CN101809866A - 声波滤波装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有平衡-不平衡转换功能且能够改善第一、第二平衡端子间的信号的平衡度的声波滤波装置。该声波滤波装置具有：具有不平衡端和第一、第二平衡端的纵耦合谐振器型声波滤波部(6)；和声波谐振器(18)；在声波滤波部(6)的第一、第二平衡端上连接的第一、第二信号线(16、17)上，分别连接有IDT(19)的第一、第二分割电极部(19a、19b)，连接第一分割电极部(19a)与第一平衡端的线路的距离大致等于连接第二分割电极部(19b)与第二平衡端的线路的距离，第一分割电极部(19a)不同于第二分割电极部(19b)。

Description

声波滤波装置
技术领域
本发明涉及一种具有平衡-不平衡转换功能的声波滤波装置，更详细而言，涉及一种在纵耦合谐振器型声波滤波部上连接有单端口型声波谐振器的声波滤波装置。
背景技术
在便携式电话等RF段，要求具有平衡-不平衡转换功能的带通滤波器。作为这种带通滤波器，以往使用了具有平衡-不平衡转换功能的声表面波滤波装置。
例如，在下述的专利文献1中，公开了具有图13所示的电极结构的声表面波滤波装置。在声表面波滤波装置1001中，不平衡端子1002与第一、第二平衡端子1003、1004之间连接有图示的电极结构。不平衡端子1002上连接有单端口型声表面波谐振器1005。声表面波谐振器1005的另一端上连接有第一、第二纵耦合谐振器型声表面波滤波器1006、1007。声表面波滤波器1006、1007都是3IDT电极型纵耦合谐振器型声表面波滤波器。
位于声表面波滤波器1006、1007的中央处的IDT电极分别连接在一起，并连接在上述声表面波谐振器1005上。另一方面，位于声表面波滤波器1006的中央的IDT电极两侧的IDT电极连接在一起，并通过单端口型声表面波谐振器1008连接在第一平衡端子1003上。同样，声表面波滤波器1007的两侧的IDT电极的各一端连接在一起，并通过单端口型SAW谐振器1009连接在第二平衡端子1004上。这里，按照在连接声表面波滤波器1006与第一平衡端子1003的第一信号线1010、连接声表面波滤波器1007与第二平衡端子1004的第二信号线1011中所传送的信号的相位相差180度的方式，构成了声表面波滤波器1006、1007。
另外，第一、第二信号线1010、1011之间连接有声表面波谐振器1012。即，单端口型声表面波谐振器1012的一个汇流条连接在第一信号线1010上，第一汇流条相反侧的第二汇流条连接在第二信号线1011上。
上述单端口型声表面波谐振器1012的谐振频率位于声表面波滤波器1006、1007的通频带的低频侧，由此扩大了通频带外衰减量。另外，在专利文献1中，由于声表面波谐振器1012连接了第一、第二信号线1010、1011，因此对平衡端子1003和1004的影响大致相等，所以能够抑制平衡度的恶化。
另一方面，下述的专利文献2中，在具有平衡-不平衡转换功能的声表面波滤波装置的第一、第二平衡端子内，向一方的平衡端子附加了电抗成分。通过电抗成分的附加，可改善相位平衡度。在专利文献2的图19中，作为附加上述电抗成分的结构，使用了梳型电极。即，根据梳型电极的电容，向一方的平衡端子附加了上述电抗成分。
专利文献1：日本特开2001-308672号公报
专利文献2：日本特开2004-96244号公报
在专利文献1所记载的上述声表面波滤波装置1001中，通过声表面波谐振器1012的连接扩大了通频带外衰减量。但是，声表面波谐振器1012的对置的第一、第二汇流条中的一个汇流条连接在第一信号线1010上，第二汇流条连接在第二信号线1011上。即，由于从对置的第一、第二汇流条分别引出了布线，因此压电基板上的布线结构容易变得复杂。因此，很难做到小型化。另外，如上所述，由于声表面波谐振器1012的连接对平衡端子1003、1004的影响大致相等，因此平衡度基本不会被恶化，但是该结构并不能积极改善平衡度。因此，在专利文献1所记载的构成中，不能充分提高第一、第二平衡端子1003、1004间的信号的平衡度。
另一方面，在专利文献2所记载的构成中，通过上述梳型电极向一方的平衡端子附加了电抗成分。由此，改善了相位平衡度。但是，虽然改善了平衡度，却因电抗成分的附加而导致寄生电容增加，存在插入损耗会增加的问题。另外，为了附加上述电抗成分，会增大压电基板上的电极面积，不得不扩大声表面波滤波芯片。
发明内容
本发明的目的在于消除上述的现有技术的缺陷，提供一种具有平衡-不平衡转换功能且不仅能够实现通频带外的衰减量的扩大还能够提高第一、第二平衡端子间的信号的平衡度的声波滤波装置。
根据本发明，声波滤波装置为纵耦合谐振器型，具备具有不平衡端子和第一、第二平衡端子的平衡-不平衡转换功能，该声波滤波装置的特征在于，包括：压电基板；纵耦合谐振器型声波滤波部，其形成在所述压电基板上，具有与所述不平衡端子连接的不平衡端、和作为输出的信号的相位相差180°的电极端部的第一、第二平衡端；声波谐振器，其形成在所述压电基板上，具备具有对置的第一、第二汇流条的IDT电极、配置在所述IDT电极的声波传播方向两侧的一对反射器；和第一、第二信号线，一端分别连接在所述声波滤波部的所述第一、第二平衡端上，另一端连接在第一、第二平衡端子上；所述声波谐振器具有通过将该声波谐振器的IDT电极的第一汇流条在声波传播方向上分成两个而设置的第一、第二分割电极部，该第一、第二分割电极部在声波传播方向上通过所述第二汇流条而串联连接，所述第一分割电极部的与所述第二汇流条相反一侧的端部与所述第一信号线连接，所述第二分割电极部的与所述第二汇流条相反一侧的端部与所述第二信号线电连接，连接所述第一分割电极部与第一平衡端的线路的距离等于连接所述第二分割电极部与第二平衡端的线路的距离，并且所述第一分割电极部不同于所述第二分割电极部。
在本发明的声波滤波装置中，能够对上述纵耦合谐振器型声波滤波部进行适当变形。在本发明的一个特定情况下，所述纵耦合谐振器型声波滤波部在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极，该奇数个IDT电极中在声波传播方向上位于中央的IDT电极具有在声波传播方向上分成两个而设置的第一、第二分割IDT部，该第一、第二分割IDT部具有所述第一、第二平衡端，与位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧相邻的两个IDT电极具有连接在所述不平衡端子上的不平衡端。
另外，在本发明的另一特定的情况下，所述纵耦合谐振器型声波滤波部在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极，该奇数个IDT电极中在声波传播方向上位于中央的IDT电极连接在所述不平衡端子上，该位于中央的IDT电极的两侧的IDT电极分别连接在第一、第二平衡端子上。
另外，在本发明的另一特定的情况下，所述纵耦合谐振器型声波滤波部具有：纵耦合谐振器型第一声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；和纵耦合谐振器型第二声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；所述第一声波滤波单元的奇数个IDT电极中，位于中央的IDT电极的一端是所述不平衡端或第一平衡端，所述位于中央的IDT电极的两侧的两个IDT电极的各一端是所述第一平衡端或所述不平衡端，所述第二声波滤波部的奇数个IDT电极中，在声波传播方向上位于中央的IDT电极的一端是所述不平衡端或第二平衡端，配置在该IDT电极的声波传播方向两侧的两个IDT电极的各一端是所述第二平衡端或所述不平衡端。
另外，在本发明的另一特定的情况下，所述纵耦合谐振器型声波滤波部具有：第一纵耦合谐振器型声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；和纵耦合谐振器型第二声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；所述第一声波滤波单元和所述第二声波滤波单元排列配置在与各声波滤波单元的声波传播方向正交的方向上，并被两级级联连接，将第一、第二声波滤波单元的中央的IDT电极的声波传播方向上的两侧作为第一侧和第二侧时，与第一声波滤波单元的中央的IDT电极的第一侧相邻的IDT的一端、和与所述第二声波滤波单元的中央的IDT电极的声波传播方向的第一侧相邻的IDT的一端，通过所述第一信号线连接，与所述第一声波滤波单元的中央的IDT电极的所述第二侧相邻的IDT的一端、和与所述第二声波滤波单元的位于中央的IDT电极的所述第二侧相邻的IDT的一端，通过所述第二信号线连接，所述第一信号线中传送的电信号与所述第二信号线中传送的电信号为相反相位，第一声波滤波单元的中央的IDT电极的一端是所述不平衡端，与该IDT电极的声波传播方向两侧相邻的各IDT的各一端是所述第一、第二平衡端，所述第一、第二平衡端与所述第一、第二平衡端子分别经由所述第二声波滤波单元并通过所述第一、第二信号线连接。
此时，所述声波谐振器也可以在所述第二声波滤波单元的后级与所述第一、第二信号线连接。另外，所述声波谐振器也可以在所述第二声波滤波单元的前级即在第一、第二声波滤波单元间的级间与所述第一、第二信号线连接。
另外，在本发明的声波滤波装置中，上述声波谐振器的第一分割电极部不同于第二分割电极部，但是针对不同构成的方式并没有特别的限定。即，可以是第一分割电极部的电极指的根数不同于第二分割电极部的电极指的根数。此时，只要将电极指的根数设置得不同，就可以轻易使第一、第二分割电极部不同，从而能够改善平衡度。
另外，在所述纵耦合谐振器型声波滤波部中，将在声波传播方向上位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧作为第一、第二侧时，在位于中央的IDT电极和与该IDT电极在第一侧相邻的IDT电极两者所相邻的部分，在第一侧相邻的该IDT电极的最外侧电极指即位于中央的IDT电极侧的最外电极指被作为与高电位(hot potential)连接的电极指，所述第一分割电极部的电极指的根数比所述第二分割电极部的电极指的根数多。该情况下也能改善平衡度。
或者，在所述纵耦合谐振器型声波滤波部中，将在声波传播方向上位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧作为第一、第二侧时，在位于中央的IDT电极和与该IDT电极在第一侧相邻的IDT电极两者所相邻的部分，在第一侧相邻的IDT电极的最外侧电极指即位于中央的IDT电极侧的最外电极指被作为与接地电位连接的电极指，所述第一分割电极部的电极指的根数比所述第二分割电极部的电极指的根数少。
另外，也可以使上述第一分割电极部的金属化率不同于第二分割电极部的金属化率，此时，只要在形成电极时使金属化率不同，则能够根据本发明而改善平衡度。
而且，也可以使所述第一分割电极部的电极指间距不同于所述第二分割电极部的电极指间距。这种情况下，只要使电极指间距不同，也能够轻易改善平衡度。
另外，在本发明的声波滤波装置中，也可以将所述声波谐振器的所述第二汇流条连接在接地电位上。此时，也能够改善平衡度。
另外，优选所述声波谐振器的谐振频率-反谐振频率间的频带包括所述纵耦合谐振器型声波滤波部的通频带。在声表面波谐振器的谐振-反谐振频带中，由于声表面波谐振器呈感应性，因此在上述纵耦合谐振器型声波滤波部的通频带内，声波谐振器不会呈容性，能够抑制插入损耗的劣化。
本发明的声波滤波装置也可以使用声表面波，此时，根据本发明，能够得到纵耦合谐振器型声表面波滤波装置，另外，也可以使用声界面波，此时，根据本发明，能够得到纵耦合谐振器型声界面波滤波装置。
(发明效果)
在本发明的声波滤波装置中，由于连接上述声波谐振器的第一分割电极部与第一平衡端的线路的距离等于连接所述第二分割电极部与第二平衡端的线路的距离，因此，从第一、第二信号线传送给声波谐振器的信号的相位偏移量大致相同。因此，能够改善第一、第二平衡端子间的相位平衡度和振幅平衡度。
除此之外，由于上述声波谐振器的第一分割电极部不同于第二分割电极部，因此通过调整使其不同的方式，能够更精细地调整第一、第二平衡端子间的信号的振幅平衡度和相位平衡度，由此能够进一步改善平衡度。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图2是表示第1实施方式和比较例的声波滤波装置的振幅平衡度-频率特性的图。
图3是表示第1实施方式和比较例的声波滤波装置的相位平衡度-频率特性的图。
图4是用于说明具有第一、第二分割电极部的声表面波谐振器中的第一、第二分割电极部的相位关系的示意俯视图。
图5是本发明的第2实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图6是本发明的第3实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图7是本发明的第4实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图8是本发明的第5实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图9是本发明的第6实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图10是本发明的第7实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。
图11是表示本发明中所使用的声表面波谐振器的变形例的示意俯视图。
图12是表示本发明中所使用的声表面波谐振器的另一变形例的示意俯视图。
图13是用于说明以往的声表面波滤波装置的示意俯视图。
图中：1-声波滤波装置；2-压电基板；3-不平衡端子；4、5-第一、第二平衡端子；6-声波滤波部；11～13-IDT电极；14、15-反射器；16、17-第一、第二信号线；18-声波谐振器；19-IDT电极；20a、20b-反射器；21-声波滤波装置；22a、22b-分割汇流条；23-公共汇流条；24a、24b-连接布线；25a、26b-连接点；27、28-声波滤波器；30-IDT电极；30a、30b-第一、第二分割电极部；31-声波滤波装置；41-声波滤波装置；51-声波滤波装置；61-声波滤波装置；71-声波滤波装置。
具体实施方式
下面，通过参照附图具体说明本发明的实施方式来明确本发明。
图1是表示本发明的第1实施方式的声波滤波装置的电极结构的示意俯视图。本实施方式的声波滤波装置1是利用了声表面波的声表面波滤波装置。
压电基板2上形成有图示的示意电极结构。在本实施方式中，压电基板2由LiTaO3基板构成。更具体而言，使用表面波传播方向其晶轴是X轴方向，切角为Y轴旋转角度40±5°的LiTaO3单晶基板。但是，也可以使用其它晶体方位的LiTaO3或其它压电单晶体来形成压电基板2。而且，压电基板2也可以由压电陶瓷构成。
在压电基板2上通过层叠10nm厚的Ti膜和317nm的Al膜而构成的层叠膜形成图示的电极结构。
声波滤波装置1在不平衡端子3与第一、第二平衡端子4、5之间连接了纵耦合谐振器型声波滤波部6。纵耦合谐振器型声波滤波部6具有配置于中央处的第一IDT电极11、配置于第一IDT电极11的声表面波传播方向两侧的第二、第三IDT电极12、13。在设有IDT电极11～13的区域的声表面波传播方向两侧配置有反射器14、15。即，声波滤波部6是纵耦合谐振器型的3IDT电极型声表面波滤波器。
第二、第三IDT电极12、13的各一端连接在一起并电连接在上述不平衡端子3上，IDT电极12、13的另一端与接地电位连接。第一IDT电极11具有在声波传播方向上IDT电极被分成两个而设置的第一、第二分割IDT电极部11a、11b。即，通过将IDT电极的一个汇流条分成两个来形成第一、第二分割IDT电极部11a、11b。没有被分割的一侧的汇流条被作为公共汇流条，由此，第一、第二分割IDT电极部11a、11b串联连接。第一分割IDT电极部11a经第一信号线16连接在第一平衡端子4上，第二分割IDT电极部11b经第二信号线17连接在第二平衡端子5上。
这里，按照从第二信号线17向第二平衡端子5传送的信号的相位相对于从第一信号线16向第一平衡端子4传送的信号的相位相差180°的方式，相对于IDT电极12的极性反转IDT电极13的极性。由此，实现平衡-不平衡转换功能。
IDT电极12、13的各一端是不平衡端，IDT电极11的分割IDT电极部11a、11b的各一端是第一、第二平衡端。在本发明中，第一、第二平衡端是指输出的信号的相位相差180°的电极端部。因此，在本实施方式中，第一分割IDT电极部11a的一端即分割汇流条的端部和第二分割IDT电极部11b的分割汇流条的端部分别是第一、第二平衡端。
本实施方式的特征在于，在上述第一信号线16与第二信号线17之间连接了声波谐振器18。声波谐振器18具有IDT电极19和配置于IDT电极19的声表面波传播方向两侧的反射器20a、20b。IDT电极19具有通过在表面波传播方向上分割互相对置的一对汇流条内的一个汇流条而设置的第一分割汇流条22a和第二分割汇流条22b，由此形成了第一、第二分割电极部19a、19b。与第一、第二分割汇流条22a、22b对置的相反侧的汇流条被作为公共汇流条23。
第一分割汇流条22a经连接布线24a在连接点25a处与第一信号线16连接。另外，第二分割汇流条22b经连接布线24b在连接点25b处与第一信号线17连接。
另外，虽然没有特别的限定，但是第一、第二分割汇流条22a、22b配置于声波滤波部6一侧，公共汇流条23配置于离声波滤波部6远的一侧。因此，能够缩短用于电连接第一分割汇流条22a与第一信号线16的连接布线24a、和用于连接第二分割汇流条22b与第二信号线17的连接布线24b的长度。因此，能够实现声波滤波装置1的小型化。
另外，由于第一信号线16和第二信号线17所传送的信号的相位被反转，且第一、第二信号线16、17之间连接有上述声波谐振器18，因此能够提高滤波特性的陡峭性，且能够扩大通频带宽。即，与上述的专利文献1所记载的声波滤波装置同样，反转了在第一信号线中传送的信号的相位和在第二信号线17中传送的信号的相位。而且，由于在上述第一、第二信号线16、17之间连接有声波谐振器18，因此可相互抵消从第一信号线16传送给声波谐振器18的信号与从第二信号线17传送给声波谐振器18的信号。因此，能够提高滤波特性的陡峭性。
除此之外，优选使上述声波谐振器18的谐振频率位于比上述纵耦合谐振器型声波滤波部6的通频带低的频域侧，由此能够实现通频带低频侧的衰减量的扩大。
更期望使上述声波谐振器的谐振频率-反谐振频率包括上述声波滤波部6的通频带。此时，由于在声波滤波部6的通频带中，声波谐振器18呈感应性，而非容性，因此能够抑制由电抗引起的插入损耗的劣化。
本实施方式的声波滤波装置1的特征在于，上述第一分割电极部19a与声波滤波部6的第一平衡端即第一分割IDT电极部11a之间的线路的距离、和连接第二分割电极部19b与声波滤波部6的第二平衡端即第二分割IDT电极部11b之间的线路的距离相等，以及第一分割电极部19a不同于第二分割电极部19b。即，由于第一分割电极部19a与上述第一平衡端之间的布线距离、和第二分割电极部19b与上述第二平衡端之间的布线距离大致相等，因此从第一、第二信号线16、17传送给声波谐振器18的信号的相位偏移量大致相同。因此，能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
除此之外，通过使第一分割电极部19a与第二分割电极部19b不同，能够更加确实地改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
基于以下的具体实验例来明确此结论。
通过在压电基板上按照以下的规格形成各电极来制造上述声波滤波装置1。
声波滤波部6的电极指交叉宽度：90μm
反射器14、15的电极指根数：各80根
反射器14、15的电极指间距：2.136μm
反射器14、15的金属化率(metallization ratio)：0.66
IDT电极12、13的电极指对数：分别11.5对，电极指根数24根
IDT电极12、13的电极指间距：2.115μm
其中，在IDT电极12的电极指内靠近IDT电极11侧的四根电极指、IDT电极13的位于IDT电极11侧的四根电极指中，将电极指间距设为1.998μm。即，在IDT电极12、13中分别设置具有上述电极指间距的窄间距电极指部。
IDT电极12、13的金属化率：0.65，其中，在窄间距电极指部中为0.63。
IDT电极11的电极指的对数：9.5对，电极指的根数为20根
IDT电极11的电极指间距：2.12μm
其中，在IDT电极11中，在两端分别设置窄间距电极指部。窄间距电极指部由电极指间距为1.968μm的6根电极指构成。
IDT电极11的金属化率：0.65，其中，在窄间距电极指部中为0.63。
IDT电极11与IDT电极12间的间隔以及IDT电极12与IDT电极13间的间隔：相邻的IDT电极的相邻电极指中心间距离为0.72μm
IDT电极-反射器间的间隔：相邻的电极指的中心间的距离为0.57μm
声波谐振器18的电极指交叉宽度：80μm
声波谐振器18的反射器20a、20b的电极指的根数：各30根
反射器20a、20b以及IDT电极19的电极指间距：2.160μm
反射器20a、20b的金属化率：0.50
第一分割电极部19a的电极指根数：28根
第二分割电极部19b的电极指根数：24根
测定如上所述那样设计的本实施方式的声波滤波装置1的特性。为了进行比较，测定了除了与专利文献1同样地在第一、第二信号线间连接有声表面波谐振器之外，按照与上述实施方式同样的方式设计的声波滤波装置的特性。另外，在比较例中，声波谐振器的反射器的构成与上述实施方式相同，位于中央的IDT电极的电极指的根数为52根，电极指间距和金属化率与上述实施方式的声波谐振器相同。
图2和图3表示上述实施方式和比较例的各声波滤波装置的振幅平衡度频率特性和相位平衡度频率特性。在图2和图3中，实线表示上述实施方式的结果，虚线表示比较例的结果。图2的相位平衡度-频率特性中，在通频带的925-960MHz中，根据上述实施方式，相位平衡度在0dB附近，与比较例相比可知，有效提高了相位平衡度。
另外，从图3可知，在相同的925-960MHz中，根据上述实施方式，相位平衡度在180°附近，与在176°附近的比较例相比可知，有效改善了相位平衡度。
这是因为如上述那样，通过使第一分割电极部19a与第一平衡端子间的线路的距离、和第二分割电极部19b与第二平衡端子间的线路的距离大致相等，从而使从第一、第二信号线16、17传送给声波谐振器18的信号的相位偏移量大致相等，以及第一分割电极部19a和第二分割电极部19b的电极指的根数不同。
即，如图4所示那样，在声波谐振器中，设IDT电极30具有电极指的根数不同的第一分割电极部30a和第二分割电极部30b。此时，如图4的下方所示，设在第一分割电极部30a中相位为+90°、在第二分割电极部30b中相位为-90°，则在两者间的中间点的中性点处相位为0°。而且，由于相对于该中间点非对称地构成了IDT电极30，因此可通过使上述第一、第二分割电极部30a、30b的电极指的根数不同来调整相对第一、第二平衡端子的电抗量。即，能够通过使上述分割电极部30a、30b的电极指的根数不同，来调整从第一平衡端和第二平衡端输出的信号的强度差所引起的平衡度的劣化。
在本实施方式中，使第一、第二分割电极部19a、19b的电极指的根数不同，使得从第一平衡端和第二平衡端输出的信号的强度差所引起的平衡度的劣化相抵消。
图5是表示本发明的第2实施方式的声波滤波装置21的示意俯视图。这里，使用两级级联连接结构的声波滤波部6A代替了第1实施方式的声波滤波装置1的声波滤波部6，除此之外，其构成与第1实施方式相同。因此，仅说明纵耦合谐振器型声波滤波部6A，其它部分的说明将援引第1实施方式的说明。
纵耦合谐振器型声波滤波部6A通过级联连接第一纵耦合谐振器型声波滤波器27和第二纵耦合谐振器型声波滤波器28而形成。各声波滤波器27、28分别具有：第一IDT电极27a、28a；和配置于第一IDT电极27a、28a的声表面波传播方向两侧的第二、第三IDT电极27b、27c、28b、28c。另外，在设有IDT电极27a～27c的区域的声表面波传播方向两侧，配置有反射器27d、27e，同样，在设有IDT电极28a～28c的区域的表面波传播方向两侧，配置有反射器28d、28e。
第一IDT电极27a的一端与不平衡端子3连接，另一端与接地电位连接。第二、第三IDT电极27b、27c的一端连接在接地电位上，IDT电极27b、27c的各另一端分别连接在第二声波滤波器28的第二、第三IDT电极28b、28c的一端上。IDT电极28b、28c的各另一端连接在接地电位上。IDT电极28a其构成与第1实施方式的声波滤波部6的第一IDT电极11相同。即，IDT电极28a具有第一、第二分割IDT电极部。因此，与第1实施方式的情况同样对该第一、第二分割IDT电极部附加参照序号11a、11b，并援引第1实施方式的说明。
在第2实施方式中，上述第一、第二信号线16、17也连接第一、第二平衡端与第一、第二平衡端子4、5，且与第1实施方式同样连接有声波谐振器18。即，声波谐振器的第一分割电极部19a与第一平衡端之间的距离、和第二分割电极部19b与第二平衡端之间的距离大致相等，且第一分割电极部19a的电极指根数不同于第二分割电极部19b的电极指根数。因此，与第1实施方式相同，能够有效改善第一、第二平衡端子间的信号的平衡度。
图6是表示本发明的第3实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。在第3实施方式的声波滤波装置31中，使用与不平衡端子3并联连接的第一、第二纵耦合谐振器型声波滤波部33、34代替了图1的声波滤波部6，除此之外其构成与第1、第2实施方式相同。因此，通过附加相同的参照序号来省略其说明。
这里，第一声波滤波部33具有：第一IDT电极33a；配置于第一IDT电极33a的声表面波传播方向两侧的第二、第三IDT电极33b、33c；和设有IDT电极33a～33c的区域的表面波传播方向两侧的反射器33d、33e。第二声波滤波部34也具有同样的构成，具有第一～第三IDT电极34a～34c、反射器34d、34e。
不平衡端子3上连接有第一声波滤波部33的第一IDT电极33a的一端，IDT电极33a的另一端连接在接地电位上。第二、第三IDT电极33b、33c的各一端连接在接地电位上，各另一端连接在一起，并连接在第一平衡端子4上。
第二声波滤波部34的第一IDT电极34a的一端连接在不平衡端子3上，另一端连接在接地电位上。第二、第三IDT电极34b、34c的各一端连接在接地电位上，各另一端连接在一起，并连接在第二平衡端子5上。
这里，IDT电极33a、34a的各一端是不平衡端，IDT电极33b、33c的各另一端是第一平衡端，IDT电极34b、34c的各另一端是第二平衡端。
连接上述第二平衡端与第二平衡端子5的第二信号线17所传送的信号的相位，相对于连接上述第一平衡端与第一平衡端子4的第一信号线16所传送的信号的相位相差180°。而且，在本实施方式中，由于在第一、第二信号线间也与第1实施方式同样地连接有声波谐振器18，因此与第1实施方式相同，能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
图7是表示本发明的第4实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。第4实施方式的声波滤波装置41相当于第3实施方式的声波滤波装置31的变形例。不同点在于，位于第一IDT电极33a的两侧的第二、第三IDT电极33b、33c的各一端连接在一起并连接在不平衡端子3上，各另一端连接在接地电位上，其中，第一IDT电极33a位于声波滤波部33的中央，同样，第二、第三IDT电极34b、34c的各一端连接在一起并连接在不平衡端子3上，且位于中央的第一IDT电极33a、34a的各一端连接在第一、第二平衡端子4、5上。其他结构与第3实施方式同样。因此，在第4实施方式的声波滤波装置41中，也能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
图8是表示本发明的第5实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。第5实施方式的声波滤波装置51中，使用设有5IDT电极型纵耦合谐振器型声波滤波部52代替了第1实施方式的声波滤波装置1的纵耦合谐振器型声波滤波部6，除此之外其构成与第1实施方式相同。
声波滤波部52具有：位于中央的第一IDT电极52a；配置于IDT电极52a的声波传播方向两侧的第二、第三IDT电极52b、52c；和配置于设有第一～第三IDT电极52a～52c的区域的表面波传播方向两侧的第四、第五IDT电极52d、52e。在设有IDT电极52a～52e的区域的表面波传播方向两侧，设有反射器52f、52g。这里，第一IDT电极52a和第四、第五IDT电极52d、52e的各一端是不平衡端，连接在一起并连接在不平衡端子3上。IDT电极52a、52d、52e的各另一端连接在接地电位上。
相对于第二IDT电极52b反转了第三IDT电极52c的极性。而且，第二IDT电极52d的一端连接在接地电位上，另一端连接在第一平衡端子4上。同样，第三IDT电极52c的一端连接在接地电位上，另一端连接在第二平衡端子5上。这里，IDT电极52b的上述另一端构成第一平衡端，IDT电极52c的另一端构成第二平衡端。
在第5实施方式中，也与第1实施方式同样，由于声波谐振器18连接在第一、第二信号线之间，因此同样能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
图9是表示本发明的第6实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。声波滤波装置61相当于第5实施方式的声波滤波装置51的变形例。不同点在于，在5IDT电极型纵耦合谐振器型声波滤波装置部52中，第二、第三IDT电极52b、52c的各一端是不平衡端，这些连接在一起并连接在不平衡端子3上，第一、第四以及第五IDT电极52A、52d、52e连接在平衡端子侧。
这里，中央的第一IDT电极52A具有在表面波传播方向上分开两个而设置的第一、第二分割IDT电极52A1、52A2。
第一平衡端子4上连接有第四IDT电极52d的一端和上述第一分割IDT电极部52A1的一端。这里，第一平衡端是第四IDT电极52d与第一分割IDT电极部52A1的各一端，这些端在连接点62处连接在一起。IDT电极52d的另一端连接在接地电位上。
另外，第二分割IDT电极部52A2的一端与第五IDT电极52e的一端是第二平衡端，这些端在连接点63处连接在一起。该连接点63经由第二信号线17连接在第二平衡端子5上。第五IDT电极52e的另一端连接在接地电位上。
在第6实施方式中，由于也与第1实施方式同样在第一、第二信号线之间连接有声波谐振器18，因此能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
图10是表示本发明的第7实施方式的声波滤波装置的示意俯视图。第7实施方式的声波滤波装置71，与图5所示的第2实施方式的声波滤波装置21同样具有两级级联连接的第一、第二纵耦合谐振器型声波滤波器27、28。因此，在相同部分附加相同的参照序号，并省略其说明。其中，在图5中，声波谐振器18连接在第二声波滤波器28的输出侧，且物理结构上声波谐振器18隔着第二声波滤波器28配置在第一声波滤波器27的相反侧。
相对于此，在第7实施方式的声波滤波装置71中，声波谐振器18在第一声波滤波器27与第二声波滤波器28之间的级间连接在第一、第二信号线上。另外，在物理布局中，声波谐振器18也配置在第一声波滤波器27与第二声波滤波器28之间的区域中。这样，使用多级结构的声波滤波部时，也可以在级间配置声表面波谐振器。
在这里仅说明与第2实施方式不同的部分，对相同部分援引图5所示的声波滤波装置21的说明因而省略。
第一声波滤波器27的第二、第三IDT电极27b、27c的各一端连接在接地电位上，各另一端不仅分别连接在第二声波滤波器28的第二、第三IDT电极28b、28c的各一端上，而且还分别电连接在第一、第二分割电极部19a、19b上。
更具体而言，IDT电极27b的另一端经第一信号线连接在IDT电极28b上。另外，这里，第一平衡端是指连接在IDT电极27b的接地电位的一侧的相反侧的汇流条的端部，第二平衡端是指连接在IDT电极27c的接地电位的一侧的相反侧的汇流条端。这与第2实施方式同样是为了使从IDT电极27b、27c输出的信号的相位相差180°。即，第一、第二平衡端是指，在纵耦合谐振器型声波滤波部中一方的传送信号的相位与另一方的传送信号的相位相差180°的部分的输出侧端部。
因此，在图10中，第一信号线是指连接上述第一平衡端与第一平衡端子4的部分，更具体而言，包括连接IDT电极27b的端部与IDT电极28b的布线部分16a、连接第一分割IDT电极部11a与第一平衡端子4的布线部分16b这两者。同样，第二信号线17除了包括连接IDT电极27c的端部与IDT电极28c的布线部分17a外，还包括连接第二分割IDT电极部11b与第二平衡端子5的布线部分17b。而且，在第一、第二信号线16、17之间与第2实施方式同样地连接有声波谐振器18。更具体而言，连接点26上连接有声波谐振器18的第一分割电极部19a，第二连接点35上连接有第二分割电极部19b。
由于在本实施方式中也与第1实施方式同样地在第一、第二信号线间连接了声表面波谐振器，更具体而言，由于第一平衡端与第一连接点26之间的距离、和平衡端与第二连接点35之间的距离大致相等，且第一、第二分割电极部19a、19b的电极指的根数不同，因此能够有效改善第一、第二平衡端子4、5间的信号的平衡度。
另外，在图1所示的实施方式中，IDT电极19中公共汇流条被浮置，但是也可以像图11所示那样将IDT电极19的公共汇流条连接在接地电位上，由此将中心点连接在接地电位上。
另外，在上述的实施方式和变形例中，第一分割电极部19a的电极指的根数不同于第二分割电极部19b的电极指的根数，但是也可以使电极指的根数以外的要素不同来使第一、第二分割电极部的结构不同。例如，如图12所示，可以使第一分割电极部29A的电极指间距不同于第二分割电极部29B的电极指间距。或者也可以使第一分割电极部的金属化率不同于第二分割电极部的金属化率。

Claims (16)

1.一种声波滤波装置，其为纵耦合谐振器型，具备具有不平衡端子和第一、第二平衡端子的平衡-不平衡转换功能，该声波滤波装置的特征在于，包括：
压电基板；
纵耦合谐振器型声波滤波部，其形成在所述压电基板上，具有与所述不平衡端子连接的不平衡端、和作为输出的信号的相位相差180°的电极端部的第一、第二平衡端；
声波谐振器，其形成在所述压电基板上，具备具有对置的第一、第二汇流条的IDT电极、配置在所述IDT电极的声波传播方向两侧的一对反射器；和
第一、第二信号线，一端分别连接在所述声波滤波部的所述第一、第二平衡端上，另一端连接在第一、第二平衡端子上；
所述声波谐振器具有通过将该声波谐振器的IDT电极的第一汇流条在声波传播方向上分成两个而设置的第一、第二分割电极部，该第一、第二分割电极部在声波传播方向上通过所述第二汇流条而串联连接，
所述第一分割电极部的与所述第二汇流条相反一侧的端部与所述第一信号线连接，
所述第二分割电极部的与所述第二汇流条相反一侧的端部与所述第二信号线电连接，
连接所述第一分割电极部与第一平衡端的线路的距离等于连接所述第二分割电极部与第二平衡端的线路的距离，并且所述第一分割电极部不同于所述第二分割电极部。
2.根据权利要求1所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述纵耦合谐振器型声波滤波部在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极，该奇数个IDT电极中在声波传播方向上位于中央的IDT电极具有在声波传播方向上分成两个而设置的第一、第二分割IDT部，该第一、第二分割IDT部具有所述第一、第二平衡端，与位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧相邻的两个IDT电极具有连接在所述不平衡端子上的不平衡端。
3.根据权利要求1所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述纵耦合谐振器型声波滤波部在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极，该奇数个IDT电极中在声波传播方向上位于中央的IDT电极连接在所述不平衡端子上，该位于中央的IDT电极的两侧的IDT电极分别连接在第一、第二平衡端子上。
4.根据权利要求1所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述纵耦合谐振器型声波滤波部具有：
纵耦合谐振器型第一声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；和
纵耦合谐振器型第二声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；
所述第一声波滤波单元的奇数个IDT电极中，位于中央的IDT电极的一端是所述不平衡端或第一平衡端，所述位于中央的IDT电极的两侧的两个IDT电极的各一端是所述第一平衡端或所述不平衡端，
所述第二声波滤波部的奇数个IDT电极中，在声波传播方向上位于中央的IDT电极的一端是所述不平衡端或第二平衡端，配置在该IDT电极的声波传播方向两侧的两个IDT电极的各一端是所述第二平衡端或所述不平衡端。
5.根据权利要求1所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述纵耦合谐振器型声波滤波部具有：
第一纵耦合谐振器型声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；和
纵耦合谐振器型第二声波滤波单元，其在所述压电基板上具有沿着声波传播方向配置的3以上的奇数个IDT电极；
所述第一声波滤波单元和所述第二声波滤波单元排列配置在与各声波滤波单元的声波传播方向正交的方向上，并被两级级联连接，
将第一、第二声波滤波单元的中央的IDT电极的声波传播方向上的两侧作为第一侧和第二侧时，与第一声波滤波单元的中央的IDT电极的第一侧相邻的IDT的一端、和与所述第二声波滤波单元的中央的IDT电极的声波传播方向的第一侧相邻的IDT的一端，通过所述第一信号线连接，与所述第一声波滤波单元的中央的IDT电极的所述第二侧相邻的IDT的一端、和与所述第二声波滤波单元的位于中央的IDT电极的所述第二侧相邻的IDT的一端，通过所述第二信号线连接，
所述第一信号线中传送的电信号与所述第二信号线中传送的电信号为相反相位，
第一声波滤波单元的中央的IDT电极的一端是所述不平衡端，与该IDT电极的声波传播方向两侧相邻的各IDT的各一端是所述第一、第二平衡端，所述第一、第二平衡端与所述第一、第二平衡端子分别经由所述第二声波滤波单元并通过所述第一、第二信号线连接。
6.根据权利要求5所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波谐振器在所述第二声波滤波单元的后级与所述第一、第二信号线连接。
7.根据权利要求5所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波谐振器在所述第二声波滤波单元的前级即在第一、第二声波滤波单元间的级间与所述第一、第二信号线连接。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述第一分割电极部的电极指的根数不同于所述第二分割电极部的电极指的根数。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
在所述纵耦合谐振器型声波滤波部中，将在声波传播方向上位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧作为第一、第二侧时，在位于中央的IDT电极和与该IDT电极在第一侧相邻的IDT电极两者所相邻的部分，在第一侧相邻的该IDT电极的最外侧电极指即位于中央的IDT电极侧的最外电极指被作为与高电位连接的电极指，所述第一分割电极部的电极指的根数比所述第二分割电极部的电极指的根数多。
10.根据权利要求1～8的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
在所述纵耦合谐振器型声波滤波部中，将在声波传播方向上位于中央的IDT电极的声波传播方向两侧作为第一、第二侧时，在位于中央的IDT电极和与该IDT电极在第一侧相邻的IDT电极两者所相邻的部分，在第一侧相邻的IDT电极的最外侧电极指即位于中央的IDT电极侧的最外电极指被作为与接地电位连接的电极指，所述第一分割电极部的电极指的根数比所述第二分割电极部的电极指的根数少。
11.根据权利要求1～10的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述第一分割电极部的金属化率不同于所述第二分割电极部的金属化率。
12.根据权利要求1～11的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述第一分割电极部的电极指间距不同于所述第二分割电极部的电极指间距。
13.根据权利要求1～12的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波谐振器的所述第二汇流条连接在接地电位上。
14.根据权利要求1～13的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波谐振器的谐振频率-反谐振频率间的频带包括所述纵耦合谐振器型声波滤波部的通频带。
15.根据权利要求1～14的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波是声表面波，所述声波滤波装置是声表面波滤波装置。
16.根据权利要求1～14的任一项所述的声波滤波装置，其特征在于，
所述声波是声界面波，所述声波滤波装置构成了声界面波滤波装置。
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