CN107209605A - 导电图案 - Google Patents

Abstract

根据本发明的一个方面，在包含形成一个触摸像素的至少一个单元导电图案的导电图案中，单元导电图案包括具有两个末端的多个纳米结构体，并且相比于所述单元导电图案中的所有纳米结构体，具有与所述单元导电图案的边缘接触的两个末端的纳米结构体的部分为70％以上。

Description

导电图案

技术领域

本发明涉及导电图案，更具体地涉及能够改善导电性并防止由于断裂而发生电断连错误的导电图案。

背景技术

最近，触摸面板已经应用于各种电子产品，通过所述触摸面板，用手指或如触笔的输入装置触摸显示装置上显示的图像来输入用户输入内容。

这样的触摸面板主要可以分为电阻膜式触摸面板和电容式触摸面板。由于输入装置施加的压力使玻璃和电极短路，检测到电阻膜式触摸面板上的触摸位置。通过感测触摸板被手指触摸时引起的电极之间的电容的变化，检测到电容式触摸面板上的触摸位置。

随着电阻膜式触摸面板被重复使用，触摸面板的性能可能降低，并且触摸面板可能被划伤。因此，具有高耐用性和长寿命的电容式触摸面板受到了大量关注。

电容式触摸面板被定义为具有可以输入触摸命令的有效区和该有效区之外的无效区。在有效区中，电极图案由透明导电材料形成以透过来自显示装置的光。

以往，电极图案由氧化铟锡(ITO)形成。ITO在薄层电阻高、制造成本高和原料市场中铟的供求不平衡方面受到限制。此外，ITO不能用于近期趋势中的柔性显示装置。

最近，已经对透明电极材料(如可以替代ITO的银纳米线)进行了研究。

图1是表示由以往的银纳米线形成的透明电极的图。

参见图1，以往的透明导电片A包括银纳米线NW。银纳米线NW在纵横比方面受限制，并且被制造为具有约100nm的小直径以获得高透射率。因此，将具有5μm至10μm的相对较短长度的银纳米线NW施加到透明导电片A上。

通过根据某个宽度使透明导电片A图案化而形成透明电极B。透明电极B包括多个银纳米线NW。透明电极B的银纳米线NW短，因此在银纳米线NW之间发生许多断连，由此降低导电性。

此外，透明电极B的缺点在于，由于外部冲击导致透明电极B发生断裂，所述透明电极B可能发生电开路。

发明内容

技术问题

本发明涉及能够改善导电性同时保持透光性的导电图案。

本发明还涉及能够减少制造成本的导电图案。

本发明还涉及能够防止发生断裂并且即使发生断裂也能够防止电断连的导电图案。

本发明的方面不限于此，并且对于本领域普通技术人员来说，由以下描述和附图，另外的方面将是显而易见的。

技术方案

本发明的一个方面提供了具有形成一个触摸像素的至少一个单元导电图案。至少一个单元导电图案包括各具有相对末端的多个纳米结构体。纳米结构体的两个相对末端与至少一个单元导电图案的边缘接触的纳米结构体与所述至少一个单元导电图案中包括的所有纳米结构体之比为70％以上。

有益效果

根据本发明，相对末端与导电图案的侧表面交叉的纳米结构体与所述导电图案的所有纳米结构体之比可以设置得高，以便提高纳米结构体之间的交叉区的数量，从而提高导电性。

根据本发明，在去除聚合物期间，导电图案的交叉的纳米结构体可以彼此电连接。因此，可以跳过另外的过程，因此可以降低制造成本。

根据本发明，相对末端与连接部分的侧表面交叉的纳米结构体与可能发生断裂的所述连接部分的纳米结构体之比可以设置得高。因此，可以减少断裂的发生，并且即使断裂发生也可以防止发生电断连错误。

然而，本发明的效果不限于此，并且对于本领域普通技术人员来说，由以下描述和附图，另外的效果将是显而易见的。

附图说明

图1是表示由以往的银纳米线形成的透明电极的图。

图2是根据一个实施方式的触摸面板的分解透视图。

图3是根据一个实施方式的触摸面板的顶视图。

图4是根据一个实施方式的第一电极图案的放大图。

图5是当在P点观察时，根据一个实施方式的电极图案的侧视图。

图6是表示根据一个实施方式的场发射装置的图。

图7是应用了根据一个实施方式的触摸面板的显示装置的立体图。

具体实施方式

为了清晰地向本发明所属的技术领域的普通技术人员清楚地解释本发明的主旨，提供了本文陈述的实施方式。因此，本发明不受这些实施方式的限制。本发明的范围应当理解为包括落入本发明主旨内的变更的实例或修改的实例。

在本公开内容中，如果可能的话，考虑到本发明的功能，选择当前已经广泛使用的一般术语，但根据本领域普通技术人员的意图、先例或新技术等，可以选择非一般术语。此外，本申请人可以任意选择一些术语。在这种情况下，会在本公开内容的相应部分中详细解释这些术语的含义。因此，本文使用的术语不应基于其名称而应基于其含义和本发明的整个上下文来定义。

提供附图以容易地解释本发明，其中为了清楚起见，每个元件的形状可能被夸大。因此，本发明不应当解释为受其限制。

在以下描述中，如果确定由于不必要的细节会使本发明变得难以理解，则对于熟知的功能或结构不作详细描述。

提供了根据本发明的一个方面的具有形成一个触摸像素的至少一个单元导电图案的导电图案。至少一个单元导电图案包括各具有相对末端的多个纳米结构体。两个相对末端与至少一个单元导电图案的边缘接触的纳米结构体与所述至少一个单元导电图案中包括的所有纳米结构体之比为70％以上。

导电图案可以包括将至少一个单元导电图案中的相邻单元导电图案连接的连接部分。两个相对末端与连接部分的边缘接触的纳米结构体与所述连接部分中包括的所有纳米结构体之比可以不同于两个相对末端与至少一个单元导电图案的边缘接触的纳米结构体与所述至少一个单元导电图案中包括的所有纳米结构体之比。

两个相对末端与连接部分的边缘接触的纳米结构体与所述连接部分中包括的所有纳米结构体之比可以是80％以上。

连接部分的宽度可以是至少一个单元导电图案的宽度的50％至60％。

纳米结构体可以包含银(Ag)材料。

纳米结构体可以通过电纺丝形成。

导电图案可以包含容纳多个纳米结构体的基底。

与至少一个单元导电图案的边缘接触的纳米结构体的末端可以暴露于基底的外部。

基底可以包含导电材料。

基底可以防止多个纳米结构体被氧化。

两个相对末端与至少一个单元导电图案的边缘接触的纳米结构体可以在至少一个点与连接相对末端的直线交叉。

以下将详细地描述根据本发明的实施方式的导电图案。

图2是根据一个实施方式的触摸面板的分解透视图。

参见图2，根据一个实施方式的触摸面板1可以包括盖基板10、第一基板20、第二基板30和印刷电路板40。

第二基板30位于盖基板10下方。第一基板20位于第二基板30下方。

盖基板10可以附接于第二基板30。盖基板10和第二基板30可以使用如光学透明粘接剂(OCA)的粘接物质彼此粘接。

第一基板20可以附接到第二基板30。第一基板20和第二基板30可以使用如OCA的粘接物质彼此粘接。

盖基板10可以包括玻璃或塑料。盖基板10可以包括钢化玻璃、半钢化玻璃、碱石灰玻璃、增强塑料或软塑料。

第一基板20和第二基板30可以包括如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的塑料。

电极图案和线图案可以在第一基板20和第二基板30上形成。

第一电极图案21和第一线图案25可以在第一基板20上形成。第二电极图案31和第二线图案35可以在第二基板30上形成。

第一电极图案21可以以第一方向形成。第一电极图案21可以与第一线图案25电连接。

第二电极图案31可以以第二方向形成。第二方向可以与第一方向相交。第二电极图案31可以以与第一电极图案21相交的方向形成。第二电极图案31可以与第二线图案35电连接。

印刷电路板40可以附接于第一基板20和第二基板30。印刷电路板40可以附接于第一基板20和第二基板30中每一个的一侧。印刷电路板40可以附接于第一基板20和第二基板30中每一个的一侧，以电连接于第一线图案25和第二线图案35。各向异性导电膜(ACF)可以施加在附接于印刷电路板40的第一基板20和第二基板30中每一个的一侧上。印刷电路板40可以通过ACF向第一线图案25和第二线图案35施加电压。

印刷电路板40可以是柔性印刷电路板(FPCB)。印刷电路板40可以包括控制器，其通过第一线图案25和第二线图案35从第一电极图案21和第二电极图案31接收感测信号并控制该感测信号。

图3是根据一个实施方式的触摸面板的顶视图。

参见图3，根据一个实施方式的触摸面板可以包括有效区AA和无效区UA。

有效区AA可以理解为用户可以输入触摸命令的区域。无效区UA可以被理解为位于有效区AA之外的区域，并且由于该区域即使被用户触摸也不被激活，因此该区域不被输入触摸命令。

当触摸面板在被附接于显示面板的同时被使用，触摸面板的有效区AA和无效区UA可以分别对应于显示装置的显示区和非显示区。在显示区中显示图像。在非显示区中不显示图像。因此，触摸面板的有效区AA可以包括透光的区域。触摸面板的无效区UA可以包括不透光的区域。

多个电极图案可以在有效区AA中形成。多个第一电极图案21可以在第一基板20的有效区AA中形成。多个第二电极图案31可以在第二基板30的有效区AA中形成。

第一电极图案21和第二电极图案31中的每一个可以包括多个主体区和多个连接部分。主体区可以沿一个方向排列。连接部分可以将相邻的主体区彼此连接。

第一电极图案21可以包括第一主体区22和第一连接部分23。第一主体区22可以沿第一方向排列。第一连接部分23可以将在第一方向上相邻的第一主体区22彼此连接。第一主体区22和第一连接部分23可以一体形成。

第二电极图案31可以包括第二主体区32和第二连接部分33。第二主体区32可以沿与第一方向相交的第二方向排列。第二连接部分33可以将在第二方向上相邻的第二主体区32彼此连接。第二主体区32和第二连接部分33可以一体形成。

第一主体区22和第二主体区32中的每一个可以被定义为单元导电图案。触摸像素可以包括单元导电图案中的至少一个。

第一连接部分23和第二连接部分33可以形成为相互交叉。第一连接部分23和第二连接部分33在不同的基底上形成，并且因此是电开路的。

多个线图案可以在无效区UA中形成。多个第一线图案25可以在第一基板20的无效区UA中形成。多个第二线图案35可以在第二基板30的无效区UA中形成。

第一电极图案21可以电连接于第一线图案25。第一电极图案21可以与第一线图案25一体形成。供选择地，第一电极图案21可以与第一线图案25分开地形成。

第二电极图案31可以电连接于第二线图案35。第二电极图案31可以与第二线图案35一体形成。供选择地，第二电极图案31可以与第二线图案35分开地形成。

第一电极图案21和第二电极图案31以及第一线图案25和第二线图案35可以包括导电材料。第一电极图案21和第二电极图案31可以由透明导电材料形成。

图4是根据一个实施方式的第一电极图案的放大图。图5是当在P点观察时，根据一个实施方式的电极图案的侧视图。

参见图4和图5，根据一个实施方式的第一电极图案21可以包括第一主体区22和第一连接部分23。

第一电极图案21可以包括多个纳米结构体50和基底55。

纳米结构体50可以是具有100,000以上的纵横比的纳米纤维。纳米结构体50可以具有1μm或更小的宽度。纳米结构体50可以以圆柱形形成。

纳米结构体50可以包含金属材料。金属材料的实例可以包括银、金、铜、镍、镀金的银、铂和钯。当纳米结构体50包含银时，纳米结构体50可以定义为银纳米结构体。供选择地，纳米结构体50可以仅由金属材料形成。

纳米结构体50形成为具有小的宽度，因此其无法用肉眼观察。包括纳米结构体50的第一电极图案21保证具有高透光率。

基底55被认为是形成第一电极图案21的主体的固体材料，纳米结构体50分散在或被包含在基底55中。

基底55可以从外部保护纳米结构体50。基底55可以防止纳米结构体50被氧化。基底55可以提供粘接强度以使得第一电极图案21附接于第一基板20上。

纳米结构体50可以与基底55直接接触。也就是说，纳米结构体50的外表面可以与基底55直接接触。

基底55可以包含导电聚合物。当基底55包含导电聚合物时，基底55可以提供电荷移动路径。由于基底55提供电荷移动路径，基底55可以被用作辅助电极。

导电聚合物可以包括但不限于聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯撑、聚对苯撑乙烯撑、PEDOT:PSS或碳纳米管等。

第一主体区22可以为四边形。第一主体区22可以具有第一侧表面22a、第二侧表面22b、第三侧表面22c和第四侧表面22d。第一侧表面22a被定义为朝向第三侧表面22c的表面。第二侧表面22b被定义为朝向第四侧表面22d的表面。第二侧表面22b是与第一侧表面22a和第三侧表面22c相邻的表面。第四侧表面22d是与第一侧表面22a和第三侧表面22c相邻的表面。

第一侧表面22a至第四侧表面22d可以是通过光刻工艺图案化的横截面。

相似地，纳米结构体50可以具有通过光刻工艺图案化的横截面。也就是说，穿过通过光刻工艺图案化的表面的纳米结构体50也可以被图案化，并且因此具有横截面。纳米结构体50的图案化的横截面可以暴露于基底55的外部。通过光刻工艺图案化的纳米结构体50和基底55的截面是相同的表面，每个纳米结构体50的一个末端通过图案化暴露于基底55的外部。

一些纳米结构体50的相对末端可以与第一电极图案21的侧表面交叉，一些纳米结构体50的相对末端之一可以与第一电极图案21的侧表面交叉，而其另一末端可以位于第一电极图案21之内。此外，其余的每个纳米结构体50的两个相对末端可以位于第一电极图案21之内。

在纳米结构体50中，相对末端与第一电极图案21的侧表面交叉的纳米结构体50可以称为第一纳米结构体51。除了第一纳米结构体51以外的其余的纳米结构体50被称为第二纳米结构体53。

也就是说，在纳米结构体50中，相对末端中的至少一个位于第一电极图案21之内的纳米结构体50可以定义为第二纳米结构体53。换言之，第二纳米结构体53可以包括多个纳米结构体50中相对末端之一与第一电极图案21的侧表面交叉并且另一末端位于第一电极图案21之内的纳米结构体，以及两个相对末端都位于第一电极图案21之内的纳米结构体。

首先，将作为实例描述第一主体区22。第一主体区22中包括的第一纳米结构体51可以定义为在多个纳米结构体50中两个相对末端与第一主体区22的边缘接触的纳米结构体。由于第一主体区22定义为单元导电图案，所以第一纳米结构体51可以是在多个纳米结构体50中两个相对末端与单元导电图案的边缘接触的纳米结构体。每个第一纳米结构体51可以包括第一末端51a和第二末端51b。第一纳米结构体51的第一末端51a可以与第一主体区22的第一侧表面22a交叉。第一纳米结构体51的第二末端51b可以与第一主体区22的第三侧表面22c交叉。虽然说明了第一纳米结构体51的相对末端与彼此相对的第一侧表面22a和第三侧表面22c交叉，但是第一纳米结构体51的相对末端也可以与第一主体区22的两个相邻侧表面交叉。

虽然未示出，连接第一末端51a和第二末端51b的直线可以与第一纳米结构体51交叉。也就是说，当绘出将第一末端51a和第二末端51b连接的直线时，第一纳米结构体51可以在至少一个点与直线交叉。所述至少一个点可以是除了第一末端51a和第二末端51b之外的点。

由于第一纳米结构体51可以具有任意的弯曲形状，所以第一纳米结构体51可以具有位于第一末端51a和第二末端51b之间并且与第一末端51a和第二末端51b之间的直线交叉的区域。第一末端51a和第二末端51b之间的直线可以是虚拟线。

第二纳米结构体53可以包括第一末端53a和第二末端53b。第二纳米结构体53的第一末端53a可以与第一主体区22的第一侧表面22a交叉。第二纳米结构体53的第二末端53b可以位于第一主体区22之内。

第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比可以为70％以上。第一主体区22中形成的第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比可以为70％以上。

第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比高，这可以理解为意味着纳米结构体50被形成得长。因此，每单位数量的纳米结构体50中交叉的纳米结构体50的数量可以通过将纳米结构体50形成得长而增加。随着每单位数量的纳米结构体50中交叉的纳米结构体50的数量增加，纳米结构体50之间的电荷移动路径的数量增加，因此可以改善第一电极图案21的导电性。

当第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比小于70％时，改善第一电极图案21的导电性的效果低。因此，可以通过设置第一主体区22中第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比为70％以上，来增加改善第一电极图案21的导电性的效果。

第一主体区22可以具有第一宽度d1，第一连接部分23可以具有第二宽度d2。第一宽度d1可以理解为第一主体区22的相对侧表面之间的距离。也就是说，第一宽度d1可以是第一主体区22的第一侧表面22a和第三侧表面22c之间的距离。

第一宽度d1可以不同于第二宽度d2。第二宽度d2与第一宽度d1之比可以为50％至60％。第一宽度d1可以为50μm至60μm，第二宽度d2可以为30μm。

第一连接部分23可以以四边形形成。由于第一连接部分23将两个相邻的第一主体区22连接，第一连接部分23可以具有两个侧表面。第一连接部分23可以具有不与第一主体区22接触的第一侧表面23a和第二侧表面23b。第二宽度d2可以定义为第一侧表面23a和第二侧表面23b之间的距离。

相似地，第一连接部分23的第一侧表面23a和第二侧表面23b可以是通过光刻工艺图案化的横截面。

第一连接部分23也可以包括第一纳米结构体51和第二纳米结构体53。在多个纳米结构体50中，相对末端与第一连接部分23的侧表面交叉的纳米结构体定义为第一连接部分23的第一纳米结构体51。也就是说，第一连接部分23的第一纳米结构体51可以定义为两个相对末端与第一连接部分23的边缘接触的纳米结构体。在多个纳米结构体50中，至少一个末端位于第一连接部分23之内的纳米结构体可以定义为第一连接部分23的第二纳米结构体53。

在附图中，第一连接部分23的第一纳米结构体51的第一末端51a可以与第一连接部分23的第一侧表面23a交叉，而第一连接部分23的第一纳米结构体51的第二末端51b可以与第一连接部分23的第二侧表面23b交叉。

第二纳米结构体53的第一末端53a可以位于第一连接部分23之内。第二纳米结构体53的第二末端53b可以与第一连接部分23的第二侧表面23b交叉。

第一连接部分23中形成的第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比可以不同于第一主体区22中形成的第一纳米结构体51与所有纳米结构体50之比。

第一连接部分23中第一纳米结构体51的比例可以大于第一主体区22中第一纳米结构体51的比例。第一连接部分23中第一纳米结构体51的比例可以为80％以上。

每单位数量的纳米结构体50中交叉的纳米结构体50的数量可以通过将第一连接部分23中的第一纳米结构体51的比例设置为80％以上来增加。因此，纳米结构体50之间的电荷移动路径的数量可以增加，结果，可以实现改善第一电极图案21的导电性的效果。

通过将具有相对较小宽度并且因此可能由外部冲击而发生断裂的第一连接部分23中第一纳米结构体51的比例设置为80％以上，纳米结构体50可以作为框架起作用，以减少断裂的发生。即使断裂发生，发生断裂的区域中形成的纳米结构体50可以提供电荷移动路径，因此可以防止发生电断连错误。

尽管以上已经关于第一电极图案21描述了图4和图5，第二电极图案31可以具有与第一电极图案21相同的技术特征。

尽管在以上实施方式中已经描述了第一主体区22和第二主体区32为四边形的情况，第一主体区22和第二主体区32也可以为多边形、圆形或椭圆形。也就是说，单元导电图案可以为多边形、圆形或椭圆形。当第一主体区22和第二主体区32为圆形或椭圆形时，第一纳米结构体51可以定义为两个相对末端与第一主体区22和第二主体区32的边缘接触的纳米结构体。

图6是表示根据一个实施方式的场发射装置的图。

参见图6，根据一个实施方式的场发射装置70包括喷嘴71、注射器72、注射器泵73、供电单元74和收集器75。

喷嘴71可以连接于注射器72。注射器72可以连接于注射器泵73。将纺丝溶液注射进注射器72。注射器泵73向注射器72施加压力。由于注射器泵73施加的压力，注射进注射器72的纺丝溶液可以转移至喷嘴71。

纺丝溶液可以包含金属材料和聚合物。

注射器泵73可以调节施加于注射器72的压力从而通过喷嘴71喷射恒定量的纺丝溶液。

供电单元74可以电连接于喷嘴71和收集器75，并且对喷嘴71和收集器75施加电压。

当供电单元74对喷嘴71和收集器75施加电压时，喷嘴71和收集器75之间形成电场。当电场的强度与纺丝溶液的表面张力相同时，喷嘴71的端部被具有电荷的纺丝溶液覆盖。

在这种情况下，当施加大于或等于纺丝溶液的表面张力的电压时，沿作为地电压方向的收集器75的方向喷射纳米纤维80。上述形成纳米纤维80的方法称为电纺丝。

虽然上文中描述了电纺丝作为一个实施方式中形成纳米纤维80的方法的实例，但是本发明不限于此。

可以通过控制由供电单元74施加的电压和由注射器泵73施加的压力，通过电纺丝来形成具有小宽度和高纵横比的纳米纤维80。

通过电纺丝形成的纳米纤维80可以包含金属材料和聚合物。

此后，可以通过从纳米纤维80去除聚合物来形成图4和图5的仅包含金属材料的纳米结构体50。

可以通过上述过程形成具有小宽度的纳米结构体50，从而改善电极图案的透光率。

此外，因为可以形成具有高纵横比的纳米结构体50(即长的纳米结构体50)，每单位数量的纳米结构体50中交叉的纳米结构体50的数量增加。随着每单位数量的纳米结构体50中交叉的纳米结构体50的数量增加，纳米结构体50之间的电荷移动路径的数量增加。因此，改善了整个导电图案的导电性。

可以通过热处理从纳米纤维80中去除聚合物。

在从纳米纤维80去除聚合物期间，交叉的纳米结构体可以彼此电连接。

在一个实施方式中，由于可以通过去除聚合物来实现提高导电图案的导电性的效果，可以比处理银纳米线的交叉区的过程更容易地改善导电性，所述银纳米线在其表面上具有有机膜。因此，减少了制造成本。此外，可以通过一个过程同时进行聚合物的去除和交叉区的处理，从而提高成品率。

图7是应用了根据一个实施方式的触摸面板的显示装置的立体图。

参见图7，显示装置100可以包括从外部对输入按钮110输入命令的输入按钮110，被配置为捕获静止图像和活动图像的照相机120以及输出声音的扬声器130。

显示装置100可以包括如上所述的触摸面板1和显示面板(未图示)。触摸面板1可以在显示面板的前表面上形成，因此盖玻璃70可以暴露于显示装置100的顶表面上。供选择地，显示面板可以附接于触摸面板1。

显示面板可以显示图像。显示面板可以是液晶显示面板或有机发光显示面板，并且可以应用于如移动电话、电视(TV)和导航装置的各种产品。

尽管上文已经描述了显示装置来作为可应用根据本发明的实施方式的触摸面板的装置的实例，但是该装置不限于显示装置，该装置可以用于如键盘、便携式电脑的触摸板和车辆的触摸输入设备的各种产品。

尽管上文已经关于本发明的实施方式描述了本发明的结构和特征，对于本领域普通技术人员显而易见的是，本发明不限于此，在不背离本发明的主旨和范围的情况下可以进行各种变更或修改。因此，应当理解，这样的变更或修改落在如所附权利要求所限定的本发明的范围内。

Claims (11)

1.一种导电图案，包含包括触摸像素的至少一个单元导电图案，所述单元导电图案包括：

具有两个末端的多个纳米结构体，

其中，两个末端与所述单元导电图案的侧表面接触的所述纳米结构体的比例为所有纳米结构体的70％以上。

2.根据权利要求1所述的导电图案，进一步包括：

连接相邻单元导电图案的连接部分，

其中，在所述连接部分的所有纳米结构体中，两个末端与所述连接部分的侧表面接触的所述纳米结构体的比例不同于两个末端与所述单元导电图案的侧表面接触的所述纳米结构体的比例。

3.根据权利要求2所述的导电图案，其中，在所述连接部分的所有纳米结构体中，两个末端与所述连接部分的侧表面接触的所述纳米结构体的比例为80％以上。

4.根据权利要求2所述的导电图案，其中，所述连接部分的宽度是所述单元导电图案的宽度的50％至60％。

5.根据权利要求1所述的导电图案，其中，所述纳米结构体包含银材料即Ag材料。

6.根据权利要求1所述的导电图案，其中，所述纳米结构体通过电纺丝形成。

7.根据权利要求1所述的导电图案，进一步包括容纳所述多个纳米结构体的基底。

8.根据权利要求7所述的导电图案，其中，所述纳米结构体的与所述单元导电图案的侧表面接触的末端暴露于所述基底的外部。

9.根据权利要求7所述的导电图案，其中，所述基底包括导电材料。

10.根据权利要求7所述的导电图案，其中，所述基底防止所述多个纳米结构体的氧化。

11.根据权利要求1所述的导电图案，其中，两个末端与所述单元导电图案的侧表面接触的所述纳米结构体在至少一个点与连接所述两个末端的直线交叉。