CN101774582A - 一种表面覆盖有钝化层的硅粉及其硅粉的钝化处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光伏领域中的一种表面覆盖有钝化层的硅粉，特别是硅片的生产加工领域中的一种表面覆盖有钝化层的硅粉，本发明还涉及了硅粉的钝化处理方法；一种表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：硅粉的表面覆盖有一层致密的钝化层，该钝化层为二氧化硅；表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：向硅粉中加入强氧化剂，强氧化剂与硅粉表面反应生成致密的二氧化硅层；本发明引入强氧化剂对硅粉进行钝化处理，得到表面覆盖有钝化层的硅粉，可以满足硅粉长期存储在水或空气中，而硅粉氧化率一直维持在较低的范围内，大大提高了硅粉的存储期限，同时提高了硅粉的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域中的一种表面覆盖有钝化层的硅粉，特别是硅片的生产加工领域中的一种表面覆盖有钝化层的硅粉，本发明还涉及了硅粉的钝化处理方法。
背景技术
洁净硅的最表层原子具有高度不稳定性，所以硅表面在空气、水及水溶液中很容易形成氧化物。在太阳能级高纯硅的制备及硅锭切割过程中，有大量晶体硅以硅粉的形式存在，例如，在硅烷法生产高纯硅料的同时会产生大量高纯硅粉；当前热门的物理提纯技术中，普遍采用冶金级硅块破碎的硅粉作为原料；在晶体硅的带锯、多线切割过程中，大量高纯硅粉进入水或切割砂浆中。这些硅粉的比表面积大，存在大量悬挂键，并且与空气、水等氧化介质长期接触，导致硅粉氧化现象严重。所以找到一种有效的防止硅粉氧化的方法，将硅粉氧化率控制在一定的范围内，满足硅粉可以长时间在空气、水中存储是非常有意义的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种表面覆盖有钝化层的硅粉及其硅粉的钝化处理方法，在确保氧化率控制在一定的范围内的前提下，大大提高了硅粉的存储期限，同时提高了硅粉的利用率。
本发明的技术方案为：
一种表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：硅粉的表面覆盖有一层致密的钝化层，该钝化层为二氧化硅。
表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为：1-100纳米。表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为：40-99％。表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为：80-99％。
表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为：0.5％-5％：99.5％-95％。
表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：向硅粉中加入强氧化剂，强氧化剂与硅粉表面反应生成致密的二氧化硅层。
表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势大于或等于0.4伏。
表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是双氧水，臭氧，高锰酸钾，次氯酸，高氯酸，铬酸，氟气，氯气的任意一种或几种的混合。
表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为0.1％-50％。
表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为3分钟-100分钟。
以二氧化硅晶体的密度定义为100％，将硅粉表面覆盖的一层致密的钝化层刮下后，测量其相对二氧化硅晶体密度的比重，100％×相对比重＝该致密的钝化层的致密度。
表1本发明的一种表面覆盖有钝化层的硅粉与其他表面被氧化的硅粉的区别
| 致密度 | 厚度 | 未被氧化的硅粉重量比例 | |
| 本发明的一种表面覆盖有钝化层的硅粉 | 高 | 很薄，范围在1-100纳米 | 95％-99.5％ |
| 现有技术中通常在运输过程中，因包装袋不密封导致原本纯度为99.9999％存贮三个月后的硅粉1 | 一般 | 较厚 | 85％左右 |
| 现有技术中浸泡在水中三个月后的表面被氧化但表面疏松的硅粉2 | 疏松 | 很厚 | 10％左右 |
现有技术中虽然有很多表面被氧化的硅粉，但由于没有加强氧化剂的处理，所以现有技术中的表面被氧化的硅粉，其表面覆盖的氧化层比较疏松，不能阻隔空气或水对硅粉内部进一步氧化腐蚀，同时硅粉放置在水中比放置在空气中的氧化现象更严重。
因此现有技术中的硅粉1、硅粉2都与本发明提供的表面覆盖有钝化层的硅粉有本质差别。
现有技术中，硅粉暴露在空气或水中，一般会发生反应，反应方程式分别为：Si+O2＝SiO2，Si+2H2O＝SiO2+2H2↑，这些反应生成的二氧化硅通常是疏松多孔结构，因此无法阻止空气或水与硅接触，硅粉将被持续地被氧化，从而导致硅粉氧化现象非常严重，根据试验验证，刚切割下来的硅粉在水中浸泡20天左右，硅粉的氧化率将超过50％；刚切割下来的硅粉暴露在空气中50天左右，硅粉的氧化率将超过10％。
本发明采用强氧化剂与硅反应得到致密的二氧化硅层，而且二氧化硅层的厚度范围只有1-100纳米，硅的损耗很小，反应方程式为：Si+【O】(强氧化剂)＝SiO2，强氧化剂处理硅粉的作用类似于金属的钝化作用，该致密的二氧化硅层可有效阻止内部的硅与水或空气发生氧化反应，减少硅粉被氧化，从而确保硅粉在水或空气中进行良好的存储。
标准电极电势可以用来计算化学电池或原电池的电化学势或电极电势。本发明中所给出的电极电势数值以标准氢电极为参比电极，溶液中离子有效浓度为1mol/L，气体分压为100kPa，温度为298K，所有离子的数据都在水溶液中测得。
注：(s)-固体；(1)-液体；(g)-气体；(aq)-水溶液；(Hg)-汞齐。
表2部分标准电极电势表
| 半反应 | E°(V) |
| 2H 2 O+2e-→H2(g)+2OH- | -0.8277 |
| 2H++2e-→H2(g) | 0 |
| O2(g)+2H2O+4e-→4OH-(aq) | +0.40 |
| H2MoO4+6H++3e-→Mo3++2H2O | +0.43 |
| S2O3 2-+6H++4e-→2S(s)+3H2O | +0.60 |
| H2MoO4(aq)+2H++2e-→MoO2(s)+2H2O | +0.65 |
| O2(g)+2H++2e-→H2O2(aq) | +0.70 |
| MnO4 -+H++e-→HMnO4 - | +0.90 |
| MnO2(s)+4H++e-→Mn3++2H2O | +0.95 |
| [AuBr2]-+e-→Au(s)+2Br- | +0.96 |
| Br2(l)+2e-→2Br- | +1.07 |
| Br2(aq)+2e-→2Br- | +1.09 |
| IO3 -+5H++4e-→HIO(aq)+2H2O | +1.13 |
| ClO3 -+2H++e-→ClO2(g)+H2O | +1.18 |
| ClO2(g)+H++e-→HClO2(aq) | +1.19 |
| 2IO3 -+12H++10e-→I2(s)+6H2O` | +1.20 |
| 半反应 | E°(V) |
| ClO4 -+2H++2e-→ClO3 -+H2O | +1.20 |
| O2(g)+4H++4e-→2H2O | +1.23 |
| MnO2(s)+4H++2e-→Mn2++2H2O | +1.23 |
| Cl2(g)+2e-→2Cl- | +1.36 |
| Cr2O7 2-+14H++6e-→2Cr3++7H2O | +1.33 |
| BrO3 -+5H++4e-→HBrO(aq)+2H2O | +1.45 |
| 2BrO3 -+12H++10e-→Br2(l)+6H2O | +1.48 |
| 2ClO3 -+12H++10e-→Cl2(g)+6H2O | +1.49 |
| MnO4 -+8H++5e-→Mn2++4H2O | +1.51 |
| HO2 -+H++e-→H2O2(aq) | +1.51 |
| 2HClO(aq)+2H++2e-→Cl2(g)+2H2O | +1.63 |
| HClO2(aq)+2H++2e-→HClO(aq)+H2O | +1.67 |
| MnO4 -+4H++3e-→MnO2(s)+2H2O | +1.70 |
| H2O2(aq)+2H++2e-→2H2O | +1.78 |
| BrO4 -+2H++2e-→BrO3 -+H2O | +1.85 |
| O 3 (g)+2H++2e-→O2(g)+H2O | +2.075 |
| 半反应 | E°(V) |
| HMnO4 -+3H++2e-→MnO2(s)+2H2O | +2.09 |
| F 2 (g)+2e-→2F- | +2.87 |
| F2(g)+2H++2e-→2HF(aq) | +3.05 |
标准电极电势越高，表示该氧化剂的氧化性越强。
表3本发明与现有技术实施效果比较(本发明以臭氧作为强氧化剂)
| 本发明 | 现有技术 | |
| 硅粉在水中浸泡5天后的氧化率 | ≤1％ | 10％左右 |
| 硅粉在水中浸泡10天后的氧化率 | ≤1％ | 20％左右 |
| 硅粉在水中浸泡15天后的氧化率 | ≤1％ | 35％左右 |
| 硅粉在水中浸泡20天后的氧化率 | ≤1％ | 50％左右 |
| 硅粉在水中浸泡25天后的氧化率 | ≤1％ | 55％ |
| 硅粉在水中浸泡30天后的氧化率 | ≤1％ | 60％ |
| 硅粉在水中浸泡50天后的氧化率 | ≤1％ | ≥70％ |
| 硅粉在水中浸泡60天后的氧化率 | ≤1％ | ≥70％ |
| 硅粉在水中长期浸泡(浸泡时间在3个月及以上)后的氧化率 | ≤3％ | 90％ |
由表3可看出，本发明可以大幅度降低硅粉在水中存储的氧化率，减少硅粉的损耗，大大提高了硅粉的存储期限，以及提高了硅粉的利用率。
表4本发明与现有技术实施效果比较(本发明以臭氧作为强氧化剂)
| 本发明 | 现有技术 | |
| 硅粉在空气中暴露1个月后的氧化率 | ≤1％ | 8％左右 |
| 硅粉在空气中暴露2个月后的氧化率 | ≤1％ | 12％左右 |
| 硅粉在空气中暴露3个月 | ≤1％ | 15％左右 |
| 后的氧化率 | ||
| 硅粉在空气中暴露5个月后的氧化率 | ≤1％ | 17％左右 |
| 硅粉在空气中暴露6个月后的氧化率 | ≤1％ | 18％左右 |
由表4可看出，本发明同样可以大幅度降低硅粉在空气中存储的氧化率，减少硅粉的损耗，大大提高了硅粉的存储期限，以及提高了硅粉的利用率。
表5本发明不同技术方案的实施效果比较
(以硅粉在水中浸泡2个月后进行比较)
| 氧化剂的标准电极电势(V) | 硅粉氧化率 |
| 0.4 | ≤80％ |
| 0.5 | ≤75％ |
| 0.8 | ≤65％ |
| 1.0 | ≤58％ |
| 1.2 | ≤51％ |
| 1.4 | ≤38％ |
| 1.51 | ≤30％ |
| 氧化剂的标准电极电势(V) | 硅粉氧化率 |
| 1.63 | ≤20％ |
| 1.70 | ≤12％ |
| 1.78 | ≤8％ |
| 1.85 | ≤4％ |
| 2.075 | ≤3％ |
| 2.87 | ≤1％ |
| 3.05 | ≤1％ |
从表5可看出，所采用的强氧化剂的标准电极电势越高，存储效果越好。
本发明的优点：提供了一种表面覆盖有钝化层的硅粉及其硅粉的钝化处理方法，由于在长期的硅粉存储过程中，硅粉容易发生氧化，即容易与水或空气发生氧化反应，导致硅粉氧化现象严重，直接造成严重的经济损失，本发明引入强氧化剂对硅粉进行钝化处理，得到表面覆盖有钝化层的硅粉，可以满足硅粉长期存储在水或空气中，而硅粉氧化率一直维持在较低的范围内，大大提高了硅粉的存储期限，同时提高了硅粉的利用率。
具体实施方式
实施例1、一种表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：硅粉的表面覆盖有一层致密的钝化层，该钝化层为二氧化硅。
实施例2、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为1纳米。其余同实施例1。
实施例3、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为2纳米。其余同实施例1。
实施例4、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为5纳米。其余同实施例1。
实施例5、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为8纳米。其余同实施例1。
实施例6、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为10纳米。其余同实施例1。
实施例7、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为20纳米。其余同实施例1。
实施例8、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为30纳米。其余同实施例1。
实施例9、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为40纳米。其余同实施例1。
实施例10、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为50纳米。其余同实施例1。
实施例11、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为60纳米。其余同实施例1。
实施例12、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为70纳米。其余同实施例1。
实施例13、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为80纳米。其余同实施例1。
实施例14、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为90纳米。其余同实施例1。
实施例15、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的厚度为100纳米。其余同实施例1。
实施例16、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为40％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例17、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为50％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例18、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为60％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例19、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为70％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例20、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为80％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例21、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为90％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例22、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为95％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例23、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层的致密度为99％。其余同实施例1-15中的任意一种实施例。
实施例24、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为0.5％∶99.5％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例25、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为0.8％∶99.2％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例26、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为1％∶99％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例27、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为2％∶98％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例28、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为3％∶97％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例29、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为4％∶96％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例30、表面覆盖有钝化层的硅粉，其中：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为5％∶95％。其余同实施例1-23中的任意一种实施例。
实施例31、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：向硅粉中加入强氧化剂，强氧化剂与硅粉表面反应生成致密的二氧化硅层。
实施例32、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势大于或等于0.4伏。其余同实施例31。
实施例33、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为0.5伏。其余同实施例31。
实施例34、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为0.8伏。其余同实施例31。
实施例35、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为1伏。其余同实施例31。
实施例36、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为1.2伏。其余同实施例31。
实施例37、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为1.5伏。其余同实施例31。
实施例38、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为1.8伏。其余同实施例31。
实施例39、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为2伏。其余同实施例31。
实施例40、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为2.3伏。其余同实施例31。
实施例41、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为2.5伏。其余同实施例31。
实施例42、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为2.8伏。其余同实施例31。
实施例43、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为3伏。其余同实施例31。
实施例44、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为3.2伏。其余同实施例31。
实施例45、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为3.3伏。其余同实施例31。
实施例46、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧
化剂的标准电极电势为4伏。其余同实施例31。
实施例47、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂的标准电极电势为5伏。其余同实施例31。
实施例48、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂是双氧水。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例49、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂是臭氧。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例50、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂是高锰酸钾。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例51、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂是双氧水，臭氧的混合。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例52、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是臭氧，高锰酸钾的混合。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例53、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是双氧水，高锰酸钾的混合。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例54、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是次氯酸，高氯酸的混合。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例55、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是铬酸。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例56、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是氟气。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例57、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂可以是氯气。其余同实施例31-实施例47中的任意一种实施例。
实施例58、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为0.1％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例59、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为0.5％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例60、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为0.8％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例61、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为1％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例62、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为2％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例63、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为5％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例64、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为10％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例65、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为20％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例66、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为30％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例67、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为40％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例68、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为50％。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例69、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为3分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例70、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为5分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例71、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为8分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例72、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为10分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例73、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为20分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例74、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为30分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例75、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为40分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例76、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为50分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例77、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为60分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例78、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为70分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例79、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为80分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例80、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为90分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
实施例81、表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其中：所述的强氧化剂处理时间为100分钟。其余同实施例31-实施例57中的任意一种实施例。
Claims (10)
1.一种表面覆盖有钝化层的硅粉，其特征在于：硅粉的表面覆盖有一层致密的钝化层，该钝化层为二氧化硅。
2.如权利要求1所述的表面覆盖有钝化层的硅粉，其特征在于：该致密的钝化层的厚度为：1-100纳米。
3.如权利要求1或2所述的表面覆盖有钝化层的硅粉，其特征在于：该致密的钝化层的致密度为：40-99％。
4.如权利要求1或2所述的表面覆盖有钝化层的硅粉，其特征在于：该致密的钝化层的致密度为：80-99％。
5.如权利要求1或2或3或4所述的表面覆盖有钝化层的硅粉，其特征在于：该致密的钝化层与未被氧化的硅粉之间的重量比例为：0.5％-5％：99.5％-95％。
6.表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其特征在于：向硅粉中加入强氧化剂，强氧化剂与硅粉表面反应生成致密的二氧化硅层。
7.如权利要求6所述的表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其特征在于：所述的强氧化剂的标准电极电势大于或等于0.4伏。
8.如权利要求6或7所述的表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其特征在于：所述的强氧化剂可以是双氧水，臭氧，高锰酸钾，次氯酸，高氯酸，铬酸，氟气，氯气的任意一种或几种的混合。
9.如权利要求6或7或8所述的表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其特征在于：所述的强氧化剂与硅粉的重量百分比为0.1％-50％。
10.如权利要求6或7或8所述的表面覆盖有钝化层的硅粉的钝化处理方法，其特征在于：所述的强氧化剂处理时间为3分钟-100分钟。
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