CN101798108B - Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 - Google Patents
Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101798108B CN101798108B CN2010101018339A CN201010101833A CN101798108B CN 101798108 B CN101798108 B CN 101798108B CN 2010101018339 A CN2010101018339 A CN 2010101018339A CN 201010101833 A CN201010101833 A CN 201010101833A CN 101798108 B CN101798108 B CN 101798108B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zinc
- common
- tin
- ethyl xanthate
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910002475 Cu2ZnSnS4 Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 36
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- UNRQTHVKJQUDDF-UHFFFAOYSA-N acetylpyruvic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(O)=O UNRQTHVKJQUDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- WPZFNRZRCODGMX-UHFFFAOYSA-L zinc;ethoxymethanedithioate Chemical compound [Zn+2].CCOC([S-])=S.CCOC([S-])=S WPZFNRZRCODGMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 14
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 240000001702 Dianthus plumarius Species 0.000 claims description 12
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 12
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 11
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 10
- QYJPSWYYEKYVEJ-FDGPNNRMSA-L copper;(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Cu+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O QYJPSWYYEKYVEJ-FDGPNNRMSA-L 0.000 claims description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 10
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 10
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L copper;diacetate;hydrate Chemical compound O.[Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J triacetyloxystannyl acetate Chemical compound [Sn+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims description 7
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 7
- 125000000950 dibromo group Chemical group Br* 0.000 claims description 7
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims description 7
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 7
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- -1 octadecylene Chemical group 0.000 claims description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract description 10
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000549556 Nanos Species 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,该方法是通过将反应物前驱体乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡三种乙基黄原酸盐前驱体和油胺加入反应烧瓶中,然后升高温度进行反应,最终得到高质量的Cu2ZnSnS4纳米晶。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,元素化学计量比控制精确,所用前驱体材料成本低廉、无毒性,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为光伏器件的吸收层。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏材料领域,涉及一种Cu2ZnSnS4半导体纳米晶的制备方法。
背景技术
随着社会经济的不断发展,能源问题已经成为全人类生存和发展所面临的重大问题。将太阳能转换为电能的光伏技术是未来解决能源问题的重要手段。降低器件成本,提高器件效率是从事太阳电池研究者所追求的目标。
高质量纳米晶合成技术的进步为低价高效的太阳电池器件提供了广阔的前景。纳米晶太阳电池因材料成本低、制作工艺简单等优点备受关注。已有很多关于Cu2S,CdTe,PbSe,CuInS2,CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2等纳米晶器件的报道。在众多半导体纳米晶中,黄铜矿结构半导体纳米晶是非常有潜力的光伏器件材料。但由于其中某些金属元素有毒性,地壳中的含量比较低,价格较高,使其发展受到了很大的限制。
Cu2ZnSnS4材料具有与太阳光谱非常匹配的直接带隙(1.4-1.5ev)和对可见光的高吸收系数成为最有潜力的新型薄膜太阳电池材料。Cu2ZnSnS4薄膜材料作为太阳电池吸收层被广泛研究。目前Cu2ZnSnS4薄膜光伏器件的能量转化效率已经达到了6.77%,其理论值高达32.2%。此外,Cu2ZnSnS4中Zn和Sn元素在地壳中的含量要比CuInS2,CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2材料中In,Ga的地壳含量高,另一方面,该材料不含有毒成分,不会对环境造成危害。
然而到目前为止,Cu2ZnSnS4纳米晶制备方面的报道还很少。因此,制备Cu2ZnSnS4纳米晶对发展Cu2ZnSnS4太阳电池吸收层材料具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法,该方法操作简单,元素化学计量比控制方便,所用前驱体材料成本低廉、无毒性,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好。
本发明的方法是将乙基黄原酸盐前驱体溶解在溶液中,然后升高温度进行反应得到纳米晶颗粒,也可先将溶液升高反应温度后注入乙基黄原酸盐进行反应得到纳米晶颗粒。
本发明中Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法包括如下步骤:
依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.2-2mmol乙基黄原酸铜、0.1-1mmol乙基黄原酸锌、0.1-1mmol乙基黄原酸锡加入三口圆底烧瓶反应器中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解,然后将反应温度升高到200-350℃反应1-60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降;最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。
在制备过程中反应物前驱体油胺可以用十八烯或氧化三辛基膦来代替;乙基黄原酸铜可以用乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜来代替;乙基黄原酸锌可以用乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌来代替;乙基黄原酸锡可以用四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡来代替。
其他反应条件不变的情况下,制备方法还可以为温度升高到200-350℃时,将反应物前驱体油胺、乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡混合物注入反应烧瓶进行反应。三种乙基黄原酸盐前驱体中任意一种或两种可用普通金属盐前驱体代替,即金属反应物前驱体还可以为以下六种组合中的任意一种:
a.乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、普通锡盐。普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
b.乙基黄原酸铜、普通锌盐、乙基黄原酸锡。普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种;
c.普通铜盐、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡。普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种;
d.乙基黄原酸铜、普通锌盐、普通锡盐。普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种,普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
e.普通铜盐、乙基黄原酸锌、普通锡盐。普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种,普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
f.普通铜盐、普通锌盐、乙基黄原酸锡。普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种,普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种。
本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,元素化学计量比控制精确,所用前驱体材料成本低廉、无毒性,适合批量合成。制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好,可作为太阳电池器件的吸收层材料。
附图说明
图1为本发明的Cu2ZnSnS4纳米晶的透射电镜图谱。
图2为本发明的Cu2ZnSnS4纳米晶的扫描电镜图谱。
图3为本发明的Cu2ZnSnS4纳米晶的吸收谱。
具体实施方式
实施例1:
将80mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体0.4mmol乙基黄原酸铜、0.2mmol醋酸锌、0.2mmol四氯化锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到280℃反应15分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以12000转/min的速度离心3分钟收集纳米晶。
实施例2:
将20mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体0.2mmol乙酰丙酮酸铜、0.1mmol乙基黄原酸锌、0.1mmol醋酸锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到270℃反应20分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以10000转/min的速度离心5分钟收集纳米晶。
实施例3:
将200mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体2mmol醋酸铜、1mmol乙酰丙酮酸锌、1mmol乙基黄原酸锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到260℃反应35分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以8000转/min的速度离心8分钟收集纳米晶。
实施例4:
将150mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体2mmol乙基黄原酸铜、0.1mmol乙基黄原酸锌、0.1mmol四氯化锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到200℃反应60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以3000转/min的速度离心10分钟收集纳米晶。
实施例5:
将140mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体0.2mmol乙基黄原酸铜、1mmol醋酸锌、1mmol乙基黄原酸锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到350℃反应1分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以14000转/min的速度离心1分钟收集纳米晶。
实施例6:
将20mmol油胺加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体2mmol乙酰丙酮酸铜、0.1mmol乙基黄原酸锌、0.1mmol乙基黄原酸锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到250℃反应40分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以10000转/min的速度离心5分钟收集纳米晶。
实施例7:
将200mmol十八烯加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体0.2mmol乙酰丙酮酸铜、1mmol乙基黄原酸锌、1mmol乙基黄原酸锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到230℃反应50分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以9000转/min的速度离心6分钟收集纳米晶。
实施例8:
将160mmol氧化三辛基膦加入三口圆底烧瓶反应器中,依次将反应物前驱体0.8mmol乙基黄原酸铜、0.4mmol醋酸锌、0.4mmol四氯化锡加入到反应烧瓶中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解。在氩气的气氛中将反应温度升高到220℃反应55分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降。最后以11000转/min的速度离心4分钟收集纳米晶。
Claims (4)
1.一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,其特征在于制备方法如下:
依次将反应物前驱体20-200mmol油胺、0.2-2mmol乙基黄原酸铜、0.1-1mmol乙基黄原酸锌、0.1-1mmol乙基黄原酸锡加入三口圆底烧瓶反应器中,在氩气氛围中升高温度至前驱体全部溶解,然后将反应温度升高到200-350℃反应1-60分钟,停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降;最后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶。
2.根据权利要求1所述的一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,其特征在于:所述的反应物前驱体油胺用十八烯或氧化三辛基膦来代替。
3.根据权利要求1所述的一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,其特征在于:其他反应条件不变的情况下,制备方法为先把温度升高到200-350℃时,然后将所述的反应物前驱体油胺、乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡混合物注入反应烧瓶进行反应。
4.根据权利要求1所述的一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,其特征在于:其他反应条件不变的情况下,三种乙基黄原酸盐前驱体中任意一种或两种用普通金属盐前驱体代替,即金属反应物前驱体为以下六种中任意一种:
a.乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、普通锡盐,其中普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
b.乙基黄原酸铜、普通锌盐、乙基黄原酸锡,其中普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种;
c.普通铜盐、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡,其中普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种;
d.乙基黄原酸铜、普通锌盐、普通锡盐,其中普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种,普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
e.普通铜盐、乙基黄原酸锌、普通锡盐,其中普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种,普通锡盐为四氯化锡、醋酸锡、二溴乙酰丙酮酸锡或二氯化锡中任意一种;
f.普通铜盐、普通锌盐、乙基黄原酸锡,其中普通铜盐为乙酰丙酮酸铜、氯化铜、氯化亚铜或醋酸铜中任意一种,普通锌盐为乙酰丙酮酸锌、氯化锌、醋酸锌或硬脂酸锌中任意一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101018339A CN101798108B (zh) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101018339A CN101798108B (zh) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101798108A CN101798108A (zh) | 2010-08-11 |
CN101798108B true CN101798108B (zh) | 2011-11-30 |
Family
ID=42593976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101018339A Active CN101798108B (zh) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101798108B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106629820A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-05-10 | 武汉理工大学 | Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI460869B (zh) | 2011-12-30 | 2014-11-11 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池光吸收層之製法 |
CN104264211B (zh) * | 2014-08-27 | 2017-01-18 | 南京航空航天大学 | 单晶亚微米级Cu2ZnSnS4颗粒的高温溶剂热制备方法及应用 |
CN104370302B (zh) * | 2014-10-23 | 2016-05-04 | 上海交通大学 | 一种铜锌锡硫纳米晶的纳米浇注合成方法 |
CN106542562B (zh) * | 2016-10-21 | 2017-12-08 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种ZnO‑CuO复合纳米材料的制备方法 |
-
2010
- 2010-01-27 CN CN2010101018339A patent/CN101798108B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106629820A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-05-10 | 武汉理工大学 | Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 |
CN106629820B (zh) * | 2016-09-09 | 2019-05-24 | 武汉理工大学 | Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101798108A (zh) | 2010-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101723336A (zh) | Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法 | |
CN101798108B (zh) | Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 | |
CN101958369B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜材料的制备方法 | |
CN102544214B (zh) | 太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法 | |
WO2012023519A1 (ja) | 化合物半導体薄膜作製用インク、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、およびその太陽電池の製造方法 | |
CN101885071B (zh) | 一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法 | |
Yan et al. | Growth of Cu2ZnSnS4 thin films on transparent conducting glass substrates by the solvothermal method | |
CN101844797A (zh) | 一种水热合成制备太阳能吸收层材料Cu2ZnSnS4的方法 | |
CN101804971A (zh) | 一种铜铟硒纳米晶材料的制备方法 | |
CN109817735A (zh) | 溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池 | |
CN102897722B (zh) | 一种α-In2Se3纳米花球溶剂热合成方法 | |
CN103681934B (zh) | 一种铜锌锡硫、硒粉体的制备方法 | |
CN102101653B (zh) | Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用 | |
Wu et al. | Synthesis of CuInSe2 thin films on flexible Ti foils via the hydrothermally-assisted chemical bath deposition process at low temperatures | |
CN102815676B (zh) | 制备非化学计量Cu-In-Se系化合物纳米晶的多元醇溶液化学合成方法 | |
CN102344166B (zh) | 一种Cu2ZnSnS4太阳能吸收层材料的制备方法 | |
Wang et al. | Novel solution process for synthesis of CIGS nanoparticles using polyetheramine as solvent | |
Wang et al. | Preparation and characterization of Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin film as photovoltaic absorber material for solar cells | |
CN101734712A (zh) | 采用单源分子前驱体制备高品质硫化铟铜的方法 | |
Hsu et al. | Crystallite formation mechanism of CuIn (Se, S) 2 synthesized using solvothermal method | |
CN103896326A (zh) | 一种铜锌锡硫半导体材料的制备方法 | |
CN103601157B (zh) | 一种乙二胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法 | |
CN102249292A (zh) | Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法 | |
CN103588180A (zh) | 三乙烯四胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法 | |
CN102585588A (zh) | 铜锌锡硫墨水的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |