CN101728373A - 热电模块封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种适用于热电模块的封装结构，其中多个热电元件串联电连接并排列在上电极和下电极之间，该封装结构包括：金属框架和金属基部，该金属基部包括由铜、铝、银或合金构成的具有良好导热性的金属板。金属框架经由低熔点焊料连结到金属基部的周边，该低熔点焊料的熔点低于用于形成热电模块的焊料的熔点。热电模块被金属框架所围绕从而该热电模块的下电极经由绝缘树脂层附接到金属基部。

Description

热电模块封装结构及其制造方法
技术领域
本发明一般地涉及用于保持诸如半导体激光器这样的半导体装置的封装结构，尤其涉及一种热电封装模块封装结构，该热电封装模块封装结构包括金属基部和结合到金属基部周边的金属框架，其中绝缘树脂层将金属框架结合到热电模块，以用于加热或者冷却半导体装置。本发明还涉及热电模块封装结构的制造方法。
背景技术
在各种文献中已经开发和公开了各种类型的热电模块封装结构和光学模块封装结构，譬如专利文献1-3。
专利文献1：日本未审查专利申请公开号No.H07-128550
专利文献2：日本专利号No.3426717
专利文献3：日本专利号No.4101181
图8A和8B示出了包括热电模块封装结构20a和包括铜-钨(CuW)材料的金属基部21，该材料具有良好的导热性和接近铁-镍-钴合金(也就是，“Kovar”(科伐铁镍钴合金)，商标)热膨胀系数的高热膨胀系数。银钎焊合金29(熔点770℃)将金属基部21结合到包括铁-镍-钴合金(即Kovar)的金属框架22。该技术在专利文献1和2中公开。
专利文献1公开了热电模块20a通过焊料23a(熔点118-280℃)接合到封装结构20的金属基部21，该焊料包括铅(Pb)、锡(Sb)，铟(In)和铋(Bi)。专利文献3公开了诸如Sn-Ag焊料(熔点221℃)和Sn-Zn焊料(熔点199℃)这样的各种焊料。
由于大量的热电元件28如图8B所示在热电模块中线性地结合到一起，一对对的下电极24和上电极26结合到热电元件28的下端和上端。下电极24形成在陶瓷基板23上，而上电极26形成在陶瓷基板25上。保持热电模块20a的封装结构20经由陶瓷基板23和金属基部21将热量从热电元件28散发，该金属基部21包括具有160-200W/mK的导热性的铜-钨(CuW)材料；由此，该结构具有不充分的散热。
图9A和9B示出了保持热电模块30a的封装结构30，该热电模块30a经由焊料33a结合到具有400W/mK的良好热导率的金属基部31(包括铜)，而不是包括CuW材料的金属基部21。银焊料39(熔点770℃)在高温下将金属基部31结合到包括铁-镍-钴合金(即Kovar)金属框架32。热电模块30包括大量的热电元件38，这些热电元件38具有结合到下电极34和上电极36的下端和上端，该下电极34和上电极36为成对并形成在陶瓷基板33和35上。
当银焊料39将金属基部31结合到金属框架32，金属基部31由于在铜1.68×10-6/K的热膨胀系数(或线性膨胀系数α)和铁-镍-钴合金(即Kovar)5.7×10-6/K到6.5×10-6/K的热膨胀系数(或线性膨胀系数α)之间的较大差异而剧烈地弯曲。金属基部31弯曲为与例如具有100μm的船底相似。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种包括金属基部和金属框架的热电模块封装结构，该金属框架用于保持热电模块，其中金属基部由诸如铜、铝和银这样良好传导材料构成，其不会在连结到金属框架之时弯曲。
本发明涉及一种适用于热电模块的封装结构，该热电模块包括夹在上电极和下电极之间的多个热电元件。该封装结构包括：金属基部，包括由铜、铝、银或合金构成的金属板；金属框架，其附接到金属基部的周边；以及绝缘树脂层，具有良好的导热性，热电模块经由该绝缘树脂层附接到金属基部上并被金属框架所围绕。金属框架经由低熔点焊料附接到金属基部，该低熔点焊料的熔点低于在热电模块中用于将热电元件与上电极和下电极连结的焊料的熔点。
在上述例子中，由于封装结构具有较小的热阻，金属基部容易地将由热电元件产生的热量消散(或排出)。由于较低熔点的焊料被用于将金属基部和金属框架连结到一起，在将金属框架焊接到金属基部时，用于形成热电元件的其他焊料并不会熔化。
还可以进一步并有次级金属板，该次级金属板包括铜、铝、银或合金，该次级金属板经由具有良好导热性的次级绝缘树脂层连接到热电模块的上电极。这使得易于连接布置在热电模块上的其他部件。
可以在金属板中形成沟槽或凹部，以与金属框架的下部接合。这使得可以建立在金属基部和金属框架之间的定位，并且改善在金属基部和金属框架之间的接合强度。
可以在金属基部的表面涂覆有金属涂层，该金属涂层具有良好的抗蚀性和良好的焊接润湿性，优选地为镍镀层或沉积在镍镀层上的金镀层。这改善了金属基部的耐蚀性，并且使得易于将散热片额外附连到金属基部。
优选地，金属框架包括铁-镍-钴合金或不锈钢合金。此处，需要在金属框架上执行镍的表面处理。
当绝缘树脂层由包括具有良好导热性的填充物的绝缘树脂片形成时，可以改善绝缘树脂层的导热性并使得可以更容易地将热量从热电元件经由金属板散发。填充物包括氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末或碳化硅粉末。绝缘树脂片包括聚酰亚胺树脂或环氧树脂。
本发明还涉及一种上述封装结构的制造方法。具体地，将热电模块的下电极经由具有良好的导热性的绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；将多个热电元件排列在下电极上并在结合到耐热树脂膜的上电极之下，从而热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结；将该耐热树脂膜从上电极抽走；然后将金属框架定位在金属基部上方并经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
在制造方法的另一方面，将热电模块的下电极经由具有良好导热性的第一绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；将包括铜、铝、银或合金的次级金属板经由具有良好导热性的第二绝缘树脂层连结到热电模块的上电极上；将多个热电元件排列在下电极上并在结合到第二绝缘树脂层的上电极之下，从而热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结；然后将金属框架经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
在制造方法的又一方面中，将热电模块的下电极与下耐热树脂膜连结，而将热电模块的上电极与上耐热树脂膜连结；将多个热电元件排列在结合到下耐热树脂膜的下电极上并在结合到上耐热树脂膜的上电极之下，从而热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结；将上耐热树脂膜从上电极抽走，并将下耐热树脂膜从下电极抽走，以便于完成热电模块的生产；将热电模块经由具有良好的导热性的绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；然后将金属框架经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
附图说明
本发明的这些和其他目的、方面和实施例将参考附图进行更加详细的描述。
图1A是根据本发明的优选实施例包括金属基部和金属框架的热电模块封装结构的俯视图；
图1B是沿图1A的A-A线取的截面图；
图2A是示出了金属基部的第一实例的俯视图；
图2B是沿图3A的B-B线取的截面图；
图3A是示出了金属基部的第一实例的俯视图；
图3B是沿图3A的C-C线取的截面图；
图4是示出了根据本发明的优选实施例的热电模块封装结构和第一比较例的散热特性的图；
图5A到5G是示出了热电模块封装结构的第一制造方法的截面图；
图6A到6G是示出了热电模块封装结构的第二制造方法的截面图；
图7A到7J是示出了热电模块封装结构的第三制造方法的截面图；
图8A是示出了包括金属框架和金属基部的热电模块封装结构的第一比较例的俯视图；
图8B是沿图8A的D-D线取的截面图；
图9A是示出了包括金属框架和金属基部的热电模块封装结构的第二比较例的俯视图；
图9B是沿图9A的E-E线取的截面图
具体实施方式
将通过实例参考附图进行更加详细的描述本发明。
将参考图1A和1B，图2A和2B，和图3A和3B对根据本发明的优选实施例的热电模块封装结构进行描述。
图1A是包括金属基部和金属框架的热电模块封装结构的俯视图，而图1B是沿图1A的A-A线取的截面图。图2A是示出了金属基部的第一实例的俯视图，图2B是沿图2A的B-B线取的截面图。图3A是示出了金属基部的第二实例的俯视图，图3B是沿图3A的C-C线取的截面图。图4是示出了根据本实施例和第一比较例的热电模块封装结构的散热特性(即，吸热量对能耗(power consumption))的图。图5A到5G是示出了热电模块封装结构的第一制造方法的截面图。图6A到6G是示出了热电模块封装结构的第二制造方法的截面图。图7A到7G是示出了热电模块封装结构的第三制造方法的截面图。
1、优选实施例
如图1A和1B所示，封装结构10包括金属基部11和经由焊料18连结到金属基部11的周边的金属框架12。热电模块10a经由绝缘树脂层13接合到金属基部11的预定位置。热电模块10a包括多个热电元件17，所述多个热电元件经由焊料16a和16b与成对的下电极(用作散热电极)14和上电极(用作吸热电极)15接合到一起。
“粘接性的”绝缘树脂层13将下电极14连结到金属基部11的预定位置，由此使热电模块10a与封装结构10成为一体。多个引线与金属框架12的上部接合(同时部分地穿透金属框架12)并连接到热电模块10a的端子和其他端子(未示出)。
金属基部11例如包括热传导率为400W/mK的铜板且为1-3mm厚，从而其总面积为30mm×30mm。还可以使用不昂贵并具有良好导热性的譬如青铜和黄铜这样的铜合金，铝和银以及它们的合金来代替铜。优选地，金属基部11的表面涂覆或镀有具有良好耐蚀性和焊接湿润性的金属层，譬如镍镀层和金镀层(形成在镍镀层之上)。
图2A和2B示出了金属基部11的第一实例，其中例如0.2mm深的周边沟槽11a形成在周边。周边沟槽11a的宽度约等于金属框架12的宽度，由此与金属框架12的下部接合。这改善了在金属基部11和金属框架12之间的接合强度，并使得容易建立它们之间的精确定位。替代地，图3A和3B示出了金属基部11的第二实例，其中除了周边以外形成有0.2mm深的中空部分11b。这也改善了在金属基部11和金属框架12之间的接合强度并使得容易建立它们之间的精确定位。
金属框架12通过将铁-镍-钴合金(优选地，具有5.7×10-6/K到6.5×10-6/K范围内的热膨胀系数或线性膨胀系数α的Kovar)模制为矩形框架形状而形成。
金属框架12的下部被经由诸如In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点138℃)和SnInAg焊料(熔点187℃)这样的焊料18连结到金属基部11的周边。
用于将金属基部11和金属框架12连结到一起的焊料18的熔点低，其低于用于形成热电模块10a的诸如SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)这样的焊料16a和16b的熔点。这可防止焊料16a和16b(用于形成热电模块10a)在热电模块10a接合到金属基部11的预定位置之后金属框架12经由焊料18接合到金属基部11时意外地熔化。
粘接性的绝缘树脂层13包括诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂这样的电绝缘合成树脂并形成为例如具有100μm厚度的树脂片(resin sheet)。优选地，添加包括氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末和碳化硅粉末的填充物到聚酰亚胺树脂或环氧树脂中，由此改善它们的导热性。该绝缘树脂层13不必局限于树脂片，而可以应用到包括诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂这样的电绝缘合成树脂的粘接剂。在该情况下，优选地添加包括氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末和碳化硅粉末的填充物到聚酰亚胺树脂或环氧树脂中，由此改善它们的导热性。
下电极14和上电极15每一个都包括0.1-0.2mm厚的铜板并形成预定电极图案(pattern)。此处，用作下电极14和上电极15的铜板粘接到树脂片或耐热树脂膜，所述电极随后经受构图，以预定电极图案进行蚀刻。还可以附加地在下电极14和/或上电极15上形成镍镀层。
热电元件17包括P型半导体化合物和N型半导体化合物，且每一种都形成为2mm×2mm×2mm的预定尺寸(即长×宽×高)。优选地，热电元件17采用诸如铋-碲(Bi-Te)这样的热电烧结材料，其在室温下具有高性能；P型半导体化合物采用Bi-Sb-Te的三元化合物(ternary compounds)；而N型半导体化合物采用Bi-Sb-Te-Se的四元化合物(quartary compounds)。特别地，P型半导体化合物的组分为Bi0.5Sb1.5Te3，而N型半导体化合物的组分为Bi1.9Sb0.1Te2.6Se0.4，其中这两种化合物都通过热压烧结方法(hot-press sinteringmethod)形成。
优选地，在热电元件17的下端(接合到下电极14)和热电元件17的上端(接合到上电极15)上形成镍镀层(用于焊接)。热电元件17以P，N，P，N......交替的顺序串联电连接，从而其下端和上端经由焊料16a和16b连结到下电极14和上电极15，该焊料16a和16b包括SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)。
如图6G所示，可以附加地将0.1-0.2mm厚的金属板15a经由绝缘树脂层13a布置在上电极15上。金属板15a使得更容易设置各种连结到热电模块10a上的部件。
2.第一比较例
图8A和8B示出了第一比较例的封装结构20，其包括金属基部21、金属框架22和热电模块20a，该金属基部包括CuW材料，该金属框架包括铁-镍-钴合金(Kovar)并经由银钎焊合金(silver brazing alloy)(熔点770℃)连结到金属基部21的周边，该热电模块接合到金属基部21的预定位置。热电模块20a包括多个热电元件28，这些热电元件28在下电极24(即形成在陶瓷下基板23上的散热电极)和上电极26(即形成在陶瓷上基板25上的吸热电极)之间经由诸如SnSb焊料这样的焊料27a和27b接合到一起。第一比较例的特征在于，热电模块20a在金属框架22接合到金属基部21之后接合到金属基部21的预定位置。
然后，焊料23a将具有下电极24的下基板23连结到金属基部21的预定位置，由此将金属基部21和热电模块20a结为一体。焊料23a是低熔点焊料，譬如InAg焊料、SnInAg焊料和InSn焊料，其熔点低于焊料27a和27b(该焊料27a和27b例如是用于将热电元件28连结到一起的SnSb焊料)。多个引线22a贯穿金属框架22的上部并连接到热电模块20a的端子以及其他端子(未示出)。
3.第二比较例
图9a和9b示出了第二比较例的封装结构30，其包括金属基部31(包括具有1-3mm厚度和400W/mK热导率的铜板)、金属框架32和热电模块30a构成，该金属框架包括铁-镍-钴合金(Kovar)并经由银钎焊合金(熔点770℃)39接合到金属基部31的周边，该热电模块接合到金属基部31的预定位置。热电模块30a包括多个热电元件38，这些热电元件38在下电极34(即形成在陶瓷下基板33上的散热电极)和上电极36(即形成在陶瓷上基板35上的吸热电极)之间经由焊料37a和37b(例如SnSB焊料)接合到一起。第二比较例的特征在于，热电模块30a在金属框架32接合到金属基部31之后接合到金属基部31的预定位置。
然后，焊料33a将具有下电极34的下基板33连结到金属基部31的预定位置，由此将金属基部31和热电模块30a结为一体。焊料33a是低熔点焊料，譬如InAg焊料、SnInAg焊料和InSn焊料，其熔点低于焊料37a和37b(焊料37a和37b例如是用于将热电元件38连结到一起的SnSb焊料)。多个引线32a贯穿金属框架32的上部并连接到热电模块30a的端子以及其他端子(未示出)。
4.评估测试
本发明人对封装结构10、20和30进行了评估测试，以便于测量金属基部11、21和31的弯曲(或挠曲)，结果在表1中示出。
表1
  封装结构   金属基部   金属框架   陶瓷基板   接合材料  弯曲(μm)
  10   铜   Kovar   无   焊料  25
  20   CuW   Kovar   有   银钎焊合金  20
  30   铜   Kovar   有   银钎焊合金  100
表1清楚地示出了封装结构30(其中银钎焊合金39将包括铜的金属框架32连结到包括Kovar的金属基部31)导致了金属基板31的100μm的弯曲，这超出了金属基部弯曲的实际上限(该上限是由经验得出的)，即50μm；因此封装结构30并不满足实际使用的要求。这是由于在金属基部31的铜(其中α＝16.8×10-6)和金属框架32的Kovar(在30-5000℃下为α＝5.7×10-6到α＝6.5×10-6)在特定焊接温度之下的热膨胀系数的较大差异而导致的。
与此相反，封装结构10(其中焊料18将包括Kovar的金属框架12连结到包括铜的金属基部11)导致金属基部11的25μm的弯曲，这比在封装结构20(其中银钎焊合金29将包括Kovar的金属框架22连结到包括CuW(其中α＝6.5×10-6)的金属基部21)中发生的弯曲20μm大5μm；然而，封装结构10仍然适于实际使用。根据该结果，优选将包括Kovar的金属框架焊接到包括铜的金属基部。
接下来，在封装结构10和30测量电阻，这两个封装结构中金属基部11和31都包括铜。也就是说，封装结构10和30被重复地施以热/冷测试100个循环，其中在每个循环中它们被交替地施以-40℃的低温气氛30分钟和85℃的高温气氛30分钟。在热/冷测试以后，在封装结构10和30上测量电阻，且结果在表2中示出。
表2
Figure G2009102081680D0000091
表2清晰地示出封装结构30(其中具有下基板33的热电模块30a接合到包括铜的金属基部31)具有非常高的电阻10.125Ω，该值远大于测试之前的原始电阻2Ω。对固定到封装结构30的热电模块30a的视觉观察表示在热电元件38中有内部裂纹萌生；因此，热电模块30a并不适于实际使用。
与此相反，封装结构10(其中不具有下基板的热电模块10a经由具有良好导热性的绝缘树脂层13接合到金属基部11)导致2.008Ω的电阻，仅展现出原始电阻2Ω的0.4％的增加。对热电模块10a的视觉观察也没有表示在热电元件17中有内裂纹萌生。根据该结果，优选将没有下基板(或陶瓷基板)的热电模块经由具有良好导热性的绝缘树脂层焊接到包括铜的金属基部，由此产生高可靠性的封装结构。
接下来，发明人研究了包括适于上述测试结果的热电模块的封装结构的散热特性，其中电压被施加到保持在封装结构10和20中的热电模块10a和20a以便于测量相对于能耗(W)的热吸收量(W)，由此产生了图4中的曲线，其中水平轴线表示能耗(W)，而垂直轴线表示热吸收量(W)。此处，每一个热电模块都配备有加热器(未示出)，该加热器在其冷却端子处产生预定量的热量(或预定量的热吸收)，然后以增加的电流向热电模块供电并测量冷却端子抵达预定温度所需的能耗。
图4清楚地示出了封装结构10(其中不具有陶瓷基板的热电模块10a接合到包括铜的基部11)与封装结构20(其中具有陶瓷基板的热电模块20a接合到包括CuW的金属基部21)相比在达到预定的热吸收时需要较小的能耗。换句话说，优选将没有陶瓷基板的热电模块经由具有良好导热性的绝缘树脂层连结到包括铜的金属基部，由此将热量有效地从热电元件经由金属基部而消散。
5.制造方法
接下来，将通过实例1-3描述保持热电模块10a的封装结构10的各种制造方法。
(1)实例1
首先，提供金属基部11、绝缘树脂层13和用作散热电极的下电极14。金属基部11包括具有400W/mK的良好热导率且厚度为1-3mm的铜板，并形成为具有30mm×30mm的尺寸的矩形形状。绝缘树脂层13包括绝缘树脂片(包括诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂这样的电绝缘和粘接性材料)，其厚度例如为100μm。下电极14由厚度为0.1-0.2mm的铜板构成。
优选金属基部11的表面覆盖有诸如镍镀层这样的具有良好的耐蚀性和良好焊接润湿性的金属涂层。优选地，绝缘树脂层13额外地包括诸如氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末或碳化硅粉末这样的填充物，从而改善导热性。优选绝缘树脂层13的导热率被设定为20W/mK或更大。
如图5A所示，绝缘树脂层13被层压在金属基部11上，该金属基部11然后在120-160℃下经受0.98MPa的加压10分钟，由此暂时地将绝缘树脂层13与金属基部11卷压到一起。接下来，下电极14层压在绝缘树脂层13上然后经受在170℃下2.94MPa的加压60分钟，由此将金属基部11、绝缘树脂层13和下电极14连结到一起以形成层叠结构。该层叠结构经受掩模遮盖，且下电极14被构图蚀刻以由此形成预定的下电极图案。这使得下电极14具有如图5B所示的预定下电极图案。
同时，提供粘接性耐热树脂膜1a(例如由Nitto Denko Corporation制造的产品No.360UL，和由Teraoka Seisakusho Co.，Ltd.制造的产品No.6462)和用作热吸收电极的上电极15。与下电极14相似，上电极15由厚度为0.1-0.2mm的铜板构成。如图5C所示，上电极15被粘附到耐热树脂膜19上。然后，上电极15和耐热树脂膜19的组合经受掩模遮盖，以使得上电极15经受以预定上电极图案进行的构图蚀刻。这使得上电极15具有如图5D所示的预定上电极图案。
如图5E所示，焊料16a被施加到下电极14，同时焊料16b被施加到上电极15。优选地，焊料16a和16b包括SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)。此外，还提供了多对热电元件17，包括P型半导体化合物和N型半导体化合物。热电元件17每一个都形成为具有2mm×2mm×2mm预定尺寸(即长、宽和高)的预定形状。优选镍镀层形成在下电极14(接合到热电元件17的下端)上和上电极15(接合到热电元件17的上端)上，以使得有助于它们之间的焊接。
如图5F所示，热电元件17以P，N，P，N......交替的顺序串联电连接地排列在下电极14上。然后，上电极15定位在热电元件17上方以接合到热电元件17的上端。然后，组件以高温加热，以便于熔化焊料16a和16b，从而热电元件17与下电极14和上电极15焊接到一起并焊接在两者之间。随后，曾经被粘接到上电极15上的耐热树脂膜19被如图5G所示地从上电极15撕下或抽走，由此完全形成经由绝缘树脂层13安装在金属基部11上的热电模块10a。
接下来，包括In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)和SnInAg焊料(熔点180-190℃)的焊料18被施加到金属基部11的周边。随后，包括铁-镍-钴合金(优选地为Kovar(商标)、具有5.7×10-6/K到6.5×10-6/K的热膨胀系数(或线性膨胀系数α))的矩形金属框架12设置在焊料18上。然后，焊料18被加热到熔化并由此将金属框架12连结到金属基部11的周边，由此完成保持热电模块10a的封装结构10的生产。
重要的是用于将金属基部11和金属框架12连结到一起的焊料18为诸如In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)和SnInAg焊料(熔点180-190℃)这样的低熔点焊料，其熔点低于用于形成热电模块10a的诸如SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)这样的焊料16a和16b的熔点。
(2)实例2
首先，提供金属基部11，“第一”绝缘树脂层13和用作散热电极的下电极14。金属基部11包括具有400W/mK的良好热导率且厚度为1-3mm的铜板构成，并形成为具有30mm×30mm的预定尺寸。第一绝缘树脂层13包括合成树脂片，厚度例如为100μm，该合成树脂片包括诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂这样的电绝缘和粘接性的材料。下电极14包括厚度为0.1-0.2mm的铜板。
优选金属基部11的表面覆盖有诸如镍镀层这样的具有良好耐蚀性和良好焊接润湿性的金属涂层。优选地，第一绝缘树脂层13额外地包括诸如氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末或碳化硅粉末这样的填充物，从而改善导热性。优选第一绝缘树脂层13的导热率被设定为20W/mK或更大。
如图6A所示，第一绝缘树脂层13被层压在金属基部11上，该金属基部11然后在120-160℃的高温下经受0.98MPa的加压10分钟，由此暂时地将第一绝缘树脂层13与金属基部11卷压到一起。接下来，下电极14层压在第一绝缘树脂层13上并然后在170℃的高温下经受2.94MPa的加压60分钟，由此形成包括金属基部11、第一绝缘树脂层13和下电极14的层叠结构。如图6B所示，该层叠结构经受掩模遮盖，然后下电极14经受构图蚀刻并形成预定的下电极图案。
同时提供粘接性的“第二”绝缘树脂层13a和用作热吸收电极的上电极15。与下电极14相似，上电极15包括厚度为0.1-0.2mm的铜板。如图6C所示，金属板15a(厚度为0.1-0.2mm的铜板)被粘接到第二绝缘树脂层13a的背侧上。通过在120-160℃的高温下0.98MPa的加压10分钟，暂时地将第二绝缘树脂层13a与金属板15a卷压到一起。上电极15粘接到第二绝缘树脂层13a的表面上。然后通过在170℃的高温下2.94MPa的加压60分钟，将第二绝缘树脂层13a、金属板15a和上电极15卷压到一起。随后，该卷压结构经受掩模遮盖，以使得上电极15被构图蚀刻，以形成预定的上电极图案。图6D示出了上电极15中形成的预定上电极图案。
如图6E所示，焊料16a被施加到下电极14，同时焊料16b被施加到上电极15。优选地，焊料16a和16b例如选自SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)或SnAgCu焊料(熔点220℃)。此外，还提供了多对热电元件17，用作P型半导体化合物和N型半导体化合物。热电元件17每一个都形成为具有2mm×2mm×2mm预定尺寸(即长、宽和高)的预定形状。优选镍镀层施加到下电极14(接合到热电元件17的下端)上和上电极15(接合到热电元件17的上端)上，以使得有助于它们之间的焊接。
如图6F所示，热电元件17以P，N，P，N......交替的顺序串联电连接地排列在下电极14上。然后，上电极15定位在热电元件17上方。然后，焊料16a和16b以高温被加热到熔化，以使得热电元件17在下电极14和上电极15之间与它们接合到一起，且热电模块10a经由第一绝缘树脂层13安装在金属基部11上。实例2的特征是金属板15a(其为厚度为0.1-0.2mm的铜板)经由第二绝缘树脂层13a布置在上电极15上。这使得其他部件可以容易地接合到热电模块10a。
接下来，包括In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)和SnInAg焊料(熔点180-190℃)的焊料18被施加到金属基部11的周边。随后，包括铁-镍-钴合金(优选地为Kovar(商标)，具有5.7×10-6/K到6.5×10-6/K的热膨胀系数(或线性膨胀系数α))的金属框架12设置在焊料18上。然后，焊料18被加热到熔化并由此将金属基部11和金属框架12连接到一起，由此完成保持热电模块10a的封装结构10的生产，其中金属板15a经由第二绝缘树脂层13a设置在上电极15上。
优选的是，用于将金属基部11和金属框架12连结到一起的焊料具有低熔点，诸如In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)和SnInAg焊料(熔点180-190℃)，该焊料熔点低于用于形成热电模块10a的诸如SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)这样的焊料16a和16b的熔点。
(3)实例3
首先，提供粘接性耐热树脂膜19a(例如由Nitto Denko Corporation制造的产品No.360UL，和由Teraoka Seisakusho Co.，Ltd.制造的产品No.6462)和用作散热电极的下电极14。下电极14由厚度为0.1-0.2mm的铜板构成。如图7A所示，下电极14被粘接到耐热树脂膜19a的表面上，然后经受掩模遮盖，以使得下电极14以预定下电极图案被构图蚀刻。图7B示出了具有预定下电极图案的下电极14。随后，如图7C所示，焊料16a被施加到下电极14。该焊料16a例如选自SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)。
此外，提供粘接性耐热树脂膜(例如由Nitto Denko Corporation制造的产品No.360UL，和由Teraoka Seisakusho Co.，Ltd.制造的产品No.6462)和用作吸热电极的上电极15。与下电极14相似，上电极15包括厚度为0.1-0.2mm的铜板。如图7D所示，上电极15被粘接到耐热树脂膜19b的表面上，然后经受掩模遮盖，以使得上电极15经受以预定下电极构图的构图蚀刻。图7E示出了具有预定下电极构图的上电极15。随后，如图7F所示，焊料16b被施加到上电极15。该焊料16b例如选自SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)。
接下来，还提供了多对热电元件17，包括P型半导体化合物和N型半导体化合物。热电元件17每一个都形成为具有2mm×2mm×2mm预定尺寸(即长、宽和高)的预定形状。优选镍镀层施加到下电极14(接合到热电元件17的下端)上和上电极15(接合到热电元件17的上端)上，以使得有助于它们之间的焊接。如图7G所示，热电元件17以P，N，P，N......交替的顺序串联电连接地排列在下电极14上。然后，上电极15定位在热电元件17上方。然后，如图7H所示，焊料16a和16b以高温被加热到熔化，从而热电元件17与下电极14和上电极15焊接到一起并焊接在两者之间。随后，曾经被粘接到下电极14的耐热树脂膜19a被从下电极14撕下或抽走，且曾经被粘接到上电极15的耐热树脂膜19b被从上电极15撕下或抽走，由此完成热电模块10a的生产。
如图7I所示，提供了金属基部11和绝缘树脂层13。金属基部11包括具有400W/mK的良好热导率且厚度为1-3mm的铜板，并以30mm×30mm的预定尺寸形成。绝缘树脂层13包括合成树脂片(包括诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂这样的电绝缘和粘接性材料)，其厚度例如为100μm。
优选金属基部11的表面覆盖有诸如镍镀层这样的具有良好耐蚀性和良好焊接润湿性的金属涂层。优选地，绝缘树脂层13额外地包括诸如氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末和碳化硅粉末这样的填充物，从而改善导热性。优选绝缘树脂层13的导热率被设定为20W/mK或更大。
如图7J所示，金属基部11层压有绝缘树脂层13并随后在120-160℃的高温下经受0.98MPa的加压10分钟，由此暂时地将金属基部11与绝缘树脂层13卷压到一起。接下来，热电模块10a层压在绝缘树脂层13上并然后在170℃的高温下经受2.94MPa的加压60分钟，由此将热电模块10a、金属基部11和绝缘树脂层13连结到一起。作为绝缘树脂层13，可以使用具有电绝缘特性的粘接性合成树脂，譬如聚酰亚胺树脂和环氧树脂，而不使用前述合成树脂片。优选地聚酰亚胺树脂和环氧树脂还包括诸如氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末和碳化硅粉末这样的填充物，以便于改善导热性。
接下来，包括In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)或SnInAg焊料(熔点180-190℃)的焊料18被施加到金属基部11的周边；然后，将包括铁-镍-钴合金(优选地为Kovar(商标)，具有5.7×10-6/K到6.5×10-6/K的热膨胀系数(或线性膨胀系数α))的矩形金属框架12设置在焊料18上。随后，焊料18被加热熔化，以便将金属框架12经由焊料18连结到金属基部11，由此完成包括热电模块10a的封装结构10的生产。
重要的是用于将金属基部11和金属框架12连结的焊料18具有低熔点，诸如In焊料(熔点156℃)、BiSn焊料(熔点157℃)和SnInAg焊料(熔点180-190℃)，该焊料熔点低于用于形成热电模块10a的诸如SnSb焊料(熔点235℃)、SnAu焊料(熔点280℃)和SnAgCu焊料(熔点220℃)这样的焊料16a和16b的熔点。
上面的说明将聚酰亚胺树脂和环氧树脂称为合成树脂材料，但这不是限制性的。可以使用其他材料(除了聚酰亚胺树脂和环氧树脂)，譬如聚酰胺树脂和双马来酰亚胺-三嗪(bismaleimide-triazine：BT)树脂。
上文中将氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末或碳化硅粉末称为填充物材料；但这并非是限制性的。可以使用其他高导热性材料，譬如碳粉和氮化硅粉末。填充物材料不必局限于单一类型的材料；因此可以将两种或多种类型的填充物材料混合。此外，可以采用任何形状的填充物，譬如球形和针状或混合不同形状的填充物。
最后本发明并不必局限于所示的实施例和实例，而可以在由所附权利要求所限定的发明范围内以各种方式进行修改。
本发明要求申请号为：2008-279388的日本专利的优先权，其内容通过参考在此并入。

Claims (12)

1.一种适用于热电模块的封装结构，该热电模块包括夹在上电极和下电极之间的多个热电元件，该封装结构包括：
金属基部，包括由铜、铝、银或合金构成的金属板；
金属框架，其附接到金属基部的周边；以及
绝缘树脂层，具有良好的导热性，热电模块经由该绝缘树脂层附接到金属基部上并被金属框架所围绕，
其中，金属框架经由低熔点焊料附接到金属基部，该低熔点焊料的熔点低于在热电模块中用于将热电元件与上电极和下电极连结的焊料的熔点。
2.如权利要求1所述的封装结构，还包括次级金属板，该次级金属板包括铜、铝、银或合金，该次级金属板经由具有良好导热性的次级绝缘树脂层连接到热电模块的上电极。
3.如权利要求1所述的封装结构，其中，在所述金属板中形成沟槽或凹部，以与金属框架的下部接合。
4.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述金属基部的表面涂覆有金属涂层，该金属涂层具有良好的抗蚀性和良好的焊接润湿性。
5.如权利要求4所述的封装结构，其中，所述金属涂层包括镍镀层或包括沉积在镍镀层上的金镀层。
6.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述金属框架包括铁-镍-钴合金或不锈钢合金。
7.如权利要求1所述的封装结构，其中，所述绝缘树脂层是包括具有良好导热性的填充物的绝缘树脂片。
8.如权利要求7所述的封装结构，其中，所述填充物包括氧化铝粉末、氮化铝粉末、氧化镁粉末或碳化硅粉末。
9.如权利要求7所述的封装结构，其中，所述绝缘树脂片包括聚酰亚胺树脂或环氧树脂。
10.一种适用于热电模块的封装结构的制造方法，该热电模块包括夹在下电极和上电极之间的多个热电元件，其中该封装结构包括金属基部和附接到金属基部周边的金属框架，以使得热电模块附接到金属基部上并被金属框架所围绕，所述制造方法包括：
将热电模块的下电极经由具有良好的导热性的绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；
将所述多个热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结，其中所述多个热电元件排列在下电极上并在结合到耐热树脂膜的上电极之下；
将所述耐热树脂膜从上电极抽走；
将金属框架经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
11.一种适用于热电模块的封装结构的制造方法，该热电模块包括夹在下电极和上电极之间的多个热电元件，其中该封装结构包括金属基部和附接到金属基部周边的金属框架，以使得热电模块被附接到金属基部上并被金属框架所围绕，所述制造方法包括：
将热电模块的下电极经由具有良好导热性的第一绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；
将包括铜、铝、银或合金的次级金属板经由具有良好导热性的第二绝缘树脂层连结到热电模块的上电极上；
将所述多个热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结，其中所述多个热电元件排列在下电极上并在结合到第二绝缘树脂层的上电极之下；
将金属框架经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
12.一种适用于热电模块的封装结构的制造方法，该热电模块包括夹在下电极和上电极之间的多个热电元件，其中该封装结构包括金属基部和附接到金属基部周边的金属框架，以使得热电模块被附接到金属基部上并被金属框架所围绕，所述制造方法包括：
将热电模块的下电极与下耐热树脂膜连结，而将热电模块的上电极与上耐热树脂膜连结；
将所述多个热电元件经由第一焊料与下电极和上电极连结，其中所述多个热电元件排列在结合到下耐热树脂膜的下电极上并在结合到上耐热树脂膜的上电极之下；
将所述上耐热树脂膜从上电极抽走，并将所述下耐热树脂膜从下电极抽走；
将热电模块经由具有良好的导热性的绝缘树脂层连结到金属基部，该金属基部为包括铜、铝、银或合金的金属板；以及
将金属框架经由第二焊料连结到金属基部的周边，该第二焊料的熔点低于第一焊料的熔点。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339947A (zh) * 2011-11-01 2012-02-01 杭州澳凌制冷设备有限公司 一种半导体致冷器件的制造方法
CN103737137A (zh) * 2013-12-06 2014-04-23 哈尔滨东安发动机（集团）有限公司 航空发动机高能点火装置的焊接方法
CN105789427A (zh) * 2016-03-15 2016-07-20 深圳前海华兆新能源有限公司 热电发电器件及其制备方法
CN112352324A (zh) * 2018-06-26 2021-02-09 Lg 伊诺特有限公司 热电元件

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009111008A1 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Sheetak, Inc. Method and apparatus for switched thermoelectric cooling of fluids
CN102510990B (zh) 2009-07-17 2015-07-15 史泰克公司 热管以及热电冷却装置
US20110290295A1 (en) * 2010-05-28 2011-12-01 Guardian Industries Corp. Thermoelectric/solar cell hybrid coupled via vacuum insulated glazing unit, and method of making the same
WO2012154482A2 (en) * 2011-05-09 2012-11-15 Sheetak, Inc. Improved thermoelectric energy converters with reduced interface interface losses and manufacturing method thereof
FR2977984B1 (fr) * 2011-07-13 2013-07-05 St Microelectronics Rousset Generateur thermoelectrique integre, et circuit integre comprenant un tel generateur
JP5810419B2 (ja) * 2011-11-17 2015-11-11 北川工業株式会社 熱電変換モジュール
KR101998697B1 (ko) * 2012-06-28 2019-07-10 엘지이노텍 주식회사 열전냉각모듈 및 이의 제조 방법
JP6519085B2 (ja) * 2013-09-25 2019-05-29 リンテック株式会社 熱伝導性接着シート、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス
US9944831B2 (en) * 2013-09-25 2018-04-17 Lintec Corporation Heat-conductive adhesive sheet, manufacturing method for same, and electronic device using same
JP2014098926A (ja) * 2014-01-22 2014-05-29 Fujikura Ltd 光モジュールの製造方法
KR102017275B1 (ko) 2015-06-10 2019-09-02 젠썸 인코포레이티드 일체형 냉각판 어셈블리를 가진 자동차 전지 열전 모듈 및 그 조립 방법
JP6785459B2 (ja) * 2016-03-28 2020-11-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換素子および熱電変換モジュール
JP2018049886A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 昭和電工株式会社 熱電変換装置
DE112018000874T5 (de) * 2017-02-15 2019-10-31 Ferrotec Holdings Corporation Gehäuse mit eingebautem thermoelektrischem element
RU2680675C1 (ru) * 2018-03-21 2019-02-25 Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" Способ изготовления термоэлектрических микроохладителей (варианты)
JP7438115B2 (ja) 2018-08-28 2024-02-26 リンテック株式会社 熱電変換材料のチップの製造方法及びその製造方法により得られたチップを用いた熱電変換モジュールの製造方法
CN112602202A (zh) * 2018-08-28 2021-04-02 琳得科株式会社 热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法
KR102608780B1 (ko) * 2018-09-11 2023-12-04 엘지이노텍 주식회사 열전소자
CN113330589B (zh) 2019-01-23 2024-02-20 Lg伊诺特有限公司 热电元件
CN114981697A (zh) * 2020-01-21 2022-08-30 Tdk株式会社 集成光学装置、集成光学模块和集成光学装置的制造方法
CN112599653B (zh) * 2020-12-04 2023-03-10 杭州大和热磁电子有限公司 一种适于冷热交变的热电模块及其制作方法
JPWO2022249234A1 (zh) * 2021-05-24 2022-12-01

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3379577A (en) * 1964-05-01 1968-04-23 Cambridge Thermionic Corp Thermoelectric junction assembly with insulating irregular grains bonding insulatinglayer to metallic thermojunction member
US3886585A (en) * 1973-07-02 1975-05-27 Gen Motors Corp Solderable multilayer contact for silicon semiconductor
JPS58218394A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置の実装方法
JPH0297559A (ja) * 1988-10-03 1990-04-10 Toshiba Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
US6728113B1 (en) * 1993-06-24 2004-04-27 Polychip, Inc. Method and apparatus for non-conductively interconnecting integrated circuits
JP3951315B2 (ja) * 1995-05-26 2007-08-01 松下電工株式会社 ペルチェモジュール
US6406989B1 (en) * 1997-02-21 2002-06-18 Nec Corporation Method of fabricating semiconductor device with bump electrodes
JP3129249B2 (ja) * 1997-08-27 2001-01-29 住友電気工業株式会社 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール
JP2002314153A (ja) * 2001-04-13 2002-10-25 Nippon Carbide Ind Co Inc ペルチェ電極基板及びその製造方法
US6826916B2 (en) * 2001-04-24 2004-12-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Laser module, Peltier module, and Peltier module integrated heat spreader
US20030015572A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-23 Tom Faska Successive integration of multiple devices process and product
JP2003101122A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Komatsu Ltd 半導体レーザモジュール
WO2003081734A1 (fr) * 2002-03-27 2003-10-02 The Furukawa Electric Co., Ltd Module et procede optique d'assemblage de module optique
JP3804629B2 (ja) * 2002-04-25 2006-08-02 ヤマハ株式会社 熱電装置用パッケージ
JP4901350B2 (ja) * 2005-08-02 2012-03-21 株式会社東芝 熱電変換装置及びその製造方法
JP4615414B2 (ja) * 2005-09-30 2011-01-19 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光モジュール
JP4953841B2 (ja) * 2006-03-31 2012-06-13 京セラ株式会社 熱電モジュール
WO2008111218A1 (ja) * 2007-03-15 2008-09-18 Ibiden Co., Ltd. 熱電変換装置
JP4856014B2 (ja) * 2007-06-28 2012-01-18 三菱電機株式会社 回路モジュールとその製造方法
TWI338390B (en) * 2007-07-12 2011-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible thermoelectric device and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339947A (zh) * 2011-11-01 2012-02-01 杭州澳凌制冷设备有限公司 一种半导体致冷器件的制造方法
CN103737137A (zh) * 2013-12-06 2014-04-23 哈尔滨东安发动机（集团）有限公司 航空发动机高能点火装置的焊接方法
CN105789427A (zh) * 2016-03-15 2016-07-20 深圳前海华兆新能源有限公司 热电发电器件及其制备方法
CN112352324A (zh) * 2018-06-26 2021-02-09 Lg 伊诺特有限公司 热电元件

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