CN101734646A - 碳纳米管膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种碳纳米管膜，其包括：多个第一碳纳米管；以及多个第二碳纳米管，其中，所述多个第一碳纳米管沿同一方向定向排列，至少部分第二碳纳米管与至少两个第一碳纳米管接触。

Description

碳纳米管膜
技术领域
本发明涉及一种纳米材料膜，尤其涉及一种碳纳米管膜。
背景技术
碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种新型碳材料，1991年由日本研究人员Iijima在实验室制备获得(请参见，Helical Microtubules of GraphiticCarbon，Nature，V354，P56～58(1991))。碳纳米管的特殊结构决定了其具有特殊的性质，如高抗张强度和高热稳定性；随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性等。由于碳纳米管具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其在材料科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，包括场发射平板显示，电子器件，原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)针尖，热传感器，光学传感器，过滤器等。
虽然碳纳米管性能优异，具有广泛的应用前景，但是，由于碳纳米管为纳米级，大量碳纳米管易团聚，不易分散形成均匀的宏观的碳纳米管结构，从而限制了碳纳米管在宏观领域的应用。因此，如何获得宏观的碳纳米管结构是纳米领域研究的关键问题。
为了制成宏观的碳纳米管结构，先前的方法主要包括：直接生长法、喷涂法或朗缪尔·布洛节塔(Langmuir Blodgett，LB)法。其中，直接生长法一般通过控制反应条件，如以硫磺作为添加剂或设置多层催化剂等，通过化学气相沉积法直接生长得到碳纳米管薄膜结构。喷涂法一般通过将碳纳米管粉末形成水性溶液并涂覆于一基材表面，经干燥后形成碳纳米管薄膜结构。LB法一般通过将一碳纳米管溶液混入另一具有不同密度之溶液(如有机溶剂)中，利用分子自组装运动，碳纳米管浮出溶液表面形成碳纳米管薄膜结构。
然而，上述制备碳纳米管结构的方法通常步骤较为繁杂，且通过直接生长法或喷涂法获得的碳纳米管薄膜结构中，碳纳米管往往容易聚集成团，导致薄膜厚度不均。碳纳米管在碳纳米管结构中为无序排列，不利于充分发挥碳纳米管的性能。
为克服上述问题，申请人于2002年9月申请的ZL02134760.3号专利中揭示了一种简单的获得有序的碳纳米管结构的方法。该碳纳米管结构为一连续的碳纳米管绳，其为直接从一超顺排碳纳米管阵列中拉取获得。所制备的碳纳米管绳中的碳纳米管首尾相连且通过范德华力紧密结合。该碳纳米管绳的长度不限。其宽度与碳纳米管阵列所生长的基底尺寸有关。进一步地，所述碳纳米管绳包括多个首尾相连的碳纳米管片段，每个碳纳米管片段具有大致相等的长度且每个碳纳米管片段由多个相互平行的碳纳米管构成，碳纳米管片段两端通过范德华力相互连接。
Baughma，Ray，H.等人2005于文献“Strong，Transparent，Multifunctional，Carbon Nanotube Sheets”Mei Zhang，Shaoli Fang，Anvar A.Zakhidov，Ray H.Baughman，etc..Science，Vol.309，P1215-1219(2005)中揭示了一种碳纳米管膜的制备方法。所述碳纳米管膜同样可从一碳纳米管阵列中拉取制备。该碳纳米管阵列为一生长在一基底上的碳纳米管阵列。所述碳纳米管膜的长度不限。然而，上述两种方式制备的碳纳米管膜或绳的宽度均受所述碳纳米管阵列生长基底的尺寸的限制(现有的用于生长碳纳米管阵列的基底一般为4英寸)，无法制备大面积碳纳米管膜。另外，所制备的碳纳米管膜的透光度不够好。
因此，确有必要提供一种碳纳米管膜，该碳纳米管膜的尺寸不受制备基底的限制。
发明内容
一种碳纳米管膜，其包括：多个第一碳纳米管；以及多个第二碳纳米管，其中，所述多个第一碳纳米管沿同一方向定向排列，至少部分第二碳纳米管与至少两个第一碳纳米管接触。
本技术方案提供的碳纳米管膜具有以下优点：其一，本技术方案提供的碳纳米管膜可通过对碳纳米管膜进行拉伸来提高其透光度，无需采用繁杂的工序或昂贵的设备对碳纳米管膜进行后续处理来提高碳纳米管膜透光度，方法简单易控，且不会破坏碳纳米管膜的结构，其可广泛应用于对透光度具有较高要求的装置中，如触摸屏等。其二，所述碳纳米管膜具有较好的拉伸性能，故所述碳纳米管膜可用于弹性可拉伸元件及设备中。其三，本技术方案碳纳米管膜具有较大尺寸，不受制备基底的限制，进而有利于扩大碳纳米管膜在大尺寸装置中的应用。
附图说明
图1是本技术方案实施例碳纳米管膜的结构示意图。
图2是图1中的局部放大结构示意图。
图3是本技术方案实施例拉伸前碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图4是本技术方案实施例拉伸后碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图5是本技术方案实施例碳纳米管膜的拉伸方法流程图。
图6是本技术方案实施例碳纳米管膜的拉伸示意图。
图7是本技术方案实施例碳纳米管膜拉伸前后透光度对比示意图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案实施例碳纳米管膜及其拉伸方法。
请参阅图1至图4，本技术方案实施例提供一种碳纳米管膜10。该碳纳米管膜10包括多个碳纳米管100。该碳纳米管100包括多个第一碳纳米管102以及多个第二碳纳米管104。其中，所述多个第一碳纳米管102均匀分布在所述碳纳米管膜10中且沿第一方向定向排列。所述第一方向为D1方向。具体地，在第一方向上第一碳纳米管102首尾相连。所述多个首尾相连的第一碳纳米管102之间通过范德华力紧密连接。在第二方向上，所述第一碳纳米管102相互平行。该第二方向为D2方向，所述D2方向垂直于所述D1方向。所述第二碳纳米管104均匀分布在所述碳纳米管膜10中且与所述第一碳纳米管102形成网络结构。至少部分第二碳纳米管104与至少两个第一碳纳米管102通过范德华力接触。优选地，至少部分第二碳纳米管104与至少两个并排设置的第一碳纳米管102接触。所述第二碳纳米管104的排列方向不限，所述第二碳纳米管104的排列方向可不同。所述多个第一碳纳米管102和多个第二碳纳米管104形成一具有自支撑结构的碳纳米管膜10。所谓自支撑结构的碳纳米管膜10即所述碳纳米管膜10只需部分设置在一支撑体上即可维持其膜状结构，且碳纳米管膜10本身的结构不会发生变化。如将所述碳纳米管膜10设置在一框架或两个间隔设置的支撑结构上，位于中间未与框架或支撑结构接触的碳纳米管膜10可悬空设置。所述碳纳米管膜10中，多个第一碳纳米管102和多个第二碳纳米管104形成多个间隙106。所述碳纳管膜10可沿第二方向，即D2方向拉伸。由于多个第二碳纳米管104的存在，所述碳纳米管膜10在维持膜的结构的前提下可在D2方向上拉伸。在拉伸过程中，平行的第一碳纳米管102之间的距离可变化，所述间隙106也可变化，即其随着碳纳米管膜10在D2方向上形变率的增加而变大。所述平行的第一碳纳米管102之间的距离(即沿D2方向的距离)大于0微米且小于等于50微米。所述第一碳纳米管102和第二碳纳米管104在碳纳米管膜10中的数量比大于等于2∶1且小于等于6∶1。本技术方案实施例中，所述第一碳纳米管102和第二碳纳米管104在碳纳米管膜10中的数量比为4∶1。
所述碳纳米管膜10的长度、宽度及厚度不限，可根据实际需求制备。所述碳纳米管膜10的厚度优选为大于等于0.5纳米且小于等于1毫米。所述碳纳米管膜10中的碳纳米管100的直径大于等于0.5纳米且小于等于50纳米。所述碳纳米管100的长度为大于等于50微米且小于等于5毫米。
所述碳纳米管膜10在D2方向上的形变率与碳纳米管膜10的厚度及密度有关。所述碳纳米管膜10的厚度及密度愈大，其在D2方向上的形变率愈大。进一步地，所述碳纳米管膜10的透光度与第二碳纳米管104的含量有关。在一定含量范围内，所述第二碳纳米管104的含量越多，所述碳纳米管膜10在D2方向上的形变率越大。所述碳纳米管膜10在D2方向上的形变率可达300％。拉伸前后的碳纳米管膜10的电阻不发生变化。本技术方案实施例中，所述碳纳米管膜10的厚度为50纳米，其在D2方向上的形变率可达到150％。
所述碳纳米管膜10的透光度(光透过比率)与碳纳米管膜10的厚度及密度有关。所述碳纳米管膜10的厚度及密度越大，所述碳纳米管膜10的透光度越小。进一步地，所述碳纳米管膜10的透光度与间隙106及第二碳纳米管104的含量有关。所述间隙106越大，第二碳纳米管104的含量越少，则所述碳纳米管膜10的透光度越大。所述碳纳米管膜10的透光度大于等于60％且小于等于95％。请参阅图7，本技术方案实施例中，当碳纳米管膜10的厚度为50纳米时，拉伸前该碳纳米管膜10的透光度为大于等于67％且小于等于82％。当其形变率为120％时，所述碳纳米管膜10的透光度为大于等于84％且小于等于92％。以波长为550纳米的绿光为例，拉伸前所述碳纳米管膜10的透光度为78％，当形变率为120％时，该碳纳米管膜10的透光度可达89％。
由于所述碳纳米管膜10可在D2方向上被拉伸，故所述碳纳米管膜10可广泛应用于弹性可拉伸元件和设备中。另外，本技术方案提供的碳纳米管膜10的拉伸方法避免了采用繁杂的设备对碳纳米管膜10进行后续处理来提高碳纳米管膜10透光度的步骤，其可广泛应用于对透光度具有较高要求的装置中，如触摸屏等。另外，所述碳纳米管膜10可用于发声装置中，且碳纳米膜10在拉伸过程中不影响发声效果。
请同时参阅图5及图6，本技术方案实施例进一步提供一种拉伸碳纳米管膜的方法，具体包括以下步骤：
步骤一：提供至少一碳纳米管膜10及至少一弹性支撑体20。
请参阅图3，该碳纳米管膜10包括多个第一碳纳米管102以及多个第二碳纳米管104。其中，所述多个第一碳纳米管102均匀分布在所述碳纳米管膜10中且沿第一方向定向排列。所述多个第一碳纳米管102在第二方向上相互平行。所述第一方向为D1方向，所述第二方向为D2方向，所述D2方向垂直于所述D1方向。具体地，在第一方向上第一碳纳米管102首尾相连。所述多个首尾相连的第一碳纳米管102之间通过范德华力紧密连接。所述第二碳纳米管104均匀分布在所述碳纳米管膜10中且与所述第一碳纳米管102形成网络结构。至少部分第二碳纳米管104与至少两个第一碳纳米管102通过范德华力接触。优选地，至少部分第二碳纳米管104与至少两个相互平行的第一碳纳米管102接触。所述第二碳纳米管104的排列方向不限，所述第二碳纳米管104的排列方向可不同。所述多个第一碳纳米管102和多个第二碳纳米管104形成一具有自支撑结构的碳纳米管膜10。所述碳纳米管膜10中，多个第一碳纳米管102和多个第二碳纳米管104形成多个间隙106。所述平行的第一碳纳米管102之间的距离(即沿D2方向的距离)大于0微米小于等于50微米。所述第一碳纳米管102和第二碳纳米管104在碳纳米管膜10中的数量比大于等于2∶1且小于等于6∶1。本技术方案实施例中，所述第一碳纳米管102和第二碳纳米管104在碳纳米管膜10中的数量比为4∶1。
所述碳纳米管膜10的透光度(光透过比率)与碳纳米管膜10的厚度及密度有关。所述碳纳米管膜10的厚度及密度越大，所述碳纳米管膜10的透光度越小。进一步地，所述碳纳米管膜10的透光度与间隙及第二碳纳米管的含量有关。所述间隙106越大，第二碳纳米管的含量越少，则所述碳纳米管膜10的透光度越大。请参阅图6，本技术方案实施例中，该直接制备的碳纳米管膜10的厚度为50纳米，其透光度大于等于67％且小于等于82％。
所述弹性支撑体20具有较好的弹性。所述弹性支撑体20的形状和结构不限，其可为一平面结构或一曲面结构。所述弹性支撑体20包括一弹性橡胶、弹簧及橡皮筋中的一种或几种。该弹性支撑体20可用于支撑并拉伸所述碳纳米管膜10。
步骤二：将所述至少一碳纳米管膜10至少部分固定设置在所述至少一弹性支撑体20。
该弹性支撑体20可用于支撑并拉伸所述碳纳米管膜10。所述碳纳米管膜10可直接设置并贴合在弹性支撑体20的表面，此时，所述弹性支撑体20为具有一表面的基体，如一弹性橡胶。另外，所述碳纳米管膜10也可部分设置在所述弹性支撑体20的表面。如铺设在两个弹性支撑体20如弹簧或橡皮筋之间。由于碳纳米管具有极大的比表面积，在范德华力的作用下，该碳纳米管膜10本身有很好的粘附性，可直接设置在弹性支撑体20上。可以理解，为提高碳纳米管膜10与弹性支撑体20之间的结合力，所述碳纳米管膜10也可通过粘结剂固定于所述弹性支撑体20上。另外，可将所述多个碳纳米管膜10沿同一方向重叠铺设，形成一多层碳纳米管膜。相邻两层碳纳米管膜10中的第一碳纳米管的排列方向相同。多个碳纳米管膜重叠设置可增加碳纳米管膜的厚度，提高碳纳米管膜的形变率。
本技术方案实施例中，将直接拉取的一层碳纳米管膜10设置于两个弹性支撑体20上。请参阅图6，所述两个弹性支撑体20平行且间隔设置。所述两个弹性支撑体20均沿D2方向设置。所述碳纳米管膜10通过粘结剂设置在所述弹性支撑体20表面。所述碳纳米管膜10沿D1方向的两端分别固定于该两个弹性支撑体20上。该粘结剂为一层银胶。所述碳纳米管膜10在设置时，碳纳米管膜10中的第一碳纳米管沿一个弹性支撑体20至另一个弹性支撑体20的方向延伸。
步骤三：拉伸该弹性支撑体20。
具体地，可通过将上述弹性支撑体20固定于一拉伸装置(图未示)中，通过该拉伸装置拉伸该弹性支撑体20。本技术方案实施例中，可分别将两个弹性支撑体20的两端分别固定于拉伸装置上。
所述拉伸速度不限，可根据所要拉伸的碳纳米管膜10具体进行选择。拉伸速度太大，则碳纳米管膜10容易发生破裂。优选地，所述弹性支撑体20的拉伸速度小于10厘米每秒。本技术方案实施例中，所述弹性支撑体20的拉伸速度为2厘米每秒。
所述拉伸方向与至少一层碳纳米管膜10中的第一碳纳米管102的排列方向有关。所述拉伸方向为沿垂直于第一碳纳米管的排列方向，即D2方向。
由于所述至少一碳纳米管膜10固定在所述弹性支撑体20上，故在拉力的作用下，随着所述弹性支撑体20被拉伸，该碳纳米管膜10也随之被拉伸。由于所述第一碳纳米管102为首尾相连，且至少部分第二碳纳米管104与至少两个第一碳纳米管102通过范德华力接触，所述多个第一碳纳米管102和多个第二碳纳米管104之间形成多个间隙，在碳纳米管膜10被拉伸过程中，所述第一碳纳米管102和第二碳纳米管104之间可维持范德华力连接，平行的第一碳纳米管102之间的距离增大。其中，拉伸前所述平行的第一碳纳米管102之间的距离大于0微米小于10微米，拉伸后平行的第一碳纳米管102之间的距离最大可达50微米。所述碳纳米管膜10仍维持膜状结构。当所述多个碳纳米管膜10重叠设置形成一多层碳纳米管膜时，由于该多层碳纳米管膜中的碳纳米管100分布更均匀、密度更大，故当对该多层碳纳米管膜进行拉伸时，可获得更高的形变率。所述碳纳米管膜10的形变率小于等于300％，且可基本维持碳纳米管膜10的形态。即所述碳纳米管膜10可在原有尺寸的基础上增加300％。本实施例中，所述碳纳米管膜为单层碳纳米管膜，拉伸方向为沿与第一碳纳米管102排列方向垂直的方向。所述碳纳米管膜10在垂直于所述第一碳纳米管102的排列方向上可拉伸25％至150％。图4为碳纳米管膜10拉伸120％时放大500倍的扫描电镜照片，从图中可以看出拉伸后的碳纳米管膜10相对拉伸前的碳纳米管膜10，平行的第一碳纳米管102之间的距离变大。从图7中可以看出，当形变率为120％时，所述碳纳米管膜10对波长大于190纳米小于900纳米的光的透光度可达84％至92％。在拉伸过程中，所述碳纳米管膜10在拉伸方向上的电阻不发生变化。
进一步地，当形变率小于60％时，所述平行的第一碳纳米管102之间的距离最大可达20微米。该拉伸后的碳纳米管膜10可在反向拉力的作用下逐渐回复为拉伸前的碳纳米管膜10。在回复的过程中，所述平行的第一碳纳米管102之间的距离逐渐减小。故所述碳纳米管膜10可在拉力的作用下实现伸缩。所述碳纳米管膜10可广泛应用于可伸缩的装置中。
本技术方案实施例提供的碳纳米管膜10及其拉伸方法具有以下优点：其一，所述拉伸碳纳米管膜10的方法为通过将所述碳纳米管膜10设置在一弹性支撑体20上，拉伸该弹性支撑体20，该拉伸方法简单、成本较低。其二，本技术方案提供的碳纳米管膜10的拉伸方法避免了采用繁杂的工序和昂贵的设备(如激光器)对碳纳米管膜10进行后续处理来提高碳纳米管膜10透光度的步骤，其可广泛应用于对透光度具有较高要求的装置中，如触摸屏等。其三，由于所述碳纳米管膜10具有较好的拉伸性能，其可在一定方向上被拉伸，故所述碳纳米管膜10可用于弹性可拉伸元件及设备中。其四，本技术方案拉伸碳纳米管膜10的方法有利于制备大尺寸碳纳米管膜，进而有利于扩大碳纳米管膜在大尺寸装置中的应用。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (14)

1.一种碳纳米管膜，其包括：
多个第一碳纳米管；以及
多个第二碳纳米管；
其特征在于，所述多个第一碳纳米管沿第一方向定向排列，至少部分第二碳纳米管与至少两个第一碳纳米管接触。
2.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述第一碳纳米管在第一方向上首尾相连排列，且通过范德华力紧密连接。
3.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述第一碳纳米管在第二方向上相互平行且间隔一定距离排列，该第二方向垂直于第一方向。
4.如权利要求3所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述至少部分第二碳纳米管与至少两个平行的第一碳纳米管通过范德华力接触。
5.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述第一碳纳米管与第二碳纳米管均匀分布在碳纳米管膜中。
6.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述碳纳米管膜中的多个第一碳纳米管和多个第二碳纳米管形成一网络结构。
7.如权利要求3所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述碳纳米管膜在第二方向上受力后发生形变，形变率小于等于300％。
8.如权利要求7所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述形变率小于等于150％。
9.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述碳纳米管膜的厚度大于等于0.5纳米小于等于1毫米。
10.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管的数量比大于等于2∶1且小于等于6∶1。
11.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述多个第一碳纳米管和多个第二碳纳米管形成多个间隙，该间隙受力后发生变化。
12.如权利要求3所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述相互平行的第一碳纳米管之间的距离受力后发生变化，且该距离大于0微米且小于等于50微米。
13.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述碳纳米管膜的透光度大于等于60％且小于等于95％。
14.如权利要求1所述的碳纳米管膜，其特征在于，所述碳纳米管膜为自支撑结构。
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JP2009260207A JP5059833B2 (ja) 2008-11-14 2009-11-13 カーボンナノチューブ構造体
US13/450,737 US8895147B2 (en) 2008-11-14 2012-04-19 Elastic device using carbon nanotube film

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102452646A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 清华大学 亲水性碳纳米管膜的制备方法
CN103854804A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 清华大学 透明导电元件的制备方法
CN103972322A (zh) * 2013-02-04 2014-08-06 清华大学 光敏电阻
CN103968949A (zh) * 2013-02-04 2014-08-06 清华大学 偏振光检测系统
CN107209605A (zh) * 2015-02-10 2017-09-26 东友精细化工有限公司 导电图案
CN107726971A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 清华大学 应变传感器
CN108538627A (zh) * 2013-11-13 2018-09-14 本田技研工业株式会社 碳纤维膜
CN110823084A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 重庆中科希腾科技有限公司 一种基于碳纳米复合材料的应变片和应变传感器

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101458846B1 (ko) 2004-11-09 2014-11-07 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 나노섬유 리본과 시트 및 트위스팅 및 논-트위스팅 나노섬유 방적사의 제조 및 애플리케이션
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN102911914B (zh) * 2011-08-01 2015-03-11 清华大学 培养基体的制备方法
CN103377749B (zh) 2012-04-25 2016-08-10 北京富纳特创新科技有限公司 电子元件
CN103377755B (zh) 2012-04-25 2015-12-09 北京富纳特创新科技有限公司 导电元件
CN103377774B (zh) 2012-04-25 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 导电元件的制备装置及制备方法
CN103373719B (zh) 2012-04-25 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管膜的制备方法
CN104769834B (zh) 2012-08-01 2020-02-07 德克萨斯州大学系统董事会 卷曲和非卷曲加捻纳米纤维纱线及聚合物纤维扭转和拉伸驱动器
CN103663406B (zh) * 2012-09-11 2015-09-02 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管复合膜的制备方法
CN103813554B (zh) * 2012-11-06 2016-01-13 北京富纳特创新科技有限公司 除霜玻璃及应用该除霜玻璃的汽车
CN104952989B (zh) * 2014-03-26 2018-02-27 清华大学 外延结构
US11434581B2 (en) * 2015-02-03 2022-09-06 Nanocomp Technologies, Inc. Carbon nanotube structures and methods for production thereof
JP6594031B2 (ja) * 2015-05-13 2019-10-23 昭和電工株式会社 カーボンシートの保管方法及び複合シートの保管方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3665969B2 (ja) * 2001-03-26 2005-06-29 エイコス・インコーポレーテッド カーボンナノチューブ含有フィルムの製造方法及びカーボンナノチューブ含有コーティング
JP4207398B2 (ja) * 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
CN100411979C (zh) 2002-09-16 2008-08-20 清华大学 一种碳纳米管绳及其制造方法
KR101458846B1 (ko) 2004-11-09 2014-11-07 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 나노섬유 리본과 시트 및 트위스팅 및 논-트위스팅 나노섬유 방적사의 제조 및 애플리케이션
JP4811712B2 (ja) * 2005-11-25 2011-11-09 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ・バルク構造体及びその製造方法
CN100500556C (zh) 2005-12-16 2009-06-17 清华大学 碳纳米管丝及其制作方法
TWI312337B (en) 2005-12-16 2009-07-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method for making the carbon nanotubes silk
JP4900619B2 (ja) 2006-04-13 2012-03-21 東洋紡績株式会社 微細炭素繊維撚糸を連続的に製造する方法、及び装置
US20090052029A1 (en) 2006-10-12 2009-02-26 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN100450922C (zh) * 2006-11-10 2009-01-14 清华大学 一种超长定向的碳纳米管丝/薄膜及其制备方法
CN101286383B (zh) 2007-04-11 2010-05-26 清华大学 电磁屏蔽线缆
CN101290857B (zh) * 2007-04-20 2011-06-22 清华大学 场发射阴极及其制备方法
CN101353164B (zh) 2007-07-25 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 一种高密度碳纳米管阵列的制备方法
TWI337172B (en) 2007-08-03 2011-02-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method of making high-density carbon nanotube array

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9073753B2 (en) 2010-10-26 2015-07-07 Tsinghua University Method for making hydrophilic carbon nanotube film
CN102452646A (zh) * 2010-10-26 2012-05-16 清华大学 亲水性碳纳米管膜的制备方法
CN103854804A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 清华大学 透明导电元件的制备方法
CN103854804B (zh) * 2012-11-28 2016-10-26 清华大学 透明导电元件的制备方法
CN103972322B (zh) * 2013-02-04 2016-09-07 清华大学 光敏电阻
CN103968949B (zh) * 2013-02-04 2016-04-27 清华大学 偏振光检测系统
CN103968949A (zh) * 2013-02-04 2014-08-06 清华大学 偏振光检测系统
CN103972322A (zh) * 2013-02-04 2014-08-06 清华大学 光敏电阻
CN108538627A (zh) * 2013-11-13 2018-09-14 本田技研工业株式会社 碳纤维膜
CN108538627B (zh) * 2013-11-13 2020-08-07 本田技研工业株式会社 碳纤维膜
CN107209605A (zh) * 2015-02-10 2017-09-26 东友精细化工有限公司 导电图案
US10884555B2 (en) 2015-02-10 2021-01-05 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Conductive pattern
US11360612B2 (en) 2015-02-10 2022-06-14 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Conductive pattern
CN107726971A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 清华大学 应变传感器
CN110823084A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 重庆中科希腾科技有限公司 一种基于碳纳米复合材料的应变片和应变传感器

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Publication number Publication date
CN101734646B (zh) 2012-03-28
US8895147B2 (en) 2014-11-25
JP5059833B2 (ja) 2012-10-31
US20100124646A1 (en) 2010-05-20
US20120202050A1 (en) 2012-08-09
US8815398B2 (en) 2014-08-26
JP2010116316A (ja) 2010-05-27

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