元像素20中的光电荷的存储时间段(曝光时间段)。
由垂直驱动电路12的扫描选择的像素行的单元像素20的输出信号经由各条垂直信号线18提供到列电路13。列电路13为像素阵列部分11的每个像素列接收由选择行的像素20输出的信号并执行信号处理，所述信号处理诸如为CDS(correlated double sampling：相关二次取样)以去除像素固有的固定图案噪声、信号放大、以及信号的AD转换。
应该注意，尽管列电路13在这种情况下布置为具有与像素列一对一的关系，但是结构并不限于此。例如，也可以为多个像素列(垂直信号线18)设置一个列电路13，使得列电路13在多个像素列之间分时共用。
水平驱动电路14由移位寄存器、地址解码器等构成，并且通过连续输出水平扫描脉冲来顺序选择列电路13。应该注意，尽管没有示出，但是水平选择开关被连接在列电路13的每个输出段与水平信号线19之间。从水平驱动电路14连续输出的水平扫描脉冲顺序导通设置在列电路13的输出段处的水平选择开关。通过响应水平扫描脉冲顺序导通水平选择开关，列电路13为每个像素列处理的像素信号被顺序输出到水平信号线19。
输出电路15对图像信号执行各种信号处理并输出处理过的信号，其中图像信号经由水平信号线19而从列电路13被顺序提供。具体地，在输出电路15中执行的信号处理可以仅涉及缓冲，或者可以涉及缓冲前的黑电平调节，每个列的变化修正、信号放大、色彩关系处理等。
计时发生器16生成各种计时信号并基于这些各种的计时信号控制垂直驱动电路12、列电路13、水平驱动电路14等的驱动。
(单元像素的电路结构)
图2是示出单元像素的电路结构的示例的电路图。除了诸如光电二极管21的作为光接收部分的光电转换器件之外，此示例的单元像素20例如包括传输晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24、以及选择晶体管25这四个晶体管。
这里，N沟道MOS晶体管例如被用作晶体管22至25的每一个。然而，该情况下的传输晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24、以及选择晶体管25的导电类型的组合仅是一个示例，并且组合并不限于此。
对于单元像素20，作为像素驱动线17，例如传输线171、复位线172和选择线173这三条线设置为被同一像素行中的所有像素共用。传输线171、复位线172和选择线173的每个的一端在像素行单元中被连接到垂直驱动电路12的与各个像素行对应的一个对应输出端。
光电二极管21的阳极连接到例如将要接地的负侧电源，并且将接收光光电转换为电荷量与接收光量对应的光电荷(这种情况下的光电子)。光电二极管21的阴极电极经由传输晶体管22电连接到放大晶体管24的栅极电极。电连接到放大晶体管24的栅极电极的节点将被称作FD(电荷电压转换部分：漂移扩散)部分26。
传输晶体管22连接在光电二极管21的阴极电极与FD部分26之间，并且当具有活性高电平(Vdd电平)(以下称作“高活性(high active)”)的传输脉冲经由传输线171施加到栅极电极时传输晶体管22被导通。因此，通过光电二极管21光电转换得到的光电荷被传输到FD部分26。
复位晶体管23具有连接到像素电源Vdd的漏极电极和连接到FD部分26的源极电极，并且当高活性复位脉冲
经由复位线172施加到栅极电极时复位晶体管23被导通。因此，在信号电荷从光电二极管21传输到FD部分26之前，FD部分26的电荷被释放到像素电源Vdd，从而FD部分26被复位。
放大晶体管24具有连接到FD部分26的栅极电极和连接到像素电源Vdd的漏极电极，并且输出被复位晶体管23复位的FD部分26的电位以作为复位电平。此外，放大晶体管24输出已通过传输晶体管22传输有信号电荷的FD部分26的电位，以作为信号电平。
选择晶体管25具有连接到放大晶体管24的源极的漏极电极和连接到垂直信号线18的源极电极，并且例如当高活性的选择脉冲经由选择线173施加到栅极时选择晶体管25被导通。因此，当单元像素20处于被选择的状态时，从放大晶体管24输出的信号被中继到垂直信号线18。
应该注意，对于选择晶体管25，选择晶体管25连接在像素电源Vdd与放大晶体管24的漏极之间的电路结构也是可以的。
此外，单元像素20不限于由四个晶体管构成的像素结构，并且可以采用包括由具有放大晶体管24和选择晶体管25两者的功能的三个晶体管构成的像素结构的任何像素结构。
在该实施例的固态摄像装置中，采用单个FD部分26被多个光电二极管21共用的结构。因此，通过相对于多个光电二极管21准确定位FD部分26，多个光电二极管21接收的信号的变化可以被抑制。
<2.固态摄像装置的制造方法>
下面，将描述该实施例的固态摄像装置的制造方法。首先，在描述该实施例之前，将描述对比示例。
(关于对比示例)
图3是解释对比示例的固态摄像装置的像素部分的布局的示意图。如图3A所示，在该布局中，总共四个光电二极管21共用单个的FD部分26，该四个光电二极管在纵向和横向方向上各布置两个。FD部分26设置在四个光电二极管21的布置的中央。每个光电二极管21在FD部分26侧的拐角部分处设置有传输晶体管22。通过施加传输脉冲到FD部分26的传输栅极22g，通过光电二极管21的光电转换获得的电荷被转移到FD部分26。
为了制造这样的像素部分，光电二极管21、传输晶体管22以及传输栅极22g首先形成在基板上。然后，抗蚀剂被涂敷到基板上，随后抗蚀剂通过曝光和显影而被图案化，由此形成开口。通过经由抗蚀剂的开口注入杂质，在对应于开口的位置处形成FD部分26。
在图3A所示的示例中，四个传输栅极22g包围的中央处的虚线表示抗蚀剂的开口位置，并且通过注入杂质到开口中，FD部分26在对应于开口的位置处形成。
然而，当通过杂质注入形成FD部分26时，如果要成为掩模的抗蚀剂的开口位置发生偏离，则通过杂质注入而形成的FD部分26的位置也将偏离。图3B是示出抗蚀剂的开口位置发生偏离的情况的示意图。在图中，四个传输栅极22g包围的中央处的虚线表示抗蚀剂的开口位置。在此情况下，与图3A所示的准确位置相比，图中抗蚀剂的开口沿向下的方向偏离。如果如上所述抗蚀剂的开口发生偏离，则采用抗蚀剂作为掩模通过杂质注入而形成的FD部分26也偏离。
例如，由于图中FD部分26沿向下的方向偏离，上部的两个传输栅极22g与FD部分26之间的接触长度和下部的两个转移22g与FD部分26之间的接触长度不同，结果从光电二极管21传输到FD部分26的电荷量就不同。换句话说，像素之间产生了特性上的变化。
图4是解释在对比示例的结构中的电场集中的示意图。如图4所示，即使FD部分26形成在准确的位置处，高电场区域(图中的圆圈)也会在每个传输栅极22g与FD部分26之间的边界处产生。这是因为，如图4B中示出的传输栅极部分的示意性截面图所示，由于来自传输栅极22g的栅极电场和在FD部分26的结部分处产生的电场的影响，在侧壁22w下方发生电场集中。这样的电场集中引起泄露电流和白点效应。
(根据本发明实施例的固态摄像装置的制造方法)
根据该实施例的固态摄像装置的制造方法解决了上述问题。图5至图9是解释该实施例的固态摄像装置的制造方法的示意图。这里，图5至图8是示意性的截面图，而图9是示意性的平面图。
首先，如图5A所示，将入射光转换成电信号的光电二极管21形成在例如由硅形成的基板上的预定区域中。此外，传输晶体管的传输栅极22g形成为与光电二极管21相邻。传输栅极22g经由栅极绝缘膜而形成。然后，在每个传输栅极22g的两侧的基板上形成LDD(轻掺杂漏极)(未示出)，侧壁22w形成在每个传输栅极22g的两侧。应该注意，在图5A所示的示例中，示出了连接到光电二极管21的传输栅极22g和连接到与该光电二极管21相邻的光电二极管21的传输栅极22g。之后，由SiO2和SiN形成的两层绝缘膜30形成在基板的整个表面上。
接着，掩模绝缘膜31形成在两层绝缘膜30上。在该实施例中，SOG(Spinon Glass：玻璃上的旋涂)被用于掩模绝缘膜31。SOG是通过旋涂法涂敷SiO2而形成的膜，并且由于流动性SiO2从基底结构的凸起部分流到凹陷部分，从而使得凹陷部分形成为稍微比凸起部分厚。
这里，在被传输栅极22g包围的部分处，凹槽31a通过掩模绝缘膜31形成。图9A是解释涂敷掩模绝缘膜后的状态的示意性平面图。图9A示出掩模绝缘膜31的凹槽31a形成在传输栅极22g包围的中央位置处的状态。
四个传输栅极22g构造为凸起部分，而被四个传输栅极22g包围的区域构造为凹陷部分。四个传输栅极22g的每一个在中央部分侧具有倾斜的直线部分，从而被四个传输栅极22g包围的凹陷部分成为以直线部分作为四个边的矩形区域。此外，凹陷部分也形成在四个传输栅极22g中布置在横向方向上的相邻传输栅极22g之间以及布置在纵向方向上的相邻传输栅极22g之间。因此，凹陷部分具有延伸成以矩形区域作为中央的交叉形状的结构。
当形成掩模绝缘膜31时，由于凹陷部分中被四个传输栅极22g包围的中央处的矩形区域大于两个相邻传输栅极22g之间的部分，掩模绝缘膜31的凹槽31a形成在矩形区域中。图9A的A-A截面示于图5A中，图9A的B-B截面示于图5B中。如上所述，掩模绝缘膜31的凹槽31a形成在四个传输栅极22g包围的中央处的矩形区域中。
接着，如图6所示，抗蚀剂R被涂敷到基板上，并且开口通过光刻方法形成在传输栅极22g包围的中央部分处。开口形成为大于掩模绝缘膜31的凹槽31a。应该注意，并不总是需要形成抗蚀剂R，并且仅在蚀刻工艺之后希望对光电二极管21上方保留的掩模绝缘膜31加强保护时才需要涂敷。
接着，掩模绝缘膜31经由抗蚀剂R被蚀刻。因此，掩模绝缘膜31被回蚀刻，被传输栅极22g包围的部分的基底暴露，如图7A所示。
图9B是示出掩模绝缘膜31被回蚀刻的状态的示意性平面图。如图9A所示，由于凹槽形成在传输栅极22g包围的中央部分处的掩模绝缘膜31上，所以当掩模绝缘膜31在此状态下被回蚀刻时，掩模绝缘膜31的凹槽逐渐变大以最终暴露基底。此时，基底以这样的状态被暴露：在布置在纵向和横向方向上的相邻传输栅极22g之间，掩模绝缘膜31的凹槽的拐角部分处的蚀刻部分在各个拐角部分的方向上延伸并同时逐渐变细(taper away)。
这里，图9B的C-C截面示于图7A中，且图9B的D-D截面示于图7B中。如上所述，掩模绝缘膜31在被四个传输栅极22g包围的中央处的蚀刻部分在布置在纵向和横向方向上的相邻传输栅极22g之间延伸并同时逐渐变细。
执行回蚀刻直到掩模绝缘膜31的蚀刻部分到达外围传输栅极22g的侧壁22w(侧壁22w上的两层绝缘膜30)。结果，传输栅极22g的侧壁部分22w被暴露。
接着，如图8所示，经由回蚀刻的掩模绝缘膜31执行杂质注入，从而形成FD部分26，以作为传输栅极22g包围的部分处的杂质注入部分。如上所述，基底通过回蚀刻掩模绝缘膜31而被暴露。此时，由于传输栅极22g的侧壁部分22w被暴露，所以在杂质注入时，杂质通过侧壁部分22w以自对准的方式被注入。因此，FD部分26形成在准确的位置处，并相对于四个传输栅极22g没有发生位置偏离。
此外，如图9B所示，通过掩模绝缘膜31的回蚀刻，掩模绝缘膜31的蚀刻部分在布置在纵向和横向方向上的相邻传输栅极22g之间延伸同时逐渐变细。因此，如果经由掩模绝缘膜31注入杂质，则逐渐变细的部分的形状被反映，结果在该部分处形成的FD部分26也逐渐变细。通过形成这种形状的FD部分26，FD部分26与传输栅极22g之间的电场集中被缓解，其细节将在后面描述。
在杂质注入之后，掩模绝缘膜31通过湿蚀刻等被移除，然后形成绝缘膜以执行平坦化工艺。应该注意，掩模绝缘膜31可以保留不被蚀刻，然后可以形成绝缘膜以执行平坦化工艺。
在上述制造方法中，已经描述了将通过采用SiO2的旋涂法获得的SOG用作掩模绝缘膜31的示例。然而，可以替代地采用其他绝缘材料。例如，绝缘材料可以通过SA-CVD(Sub Atmospheric-Chemical Vapor Deposition：准大气压化学气相沉积)来沉积，诸如BPSG(硼磷硅玻璃)的其他材料可以用作绝缘材料。应该注意，由于当形成掩模绝缘膜31时凹槽31a形成在传输栅极22g之间，所以希望采用具有流动性的材料。
此外，尽管该实施例已描述了这样的示例，其中FD部分26形成在四个传输栅极22g包围的位置处，并且该四个传输栅极22g在纵向和横向方向上各布置两个，但不是全部四个传输栅极22g都必须是传输栅极22g。具体地，它们中的至少一个为传输栅极22g，不被用作传输栅极的其他三个是具有与传输栅极相同的形状(突出形状)的虚设图案。
此外，该实施例已经描述了这样的布局，其中FD部分26形成在四个传输栅极22g包围的位置处，并且该四个传输栅极在纵向和横向方向上各布置两个。然而，也可以采用其他布局(FD部分被共用的其他布局)。
<3.固态摄像装置>
(像素部分的结构)
图10是解释该实施例的固态摄像装置的示意图。图10A是示出该实施例的固态摄像装置的主要部分的示意性平面图，而图10B是示出对比示例的固态摄像装置的主要部分的示意性平面图。上述各图以图1所示的整体结构的四个单元像素共用的FD部分26为中央。应该注意，图10B是示出对比示例的主要部分的示意性平面图。
该实施例的固态摄像装置包括形成在基板上的多个光电二极管21、连接到光电二极管21的传输晶体管22的传输栅极22g、以及形成在被多个光电二极管21包围的位置处的FD部分26。当然，FD部分26形成为使得其中央部分设置在四个传输栅极22g(在纵向和横向方向各布置两个)包围的位置处，并且使得从其中央部分延伸的部分，即，在布置在纵向和横向方向上的两个相邻传输栅极22g之间延伸的部分逐渐变细。
这里，在图10B所示的对比示例中，尽管和该实施例一样，FD部分26形成在四个传输栅极22g的布置的中央处，并且该四个传输栅极22g在纵向和横向方向上各布置两个，但是在布置在纵向和横向方向上的相邻传输栅极22g之间延伸的部分并不逐渐变细。换句话说，FD部分26的端部与相邻的传输栅极22g的端部垂直。
(电力线)
在上述对比示例的结构中，如图10B中的箭头所示，来自传输栅极22g的电力线在传输栅极22g与FD部分26的交叉处集中，由此高电场区域在侧壁22w下方的传输栅极22g与FD部分26的交叉位置处(图中的圆圈)产生，从而引起泄露电流和白点效应。
另一方面，在图10A所示的该实施例的结构中，当FD部分26在布置在纵向和横向方向上的相邻传输栅极22g之间延伸的部分逐渐变细时，FD部分26的端部与传输栅极22g的端部交叉的角度变倾斜。结果，随着距中央部分的距离的增加，FD部分26的端部逐渐移动远离传输栅极22g的端部(侧壁)。
因此，如图10A中的箭头所示，从传输栅极22g延伸到FD部分26的电力线被分散，并且朝着侧壁22w下方的高电场区域(图中的圆圈)延伸的电力线的数量减小，这意味着高电场被缓解。因此，泄露电流和白点效应被抑制。
应该注意，尽管在该实施例中已描述了这样的布局，其中FD部分26形成在四个传输栅极22g包围的位置处并且该四个传输栅极22g在纵向和横向方向上各布置两个，但是也可以采用其他的布局(FD部分被共用的其他布局)。
<4.电子设备>
图11是示出作为该实施例的电子设备的示例的摄像装置的结构示例的方框图。如图11所示，摄像装置90包括：包括透镜组91的光学系统、固态摄像装置92、作为相机信号处理电路的DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、操作系统97、电源系统98等。在这些部件中，DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、操作系统97、以及电源系统98经由汇流线99互相连接。
透镜组91接收来自物体的入射光(图像光)并在固态摄像装置92的成像表面上形成图像。固态摄像装置92将通过透镜组91在成像表面上成像的入射光的量转换成像素单元中的电信号，并输出作为像素信号的信号。采用上述实施例的固态摄像装置作为固态摄像装置92。
显示装置95由诸如液晶显示装置和有机EL(电致发光)显示装置的平板型显示装置构成并且显示由固态摄像装置92获取的运动图像或静止图像。记录装置96在非易失性存储器或者诸如录像带和DVD(数字视频光盘)的记录介质中记录由固态摄像装置92获取的运动图像或静止图像。
根据用户的操作，操作系统97发出为摄像装置90提供的各种功能的操作指令。适当地，电源系统98变化地提供作为操作电源的电源到DSP电路93、帧存储器94、显示装置95、记录装置96、以及操作系统97。
这样的摄像装置90被应用到摄影机，数码照相机、以及诸如蜂窝电话的移动设备的照相模块。通过采用上述实施例的固态摄像装置作为固态摄像装置92，可以提供噪声被抑制的高质量的摄像装置。
本申请包含2009年2月27日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2009-044975涉及的相关主题，其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求及其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
Claims (8)
1.一种固态摄像装置的制造方法，包括步骤：
在基板上形成多个光接收部分；
形成多个传输栅极，所述多个传输栅极连接到形成在所述基板上的所述多个光接收部分；
在所述基板上形成绝缘膜；
通过蚀刻所述绝缘膜而暴露基底，使得所述绝缘膜的在相邻的传输栅极之间的蚀刻部分逐渐变细；以及
采用蚀刻后保留的绝缘膜作为掩模而将杂质注入到暴露部分中，从而形成杂质注入部分。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中
在所述基板上形成所述绝缘膜的步骤包括将绝缘材料涂敷到所述基板上，以使得相邻的传输栅极之间的所述绝缘膜形成凹陷部分。
3.根据权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中
所述杂质注入部分形成在四个光接收部分的布置的中央处，并且所述四个光接收部分在纵向和横向方向上各布置两个。
4.根据权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中
在所述基板上形成所述绝缘膜的步骤包括通过旋涂法涂敷绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的固态摄像装置的制造方法，其中
在所述基板上形成所述绝缘膜的步骤包括通过准大气压化学气相沉积来沉积绝缘材料。
6.根据权利要求4所述的固态摄像装置的制造方法，其中所述绝缘膜由氧化硅形成。
7.一种固态摄像装置，包括：
多个光接收部分，形成在基板上；
多个传输栅极，连接到所述多个光接收部分；以及
杂质注入部分，设置为使得所述杂质注入部分的中央部分形成在被所述多个传输栅极包围的位置处，并且使得所述杂质注入部分的从所述中央部分延伸于相邻的传输栅极之间的部分逐渐变细。
8.一种电子设备，包括：
固态摄像装置，输出与接收光量对应的电信号，所述固态摄像装置包括：
多个光接收部分，形成在基板上；
多个传输栅极，连接到所述多个光接收部分；以及
杂质注入部分，设置为使得所述杂质注入部分的中央部分形成在被所述多个传输栅极包围的位置处，并且使得所述杂质注入部分的从所述中央部分延伸于相邻的传输栅极之间的部分逐渐变细；以及
信号处理设备，处理从所述固态摄像装置输出的所述电信号。
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