CN101750814B

CN101750814B - 液晶显示设备及其制造方法

Info

Publication number: CN101750814B
Application number: CN2009101398087A
Authority: CN
Inventors: 韩相勋; 李景夏
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2008-12-03
Filing date: 2009-06-30
Publication date: 2012-04-04
Anticipated expiration: 2029-06-30
Also published as: CN101750814A; KR20100063184A; US20100134744A1; US8570476B2; KR101308250B1

Abstract

本发明公开了一种LCD设备及其制造方法，其具有改善的透射比和对比度。根据该LCD设备及其制造方法，第一公共电极布置在与第二公共电极不同的层上，该第一公共电极包括第一水平公共电极棒、第二水平公共电极棒以及多个第一垂直公共电极棒，该第二公共电极包括第三水平公共电极棒和多个第二垂直公共电极棒。像素电极布置在与第二公共电极相同的层上，该像素电极包括水平像素电极棒和多个垂直像素电极棒。第二公共电极连接到第一公共电极。

Description

液晶显示设备及其制造方法

技术领域

本发明涉及具有改进的透射比和对比度的液晶显示设备及其制造方法。

背景技术

本申请要求在2008年12月3日提交的韩国专利申请No.10-2008-0121576的优先权，在此以引证的方式并入其全部内容。

随着信息社会的成长，能够显示信息的平板显示设备已广泛地发展。这些平板显示设备包括液晶显示(LCD)设备、有机电致发光显示(OLED)设备、等离子显示设备、和场致发射显示设备。在上述显示设备中，LCD设备具有这样的优点：它们轻而小，并且可提供低功率驱动和全色方案。因此，LCD设备已广泛地用于移动电话、导航系统、便携式计算机、电视等。

LCD设备控制液晶面板上液晶的透射比(transmittance)，从而显示期望的图像。LCD设备通常具有较差的视角。

为了改善视角，已经提出了具有面内切换(IPS)模式的LCD设备，该LCD设备借助布置在同一基板上的像素电极和公共电极产生水平电场或面内电场。而且，已经将包括在IPS模式的LCD设备中的像素电极和公共电极设计为以多个结构中的一种结构来布置，所述结构包括一金属一ITO(1-金属-1-ITO)、二ITO(2-ITO)和2MoTi结构。

在这些电极布置结构中，如图1中所示，1-金属-1-ITO结构包括布置在不同层上的公共电极103a和103b以及像素电极107。包括金属膜的公共电极103a和103b布置在基板101上。同时，包括透明导电膜(诸如，ITO膜)的像素电极107布置在钝化(或保护)膜106上。

1-金属-1-ITO结构在公共电极103a和103b的形成中使用了掩模。在公共电极103a和103b的形成过程中，可能在不期望的位置对准掩模，所述不期望的位置从期望的位置向一个方向偏移(例如，向期望位置的右侧)。换句话说，可能产生掩模未对准。在这种情况下，可形成偏移的公共电极105a和105b。偏移后的公共电极105a和105b与像素电极107以不同的距离分开。更具体而言，在第一偏移公共电极105a和像素电极107之间限定的第一区域A的宽度比在第二偏移公共电极105b和像素电极107之间形成的第二区域B的宽度要窄。如此，如图2中所示，第一区域A和第二区域B在同一电压下的透射比彼此不同，从而整体(或总的)透射比恶化。

如图3A中所示，2-ITO结构包括布置在同一层(即，基板111表面)上的像素电极113和公共电极115。像素电极113和公共电极115由相同的材料(诸如ITO)构成。

在2-ITO结构中，在像素电极113和公共电极115上形成等电势。如此，如图3B中所示，位于像素电极113和公共电极115上方的液晶的平均效率降低。如此，像素区域的透射比降低。因而对比度恶化。

类似地，如图4A中所示，2MOTi结构包括布置在同一层(即，基板1 21)上的像素电极123和公共电极125。像素电极123和公共电极125由相同的材料(诸如MoTi)构成。

如图4B中所示，因为由MoTi构成的像素电极123和公共电极125是不透明的，所以光不能透过像素电极123和公共电极125。换句话说，像素区域的孔径降低。因而，光透射比和亮度恶化。

发明内容

因此，本发明涉及一种基本上消除由于相关技术的限制和缺点所引起的一个或更多个问题的LCD设备及其制造方法。

本实施方式的目的是提供一种能够改善其透射比和对比度二者的LCD设备及其制造方法。这种LCD设备通过将公共电极布置在与像素电极相同的层上以及将其布置在与像素电极不同的层上来实现此改进。

实施方式的其他特征和优点将在随后的描述中进行阐述，并且一部分根据所述描述将变得清楚，或者可通过实施该实施方式而获知。本实施方式的优点将由在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。

根据本实施方式的一个概括的方面，一种LCD设备包括：沿着第一方向布置的选通线；沿着第二方向与选通线交叉的数据线；布置在选通线上并连接到选通线和数据线的薄膜晶体管；布置在与选通线相同的层上的第一公共电极，该第一公共电极包括第一水平公共电极棒、第二水平公共电极棒以及多个第一垂直公共电极棒；布置在与第一公共电极不同的层上的第二公共电极，该第二公共电极包括第三水平公共电极棒和多个第二垂直公共电极棒；以及布置在与第二公共电极相同的层上的像素电极，该像素电极包括水平像素电极棒和多个垂直像素电极棒，其中，第二公共电极连接到第一公共电极并布置为与第一公共电极重叠。

根据本实施方式的另一方面的LCD设备制造方法包括：在基板上形成选通线和第一公共电极，该第一公共电极包括第一水平公共电极棒、第二水平公共电极棒以及多个第一垂直公共电极棒；在包括选通线的基板上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上与选通线相对地形成半导体层；在包括半导体层的基板上形成数据线和源极/漏极；在包括数据线的基板上形成钝化膜，该钝化膜包括暴露出第二水平公共电极棒的接触孔；以及在钝化膜上形成像素电极和第二公共电极，该像素电极包括水平像素电极棒和多个垂直像素电极棒，该第二公共电极包括第三水平公共电极棒和多个第二垂直公共电极棒，其中，第三水平公共电极棒通过接触孔连接到第二水平公共电极棒。

在研究了下面的附图和详细描述后，其它系统、方法、特征和优点对本领域技术人员来说将是或将会变得清楚。旨在将所有的这些附加系统、方法、特征和优点都包括在此描述中，它们都落入本发明的范围内，并由所附权利要求书所保护。在本节中任何内容都不应该成为对那些权利要求的限制。下面将结合实施方式讨论其它方面和优点。应当理解，上文对本公开的概述与下文对本公开的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求所述公开的进一步解释。

附图说明

附图被包括来提供对实施方式的进一步理解，并且并入和构成本申请的一部分，例示了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本公开。在附图中：

图1是示出了根据相关技术的1-金属-1-ITO结构的LCD设备的视图；

图2是示出了在掩模未对准的情况下制造的图1的LCD设备中的光透射比的曲线图；

图3A是示出了根据相关技术的2-ITO结构的LCD设备的视图；

图3B是示出了图3A中示出的2-ITO结构的LCD设备中的光透射比的曲线图；

图4A是示出了根据相关技术的2MoTi结构的LCD设备的视图；

图4B是示出了图4A中示出的2MoTi结构的LCD设备中的光透射比的曲线图；

图5是示出了根据本公开的实施方式的IPS模式的LCD设备的平面图；

图6是示出了沿着图5中示出的IPS模式的LCD设备中的线A-A’，B-B’和C-C’截取的截面的截面图；

图7是示出了图5中示出的IPS模式的LCD设备中的光透射比的图形；并且

图8A到8D是解释根据本公开实施方式的IPS模式的LCD设备的制造方法的截面图。

具体实施方式

现在将详细地描述本公开的实施方式，其示例在附图中示出。此后引入的这些实施方式将作为示例提供，以向本领域的普通技术人员传达其精神。因此，这些实施方式能够以不同的形态实现，而不限于这里描述的这些实施方式。而且，为了方便，在附图中设备的尺寸和厚度可能会表示得夸大。尽可能的，贯穿包括附图的此公开，相同的标号将用于指代相同或相似的部分。

图5是示出了根据本公开的实施方式的IPS模式的LCD设备的平面图。图6是示出了沿着图5中所示的IPS模型的LCD设备中的线A-A’，B-B’和C-C’截取的截面的截面图。虽然为了解释的方便，图5仅示出了单位像素区域，但是本公开的实施方式不限于此。换句话说，本公开的实施方式一定可以应用于其中图中所示出的单位像素区域以矩阵布置的LCD设备。

参考图5和6，基板11包括选通线13和第一公共电极20。选通线13可沿着第一方向(例如，水平方向)布置。在本实施方式的LCD设备中所包括的选通线13可用作为栅极，所述栅极为薄膜晶体管的一个组件。换句话说，可以在选通线13上形成薄膜晶体管。

第一公共电极20包括以第一方向彼此分离地排列的第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23，以及以第二方向(例如，垂直方向)在第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23之间延伸的多个第一垂直公共电极棒25a到25e。第一水平公共电极棒21布置为紧邻选通线13。同时，第二水平公共电极棒23布置为紧邻位于选通线13前面的在前像素区域中的在前选通线。

第一垂直公共电极棒25a到25e可从第一水平公共电极棒21延伸到第二水平公共电极棒23。换句话说，连接在第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23之间的第一垂直公共电极棒25a到25e沿着第二方向(即，垂直方向)布置。第一垂直公共电极棒25a到25e还可具有弯的(crooked)(或者曲的(curved))形状。此外，第一垂直公共电极棒25a到25e可与第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23一体地形成。

选通线13和第一公共电极20可包括由选自下述组的一种材料形成的单层或者可包括由选自下述组的至少两种材料形成的迭层，所述组由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、和钛合金组成。

栅绝缘膜27布置在具有选通线13和第一公共电极20的基板的整个表面上。栅绝缘膜27可由有机材料或无机材料形成。

包括有源层和欧姆接触层的半导体层29形成在栅绝缘膜27上并与选通线13相对。有源层可由硅形成。可通过将杂质掺杂入硅中形成欧姆接触层。

数据线35和源极/漏极31和33布置在半导体层29上。数据线35布置为与选通线13交叉。源极31以成一体的方式连接到数据线35。漏极33布置为与源极31分离。数据线35与源极/漏极31和33可由与选通线13相同的材料形成或由与选通线13不同的材料形成。更具体而言，数据线35与源极/漏极31和33可包括由选自下述组的一种材料形成的单层或者可包括由选自下述组的至少两种材料形成的迭层，所述组由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金和钛合金组成。此外，为了与下面描述的垂直像素电极棒和第二公共电极的第二垂直公共电极棒分开固定的距离，数据线35具有弯的(或者曲的)形状。这是由于垂直像素电极棒和第二垂直公共电极棒形成了弯的形状(或曲的形状)的事实。

依照这种方式，可形成包括选通线13、栅绝缘膜27、半导体层29、以及源极/漏极31和33的薄膜晶体管30。这种薄膜晶体管30连接到选通线13和数据线35。

钝化(或保护)膜37在包括薄膜晶体管30的基板11上形成。钝化膜37包括暴露出漏极33的接触孔41，和暴露出第一公共电极20的第二水平公共电极棒23的第二接触孔43。

像素电极50和第二公共电极60布置在钝化膜37上。像素电极50和第二公共电极60可由彼此相同的材料形成并且可布置到同一层上。

像素电极50包括水平像素电极棒51和从水平像素电极棒51延伸出的多个垂直像素电极棒53a到53d。

第二公共电极60包括第三水平公共电极棒61和从第三水平公共电极棒61延伸出的多个第二垂直公共电极棒63a到63c。第二垂直公共电极棒63a到63c布置为与除了位于最外侧的第一垂直公共电极棒25a和25e之外的第一垂直公共电极棒25b到25d重叠。第二垂直公共电极棒63a到63c等于或者比对应的第一垂直公共电极棒25b到25d宽。优选地，第二垂直公共电极棒63a到63c具有比对应的第一垂直公共电极棒25b到25d宽的宽度。

如果在第一公共电极20的形成中使用了掩模，那么掩模可能未对准。在这种情况下，第一公共电极20的第一垂直公共电极棒25b到25d与像素电极50的垂直像素电极棒53a到53d之间的距离彼此不同。而且，第一公共电极20的第一垂直公共电极棒25b到25d与第二公共电极60的第二垂直公共电极棒63a到63c不重叠而是与它们分开。如此，由于第一垂直公共电极棒25b到25d的不透明性，所以光不会透过第一公共电极20的第一垂直公共电极棒25b到25d和第二公共电极60的第二垂直公共电极棒63a到63c之间的分离区域(或间隙)。透过分离区域(或间隙)的光也不会受到在第一垂直公共电极棒25b到25d上形成的等(equivalent)电场的影响。在这种情况下，因为分离区域各自具有相同的尺寸，所以分离区域之间的距离也彼此相等。因此，邻近每个垂直像素电极棒53a到53d的透光区域具有彼此相同的光透射比。此后，透光区域是每个像素中除了分离区域之外的区域。结果，透射比未降低。

此外，第一公共电极20的不透明的第一垂直公共电极棒25b到25d布置为不与任何第二垂直公共电极棒63a到63c重叠。因此，可改善单位像素区域的对比度。

像素电极50和第二公共电极60可由诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、和ITZO(氧化铟锡锌)的透明导电材料形成。像素电极50可通过第一接触孔41电连接到薄膜晶体管30的漏极33。第二公共电极60可通过第二接触孔43电连接到第一公共电极20。换句话说，第二公共电极60的第三水平公共电极棒61可电连接到第一公共电极20的第二水平公共电极棒23。

像素电极50的最外侧垂直像素电极棒53a和53d与最外侧第一垂直公共电极棒25a和25e可以与夹在它们之间的钝化膜37和栅绝缘膜27一起构成存储电容器。而且，像素电极50的水平像素电极棒51和第一公共电极20的第一水平公共电极棒21可以与夹在它们之间的钝化膜37和栅绝缘膜27一起构成另一存储电容器。如此，在第一水平公共电极棒21和水平像素电极棒51之间以及在最外侧第一垂直公共电极棒25a和25e和最外侧垂直像素电极棒53a和53d之间形成了存储电容器。因此，存储电容器的电容可变得更大。

第三水平公共电极棒61和水平像素电极棒51可平行于选通线13布置。垂直像素电极棒53a到53d以及第二垂直公共电极棒63a到63c可平行于数据线35布置。而且，垂直像素电极棒53a到53d和第二垂直公共电极棒63a到63c可具有弯的(或者曲的)形状。垂直像素电极棒53a到53d与第二垂直公共电极棒63a到63c交替地布置。

通过这种方式，第一垂直公共电极棒25a到25e和第二垂直公共电极棒63a到63c布置在不同层上，并且垂直像素电极棒53b和53c布置在第二垂直公共电极棒63a到63c之间。如此，可在垂直像素电极棒53b和53c与第一垂直公共电极棒25b到25d之间以及在垂直像素电极棒53b和53c与第二垂直公共电极棒63a到63c之间产生IPS电场(或水平电场)。

除此之外，如图7中所示，因为由不透明金属材料形成的第一垂直公共电极棒25b到25d遮挡了光，所以在第一垂直公共电极棒25b到25d与垂直像素电极棒53b和53c之间的开口(或间隙)中的光透射比变高。因此，与根据相关技术的1-金属-1-ITO和2-ITO结构的LCD设备相比，本实施方式的LCD设备可具有改善的对比度。

此外，第一垂直公共电极棒25b到25d和第二垂直公共电极棒63a到63c布置为相互重叠。如此，即使在形成第一公共电极20期间掩模未对准，第一和第二垂直公共电极棒25b到25d和63a到63c中的一个与垂直像素电极棒52b和52c之间的开口可在宽度上彼此相等。因此，与根据相关技术的1-金属-1-ITO和2-ITO结构的LCD设备相比，本实施方式的LCD设备可极大地改善光透射比。

因此，本实施方式的LCD设备可具有1-金属-2-ITO结构，该结构包括由金属形成的第一公共电极20、透明导电膜的像素电极50、和布置在与像素电极50同一层上的透明导电膜的第二公共电极60。明显的是，与相关技术的1-金属-1-ITO和2MoTi结构相比，本实施方式的1-金属-2-ITO结构可具有更好的光透射比，并且可具有比相关技术的1-金属-1-ITO和2-ITO结构更高的对比度，如下面表格1中所述。

[表格1]

	1-金属-1-ITO	2-ITO	2MoTi	1-金属-2-ITO
					透射比	400.3	439.2	407.4	428.3
对比度	1053	1046	1164	1086

而且，测量了DC(直流)余象和静电特征。这些测量结果表明本实施方式的1-金属-2-ITO结构优于相关技术的结构。

图8A到8D是解释根据本公开实施方式的IPS模式的LCD设备的制造方法的截面图。现在将参考图5和图8A到8D解释根据本实施方式的IPS模式的LCD设备的制造方法。

如图8A中所示，通过在基板11上形成第一金属膜并且对第一金属膜进行构图的工艺，在基板11上形成选通线13和第一公共电极20。第一金属膜可包括由选自以下组的一种材料形成的单层或者由选自以下组的至少两种材料形成的迭层，所述组由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金和钛合金组成。选通线13和第一公共电极20可在像素区域内形成。

选通线13用作为栅极。如此，将在其后形成的薄膜晶体管可以布置在选通线13上。选通线13可沿着第一方向(例如水平方向)形成。

第一公共电极20包括彼此分离的第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23，以及以与水平公共电极棒21和23成一体的方式在第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23之间延伸的多个第一垂直公共电极棒25a到25e。第一水平公共电极棒21布置为紧邻对应的选通线13。同时，第二水平公共电极棒23布置为紧邻位于对应选通线13前面的在前像素区域中的在前选通线。在第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23之间的第一垂直公共电极棒25a到25e可按照与第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23成一体的方式形成(即，单体)。第一垂直公共电极棒25a到25e也可具有弯的(或曲的)形状。第一水平公共电极棒21和第二水平公共电极棒23平行于选通线13而形成。第一垂直公共电极棒25a到25e沿着垂直于选通线13的第二方向(即垂直方向)延伸地形成。

在基板11的包括选通线13的整个表面上，由有机材料或无机材料形成栅绝缘膜27。

如图8B中所示，通过在栅绝缘膜27上形成有源层和欧姆接触层然后进行构图，在栅绝缘膜27上形成包括有源层和欧姆接触层的半导体层29。有源层由硅形成。可通过将杂质掺杂到硅中形成欧姆接触层。半导体层20可以形成在选通线13上。

参考图8C，通过在基板上形成第二金属膜并且进行构图的工艺，在具有半导体层29的基板11上形成数据线35以及源极/漏极31和33。第二金属膜可包括由选自以下组的一种材料形成的单层或者由选自以下组的至少两种材料形成的迭层，所述组由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金和钛合金组成。

数据线35布置为与选通线13交叉。换句话说，数据线35沿着第二方向(即垂直方向)形成。同时，第一垂直公共电极棒25a到25e中的最外侧第一垂直公共电极棒25a和25e可形成为紧邻像素区域内的数据线35。数据线35以平行于第一垂直公共电极棒25a到25e的方式弯曲。换句话说，数据线35可以平行于第一垂直公共电极棒25a到25e而形成。源极31以与数据线35成一体的方式形成。漏极33布置为与源极31分离。

以这种方式，像素区域由数据线35和选通线13的交叉来限定。然后可以形成包括选通线13、栅绝缘膜27、半导体层29以及源极/漏极31和33的薄膜晶体管30。

然后，如图8C中所示，通过在具有数据线35的基板11上涂覆有机材料或者沉积无机材料形成钝化(或保护)膜37。对钝化膜进行构图以形成暴露出漏极33的第一接触孔41和暴露出第二水平公共电极棒23的第二接触孔43。

如图8D中所示，通过在钝化膜37上形成透明导电膜并且进行构图，在钝化膜37上提供像素电极50和第二公共电极60。透明导电膜可由ITO、IZO、和ITZO中的任何一种形成。

像素电极50包括水平像素电极棒51和从水平像素电极棒51延伸出的多个垂直像素电极棒53a到53d。垂直像素电极棒53a到53d形成为与水平像素电极棒51成一体。水平像素电极棒51通过第一接触孔41电连接到薄膜晶体管30的漏极33。

水平像素电极棒51形成为与紧邻选通线13的第一水平公共电极棒21重叠。如此，水平像素电极棒51和第一水平公共电极棒21可与夹在它们之间的钝化膜37和栅绝缘膜27一起形成存储电容器。

垂直像素电极棒53a到53d中的最外侧垂直像素电极棒53a和53d也形成为与像素区域内的第一垂直公共电极棒25a到25e中的最外侧第一垂直公共电极棒25a和25e重叠。因此，最外侧垂直像素电极棒53a和53d以及最外侧第一垂直公共电极棒25a和25e可与夹在它们之间的钝化膜37和栅绝缘膜27一起形成另一存储电容器。

第二公共电极60包括第三水平公共电极棒61和从第三水平公共电极棒61延伸出的多个第二垂直公共电极棒63a到63c。多个第二垂直公共电极棒63a到63c形成为与第三水平公共电极棒61成一体。第三水平公共电极棒61通过第二接触孔43电连接到第二水平公共电极棒23。

第二垂直公共电极棒63a到63c可以与垂直像素电极棒53a到53d交替地形成。而且，第二垂直公共电极棒63a到63c布置为与对应的第一垂直公共电极棒25b到25d重叠。为此，第二垂直公共电极棒63a到63c的宽度等于或者宽于对应的第一垂直公共电极棒25b到25d。换句话说，第二垂直公共电极棒63a到63c可按照足够覆盖对应的第一垂直公共电极棒25b到25d的宽度来形成。

第二垂直公共电极棒63a到63c以及垂直像素电极棒53a到53d可平行于数据线35地形成。如此，第二垂直公共电极棒63a到63c以及垂直像素电极棒53a到53d可具有弯曲形状。

在该问题中，本实施方式的LCD设备在不同层上形成彼此电连接的第一公共电极20和第二公共电极60。LCD设备还在与第二公共电极60相同的层上形成像素电极50。此外，LCD设备形成第一公共电极20的第一垂直公共电极棒25b到25d以及第二公共电极60的第二垂直公共电极棒63a到63c，以相互重叠。如此，即使由于掩模未对准第一公共电极20朝向任何一侧偏移，在像素电极50的垂直像素电极棒53b和53c与“第一公共电极20的第一垂直公共电极棒25b到25d和第二公共电极60的第二垂直公共电极棒63a到63c的一个组”之间的开口可在宽度上彼此相等。因此，开口中的光透射比都是相同的。结果，本实施方式的LCD设备可极大地改善光透射比。

另外，因为不透明的第一公共电极20形成为与第二公共电极60重叠，所以它遮挡了光。因此，开口(或间隙)中的光透射比变得更高。因此，本实施方式的LCD设备可改善对比度。

另一方面，第一公共电极20可以形成为至少两种金属材料的迭层。例如，第一公共电极20可以形成为MoTi/Cu的双层。在该情况下，迭层的第一公共电极20在第一公共电极20上形成的不同层中造成梯级覆盖，由此在摩擦处理期间导致液晶取向不佳。因此，产生漏光现象。

为了解决该问题，本实施方式的LCD设备可允许第一公共电极20仅由MoTi而没有Cu来形成，使得第一公共电极20的厚度极大地减少。如此，第一公共电极造成的梯级覆盖可最小化并且液晶可均匀地取向。因此，可防止漏光现象。

如上所述，根据本公开实施方式的LCD设备使得像素电极的像素电极棒与“第一公共电极的第一公共电极棒和第二公共电极的第二公共电极棒之一”之间的开口在宽度上彼此相等，即使第一公共电极在掩模未对准期间朝向一侧偏移。因此，开口中的光透射比都相同。结果，本实施方式的LCD设备可极大地改善光透射比。

而且，因为不透明的第一公共电极形成为与第二公共电极重叠，所以它遮挡了光，使得开口(或间隙)中的光透射比更高。因此，本实施方式的LCD设备可改善对比度。

尽管已仅关于上述实施方式有限地解释了本公开，但是本领域普通技术人员应当理解本公开不限于这些实施方式，而是在不偏离本公开的精神的情况下可以有各种变化或修改。因此，本公开的范围应当仅由所附权利要求书及其等同物来确定。

Claims

1.一种液晶显示设备，该液晶显示设备包括：

选通线，其沿着第一方向布置；

数据线，其沿着第二方向与所述选通线交叉；

薄膜晶体管，其布置在所述选通线上并连接到所述选通线和所述数据线；

第一公共电极，其布置在与所述选通线相同的层上并且该第一公共电极包括第一水平公共电极棒、第二水平公共电极棒以及多个第一垂直公共电极棒；

第二公共电极，其布置在与所述第一公共电极不同的层上并且该第二公共电极包括第三水平公共电极棒和多个第二垂直公共电极棒；以及

像素电极，其布置在与所述第二公共电极相同的层上并且该像素电极包括水平像素电极棒和多个垂直像素电极棒，

其中，所述第二公共电极连接到所述第一公共电极并布置为与所述第一公共电极重叠，

其中，所述第二垂直公共电极棒分别布置为与所述第一垂直公共电极棒重叠，

其中，所述多个垂直像素电极棒与所述多个第一垂直公共电极棒和所述多个第二垂直公共电极棒中的一个之间的开口在宽度上彼此相等。

2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第二垂直公共电极棒具有至少大于对应的第一垂直公共电极棒的宽度。

3.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述第二公共电极的第三水平公共电极棒连接到所述第一公共电极的第二水平公共电极棒。

4.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述水平像素电极棒和所述第一水平公共电极棒与夹在它们之间的钝化膜和栅绝缘膜重叠在一起，并且所述垂直像素电极棒中的最外侧棒和所述第一垂直公共电极棒中的最外侧棒与夹在它们之间的钝化膜和栅绝缘膜重叠在一起，从而形成存储电容器。

5.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述垂直像素电极棒、所述第一垂直公共电极棒和第二垂直公共电极棒都具有弯曲的形状。

6.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中，所述选通线形成为双层并且所述第一公共电极形成为没有所述双层中的上层的单层。

7.一种液晶显示设备的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成选通线和第一公共电极，该第一公共电极包括第一水平公共电极棒、第二水平公共电极棒以及多个第一垂直公共电极棒；

在包括所述选通线的所述基板上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上与所述选通线相对地形成半导体层；

在包括所述半导体层的所述基板上形成数据线和源极/漏极；

在包括所述数据线的所述基板上形成钝化膜，该钝化膜包括暴露出所述第二水平公共电极棒的接触孔；以及

在所述钝化膜上形成像素电极和第二公共电极，该像素电极包括水平像素电极棒和多个垂直像素电极棒，该第二公共电极包括第三水平公共电极棒和多个第二垂直公共电极棒，

其中，所述第三水平公共电极棒通过所述接触孔连接到所述第二水平公共电极棒，

其中，所述第二垂直公共电极棒形成为分别与所述第一垂直公共电极棒重叠，

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二公共电极形成为与所述第一公共电极重叠。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二垂直公共电极棒具有至少大于对应的第一垂直公共电极棒的宽度。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述水平像素电极棒和所述第一水平公共电极棒与夹在它们之间的所述钝化膜和所述栅绝缘膜重叠在一起，并且所述垂直像素电极棒中的最外侧棒和所述第一垂直公共电极棒的最外侧棒与夹在它们之间的所述钝化膜和所述栅绝缘膜重叠在一起，从而形成存储电容器。