CN101720495A - 在薄膜太阳能电池制造过程中控制基板温度的方法与设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UAIUNKRWKOVEES-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine Chemical compound CC1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=C(C)C=2)=C1 UAIUNKRWKOVEES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明提供在薄膜太阳能电池制造过程中控制基板温度的方法及设备。方法包括在第一腔室中于基板上执行温度稳定化工艺，以预热基材一段时间；计算第二腔室的等待时间，其中所述等待时间是依据所述第二腔室的可用率、用以将基板从第一腔室传送至第二腔室的真空传送机械手的可用率，或所述第二腔室与所述真空传送机械手两者的可用率所计算而得；以及，调整所述温度稳定化时间，以补偿在所述等待时间过程中基板损失的热量。
Description
技术领域
本发明实施例大致上有关于在薄膜太阳能电池工艺中控制基板温度的方法与设备。
背景技术
晶体硅太阳能电池与薄膜太阳能电池是两种类型的太阳能电池。晶体硅太阳能电池典型使用单晶硅基板(也就是纯硅所构成的单晶基板)或是多晶硅基板(即，多晶或多晶硅基板)。并且在硅基板上沉积多层额外的膜层，以改善光的捕获能力，形成电路，以及保护器件。薄膜太阳能电池通过在适合的基板上沉积多种材料的薄层而形成一个或多个p-i-n结(p-i-n junction)。
图1示出方向朝向光源或太阳辐射101的单一p-i-n结薄膜太阳能电池100的一实施例示意图。太阳能电池100包含基板102，例如玻璃基板、聚合物基板、金属基板或其它适合的基板。在基板102上形成第一透明导电氧化物层(TCO)110。在该第一TCO层110上形成包含有p型掺杂硅层122、本征硅层(intrinsic silicon)124以及n型掺杂硅层126的单一p-i-n结120。在一实施例中，在p型掺杂硅层122与本征硅层124之间形成非晶硅缓冲层(未显示)。本征硅层124典型包含非晶硅(amorphous silicon)。在一实施例中，n型掺硅层126包含双层，且各自具有不同的电阻率。第二TCO层140形成在该单一p-i-n结120上，并且金属背反射层150形成在第二TCO层140上。
图2显示方向朝向光源或太阳辐射201的串联p-i-n结薄膜太阳能电池200的一实施例示意图。太阳能电池200包含基板202，例如玻璃基板、聚合物基板、金属基板或其它适合的基板。第一透明导电氧化物层(TCO)210形成在基板202上。第一p-i-n结220形成在第一TCO层210上，且该第一p-i-n结包含p型掺杂硅层222、本征硅层224与n型掺杂硅层226。第一p-i-n结220的本征硅层224典型包含非晶硅。在一实施例中，非晶硅缓冲层(未显示)形成在p型掺杂硅层222与本征硅层224之间。包含p型掺杂硅层232、本征硅层234与n型掺杂硅层236的第二p-i-n结230形成在第一p-i-n结220上。第二p-i-n结230的本征硅层234典型包含微晶硅(microcrystalline silicon)。第二TCO层240形成在第二p-i-n结230上，且金属背反射层250形成在该第二TCO层240上。串联p-i-n结薄膜太阳能电池200典型包含由不同材料构成的本征硅层224、234，故能捕捉不同部分的太阳辐射光谱。
现有薄膜太阳能电池的问题包括效率低和成本高。因此，需要制造薄膜太阳能电池的改良方法与设备。
发明内容
本发明实施例大体上提供在制造薄膜太阳能电池期间的基板温度控制方法与设备。在一实施例中，提供一种用以在基板上形成薄膜太阳能电池的方法。该方法包括在第一腔室中于基板上执行温度稳定化工艺，以预热基材一段基板稳定化时间；计算第二腔室的等待时间，其中该等待时间是依据该第二腔室的可用率、用以将基板从第一腔室传送至第二腔室的真空传送机械手的可用率，或该第二腔室的可用率与该真空传送机械手的可用率两者的结合所计算而得；以及，调整该温度稳定化时间，以补偿基板在该等待时间过程中所损失的热量。
在另一实施例中，提供一种在基板上形成薄膜太阳能电池的方法。该方法包括：提供真空系统，该真空系统具有传送室、一或多个耦接该传送室的处理腔室、设置在该传送室中的基板传送机械手，以及耦接该传送室且具有多个加热组件的预热腔室的装载锁定室；在该预热腔室中将基板预热至第一温度；利用基板传送机械手将该基板从预热室传送至用来沉积p-i-n结的p型硅层的第一处理腔室，以在第二温度下于基板上形成p-i-n结的p型硅层。
在又一实施例中，提供一种在基板上形成薄膜太阳能电池的真空系统。该系统包含传送室、一或多个耦接至该传送室的处理腔室、设置在该传送室中的基板传送机械手，以及耦接至该传送室的装载锁定室。该装载锁定室包括第一可抽真空腔室、第二可抽真空腔室，以及预热腔室，该预热腔室用以在该基板上执行温度稳定化工艺持续一段基板稳定化时间。
附图说明
为了详细了解上述的本发明特征，可参考附图中的实施例来理解概要描述如上的本发明更明确叙述的内容。然而，需了解到，附图所绘示的仅仅是本发明的典型实施例，因而不应用来限制本发明范围。本发明可以包含其它等效实施例。
图1是单一p-i-n结薄膜太阳能电池的实施例的示意图；
图2串联p-i-n结薄膜太阳能电池的实施例的示意图；
图3是具有多个PECVD处理腔室的处理系统实施例的俯视图；
图4是具有多个PECVD处理腔室的处理系统另一实施例的俯视图；
图5是装载锁定室的实施例的示意剖面图；以及
图6是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室的实施例的示意剖面图。
为了便于了解，尽可能使用相同的组件符号来代表附图中相同的组件。并且一实施例中所揭示的组件可在无需特别说明的情况下有利地应用至其它实施例中。
具体实施方式
本发明的实施例包含在制造薄膜太阳能电池期间控制基板温度的改良方法与设备。
图3是具有多个PECVD处理腔室331-335的处理系统300的实施例俯视图，其以有量产价值的工艺来沉积硅膜以形成薄膜太阳能电池，例如图1与2中的太阳能电池。处理系统300包含传送室320，其耦接至装载锁定室310以及耦接至处理腔室331-335。装载锁定室310允许基板在系统外的周边环境与传送室320和处理腔室331-335内的真空环境之间进行传送。装载锁定室310包含一或多个可抽真空区域，用来支持(holding)一或多个基板。在将基板送入系统300中时抽空这些可抽真空区域，并且在将基板移出系统300时破除真空(vent)。传送室320内设置有至少一个真空机械手322，用以在装载锁定室310与处理腔室331-335之间传送基板。系统控制器340控制着装载锁定室310、具有真空机械手322的传送室320、处理腔室331-335以及温度测量装置，例如与该系统300耦接的高温计350。图3中显示五个处理腔室。然而，该系统可具有任意适当数量的处理腔室，例如在图4所示的系统400中具有7个处理腔室431～437。
图4是具有多个PECVD处理腔室431-437的处理系统400的另一实施例俯视图。如参照图3的系统300所述，图4的系统400包含传送室420，其耦接至装载锁定室410以及处理腔室431-437。装载锁定室410具有至少一个真空机械手422。系统控制器440控制着装载锁定室410、含有真空机械手422的传送室420、处理腔室431-437以及温度测量装置，例如耦接至系统400的高温计450。
图5是装载锁定室500的实施例的示意剖面图。装载锁定室500包含第一可抽真空腔室510与第二可抽真空腔室520。如图所示，可抽真空腔室510和520各自具有两组基板支撑件530a和530b，用以支撑两基板。在其它实施例中，可抽真空腔室510和520可各自具有任何适当组数的基板支撑件，以支撑一或多个基板。装载锁定室500可进一步包含预热腔室540，其具有多个诸如加热灯的加热组件542来预热基板，例如红外线加热灯。如图所示，预热腔室540具有一组基板支撑件530。在另一实施例中，预热腔室可具有任何适当组数的基板支撑件，以支持一或多个基板。
图6是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室600的实施例的示意剖面图。适用的等离子体增强化学气相沉积腔室可购自美国加州圣克拉拉市的应用材料有限公司。包括其它制造商所生产的腔室在内的其它沉积腔室也可以用来实施本发明。
腔室600大体上包含室壁602、底部604、喷头610与基板支撑件630，以界定出处理容积606。可通过阀608来进出该处理容积，而将基板传送入或传送出该腔室600。提供狭缝阀门607用以密封住该阀608。基板支撑件630包含用来支撑基板的基板接收表面632，以及耦接至升降系统636的杆634，用以升高或降低该基板支撑件630。遮蔽框(shadow frame)633可选用性地设置在基板的周围上方。举升销638以可移动的方式设置成贯穿该基板支撑件630，以将基板移离或移至基板接收表面632。基板支撑件630还可包含加热及/或冷却组件639，以使基板支撑件630保持在期望温度。基板支撑件630还可包含接地带631，以在基板支撑件630周围提供射频(RF)接地。
喷头610通过悬吊件614于其周围(periphery)处耦接至背板612。喷头610也可通过一或多个中央支撑件616而耦接至背板，以避免喷头610下垂及/或控制喷头610的笔直/弯曲度。气体源620耦接至背板612，以提供气体通过背板612和喷头610而至基板接收表面632。真空泵609耦接至腔室600，以将处理容积606控制在期望压力下。射频功率源622耦接至背板612，及/或耦接至喷头610，以提供射频(RF)功率至喷头610，而在喷头与基板支撑件之间产生电场，得以在喷头610与基板支撑件630之间由该气体产生等离子体。可使用不同的RF频率，例如频率可介于约0.3MHz至约200MHz之间。在一实施例中，RF功率的频率为13.56MHz。
远程等离子体源624也可耦接在气体源与背板之间。在基板处理之间，可提供清洁气体至远程等离子体源624，以产生并且提供远程等离子体来清洁腔室构件。还可利用供应至喷头的RF功率源622来激发清洁气体。
在本发明的一些实施例中，例如图3的系统300或图4的系统400，系统可设计用来沉积单一p-i-n结，例如图1的单一p-i-n结，或是如图2的p-i-n结230和240的其中一者。其中一个处理腔室(或称P-腔室)，例如图3的处理腔室331-335其中一个或图4的处理腔室431-437其中一个，可设计用来沉积该单一p-i-n结的p型掺杂硅层，同时其余的处理腔室，例如图3的处理腔室331-335或图4的处理腔室431-437的其余腔室，则各自设计成用来沉积本征硅层与n型掺杂硅层(这些腔室或称为I-N腔室)。因此，基板通过装载锁定室进入该系统中。在某些实施例中，真空机械手将基板传送至预热腔室。该真空机械手随后将基板传送至P-腔室。接着，真空机械手将基板传送至I-N腔室。然后真空机械手将基板送回装载锁定室。
在某些情况中，在将基板移离腔室之后，真空机械手可能需要等待，例如下一个腔室可能目前正在处理另一个基板，直到该下一个腔室可用(available)时，按工艺顺序才能将该基板送入该下一个腔室。例如，在将基板移出预热腔室之后，真空机械手可能需要等待直到P-腔室可使用。在另一范例中，在将基板移出P-腔室之后，真空机械手可能需要等待直到I-N腔室可使用。等待时，基板会损失热量。在某些实施例中，系统控制器，例如图3的系统控制器340或图4的系统控制器440，可判断下一个可用腔室(next open chamber)的等待时间。根据在真空机械手上的等待时间，系统控制器可增长在该下一个可用腔室中执行的基板温度稳定化步骤时间，以补偿基板在等待过程中所损失的热量。
例如，真空机械手将基板移出P-腔室。在真空机械手上等待I-N腔室的时间约介于60秒至70秒之间，于是当处理在真空机械手上等待过的基板时，可使基板温度稳定化步骤额外增加30至45秒的基板温度稳定化时间。
太阳能电池的性能很容易受到本征硅生长过程中薄膜生长温度的影响。不希望局限于理论，但相信p型掺杂硅层和本征硅层界面的控制很重要，因为此界面受损可能造成p型掺杂剂从p型掺杂硅层扩散进入本征硅层。使得p型掺杂硅层与本征硅层界面处的电子-空穴对的复合作用提高，因而降低本征硅吸收层的光吸收效率。另一种理论是认为在硅薄膜沉积过程中保持温度有助于改善薄膜质量和导电性的均匀度，从而改善太阳能电池效率。
因此，系统控制器可根据在真空机械手上的等待时间而动态地调整基板温度稳定化时间。在某些实施例中，可从不同传送动作的预定时间值或真空机械手的等待时间来推断基板温度稳定化时间的调整。在其它实施例中，可根据基板的实际温度来调整基板温度稳定化时间。举例而言，可利用位于传送室中或刚好在PECVD腔室外侧的高温计来测量基板温度。随后，根据该基板温度来调整基板温度稳定化时间。
可使用位在沉积腔室前方的温度传感器(高温计)来测量温度损失，而可根据高温计所测得的温度将软件设定成延长稳定化。
在某些情况下，基板必须等待真空机械手准备好，才能将基板移出P-腔室。通常，基板会在利用举升销将基板举离基极支撑件的非接触位置中等待。因此，基板会有热量损失。为了补偿此热量损失，若基板必须等待真空机械手准备好才能移出P-腔室时，则系统控制器会将基板移到基板支撑件上的接触位置，同时基板支撑件的加热组件加热该基板直到真空机械手已经准备好而可用来执行传送动作为止。在此基板的加热过程中，可提供选用性气流，例如氦气、氢气或其它非反应性气体，以维持均匀的基板温度。在某些实施例中，以高压供应气流，以提供均匀的基板温度。
在其它实施例中，在预热腔室中预热基板的预热温度可设定成稍微高于P-腔室中所期望的基板温度。较高的预热腔室温度可补偿基板从预热腔室传送至P-腔室过程中所损失的热量。
范例
除非明确记载于权利要求书中，否则文中所揭示的范例仅作为示范之用，并非用来限制本发明范围。以下所记载的工艺条件仪作为示范。也可使用其它的工艺条件与数值范围。
实施例1
在美国加州圣克拉拉市的应用材料公司所生产的PECVD 60K薄膜太阳能电池系统中处理表面积57200平方厘米且厚度3毫米的基板，以形成单一P-I-N结太阳能电池。该PECVD 60K薄膜太阳能电池系统的内部腔室容积约2700公升。
表1(a)显示在PECVD腔室中沉积p型掺杂非晶硅层的工艺条件，其中从预热腔室至P-腔室的等待时间为零或是最小等待时间。处理时，压力设定在约1托(Torr)至4托之间，间距(spacing)设定在400密耳(mil)至约800密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。P型掺杂剂是在例如氢气的载气中提供0.5％的三甲基硼(trimethylboron，TMB)。
表1(a)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | TMB(0.5％)/H2载气(sccm) | 甲烷(sccm) | 氩气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 温度稳定化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 75,000 | 0 | 5 |
| 等离子体稳定化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 40,000 | 1,500 | 30 |
| P型掺杂非晶硅层 | 8,850 | 42,000 | 9,000 | 8,550 | 0 | 2,900 | 22 |
表1(b)显示在PECVD腔室中沉积本征硅层和n型掺杂非晶硅层的工艺条件，其中从P-腔室到I-N腔室的等待时间为零或最小。处理时，压力设定在约1托至4托之间，间距设定在400密耳至约800密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。n型掺杂剂是在诸如氢气的载气中提供0.5％摩尔浓度(molar)或体积浓度的磷化氢(phosphine)。
表1(b)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | PH3/H2载气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 基板温度稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 0 | 20 |
| 等离子体稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 2,800 | 15 |
| 本征硅层 | 9,000 | 112,500 | 0 | 3,000 | 696 |
| N型掺杂的非晶硅层 | 介于2500至5000之间，例如3000 | 介于7500至22000之间，例如13500 | 介于1250至15000之间，例如9900 | 3,200 | 49 |
实施例2
在美国加州圣克拉拉市的应用材料公司所生产的PECVD 60K薄膜太阳能电池系统中处理表面积57200平方厘米且厚度3毫米的基板，以形成串联P-I-N结太阳能电池。该PECVD 60K薄膜太阳能电池系统的内部腔室容积约2700公升。
表2(a)显示在PECVD腔室中沉积第一p-i-n结的p型掺杂非晶硅层的工艺条件，其中从预热腔室至P-腔室的等待时间为零或是最小等待时间。处理时，压力设定在约1托至4托之间，间距设定在400密耳至约800密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。P型掺杂剂是在例如氢气的载气中提供0.5％的三甲基硼(TMB)。
表2(a)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | TMB/H2载气(sccm) | 甲烷(sccm) | 氩气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 基板温度稳定化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 75,000 | 0 | 5 |
| 等离子体温度稳定化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 40,000 | 1,500 | 30 |
| P型掺杂非晶硅 | 8,850 | 42,000 | 9,000 | 8,550 | 0 | 2,900 | 22 |
表2(b)显示在PECVD腔室中沉积第一p-i-n结的本征非晶硅层和n型掺杂微晶硅层的工艺条件，其中从P-腔室到I-N腔室的等待时间为零或最小。处理时，压力设定在约1托至12托之间，间距设定在400密耳至约800密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。n型掺杂剂是在诸如氢气的载气中提供0.5％摩尔浓度或体积浓度的磷化氢(phosphine)。
表2(b)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | PH3/H2载气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 基板温度稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 0 | 20 |
| 等离子体稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 2,800 | 15 |
| 本征硅层 | 9,000 | 112,500 | 0 | 3,000 | 696 |
| N型掺杂微晶硅层 | 600 | 180,000 | 1,300 | 2,100 | 181 |
表2(c)显示在PECVD腔室中沉积第二p-i-n结的p型掺杂微晶硅层的工艺条件，其中从预热腔室至P-腔室的等待时间为零或是最小等待时间。处理时，压力设定在约4托至12托之间，间距设定在400密耳至约1500密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。P型掺杂剂是在例如氢气的载气中提供0.5％的三甲基硼(TMB)。
表2(c)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | TMB/H2载气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 基板温度稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 0 | 5 |
| 等离子体稳定化 | 0 | 60,000 | 0 | 5,000 | 30 |
| P型掺杂微晶硅层 | 500 | 325,000 | 500 | 18,000 | 195 |
表2(d)显示在PECVD腔室中沉积第二p-i-n结的本征微晶硅层和n型掺杂非晶硅层的工艺条件，其中从P-腔室到I-N腔室的等待时间为零或最小。处理时，压力设定在约1托至12托之间，间距设定在400密耳至约800密耳之间；以及，基板支撑件温度设定在约150℃至约300℃之间。n型掺杂剂是在例如氢气的载气中提供0.5％摩尔浓度或体积浓度的磷化氢(phosphine)。
表2(d)
| 硅烷(sccm) | 氢气(sccm) | PH3/H2载气(sccm) | 射频(瓦) | 时间(秒) | |
| 基板温度稳定化 | 0 | 100,000 | 0 | 0 | 20 |
| 等离子体稳定化 | 0 | 100,000 | 0 | 5,000 | 15 |
| 本征微晶硅层 | 2.042 | 204,200 | 0 | 28,000 | 2,888 |
| N型掺杂非晶硅层 | 600 | 180,000 | 1,300 | 2,100 | 181 |
可了解到，本发明实施例也可在线型连续系统(in-line system)以及线型连续与群集混合的系统中实施。例如，还可参照设计用来形成第一p-i-n结和第二p-i-n结的第一系统来说明本发明实施例。也可了解到，在本发明的其它实施例中，第一p-i-n结与第二p-i-n结可在单一系统中形成。例如，可参照能够用来沉积本征层和n型层两者的处理腔室来说明本发明实施例。又了解到，在本发明的其它实施例中，可使用独立的腔室来沉积本征层和n型层。并且在本发明的实施例中，可使用处理腔室来沉积p型层和本征层两者。
实施例3
表3是为实施例2和3中所述的基板温度稳定化时间提供额外基板温度稳定化时间的范例。可根据真空机械手的等待时间或测得的基板温度来进行调整。
表3
以上提供的在制造薄膜太阳能电池过程中控制基板温度的设备与方法，其能改善因基板内部均匀度和工艺与工艺之间的一致性所造成的太阳能电池性能差异变化。不限于理论，本申请发明人发现，PIN型硅薄膜太阳能电池的性能对于薄膜成长温度非常敏感的理由如下。其一，窗口层(window layer)P型半导体薄膜质量非常容易受到温度影响，因为温度会造成导电性变化。其二，P型层和I型层界面处的温度控制很重要，以避免吸收蓝光，并且若因掺杂物从P型层扩散出来而损害该界面，由于会提高P-I界面处的电子-空穴对的复合，而大幅影响本征吸收层的光吸收效率。其三，若I型层的沉积温度高于掺杂剂扩散的临界温度(threshold temperature)，P-I界面的提高的掺杂剂扩散作用会大幅影响太阳能电池的性能。因此，需要本发明所提供的方法与设备，其能在工艺处理过程的沉积步骤以及基板传送过程中提供精确的温度控制。
虽然本发明的实施例已详述如上，但可在不偏离本发明基本范围的情况下设计出本发明的其它与进一步实施例，并且本发明范围当由后附权利要求所界定。例如，文中已显示处于水平设置的处理腔室。但可了解到，在本发明的其它实施例中，可以任何非水平的方式来设置处理腔室，例如垂直设置。举例而言，可参照多腔室群集工具来描述本发明实施例。并理解到，本发明实施例还可在连续系统(in-line system)以及连续与群集混合的系统中实施。例如，可参照设计用来形成第一p-i-n结和第二p-i-n结的第一系统来说明本发明实施例。也可了解到，在本发明的其它实施例中，第一p-i-n结与第二p-i-n结可在单一系统中形成。例如，可参照可用来沉积本征型层和n型层两者的处理腔室来说明本发明实施例。又了解到，在本发明的其它实施例中，可使用多个独立的腔室来沉积本征硅层和n型硅层。在本发明的其它实施例中，可使用处理腔室来沉积p型硅层和本征硅层两者。
Claims (10)
1.一种在基板上形成薄膜太阳能电池的方法，包含：
在第一腔室中对基板执行温度稳定化工艺，以预热所述基板一段基板稳定化时间；
计算第二腔室的等待时间，其中所述等待时间是依据所述第二腔室的可用率、用以将基板从所述第一腔室传送至所述第二腔室的真空传送机械手的可用率，或所述第二腔室的可用率与所述真空传送机械手的可用率两者的结合来计算而得；以及
调整所述温度稳定化时间，以补偿所述基板在所述等待时间过程中的热量损失。
2.如权利要求1所述的方法，还包括在完成所述已调整的温度稳定化时间之后，传送所述基板至所述第二腔室。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述执行温度稳定化工艺的步骤包括将所述基板加热至比用来处理所述基板的温度高的温度。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述调整所述温度稳定化时间以补偿热量损失的步骤包括增加所述温度稳定化时间。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述温度稳定化时间取决于所述基板的实际温度。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一腔室是装载锁定室，所述装载锁定室包括具有多个加热组件的预热腔室，以及所述第二腔室是处理腔室，适用于沉积p-i-n结的p型硅层。
7.如权利要求1所述的方法，还包括：
执行所述温度稳定化步骤之后，在所述第一腔室中于所述基板上形成p-i-n结的p型硅层；以及
完成所述已调整的温度稳定化时间之后，在所述第二腔室中形成所述p-i-n结的本征硅层和n型掺杂硅层。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：
将所述基板从基板支撑在举升销上的非接触位置移动到基板支撑在基板支撑件上的接触位置；
利用所述基板支撑件加热所述基板，直到完成所述已调整的温度稳定化时间为止；以及
在利用所述基板支撑件加热所述基板时，流入例如氦气或氢气的非反应性气体，以维持均匀的基板温度。
9.一种用来在基板上形成薄膜太阳能电池的真空系统，包括：
传送室；
一或多个处理腔室，其耦接所述传送室；
基板传送机械手，设置在所述传送室中；以及
装载锁定室，其耦接所述传送室，其中所述装载锁定室包括：
第一可抽真空腔室；
第二可抽真空腔室；以及
预热腔室，适用于在所述基板上执行温度稳定化工艺一段基板稳定化时间。
10.如权利要求9所述的真空系统，还包括用以使所述系统执行下列动作的系统控制器：
在第一腔室中对基板执行温度稳定化工艺，以预热所述基板一段基板稳定化时间；
计算第二腔室的等待时间，其中所述等待时间是依据所述第二腔室的可用率、所述基板传送机械手的可用率，或所述第二腔室的可用率与所述基板传送机械手的可用率两者的结合所计算而得；以及
调整所述温度稳定化时间，以补偿所述基板在所述等待时间过程中的热量损失。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US95169007P | 2007-07-24 | 2007-07-24 | |
| US60/951,690 | 2007-07-24 | ||
| PCT/US2008/071024 WO2009015277A1 (en) | 2007-07-24 | 2008-07-24 | Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101720495A true CN101720495A (zh) | 2010-06-02 |
| CN101720495B CN101720495B (zh) | 2012-06-13 |
Family
ID=40281822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008800226354A Expired - Fee Related CN101720495B (zh) | 2007-07-24 | 2008-07-24 | 在薄膜太阳能电池制造过程中控制基板温度的方法与设备 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090029502A1 (zh) |
| EP (1) | EP2183765A1 (zh) |
| JP (1) | JP2010534940A (zh) |
| KR (1) | KR20100036381A (zh) |
| CN (1) | CN101720495B (zh) |
| TW (1) | TW200908363A (zh) |
| WO (1) | WO2009015277A1 (zh) |
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| CN102346082A (zh) * | 2011-07-30 | 2012-02-08 | 常州天合光能有限公司 | 电池片焊接熔锡温度的测量方法 |
| CN110265321A (zh) * | 2013-03-15 | 2019-09-20 | 应用材料公司 | 用于小批量基板传送系统的温度控制系统与方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20100089318A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-04-15 | Ovshinsky Stanford R | Remote Plasma Apparatus for Manufacturing Solar Cells |
| TW201101524A (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-01 | Bay Zu Prec Co Ltd | Manufacturing device for electrode of solar cell |
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| US10720348B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-07-21 | Applied Materials, Inc. | Dual load lock chamber |
| KR102697922B1 (ko) * | 2019-01-09 | 2024-08-22 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| CN115810691A (zh) * | 2022-01-29 | 2023-03-17 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 电池生产系统及电池生产方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0714077B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1995-02-15 | 富士電機株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
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| WO2002023597A2 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | Applied Materials, Inc. | Double dual slot load lock for process equipment |
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-
2008
- 2008-07-23 TW TW097128027A patent/TW200908363A/zh unknown
- 2008-07-23 US US12/178,255 patent/US20090029502A1/en not_active Abandoned
- 2008-07-24 CN CN2008800226354A patent/CN101720495B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-07-24 EP EP08796547A patent/EP2183765A1/en not_active Withdrawn
- 2008-07-24 KR KR1020107003946A patent/KR20100036381A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-07-24 JP JP2010518385A patent/JP2010534940A/ja active Pending
- 2008-07-24 WO PCT/US2008/071024 patent/WO2009015277A1/en active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101720495B (zh) | 2012-06-13 |
| WO2009015277A1 (en) | 2009-01-29 |
| KR20100036381A (ko) | 2010-04-07 |
| US20090029502A1 (en) | 2009-01-29 |
| JP2010534940A (ja) | 2010-11-11 |
| EP2183765A1 (en) | 2010-05-12 |
| TW200908363A (en) | 2009-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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