CN101750421A - 用于制备层压体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括：膜形成步骤，用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)，以获得薄膜；缺陷覆盖层(130，170)形成步骤，用于通过CVD在薄膜(120，160)上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，用于透过缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体，其有效地允许检测细小缺陷。

Description

用于制备层压体的方法
技术领域
本发明公开的主题涉及用于制备层压体的方法。更具体地，本发明公开的主题涉及用于制备层压体的方法，其中在挠性支持体上形成由有机膜和无机膜组成的多个薄膜。
背景技术
各种功能膜(功能片材)如阻透膜、保护膜以及光学膜如滤光器和抗反射膜被用于各种器件如光学元件、显示器如液晶显示器和有机电致发光显示器、半导体器件和薄膜太阳能电池中。
为了制备这样的功能膜，采用真空成膜方法如溅射或等离子体CVD(化学真空沉积)进行成膜(形成薄膜)。
为了通过真空成膜方法有效和高产地成膜，优选的是在长的衬底上连续成膜。
作为用于这种成膜方法的设备，已知有所谓的卷装进出(roll-to-roll)成膜装置，其中采用在其上卷绕长衬底(料片衬底)的进料辊和用于将其上形成膜的衬底以卷的形式卷起的卷绕辊。在卷装进出成膜装置中，长衬底被插入并且从进料辊以预定的路径传到卷绕辊，所述预定的路径包括其中通过等离子体CVD在衬底上形成膜的成膜室，而且在将衬底从进料辊进料并且同时将其上形成膜的衬底卷绕在卷绕辊上的同时，在成膜室中在运行的衬底上连续形成膜。
以这种方式形成的膜在表面上有细小的缺陷，而为了检测这样的细小缺陷，采用的是测量和检测由缺陷产生的散射光的方法。公开了这样一种方法，其中在将光学轴相对于入射角稍微移动(产生暗场)使得弱的散射光不被测量光遮掩的情况下，检测散射光。由于缺陷近来变得更加细小并且散射光更弱，所以采取各种措施以处理噪音。
例如，日本专利申请公开2000-310600公开了一种检测方法，其中来自光源的光从检测装置的光学轴的反射位置移动预定的距离，并且在避免直接反射光的同时检测散射光。同样，日本专利申请公开2001-228094公开了一种表面检查装置，其中入射角和检测角被优化以降低背景噪音。日本专利申请公开05-045297公开了一种异物检查装置，所述异物检查装置用于在通过遮光板屏蔽不必要的散射光的同时检测异物。
发明内容
然而，日本专利申请公开2000-310600，2001-228094和05-045297中描述的检查方法和装置在检测膜表面上的极其细小的缺陷时，由于由较大缺陷产生的散射光而不能成功地检测由想要检测的细小缺陷产生的散射光。结果，尽管在检查中获得良好结果(positive results)，但是在膜上仍存在细小缺陷。
本发明公开的主题是在这样的情形下进行的，并且其一个目的是提供一种用于制备具有较少缺陷的层压体同时能够检测细小缺陷的制备方法，以及所述层压体和用于所述层压体的缺陷检测方法。
本发明公开的主题的第一方面提供一种用于制备层压体的方法，该方法包括：膜形成步骤，所述膜形成步骤用于在支持体上形成具有一个或多个层的薄膜；缺陷覆盖层形成步骤，所述缺陷覆盖层形成步骤用于通过CVD在薄膜上形成缺陷覆盖层；和检查步骤，所述检查步骤用于透过缺陷覆盖层的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷。
根据第一方面，由于缺陷覆盖层是在支持体上形成薄膜之后通过CVD形成的，因此，与采用溅射的方法相比，即使在大的缺陷和薄膜等之间的间隙中也可以形成缺陷覆盖层。结果，可以防止由大的缺陷产生的散射光并且可以有效地检查细小缺陷。这使得可以形成具有很少缺陷的良好层压体。另一方面，通过另一种检查来检测大的缺陷以控制质量。
根据本发明公开的主题的第二方面，在根据第一方面的方法中，缺陷覆盖层具有与形成在支持体上的薄膜的一个或多个层中的任何一个相同的组成。
由于缺陷覆盖层是由与薄膜中的一个或多个层中的任何一个相同的组成形成的，可以在不使用与这些层的材料不同的缺陷覆盖层用材料的情况下形成和检查层压体。
根据本发明公开的主题的第三方面，在根据第一方面或第二方面的方法中，缺陷覆盖层的厚度为薄膜厚度的0.3倍以下。
通过设置缺陷覆盖层使其具有薄膜总厚度的30％以下的厚度，可以限制由大的缺陷产生的散射光，因而可以防止由细小缺陷产生的散射光被由大的缺陷产生的散射光遮掩。因此，可以有效检查细小缺陷。
在根据本发明公开的主题的用于形成层压体的方法中，缺陷覆盖层是在形成薄膜后通过CVD形成的，从而用缺陷覆盖层覆盖了在薄膜上形成的缺陷。这使得能够屏蔽由大的缺陷产生的散射光并且有效测量由想要检测的细小缺陷产生的散射光，以有效检测细小缺陷。这使得可以形成具有很少缺陷的良好层压体。
附图说明
图1A和1B说明了由层压体制备方法制备的层压体；
图2A和2B说明了缺陷检测中的光的散射；
图3说明了层压体的制备装置的一个实例；
图4说明了层压体的制备装置的另一个实例；
图5说明了层压体的制备装置的再一个实例；
图6说明了通过CCP-CVD方法形成层压体的一种成膜装置；
图7A至7D解释了当缺陷覆盖层致密时并且当其粗糙时，缺陷覆盖层的表面状态；和
图8是显示实施例结果的表格。
具体实施方式
以下，将参考附图描述根据本发明公开的主题的用于制备层压体的方法的优选实施方案。本发明公开的主题将通过以下优选实施方案描述，但是可以在不偏离本发明公开的主题的范围的情况下以各种方式进行修改，并且可以采用与所列出的实施方案不同的实施方案。因此，在本发明公开的主题的范围内的所有修改均包含在本发明公开的主题的权利要求书中。说明书中使用″至″描述的数值范围表示在″至″前后的数值包含在该范围中。
图1A和1B是说明由根据本发明公开的主题用于制备层压体的制备方法制备的层压体的示意图。图1A是具有单层的薄膜120的层压体100的示意图，图1B是具有三层的薄膜160的层压体150的示意图。如图1A和1B所示，在本发明公开的主题的制备方法中，层压体100，150是分别通过在支持体110表面上形成薄膜120，160，并且通过CVD在薄膜120，160上形成缺陷覆盖层130，170而形成的。
<支持体>
在本发明公开的主题中，对其上形成薄膜120，160和缺陷覆盖层130，170的支持体110没有特别限制，并且可以使用各种树脂膜如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜和各种金属片材如铝片；用于各种膜如阻透膜、光学膜和保护膜的支持体都可以使用，只要可以在它们上形成稍后描述的薄膜和缺陷覆盖层即可。而且，支持体110的表面上可以具有膜如保护膜或粘合膜。
<薄膜>
薄膜120，160是在支持体110的表面上形成的并且可以是由有机材料组成的有机膜或由无机材料组成的无机膜。图1A说明了单层的薄膜120，并且薄膜120可以是有机膜或无机膜。而且，如图1B所示，薄膜可以具有多个层，其中有机膜和无机膜交替层压。
[有机膜]
有机膜由作为主要成分的聚合物组成。具体地，有机膜是由聚酯，丙烯酸类树脂或甲基丙烯酸类树脂(以下，丙烯酸类树脂和甲基丙烯酸类树脂还可以统称为丙烯酸酯树脂聚合物)等组成的膜。
形成有机膜的方法的实例包括普通的溶液涂布法和真空成膜法。
溶液涂布法的实例包括浸涂法，气刀涂布法，幕涂法，辊涂法，绕线棒涂布法，凹版涂布法，滑动涂布法和使用美国专利2681294中所述的料斗的挤出涂布法。有机层还可以通过涂覆和固化可商购的可聚合粘合剂来形成。
尽管对真空成膜方法没有特别的限制，但是优选如气相沉积和等离子体CVD的成膜方法。它们当中，美国专利4842893，4954371和5032461中描述的闪蒸是特别优选的。闪蒸是特别有用的，因为其具有降低在单体中的溶解氧并且提高聚合速率的优点。
[无机膜]
由根据本发明公开的主题用于制备层压体的制备方法形成的薄膜可以是由无机膜形成的。对形成无机膜的材料没有特别的限制并且可以使用适合于将要制备的层压体的各种无机膜。
例如，当制备作为气体阻透膜(水蒸汽阻透膜)的层压体时，优选形成氮化硅膜，氧化铝膜或二氧化硅膜的无机膜。
当制备用于各种器件和装置包括显示器如有机电致发光显示器和液晶显示器的保护膜时，优选形成二氧化硅的无机膜。
而且，当制备光学膜如抗反射膜、光反射膜或各种滤光器时，可以形成具有或发展出预期的光学性能的材料的膜作为无机膜。
当薄膜是单层的有机膜时，薄膜的膜厚度优选为200nm以上且2000nm以下，更优选300nm以上且1500nm以下。当薄膜是单层的无机膜时，薄膜的膜厚度优选为20nm以上且200nm以下，更优选25nm以上且100nm以下。
<缺陷覆盖层>
缺陷覆盖层130，170是通过CVD形成的并且覆盖形成在薄膜上的缺陷，并且在后面的检查步骤中，它们可以在检查细小缺陷时阻挡由大的缺陷产生的散射光并且实现细小缺陷的有效检查。
形成在上述薄膜上的缺陷包括：形成在薄膜表面上的突出物，附着于薄膜表面的污染物，形成薄膜表面上的瑕疵和形成薄膜表面上的凹痕。在这种缺陷的检查中，缺陷越细小，由该缺陷产生的散射光变得越弱，因此该散射光被由大的缺陷产生的散射光遮掩，导致难以检查更细小的缺陷。鉴于此，通过用CVD形成缺陷覆盖层，可以阻挡由大的缺陷产生的散射光，并且因而对细小缺陷的检查变得可能。
在本发明公开的主题中，大的缺陷是指尺寸为30μm以上且150μm以下的缺陷，而细小缺陷是指尺寸为0.1μm以上且20μm以下，优选0.1μm以上且10μm以下，更优选0.1μm以上且3μm以下的缺陷。
本发明公开的主题中的缺陷的尺寸是指通过在后描述的检查装置的光接收装置检测的缺陷的表观尺寸。
作为用于缺陷覆盖层的材料，可以使用能够通过CVD形成膜的无机材料，而没有特别的限制；具体地，可以使用在用无机膜形成薄膜时使用的材料。特别是，这种材料优选具有与构成薄膜的任何层相同的组成。当组成与构成薄膜的层的组成相同时，不需要将不必要的材料混合在形成在支持体上的层压体中，因此可以制备良好的层压体。
缺陷覆盖层通过CVD方法形成。当通过CVD方法形成时，即使在薄膜和形成薄膜上的大的缺陷之间的窄间隙，也可以形成缺陷覆盖层，因此可以阻挡(防止)由大的缺陷产生的散射光并且可以只检测由想要检测的细小缺陷产生的散射光；结果，可以以高精度成功和可靠地检测细小缺陷，从而可以形成具有很少缺陷的层压体。
缺陷覆盖层的厚度可以为薄膜厚度的30％以下(即，小于或等于0.3倍)，更优选20％以下(即，小于或等于0.2倍)。将缺陷覆盖层的厚度设置在上述范围内，使得可以进行良好的检查。另一方面，至于厚度的下限，缺陷覆盖层只需厚到足以防止由大的缺陷产生的散射光，并且其厚度以下为20nm以上，和更优选40nm以上。
图2A是显示在支持体上形成有薄膜120的层压体的图，图2B是显示在薄膜120上形成有缺陷覆盖层130的层压体的图。
在图2A所示的没有缺陷覆盖层130的层压体中，因为由大的缺陷190产生的散射光具有高强度，用于检查位于大的缺陷190周围的细小缺陷180的光被阻挡。因此，位于大的缺陷190周围的细小缺陷180不能被有效检查。
另一方面，在图2B所示的层压体中，因为由大的缺陷产生的散射光190被缺陷覆盖层130抑制，可以检测由细小缺陷180产生的散射光。因此，因为可以高精度地进行缺陷检查，可以制备具有较少缺陷的高质量层压体。
<检查装置>
检查装置检查其上形成缺陷覆盖层的层压体。示例性的检查装置配备有：照明装置，用于照射光；支承辊(backup roll)，用于会聚来自照明装置的光和照射所述光；和光接收装置，用于接收从在支承辊上运行的层压体反射的光作为对比信号。例如，可以使用日本专利申请公开2006-208184中描述的检查装置。
<制备层压体的方法>
接着，描述制备层压体的方法。图3示意性地说明了用于制备层压体的装置的一个实例，所述的装置用于实施根据本发明公开的主题的层压体的制备方法。
在图3所示的层压体制备装置20(以下称作制备装置20)中，将有机膜12，即由作为主要成分的预定聚合物组成的薄膜，形成在长的膜状支持体110(膜幅)的表面上(成膜)，并且通过CVD在有机膜12上形成缺陷覆盖层130，从而制备所示的层压体。检查装置60检查在得到的层压体上的缺陷。
在这种用于形成层压体100的制备装置20中，将长支持体110从支持体110以卷的形式卷绕在其上的支持体辊22进料，同时在纵向方向上传送支持体，形成作为薄膜120的有机膜12和缺陷覆盖层130，然后检查装置60检查缺陷并且可以通过以卷的形式卷绕制备层压体。也可以如图3中所示，在形成缺陷覆盖层130后检查缺陷。备选地，检查可以在形成缺陷覆盖层后，并且一旦卷绕在辊上并且再次进料时进行。而且，尽管图3说明了其中形成有机膜12作为薄膜120的方法，但是可以采用其中形成无机膜代替有机膜的方法。
在制备装置20中，将支持体110装载在支持体进料室24中的旋转轴30上作为如上所述的支持体辊22。
支持体进料室24通过驱动源(未显示)以图中的逆时针方向使旋转轴30旋转并且从支持体辊22进料支持体110；导辊32引导支持体110通过预定的路径并且将支持体110传送到有机膜形成室26。
除了上述构件外，在支持体进料室24中可以设置用于传送支持体110通过预定的路径的一对传送辊或引导构件。
支持体进料室24是真空室并且通过真空排气装置25抽真空至预定的压力(真空度)。在制备装置20中，这防止了支持体进料室24中的压力不利低影响有机膜在稍后描述的有机膜形成室26中的成膜。
将从支持体进料室24进料的支持体110传送至有机膜形成室26。
有机膜形成室26是真空室并且配备有鼓36，单体喷嘴38，UV照射装置42和真空排气装置44。
鼓36是圆柱形构件，其在图3中的箭头方向上绕中心线旋转。将从支持体进料室24传送的支持体110卷绕在鼓36外围表面的预定部分上并且在被鼓36保持和引导的同时传送通过预定的路径，在其上形成有机膜12并且将得到的物体传送至稍后描述的缺陷覆盖层形成室28。
在有机膜形成室26中，使用预先制备的含有单体混合物的涂料，通过闪蒸在支持体110上形成涂膜，然后使涂膜的涂料聚合，从而获得有机膜12。
在形成有机膜12时，将有机膜形成室26中的压力通过真空排气装置44降低至预定的压力(真空度)。可以将已知的真空排气装置用于真空排气装置44，类似于稍后描述的无机膜形成室226中的真空排气装置244。
单体喷嘴38将预先制备的单体在这种降低的压力下施加到支持体110的表面上。据此，通过闪蒸在支持体110的表面上形成涂膜。
将UV照射装置42用于采用UV光(紫外光)照射通过闪蒸形成的涂膜，从而使单体聚合以形成有机膜12。
可以采用的光源和照射能如上所述。而且，单体的聚合方法不限于图3所示的用UV照射，并且可以如上所述采用各种方法。
图3描述的是用于形成有机膜的薄膜的有机膜形成室，而图4描述了具有用于形成无机膜13的薄膜的无机膜形成室226的制备装置220。
在无机膜形成室226中，通过真空成膜方法在支持体110表面上形成无机膜13，并且室226配备有鼓236，成膜装置238a、238b、238c和238d，以及真空排气装置244。
无机膜形成室226是与相邻空间隔离以基本上密封的真空室。因此，形成在室和相邻空间之间的隔断墙上的狭缝优选具有最小尺寸，所述最小尺寸能够使支持体110从中通过而不接触狭缝。在这点上，同样适用于用于将膜从每个室排出的排出口。
当成膜是在无机膜形成室226中通过溅射或等离子体CVD进行时，高频电源等也被安装在无机膜形成室226中。
类似于有机膜形成室26，无机膜形成室226中的鼓236是圆柱形构件，其在图4中的箭头的方向上绕中心线旋转。
将从支持体进料室24传送的支持体卷绕在鼓236外围表面的预定部分上并且在被鼓236保持和引导的同时传送通过预定的路径，并且通过成膜装置238a至238d等在支持体的表面上形成无机膜13。当在无机膜形成室226中通过溅射或等离子体CVD进行成膜时，可以将鼓236接地(通地)以使其还起到对电极作用，或可以连接至高频电源。
成膜装置238a至238d用于通过真空成膜方法在支持体110表面上形成无机膜13。
在本发明公开的主题的制备方法中，对用于形成无机膜13的方法没有特别限制，并且可以使用已知的真空成膜方法(气相沉积方法)如CVD，等离子体CVD、溅射、真空沉积和离子电镀法。
为此，制备装置220中的成膜装置238a至238d配备有适合于所实施的真空成膜方法的各种构件。
例如，当在无机膜形成室226中通过ICP-CVD方法(感应耦合等离子体CVD)形成无机膜时，成膜装置238a至238d包括用于形成感应磁场的感应线圈或用于向成膜区域供应反应气体的供气装置。
当在无机膜形成室226中通过CCP-CVD方法(电容耦合等离子体CVD)形成无机膜时，成膜装置238a至238d中的每一个包括：高频电极，其是中空的，在面对鼓236的一侧具有许多孔并且连接至反应气体源；和簇射(shower)电极，其作为反应气体进料装置。
当在无机膜形成室226中通过CVD方法形成无机膜13时，成膜装置238a至238d包括用于引入反应气体的装置。
此外，当在无机膜形成室226中通过溅射形成无机膜13时，成膜装置238a至238d包括：用于固定靶的装置；高频电极；和用于进料溅射气体的装置。
真空排气装置244将空气从无机膜形成室226中抽走并且设置适合于通过真空成膜方法的无机膜13a的成膜的真空度。
对真空排气装置244没有特别的限制，并且可以使用已知的真空泵，包括涡轮泵，机械升压器和旋转泵。此外，可以使用其它已知的用于真空成膜装置的(真空)抽真空装置，其配备有辅助装置如低温盘管(cryocoil)和用于调节实现的真空(真空度)和抽真空量的调节装置。
尽管上面已经描述了通过层压单层的有机膜或无机膜形成薄膜的方法，但是有机膜形成室26和无机膜形成室226可以允许互相联系在一起以形成如图5所示的双层的薄膜。而且，通过组合多个有机膜形成室26和无机膜形成室226，可以形成由更多的层组成的薄膜。
然后将其上形成薄膜的支持体110传送至缺陷覆盖层形成室28。在缺陷覆盖层形成室28中，在得到的薄膜上形成缺陷覆盖层130。
缺陷覆盖层形成室28可以具有与无机膜形成室226一样的构造。缺陷覆盖层形成室28也是真空室，并且优选与相邻空间隔离以基本上密封。而且，由于缺陷覆盖层130是通过CVD形成的，成膜装置48a至48d包括用于引入反应气体等的装置。
优选通过CCP-CVD(电容耦合等离子体-CVD)方法形成缺陷覆盖层。图6是用于通过CCP-CVD方法形成层压体的成膜装置的图。在图6中，在形成薄膜后，将层压体暂时卷绕在辊上，然后形成缺陷覆盖层；然而，可以提供图6中所示的装置代替图3至5所示的装置中的缺陷覆盖层形成室28。
成膜装置310是用于在其上形成薄层的支持体上连续形成缺陷覆盖层的装置。成膜装置310包括：用于进料支持体的进料室312；用于在薄膜上形成缺陷覆盖层的成膜室314；用于将其上形成缺陷覆盖层的支持体卷绕在辊上的卷绕室316；真空排气装置332；和控制装置336。控制装置336控制成膜装置310的每个操作。真空排气装置332将进料室312、成膜室314和卷绕室316内部的真空分别控制至预定的真空度。对由真空排气装置332实现进料室312、成膜室314和卷绕室316的真空度没有特别的限制。只需根据采用的成膜方法等，保持进料室312、成膜室314和卷绕室316内部的足够真空度。
进料室312是用于进料支持体的构件，包括辊320和导辊321。卷绕室316是将其上形成缺陷覆盖层的支持体卷起的构件，并且包括卷起辊330和导辊331。
成膜室314起真空室作用，并且是用于在传送支持体的同时在薄膜上通过CCP-CVD方法连续形成缺陷覆盖层的构件。成膜室314配备有4个导辊324，325，327和328、鼓326和成膜装置340。
如图6中所示，将成膜装置340安置在鼓326下面，并且在鼓326旋转以在传送方向D上以将支持体置于鼓326上的状态传送支持体的同时，在支持体的薄膜上形成缺陷覆盖层。成膜装置340包括：用于成膜的电极(成膜电极)342，高频电源344和原料气体进料装置346。成膜装置340中的高频电源344和原料气体进料装置346是用控制装置336连接的并且由装置336控制。
成膜电极342被安置在成膜室314的下部并且离开鼓326表面预定的距离S(空间S)。成膜电极342包括成膜电极板350和用于固定成膜电极板350的固定单元。
成膜电极342(成膜电极板350)与高频电源344连接，并且高频电源344向成膜电极342的成膜电极板350施加高频电压。因此，在成膜电极342(成膜电极板350)和鼓326之间的空间S中，在预定范围内，产生电场。
CCP-CVD方法能够形成比用ICP-CVD方法形成的缺陷覆盖层更粗糙(更低密度)的缺陷覆盖层，并且这种缺陷覆盖层可以抑制来自大的缺陷的散射光。
图7A至7D说明了在缺陷覆盖层致密时并且在其粗糙时的缺陷覆盖层表面状态的比较。当如图7A所示在支持体上存在大的缺陷时，该大的缺陷在形成薄膜后仍然保留在薄膜表面上，如图7B所示。然后，在薄膜上形成缺陷覆盖层。
当缺陷覆盖层致密(具有高密度)时，在薄膜表面上的大的缺陷的形状被真实地复制在缺陷覆盖层的表面上，如图7C中所示。换言之，大的缺陷的陡沿的形状被清晰地表现在缺陷覆盖层表面上。这种在表面上的大的缺陷的陡沿有助于由大的缺陷产生的高强度散射光。由于致密缺陷覆盖层真实地复制了大的缺陷的形状以保持陡沿，由大的缺陷产生的散射光的强度仍然是高的。因此，由于由大的缺陷产生的散射光阻挡了由细小缺陷产生的散射光，缺陷覆盖层没有有效地起作用。
另一方面，当缺陷覆盖层粗糙(具有低密度)时，在薄膜表面上的大的缺陷的形状被松散地表现在缺陷覆盖层表面上，如图7D所示。换言之，大的缺陷的陡沿的形状在缺陷覆盖层表面上变钝。由于有助于由大的缺陷产生的高强度散射光的陡沿被粗糙缺陷覆盖层抑制，由大的缺陷产生的散射光的强度降低。因此，优选缺陷覆盖层由粗糙膜形成。
另外，当缺陷覆盖层的成膜速率越慢时，缺陷覆盖层趋向于变得越致密。另一方面，当成膜速率太快时，缺陷覆盖层的形成不充分，导致不适宜的后果。优选的是成膜速率落在200至2000nm/分钟，更优选300至1000nm/分钟的范围内。
用检查装置60检查以这种方式制备的层压体。在本发明公开的主题中，由于缺陷覆盖层130是在最外层上通过CVD形成的，缺陷覆盖层可以覆盖甚至大的缺陷。结果，当检查细小缺陷时，可以防止由细小缺陷产生的散射光被由大的缺陷产生的散射光遮掩，因而可以高精度地检查这样的细小缺陷。因此，可以制备具有很少细小缺陷的层压体。
实施例
分别制备层压体。
层压体1(实施例1)应用：UV滤光器
在通过溅射在支持体上形成200nm厚的由ZnO组成的层后，通过CCP-CVD方法以300nm/分钟的成膜速率形成40nm厚的由ZnO组成的层(缺陷覆盖层)。
层压体1(实施例2)
在以与实施例1相同的方式形成薄膜后，通过ICP-CVD方法以150nm/分钟的成膜速率形成缺陷覆盖层。
层压体2(实施例3)应用：气体阻透器(gas barrier)
在通过沉积形成1000nm厚的由DPHA(二季戊四醇六丙烯酸酯)组成的层后，通过CCP-CVD方法以500nm/分钟的成膜速率形成150nm厚的由SiN组成的层(缺陷覆盖层)。
层压体3(实施例4)应用：气体阻透器
在通过涂布形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过溅射形成150nm厚的由TiN组成的层。此外，在通过涂布在其上形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过CCP-CVD方法以500nm/分钟的成膜速率形成150nm厚的由TiN组成的层(缺陷覆盖层)。
层压体3(实施例5)
在以与实施例4相同的方式形成薄膜后，通过CCP-CVD方法以1000nm/分钟的成膜速率形成缺陷覆盖层。
层压体3(实施例6)
在通过涂布形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过溅射形成100nm厚的由TiN组成的层。此外，在通过涂布在其上形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过CCP-CVD方法以200nm/分钟的成膜速率形成150nm厚的由TiN组成的层(缺陷覆盖层)。
层压体3(实施例7)
在通过涂布形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过溅射形成200nm厚的由TiN组成的层。此外，在通过涂布在其上形成1000nm厚的由DPHA组成的层后，通过CCP-CVD方法以2000nm/分钟的成膜速率形成150nm厚的由TiN组成的层(缺陷覆盖层)。
另外，作为比较例1至3，除了通过溅射形成实施例1、3和4的缺陷覆盖层外，通过与各个实施例中相同的方法制备层压体。
将得到的层压体用卤素光照射，并且在使反射光的轴移动的情况下，通过线阵CCD(line CCD)测量具有1.0μm尺寸的缺陷的S/N(信噪比)。S/N为10dB以上的层压体评为良好″B″，S/N为15dB以上的层压体评为优异″A″，而S/N小于10dB的层压体评为差″C″。结果显示在图8中。
形成缺陷覆盖层导致制备出具有高S/N和较少缺陷的高质量层压体。当通过CCP-CVD方法形成缺陷覆盖层时，与通过ICP-CVD方法制备缺陷覆盖层的情况相比，制备的层压体具有更少的缺陷。此外，经验证，为了制备高质量层压体，优选的成膜速率落在200至2000nm/分钟，更优选300至1000nm/分钟的范围内。另外，由具有与薄膜中的任何一层相同的组成的材料形成缺陷覆盖层可以制备出良好的层压体。

Claims (3)

1.一种用于制备层压体的方法，所述方法包括：
膜形成步骤，所述膜形成步骤用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)；
缺陷覆盖层形成步骤，所述缺陷覆盖层形成步骤用于通过CVD在所述薄膜上形成缺陷覆盖层(130，170)；和
检查步骤，所述检查步骤用于透过所述缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。
2.根据权利要求1所述的用于制备层压体的方法，其中所述缺陷覆盖层(130，170)具有与形成在所述支持体(110)上的薄膜(120，160)的所述一个或多个层中的任何一个相同的组成。
3.根据权利要求1或2所述的用于制备层压体的方法，其中所述缺陷覆盖层(130，170)的厚度为所述薄膜(120，160)的厚度的0.3倍以下。
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