CN101746803A - 一种氟化钡纳米粉体的制备方法 - Google Patents
一种氟化钡纳米粉体的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种氟化钡纳米粉体的制备方法，该方法是将氟化钡(BaF2)放入螺杆式研磨机中研磨，研磨过程中，研磨机变频器频率参数为30～40Hz，研磨时间5～6h，得到氟化钡纳米粉体；所述氟化钡(BaF2)为普通市售氟化钡。本发明制备出的氟化钡纳米粉体，颗粒小，分散均匀，晶形好，可以大规模工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及无机功能材料的制备，特别是一种快速制备氟化钡纳米粉体的方法。
背景技术
BaF2具有特殊的性能和用途而得到广泛的研究。它的发光性能好，是最快的闪烁体.在核物理和核技术中用来检测r射线和带电粒子。将掺杂稀土金属的纳米BaF2粒子嵌入有机或玻璃基体以发挥其发光性能的研究越来越引起重视。碱土氟化物和许多半导体的晶格匹配性良好，可以用不同碱土氟化物层来连接晶格常数不同的半导体。近年来.发现纳米氟离子导电性有了大幅度的提高，氟化物纳米粉体的制备和研究也日益受到重视。
到目前为止，BaF2微粒的制备方法主要有反相微乳液法，微乳液法，火焰法，水溶液直接沉淀法等。微乳液法易于控制粒径和进行良好的表面修饰，防止纳米粒子团聚，但产量小难以满足氟化物离子导电性研究样品量的需要，同时粒子纳米颗粒吸附的表面活性剂可能会影响氟离子导电性。水热法等制备氟化物也存在产量低的问题，火焰法不易控制粒径。溶液直接沉淀法简单易行，产量大，但反应条件不易控制，沉淀物粒径分布不均匀。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种利用机械化学法来制备氟化钡纳米粉体，其制备方法简单、高效，能耗低，成本低廉。
实现本发明目的的具体技术方案是：
一种氟化钡纳米粉体的制备方法，该方法是将氟化钡(BaF2)放入螺杆式研磨机中研磨，研磨过程中，研磨机变频器频率参数为30～40Hz，研磨时间5～6h，得到氟化钡纳米粉体。
所述氟化钡(BaF2)为普通市售氟化钡。
所述螺杆式研磨机为中国发明专利200710170826.2。
本发明制备出的氟化钡纳米粉体，颗粒小，分散均匀，晶形好，可以大规模工业生产。
附图说明
图1为本发明实施例1的XRD图
图2为本发明实施例1的SEM图
具体实施方式
实施例1
a、称取BaF2 70g。
b、将上述物质放入螺杆式研磨机中，设置变频器频率参数为30Hz，研磨6h得氟化钡纳米粉体。
本实施例所得BaF2的XRD图，参阅图1，从图中可以看出，所得的BaF2物相纯，没有掺入任何其他杂质。
本实施例所得BaF2的SEM图，参阅图2，从图中可以看出，所得的BaF2颗粒小，晶形较好。
本实施例所得BaF2粉体晶粒度为23.78nm。
实施例2
a、称取BaF2 90g。
b、将上述物质放入螺杆式研磨机中，设置变频器频率参数为40Hz，研磨5h得氟化钡纳米粉体。
本实施例所得BaF2粉体晶粒度为40.52nm。
Claims (1)
1.一种氟化钡纳米粉体的制备方法，其特征在于该方法是将氟化钡(BaF2)放入螺杆式研磨机中研磨，研磨过程中，研磨机变频器频率参数为30～40Hz，研磨时间5～6h，得到氟化钡纳米粉体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910200297A CN101746803A (zh) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 一种氟化钡纳米粉体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN200910200297A CN101746803A (zh) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 一种氟化钡纳米粉体的制备方法 |
Publications (1)
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| CN101746803A true CN101746803A (zh) | 2010-06-23 |
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ID=42474511
Family Applications (1)
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| CN200910200297A Pending CN101746803A (zh) | 2009-12-11 | 2009-12-11 | 一种氟化钡纳米粉体的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101746803A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104211100A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-12-17 | 吉林师范大学 | 一种非晶态结构BaF2的制备方法 |
-
2009
- 2009-12-11 CN CN200910200297A patent/CN101746803A/zh active Pending
Cited By (1)
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| CN104211100A (zh) * | 2014-01-13 | 2014-12-17 | 吉林师范大学 | 一种非晶态结构BaF2的制备方法 |
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