CN101743662A - 光电转换元件及其制造方法 - Google Patents
光电转换元件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101743662A CN101743662A CN200880024444A CN200880024444A CN101743662A CN 101743662 A CN101743662 A CN 101743662A CN 200880024444 A CN200880024444 A CN 200880024444A CN 200880024444 A CN200880024444 A CN 200880024444A CN 101743662 A CN101743662 A CN 101743662A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- nesa coating
- carbon nano
- conversion element
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 48
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 claims description 34
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 33
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 4
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 abstract 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 18
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 iron complex compound Chemical class 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2022—Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2068—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
- H01G9/2072—Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells comprising two or more photoelectrodes sensible to different parts of the solar spectrum, e.g. tandem cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/821—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种光电转换元件及其制造方法。该光电转换元件呈对置状配置有两片电极(10),该两片电极是通过隔着透明导电膜(2)将用光敏色素进行了染色的光催化膜(8)形成在透明基板的一面上而构成的;在这些电极之间配置有对电极(11),上述对电极是通过隔着覆盖对电极用基板(4)的两面的非开口部整体的导电性粘接剂层(7)来设置对该基板表面实质上垂直取向的刷状碳纳米管而构成的,上述对电极用基板具有多个开口部(9)。该光电发光元件发电效率高、无腐蚀问题、且可适用于耐热性低的基板。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池那样的光电转换元件,尤其涉及光电转换元件的制造方法。
背景技术
一般来说,色素敏感型太阳能电池等光电转换元件由电极、对电极、以及夹在两电极之间的电解质液而构成,其中,上述电极是在玻璃板等透明基板上形成透明导电膜并用光敏色素对其进行染色而成的,上述对电极是在对电极用基板上形成透明导电膜而成的。
色素敏感型太阳能电池利用阳光等光能从电极上的光敏色素激励电子,但并不是所有的光敏色素都接受光能,也存在原样透过电极的光能。
为此,提出有如下色素敏感型太阳能电池:通过夹着光透射性绝缘基板而层叠至少两层的光电转换层,透射过电极的光能也有助于发电,从而使每单位面积的发电量增大,其中,该至少两层的光电转换层是由电极层、由吸收了光敏色素的金属氧化物构成的半导体层、电解质层、以及电极层依次层叠而成(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平11-273753号公报
发明内容
但是,在上述的色素敏感型太阳能电池中,由于光电转换层间的绝缘部件一侧的电极(正极)向后级的光电转换层传送光能,因此由具有透射性的导电层构成是不可缺少的。这些导电层是在透明玻璃基板的一面上形成掺杂了氟的氧化锡层而构成的,但是由于这些导电层被包含碘等腐蚀性物质的电解质液所漂白,因此有腐蚀这样的问题。
为此,本发明提供一种没有上述那样的腐蚀问题并能增大每单位面积的发电量的色素敏感型太阳能电池及其制造方法。
本发明的光电转换元件其特征在于:呈对置状配置有两片电极,该两片电极是通过隔着透明导电膜将用光敏色素进行了染色的光催化膜形成在透明基板的一面上而构成的;在上述两片电极之间配置有对电极,上述对电极是通过隔着覆盖对电极用基板的两面的非开口部整体的导电性粘接剂层来设置对该基板表面实质上垂直取向的刷状碳纳米管而构成的,上述对电极用基板具有多个开口部。
在基于本发明的光电转换元件中,优选为上述电极是通过在透明基板上的透明导电膜上使相对于基板面实质上垂直设置的刷状碳纳米管担持光催化粒子并用光敏色素对该光催化粒子进行染色而构成的。
优选为上述电极是通过在透明基板上的透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜并用光敏色素对该光催化膜进行染色而构成的。
优选为上述电极与上述对电极的刷状碳纳米管相接触。
本发明的光电转换元件的制造方法,其特征在于:通过隔着透明导电膜将用光敏色素进行了染色的光催化膜形成在透明基板的一面上来构成电极,将所得到的两片电极呈对置状配置,在上述两片电极之间配置对电极,该对电极通过隔着覆盖具有多个开口部的对电极用基板的两面的非开口部整体的导电性粘接剂层来设置对该基板表面实质上垂直取向的刷状碳纳米管而构成。
在本发明的光电转换元件的制造方法中,优选为在透明基板的一面上形成透明导电膜,将另外形成的刷状碳纳米管转印到该透明导电膜上以使其对基板面实质上垂直取向,使该碳纳米管担持光催化粒子,并用光敏色素对该光催化粒子进行染色,从而构成上述电极。
另外,优选为在透明基板上形成透明导电膜,在该透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜,并用光敏色素对该光催化膜进行染色,从而构成上述电极。
优选为,当在上述透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜时,将包含上述混合物的糊剂涂敷在透明导电膜上并使其干燥。此时,优选为在将上述糊剂涂敷在透明导电膜上时,在透明导电膜和与其相对的电极之间形成了静电场的状态下进行涂敷。
在本发明中,上述电极的透明基板可以是玻璃板、塑料板等。上述电极的透明导电膜例如可以为包含添加了锡的氧化铟锡(Indium Tin Oxid:ITO)、添加了氟的氧化锡(Fluorine doped Oxide:FTO)、二氧化锡(SnO2)等导电性金属氧化物的薄膜。
光敏色素可以是例如具有含有联吡啶结构、三联吡啶结构等配位基的钌配位化合物或铁配位化合物、卟吩类或酞菁类的金属配位化合物、进而曙红、罗丹明、部花青素、香豆素等有机色素。
光催化剂可以是二氧化钛(TiO2)、二氧化锡(SnO2)、三氧化钨(WO3)、氧化锌(ZnO)、五氧化二铌(Nb2O5)等的金属金属氧化物。
对电极用基板有铝、铜、锡等的金属片构成。
对电极的导电性粘接剂层可以由碳类导电性粘接剂构成,但并不限定于此。
根据需要,还可以在成为负极的电极和成为正极的对电极之间存在电解质液。电解质液可以是碘、碘化物离子、叔丁基吡啶等的电解质成分溶解于碳酸乙烯酯或甲氧基乙腈等有机溶剂中的物质。
刷状碳纳米管的形成和转印按公知的方法进行。
采用本发明,由于在两片电极之间配置的对电极具有多个开口部,因此在前级的电极中对发电没有作用的光能经过多个开口部而传导到后级的电极,因此能用于发电。
另外,具有多个开口部的对电极用基板两面的非开口部整体被导电性粘接剂所覆盖,因此即使是在两电极之间存在含有腐蚀性物质的电解质液的情况下,该电解质液也不与上述基板接触,因此不存在该电解质液对对电极产生腐蚀。
进而,通过对电极的刷状碳纳米管、包含在光催化剂中的碳纳米管,电子的移动变好,与以往相比即使是少量的电解质液也能构成高效率的色素敏感型太阳能电池。
由此,能构成具有功率转换效率高且耐腐蚀性优异的对电极的太阳能电池单元。
附图说明
图1是表示实施例1的太阳能电池单元的剖视图。
图2是表示实施例2的太阳能电池单元的剖视图。
图3是表示实施例3的太阳能电池单元的剖视图。
图4是表示具有多个开口部的金属片的立体图。
图5是表示实施例2中的电泳法的剖视图。
图6是表示基于实施例3中的电泳法的光催化剂层的形成方法的剖视图。
图7是表示基于实施例4中的静电法的光催化剂层的形成方法的剖视图。
附图标记说明:
(1)透明基板
(2)(18)透明导电膜
(3)氧化钛粒子
(4)对电极用基板
(5)(15)碳纳米管膜
(6)密封片
(7)导电性粘接剂层
(8)光催化膜
(9)开口部
(10)光催化电极(负极)
(11)对电极(正极)
(12)(13)电极
(14)高电压电源
(15)碳纳米管膜
(16)刮板
(17)分散液
(25)碳纳米管粒子
具体实施方式
下面,为了具体地说明本发明而列举几个本发明的实施例。
实施例1
在图1中,在玻璃或者塑料制的电极用透明基板(1)的一面形成透明导电膜(2),在该导电膜(2)上形成厚度10~15μm的由氧化钛粒子(3)构成的光催化膜(8)。光催化膜(8)是在透明基板(1)上涂敷含有平均粒径20~30nm的氧化钛粒子的糊剂烧结而形成的。
在用被称为“N3”或“N719”的钌类色素将光催化膜(8)染色之后,在光催化膜(8)的表面涂敷碘类电解质液。这样一来,构成了光催化电极(负极)(10)。准备了两片该光催化电极(10)。
在图4中,通过蚀刻在厚度30~50μm的金属片(4)上(例如铝片)上设置多个开口部(9)。在该片的两面上涂敷碳类导电性粘接剂,形成覆盖了金属片两面的非开口部整体的导电性粘接剂层(7)。将另行用热化学蒸镀、等离子化学蒸镀等方法与基材实质上垂直形成的碳纳米管隔着导电性粘接剂层(7)以实质上垂直取向的方式从该基材转印到有孔金属片(4)两面的非开口部,形成对极(正极)(11),并在碳纳米管膜(5)的表面(对电极表面)涂敷碘类电解质液。
呈对置状配置两片光催化电极(负极)(10),在这些负极间配置具有多个开口部(9)的对电极(正极)(11),使前者的光催化膜(8)与后者的碳纳米管膜(5)对置。在三片电极的周边部间设置由热固化树脂或光固化树脂构成的密封片(6)。用密封片(6)对这些电极进行一体化而构成色素敏感型太阳能电池单元。
关于该单元结构,对通过AM1.5、100mW/cm2的标准光源照射后的功率转换效率进行测量的结果是,转换效率为7.0%(在以往的色素敏感型太阳能电池单元中,功率转换效率为4~5%左右)。
虽然发生电压为0.44V左右,但是能得到光电流密度为通常单元的约1.4倍的16mA/cm2,结果提高了功率转换效率。
另外,研究了在对电极的表面涂敷的基于碘类电解质液的腐蚀性。其结果是确认了对电极表面与初始状态相比并无变化,并且耐久性优异。
实施例2
在图2中,对于用ITO等透明导电膜(18)覆盖表面的玻璃或者塑料制的透明基板(1),在该透明导电膜上形成PEDOT或PEDOT/PSS等导电性高分子的透明导电膜(2)。将另行用热化学蒸镀、等离子化学蒸镀等方法与基材实质上垂直形成的碳纳米管以实质上垂直取向的方式从该基材转印到该透明导电膜(2)上。碳纳米管膜(15)大约8μm厚。
接着,如图5所示,将该带碳纳米管膜(15)的基板(1)浸润在分散有氧化钛粒子(平均粒径20nm)的分散液(优选为乙醇分散液)(17)中,在与基板对置而设置在该分散液(17)中的电极(13)和上述基板(1)的导电膜(2)之间,由高电压电源(14)形成约-1kV/cm的电场,利用电泳法将氧化钛粒子(3)移动并承载到碳纳米管膜(15)上。另外,基板(1)的导电膜(2)一侧为负高压,电极(13)一侧接地而两者相接触。
用被称为“N3”或“N719”的钌类色素将由碳纳米管膜(15)和被其承载的氧化钛粒子(3)构成的光催化膜(8)染色之后,在光催化膜(8)的表面涂敷碘类电解质液。这样一来,就构成了光催化电极(10)。
也可以取代电泳法而在将成为光催化剂的前体的氯化物或氢氧化物的溶液涂敷在带碳纳米管膜的基板(1)上之后,使用水蒸汽等对前体进行氧化,由此使预定的光催化剂微粉体承载到碳纳米管膜的表面。另外,还可以滴下将含有平均粒径20~30nm的氧化钛粒子等的光催化剂的糊剂用乙醇等稀释后的稀释液,并对其进行干燥、烧成,由此使光催化剂粒子承载到碳纳米管膜的表面。
与实施例1同样地形成了对电极(正极)(11)。
呈对置状配置两片光催化电极(负极)(10),在这些负极间配置具有多个开口部(9)的对电极(正极)(11),使前者的光催化膜(8)与后者的碳纳米管膜(5)对置。在三片电极的周边部间设置由热固化树脂或光固化树脂构成的密封片(6)。用密封片(6)对这些电极进行一体化而构成色素敏感型太阳能电池单元。在该太阳能电池单元内部浸渍碘类电解质液。
关于该单元结构,对通过AM1.5、100mW/cm2的标准光源照射后的功率转换效率进行测量的结果是,转换效率为7.8%。
实施例3
在图3中,在玻璃或者塑料制的电极用的透明基板(1)的一面上形成透明导电膜(2)。
另行将氧化钛光催化粒子(平均粒径20nm)和碳纳米管(多壁碳纳米管:MWNT)的长度为1μm的粒子(是将MWNT分散到乙醇中,用超声波洗净器进行微粉化,并用过滤器取出的1μm以下的MWNT)混合,将乙醇和水加入该混合物中,制成糊剂。在该实施例中碳纳米管使用了MWNT,但是也可以使用单壁碳纳米管(SWNT)或双壁碳纳米管(DWNT)。
用刮板将该糊剂涂敷在透明基板(1)的透明导电膜(2)上进行制膜,在温度150℃下干燥,当形成了含有氧化钛粒子(3)和碳纳米管粒子(25)的光催化膜(8)之后,在光催化膜(8)的表面涂敷碘类电解质液。这样一来,就构成了光催化电极。
在该实施例中,使用含有氧化钛粒子(3)和碳纳米管粒子(25)的糊剂而形成了膜,但是也可以稀释上述糊剂液,将带透明导电膜(2)的基板(1)浸入该稀释液内,在基板一侧形成约-1kV/cm的电场,并利用电泳法进行膜生成。即,在图6中,对于用ITO等透明导电膜(18)覆盖表面的玻璃或者塑料制的透明基板(1),在该透明导电膜上形成PEDOT或PEDOT/PSS等导电性高分子的透明导电膜(2)。将该透明基板(1)浸入分散有氧化钛粒子(3)和碳纳米管(25)的分散液(优选为乙醇分散液)(17)中,在以与基板(1)对置的方式而设置在该液(17)中的电极(13)和上述基板(1)的导电膜(2)之间,由高电压电源(14)形成约-1kV/cm的电场,利用电泳法形成含有氧化钛粒子(3)和碳纳米管(25)的光催化膜(8)。另外,基板(1)的导电膜(2)一侧为负高压,电极(13)一侧接地而两者接触。
用被称为“N3”或“N719”的钌类色素将光催化膜(8)染色之后,在光催化膜(8)的表面涂敷碘类电解质液。这样一来,就构成了光催化电极(10)。
与实施例1同样地形成了对电极(正极)(11)。
呈对置状配置两片光催化电极(负极)(10),在这些负极间配置具有多个开口部(9)的对电极(正极)(11),使前者的光催化膜(8)与后者的碳纳米管膜(5)对置。在三片电极的周边部间设置由热固化树脂或光固化树脂构成的密封片(6)。用密封片(6)对这些电极进行一体化而构成色素敏感型太阳能电池单元。在该太阳能电池单元内部浸渍碘类电解质液。
关于该单元结构,对通过AM1.5、100mW/cm2的标准光源照射后的功率转换效率进行测量的结果是,转换效率为7.2~7.4%。
实施例4
在图7中,将用ITO等透明导电膜(2)覆盖表面的玻璃基板或者塑料制的电极用的透明基板(1)配置在连接有高电压电源(14)的金属板制的电极(12)上,与该基板(1)对置而配置金属板制的对置电极(13)。在这些电极(12)(13)之间施加负高电压,形成静电场。另外,电极(12)一侧为负高压,对置电极(13)一侧接地而两者接触。
在该实施例中,在电极间形成-1.5~-2kv/cm的电场。
在该状态下,在透明电极膜上涂敷含有氧化钛粒子(3)等的光催化剂和用超声波洗净器进行了微粉化的碳纳米管粒子(25)的混合物的糊剂,并且用由树脂制压勺形成的刮板(16),以糊剂表面均匀的方式延展糊剂而形成涂膜。
呈分散状地包含在该涂膜中的碳纳米管粒子通过在电极间形成的静电场,移动到基板(1)一侧,或者在光催化层中向垂直于基板(1)的表面聚集。在这里,分散碳纳米管粒子相对于基板(1)的表面没有完全垂直而是稍微倾斜着也没有问题。
在该状态下,通过来自外部的暖风或者热风来干燥湿润涂膜,进行烧成而在基板(1)上的透明导电膜(2)上形成包含氧化钛粒子(3)和碳纳米管粒子(25)的光催化膜(8)。
用被称为“N3”或“N719”的钌类色素将光催化膜(8)染色之后,在光催化膜(8)的表面涂敷碘类电解质液。这样一来,就构成了光催化电极。
在该实施例中,糊剂涂敷时的膜厚为大约100μm左右,在干燥、烧结后的光催化层(8)的膜厚为10μm左右。
与实施例1同样地形成了对电极(正极)(11)。
由上述光催化电极(负极)和上述对电极(正极)与实施例1同样地形成了色素敏感型太阳能电池单元。
关于该单元结构,通过AM1.5、100mW/cm2的标准光源照射来测量功率转换效率,其结果是转换效率为6.5~6.8%。
Claims (9)
1.一种光电转换元件,其特征在于:
呈对置状配置有两片电极,该两片电极是通过隔着透明导电膜将用光敏色素进行了染色的光催化膜形成在透明基板的一面上而构成的;在上述两片电极之间配置有对电极,上述对电极是通过隔着覆盖对电极用基板的两面的非开口部整体的导电性粘接剂层来设置对该基板表面实质上垂直取向的刷状碳纳米管而构成的,上述对电极用基板具有多个开口部。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于:
上述电极是通过在透明基板上的透明导电膜上使相对于基板面实质上垂直设置的刷状碳纳米管担持光催化粒子并用光敏色素对该光催化粒子进行染色而构成的。
3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于:
上述电极是通过在透明基板上的透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜并用光敏色素对该光催化膜进行染色而构成的。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件,其特征在于:
上述电极与上述对电极的刷状碳纳米管相接触。
5.一种光电转换元件的制造方法,其特征在于:
通过隔着透明导电膜将用光敏色素进行了染色的光催化膜形成在透明基板的一面上来构成电极,
将所得到的两片电极呈对置状配置,
在上述两片电极之间配置对电极,该对电极通过隔着覆盖具有多个开口部的对电极用基板的两面的非开口部整体的导电性粘接剂层来设置对该基板表面实质上垂直取向的刷状碳纳米管而构成。
6.根据权利要求5所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于:
在透明基板的一面上形成透明导电膜,将另外形成的刷状碳纳米管转印到该透明导电膜上以使其对基板面实质上垂直取向,使该碳纳米管担持光催化粒子,并用光敏色素对该光催化粒子进行染色,从而构成上述电极。
7.根据权利要求5所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于:
在透明基板上形成透明导电膜,在该透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜,并用光敏色素对该光催化膜进行染色,从而构成上述电极。
8.根据权利要求7所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于:
当在上述透明导电膜上形成由碳纳米管粒子和光催化粒子的混合物构成的光催化膜时,将包含上述混合物的糊剂涂敷在透明导电膜上并使其干燥。
9.根据权利要求8所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于:
在将上述糊剂涂敷在透明导电膜上时,在透明导电膜和与其相对的电极之间形成了静电场的状态下进行涂敷。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007183327A JP5127329B2 (ja) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP183327/2007 | 2007-07-12 | ||
PCT/JP2008/062546 WO2009008495A1 (ja) | 2007-07-12 | 2008-07-11 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101743662A true CN101743662A (zh) | 2010-06-16 |
Family
ID=40228665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200880024444A Pending CN101743662A (zh) | 2007-07-12 | 2008-07-11 | 光电转换元件及其制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100132777A1 (zh) |
EP (1) | EP2173004A4 (zh) |
JP (1) | JP5127329B2 (zh) |
KR (1) | KR20100036314A (zh) |
CN (1) | CN101743662A (zh) |
TW (1) | TW200910611A (zh) |
WO (1) | WO2009008495A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104428915B (zh) * | 2012-08-30 | 2017-03-29 | 日立造船株式会社 | 太阳能电池的发电层及其制造方法以及太阳能电池 |
CN114956265A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-08-30 | 昆明理工大学 | 一种自发光的光电协同催化电极及其应用 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010277999A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Korea Electronics Telecommun | 染料感応太陽電池及びその製造方法 |
JP2011142027A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Hitachi Zosen Corp | 色素増感太陽電池の製造方法 |
US10128393B2 (en) | 2010-07-21 | 2018-11-13 | First Solar, Inc. | Connection assembly protection |
JP6283219B2 (ja) | 2013-12-05 | 2018-02-21 | 株式会社コスメック | クランプ装置 |
JP6402013B2 (ja) | 2014-12-05 | 2018-10-10 | 株式会社コスメック | クランプ装置 |
TWI688148B (zh) * | 2018-04-16 | 2020-03-11 | 大華學校財團法人大華科技大學 | 高分子導電膜電極 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11273753A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 色素増感型光電池 |
JP2004319661A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Fujikura Ltd | 光電変換素子用基材およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法 |
WO2006067969A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Fujikura Ltd. | 光電変換素子用の対極及び光電変換素子 |
US20070151601A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Won Cheol Jung | Semiconductor electrode using carbon nanotube, preparation method thereof, and solar cell comprising the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4291973B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2009-07-08 | 大阪瓦斯株式会社 | 光電変換材料および光電池 |
JP2004111216A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Inst Of Research & Innovation | 色素増感型太陽電池およびナノカーボン電極 |
JP2004165474A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2004241228A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Toin Gakuen | プラスチックフィルム電極及びそれを用いた光電池 |
AU2003902117A0 (en) * | 2003-05-05 | 2003-05-22 | Sustainable Technologies International Pty Ltd | Photovoltaic device |
EP1691442A1 (en) * | 2003-10-06 | 2006-08-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dye-sensitized solar cell |
US20080072961A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-03-27 | Yong Liang | Nanosized,dye-sensitized photovoltaic cell |
KR100854712B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2008-08-27 | 한국과학기술연구원 | 탄소소재층을 포함하는 염료감응 태양전지용 상대전극 및이의 제조방법 |
-
2007
- 2007-07-12 JP JP2007183327A patent/JP5127329B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-10 TW TW097126061A patent/TW200910611A/zh unknown
- 2008-07-11 WO PCT/JP2008/062546 patent/WO2009008495A1/ja active Application Filing
- 2008-07-11 KR KR1020107000665A patent/KR20100036314A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-07-11 EP EP08791076A patent/EP2173004A4/en not_active Withdrawn
- 2008-07-11 CN CN200880024444A patent/CN101743662A/zh active Pending
- 2008-07-11 US US12/452,568 patent/US20100132777A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11273753A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 色素増感型光電池 |
JP2004319661A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Fujikura Ltd | 光電変換素子用基材およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法 |
WO2006067969A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Fujikura Ltd. | 光電変換素子用の対極及び光電変換素子 |
US20070151601A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Won Cheol Jung | Semiconductor electrode using carbon nanotube, preparation method thereof, and solar cell comprising the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104428915B (zh) * | 2012-08-30 | 2017-03-29 | 日立造船株式会社 | 太阳能电池的发电层及其制造方法以及太阳能电池 |
US10283726B2 (en) | 2012-08-30 | 2019-05-07 | Kyoto University | Electricity-generating layer of solar cell, method for producing same, and solar cell |
CN114956265A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-08-30 | 昆明理工大学 | 一种自发光的光电协同催化电极及其应用 |
CN114956265B (zh) * | 2021-12-06 | 2024-01-05 | 昆明理工大学 | 一种自发光的光电协同催化电极及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200910611A (en) | 2009-03-01 |
WO2009008495A1 (ja) | 2009-01-15 |
JP5127329B2 (ja) | 2013-01-23 |
EP2173004A1 (en) | 2010-04-07 |
US20100132777A1 (en) | 2010-06-03 |
EP2173004A4 (en) | 2010-09-22 |
JP2009021122A (ja) | 2009-01-29 |
KR20100036314A (ko) | 2010-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101689689B (zh) | 光电转换元件及其制造方法 | |
JP5023866B2 (ja) | 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器 | |
Li et al. | Low temperature fabrication of efficient porous carbon counter electrode for dye-sensitized solar cells | |
JP5300735B2 (ja) | 色素増感太陽電池モジュール | |
US20160343517A1 (en) | Dye-sensitized solar cell and method for manufacturing thereof | |
JP5428555B2 (ja) | 色素増感光電変換素子の製造方法 | |
JP5422645B2 (ja) | 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール | |
JP3717506B2 (ja) | 色素増感型太陽電池モジュール | |
US20110056563A1 (en) | Electrolyte composition | |
CN101743662A (zh) | 光电转换元件及其制造方法 | |
JP4448478B2 (ja) | 色素増感型太陽電池モジュール | |
JP2012059599A (ja) | カーボン系電極及び電気化学装置 | |
JP2013114778A (ja) | 光電変換素子、光電変換素子モジュール、光電変換素子モジュールの製造方法、電子機器および建築物 | |
JP4883559B2 (ja) | 光電変換電極 | |
Jon et al. | TCO-free dye solar cells based on Ti back contact electrode by facile printing method | |
JP5651887B2 (ja) | 色素増感型光電変換素子および色素増感型太陽電池 | |
WO2008032016A2 (en) | Dye sensitized solar cell | |
JP2004303463A (ja) | 色素増感型太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
KR101212101B1 (ko) | 염료 감응 태양전지 및 그의 제조 방법 | |
JP2006318765A (ja) | 光電変換素子、光電変換素子モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20100616 |