CN101367526B - Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 - Google Patents
Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101367526B CN101367526B CN2008102002928A CN200810200292A CN101367526B CN 101367526 B CN101367526 B CN 101367526B CN 2008102002928 A CN2008102002928 A CN 2008102002928A CN 200810200292 A CN200810200292 A CN 200810200292A CN 101367526 B CN101367526 B CN 101367526B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- powder
- temperature
- water glass
- luminescent powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种稀土Ce离子掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法,属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以气凝二氧化硅、氢氧化钠、硝酸镥、硝酸铈为原料,以尿素为沉淀剂,经水热处理后得到硅酸镥粉体的前驱体沉淀物,将该前驱体沉淀物洗涤、烘干、研磨后,置于炉中在1200—1400℃下进行煅烧处理,并保温2—4小时,然后在空气中自然冷却,最终获得Ce离子掺杂的硅酸镥多晶发光粉体。本发明方法的优点是具有较低的合成温度,与固相法相比,可降低200—300℃,另外,通过选择合适的水热处理条件和煅烧条件,可以有效控制合成的LSO粉体的粒径。
Description
技术领域
本发明涉及一种稀土Ce掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法,属稀土化合物发光粉体制备工艺技术领域。
背景技术
1992年C.L.Melcher和J.S.Schweitzer两人首次发现硅酸镥Lu2SiO5(LSO:Ce)是一种性能优越的闪烁体材料:其密度为7.4g/cm3,有效原子数为66,发射强度为铊掺杂碘化钠的75%,光输出为26300ph/Mev,衰减时间为40ns,能量分辨率为9%,辐射长度为1.14cm,以及发射峰处于420nm[3]。基于以上特点,该种材料在CT(计算机断层摄影术,Computed Tomography),正电子断层扫描技术(PET:Positron Emission Tomography)等数字影像技术上得到广泛的应用,同时,在安全检查和反恐等方面亦有广阔的应用前景。
目前,Ce掺杂的硅酸镥闪烁材料主要为单晶形态,其制备方法为高温熔体提拉法(Czochralski法),在生长该单晶材料之前需要预先合成硅酸镥的粉体材料,传统的粉体合成方法主要是固相法,这种方法是以氧化镥和二氧化硅两种固相颗粒作为起始反应物,由于两种物质密度差别较大,最终导致两种原料的混合均匀度较差。造成合成的硅酸镥粉体中氧化镥残余较严重,而且合成温度也较高。固相法在1400-1500℃才可以初步合成LSO相,如Hayet Farhi使用氧化镥粉末和气凝二氧化硅为原料,均匀混合后压片,在1400℃煅烧25小时可以初步获得硅酸镥粉体。由此可以看出固相法在制备硅酸镥粉体时的困难。在本发明中考虑使用水热处理工艺加速反应,先获得氢氧化镥和硅胶的均匀混合前驱体,再经高温煅烧来合成硅酸镥。这是一种新的研究实验。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用水热处理技术制备Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的方法。
本发明主要以硝酸镥,硝酸铈和水玻璃(硅酸钠)为原料,以尿素为沉淀剂,采用水热处理工艺及煅烧工艺来制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体。
本发明一种Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.水玻璃即硅酸钠的制备:将一定量的气凝二氧化硅溶解于一定量的去离子水中,然后加入一定量的氢氧化钠溶液,在磁力搅拌下加热至90-100℃,使二氧化硅与氢氧化钠反应至溶液透明,获得水玻璃即硅酸钠溶液;上述反应中使用氢氧化钠与二氧化硅的摩尔数比为(2-10):1;然后使用盐酸调整水玻璃的pH值至7-7.5之间,观察到溶液开始变得浑浊;
b.配置Ce3+掺杂的硝酸镥溶液及水热处理:将适量的硝酸铈溶液加入到硝酸镥溶液中,溶液中使Ce3+与Lu3+的摩尔质量比为(0.25-1):100;然后加入适量的尿素,其加入量为硝酸镥的3倍,即两者的摩尔质量比为硝酸镥:尿素=1:3;将前述溶液经磁力搅拌5分钟后加入到上述预先制备好的水玻璃溶液中,强磁力搅拌30分钟,并将该混合溶液放入反应釜中进行水热处理,水热处理的温度为150-250℃,处理时间为8-16小时;然后经抽滤得到前驱体沉淀物。
c.洗涤沉淀物:将上述沉淀物用去离子水洗涤3-5次,再用无水乙醇清洗一次,以去除氯离子及其他杂质。
d.烘干,研磨及煅烧:将上述清洗干净的前驱体沉淀物置于烘箱中于100℃干燥6小时,然后研磨过200目筛;然后置于马弗炉中在1200-1400℃下进行煅烧处理,并在该温度下保温2-4小时;然后在空气中自然冷却,最终获得Ce3+掺杂硅酸镥多晶发光粉体。
本发明方法的化学反应机理如下所述:
本发明方法的反应过程包括:(1)水玻璃(Na2SiO3)的获得,(2)原硅酸(H4SiO4)的获得,
(3)硝酸镥与尿素在水热处理反应中氢氧化镥的生成(4)煅烧中硅酸镥(Lu2SiO5)的生成。
(1)本发明方法可在较低温度下合成铈掺杂硅酸镥粉体,且得到的粉体为亚微米级,颗粒大小平均为500nm,尺寸均匀。
(2).通过采用尿素作为沉淀剂及水热处理工艺,有利于反应物之间的均匀混合和完全反应。
(3).本发明在1200-1400℃下煅烧2小时后即可获得铈掺杂硅酸镥多晶粉体,与固相法相比,其合成温度可降低200-300℃.
附图说明
图1为固相法与水热法在1200℃煅烧2小时候粉体样品的XRD谱图及与标准氧化镥(a)和硅酸镥(b)的PDF卡片对比。
图2为水热法获得的前驱物在不同温度下获得产品粉体的XRD谱图及与标准硅酸镥(LSO)的PDF卡片对比。
图3为水热处理后前驱体的SEM形貌图。
图4为水热处理后在1200℃煅烧2小时获得的粉体样品的SEM形貌图。
图5为水热处理后的前驱物在空气中1200℃煅烧2小时获得合成硅酸镥(LSO)粉体的激发光谱与发射光谱。
具体实施方式
现将本发明的具体实施例详述于后:
实施例1.
将2.78g的气凝二氧化硅溶解于50ml去离子水中,13.80g氢氧化钠加入其中。加热至90℃促使气凝二氧化硅与氢氧化钠反应至溶液透明,此时获得了水玻璃溶液。使用盐酸调整水玻璃的PH值至7-7.5之间。
向100ml Lu3+离子浓度为0.927mol/l的硝酸镥溶液中加入0.47ml Ce3+离子浓度为0.522mol/l的硝酸铈溶液,以及16.686g的尿素,磁力搅拌5分钟后加入到pH为7.5的水玻璃溶液中,加入少量去离子水将混合溶液的总体积调整至250ml,强磁力搅拌30分钟。混合溶液装入到水热反应釜中,装入量为容器总体积的一半,将水热反应釜密封后在烘箱中200℃水热处理13小时。对水热处理后得到的沉淀前躯体进行抽虑,先使用去离子水清洗,用硝酸银检测其中氯离子的残存,再使用适量的酒精清洗。将前躯体在烘箱中100℃干燥6小时后研磨过200目筛。在马弗炉中1200℃空气氛条件下保温2小时后随炉降温,得到Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体。
实施例2.
将6g的气凝二氧化硅溶解于50ml去离子水中,30g氢氧化钠加入其中。加热至90℃促使气凝二氧化硅与氢氧化钠反应至溶液透明,此时获得了水玻璃溶液。使用盐酸调整水玻璃的pH值至7-7.5之间。
向215.7ml Lu3+离子浓度为0.927mol/l的硝酸镥溶液中加入1.92ml Ce3+离子浓度为0.522mol/1的硝酸铈溶液,以及36g的尿素,磁力搅拌5分钟后加入到pH为7.5的水玻璃溶液中,加入少量去离子水将混合溶液的总体积调整至538.8ml,强磁力搅拌30分钟。混合溶液装入到水热反应釜中,装入量为容器总体积的一半,将水热反应釜密封后在烘箱中200℃水热处理13小时。对水热处理后得到的沉淀前躯体进行抽虑,先使用去离子水清洗,用硝酸银检测其中氯离子的残存,再使用适量的酒精清洗。将前躯体在烘箱中100℃干燥6小时后研磨过200目筛。在马弗炉中1300℃空气氛条件下保温2小时后随炉降温,得到Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体。
本发明实施例所制得的Ce3+掺杂的硅酸镥发光粉体可用于闪烁体探测器件。
有关本发明中所作的各种仪器检测结果列出于附图中。
图1为固相法和水热法在1200℃煅烧2小时后粉体样品的XRD图及与标准氧化镥(a)和硅酸镥(b)的PDF卡片对比。有图可以看出固相法在1200℃条件下只有微量的硅酸镥生产,产物中大部分是氧化镥相。而水热法在1200℃煅烧2小时后,却有大量的硅酸镥生成,只有少量的未反应的氧化镥。图中给出了单斜硅酸镥PDF卡片的衍射峰,水热法获得的样品的主要衍射峰与此对应较好。由此说明,使用本发明方法可以在1200℃合成多晶硅酸镥发光粉体。
图2为水热法获得的前驱物在不同温度下获得产品粉体的XRD谱图及与标准硅酸镥(LSO)的PDF卡片对比。从图中可以看出,随着煅烧温度的升高,硅酸镥的衍射峰逐渐加强,氧化镥的衍射峰逐渐减弱,由此说明,煅烧温度的升高有利于残余氧化镥的去除。
图3为水热处理后的前驱体的SEM形貌图。从图中可发现,粉体的单颗粒尺寸约为500nm,其中存在少量较大的球形二氧化硅颗粒(约为lum).
图4为水热处理后在1200℃煅烧2小时获得粉体样品的SEM形貌图。图中可见,单颗粒尺寸在200—500nm之间,颗粒出现部分团聚,并且有闭合气孔。
图5为水热处理后的前驱物在空气中1200℃煅烧2小时获得硅酸镥(LSO)粉体的激发光谱与发射光谱。
Claims (1)
1.一种Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.水玻璃即硅酸钠的制备:将一定量的气凝二氧化硅溶解于一定量的去离子水中,然后加入一定量的氢氧化钠溶液,在磁力搅拌下加热至90-100℃,使二氧化硅与氢氧化钠反应至溶液透明,获得水玻璃即硅酸钠溶液;上述反应中使用氢氧化钠与二氧化硅的摩尔数之比为(2-10)∶1;然后使用盐酸调整水玻璃的pH值至7-7.5之间,观察到溶液开始变得浑浊;
b.配置Ce3+掺杂的硝酸镥溶液及水热处理:将适量的硝酸铈溶液加入到硝酸镥溶液中,溶液中使Ce3+与Lu3+的摩尔数之比为(0.25-1)∶100;然后加入适量的尿素,其加入量为硝酸镥的3倍,即两者的摩尔数比为硝酸镥∶尿素=1∶3;将前述溶液经磁力搅拌5分钟后加入到上述预先制备好的水玻璃溶液中,强磁力搅拌30分钟,并将该混合溶液放入反应釜中进行水热处理,水热处理的温度为150-250℃,处理时间为8-16小时;然后经抽滤得到前驱体沉淀物;
c.洗涤沉淀物:将上述沉淀物用去离子水洗涤3-5次,再用无水乙醇清洗一次,以去除氯离子及其他杂质;
d.烘干,研磨及煅烧:将上述清洗干净的前驱体沉淀物置于烘箱中于100℃干燥6小时,然后研磨过200目筛;然后置于马弗炉中在1200-1400℃下进行煅烧处理,升温速率为2℃/分,并在该温度下保温2-4小时;然后在空气中自然冷却,最终获得Ce3+掺杂硅酸镥多晶发光粉体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008102002928A CN101367526B (zh) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008102002928A CN101367526B (zh) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101367526A CN101367526A (zh) | 2009-02-18 |
CN101367526B true CN101367526B (zh) | 2011-03-30 |
Family
ID=40411561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008102002928A Expired - Fee Related CN101367526B (zh) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101367526B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102191060B (zh) * | 2010-03-05 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种钒酸盐荧光粉及其制备方法 |
CN102391868B (zh) * | 2011-09-15 | 2013-03-06 | 上海大学 | 利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法 |
CN102618263B (zh) * | 2012-03-16 | 2015-03-11 | 武汉工程大学 | 一种硅酸盐发光材料的制备方法 |
CN106542813A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-03-29 | 湖北工业大学 | 制备纳米级硅酸镥多晶闪烁陶瓷粉体的方法 |
CN109399650A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-03-01 | 上海新漫晶体材料科技有限公司 | 一种用于硅酸钇镥晶体生长的多晶粉体的制备方法 |
CN115636944B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-11-17 | 厦门大学附属心血管病医院 | 一种铒离子掺杂的金属配位聚合物纳米凝胶材料及其制备方法、应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5660627A (en) * | 1994-10-27 | 1997-08-26 | Schlumberger Technology Corporation | Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals |
US6413311B2 (en) * | 1998-04-16 | 2002-07-02 | Cti, Inc. | Method for manufacturing a cerium-doped lutetium oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time |
-
2008
- 2008-09-24 CN CN2008102002928A patent/CN101367526B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5660627A (en) * | 1994-10-27 | 1997-08-26 | Schlumberger Technology Corporation | Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals |
US6413311B2 (en) * | 1998-04-16 | 2002-07-02 | Cti, Inc. | Method for manufacturing a cerium-doped lutetium oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101367526A (zh) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101367526B (zh) | Ce3+掺杂的硅酸镥多晶发光粉体的制备方法 | |
CN105329876B (zh) | 一种硼、氮共掺杂碳量子点的制备方法 | |
CN104148047B (zh) | 一种碳掺杂氧化锌基可见光催化剂的宏量制备方法 | |
CN111285380B (zh) | 多稀土共掺杂硼化物及其纳米隔热粉的制备方法和应用 | |
CN101993240B (zh) | 一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法 | |
CN102690113A (zh) | 镥铝石榴石透明闪烁陶瓷的低温真空烧结制备方法 | |
CN101665696A (zh) | 掺Eu3+的氧化镧钇荧光粉和透明闪烁陶瓷的制备方法 | |
CN106957654B (zh) | 一种制备8纳米以下稀土掺杂β-NaYF4上转换纳米晶的方法 | |
CN101845668B (zh) | 一种纳米硼酸镍晶须的制备方法 | |
CN109133922B (zh) | 双掺杂稀土离子石榴石结构光功能陶瓷粉体及其制备方法 | |
CN101545140A (zh) | 铈锰共掺的铝酸钇(镥)超快闪烁晶体及其制备方法 | |
CN107880884B (zh) | 一种铈掺杂稀土硅酸盐多晶粉体的制备方法 | |
CN105712635B (zh) | 一种Eu3+/Yb3+共掺杂硅酸盐微晶玻璃及其制备方法和应用 | |
CN102275944A (zh) | 一种新的闪烁硅酸铋粉体的制备方法 | |
CN101376520B (zh) | 采用有机化合物辅助低温制备Ce3+掺杂硅酸镥发光粉体的方法 | |
Li et al. | Synthesis of nanocrystalline lutetium aluminum garnet powders by co-precipitation method | |
CN102358950B (zh) | 一种钨酸镉单晶纳米带的制备方法 | |
CN108165269A (zh) | 一种相变延迟且上转换发光强度大幅提高的氟化镥钾纳米晶及其制备方法 | |
CN102491416A (zh) | 一种Eu2Zr2O7纳米粉体的制备方法 | |
CN102320659B (zh) | 一种采用微波辐射法合成钒酸镧纳米材料的方法 | |
CN111088038A (zh) | 一种载磷酸锂纳米晶液体闪烁体及其制备方法 | |
CN104341152A (zh) | 一种石榴石相纳米粉体的制备方法 | |
CN101648726B (zh) | 一种LuO(OH)纳米棒和Lu2O3纳米棒发光粉体的水热合成方法 | |
CN100422111C (zh) | Gd2O2S:Pr,Ce,F陶瓷闪烁体制备方法 | |
CN101333441A (zh) | Ce3+掺杂的镥铝石榴石纳米陶瓷发光粉体的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110330 Termination date: 20190924 |