CN104025280A - 用于处理基板的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理设置于处理腔室中的基板的方法包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于所述反射板中；以及将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面且所述第二压力接近所述基板的底表面，其中所述第一压力大于所述第二压力，而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。

Description

用于处理基板的方法和设备
技术领域
本发明的实施方式大体涉及半导体处理。
背景技术
一些传统的半导体制造工艺，例如退火工艺，可能需要处理腔室被维持在较高的温度和较低的压力下以执行处理。然而，本发明人已经观察到，在这样的温度和压力下执行处理，可能引起不期望的状况：基板上材料的升华或掺杂剂的扩散。例如，当将含硅基板退火时，在处理腔室内的氧(例如，水分、来自在处理腔室中执行的先前处理所剩余的材料、来自第一气源的泄漏物或类似物)可能会攻击基板的表面，形成氧化硅。然后氧化硅可凝结于处理腔室的表面上，例如，侧壁、反射板、高温计或类似者。为了保持处理的一致性，处理腔室需要定期维护以除去凝结的材料，从而降低了处理效率和产量。
通常情况下，在诸如快速热处理(RTP)腔室之类的处理腔室中，具有低浓度的氧的气体可流向基板的前侧，以防止上述升华。然而，这种传统的处理腔室在基板的前侧与背侧之间的气体传导性方面通常具有较大的差异。这种气体传导性差异导致到达基板的背侧以防止材料从基板背侧升华的氧气量不足。
因此，本发明提供了用于处理基板的改进的方法和设备。
发明内容
在此提供一种用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理设置于处理腔室中的基板的方法可包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于反射板中；以及将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面并且所述第二压力接近所述基板的底表面，其中所述第一压力大于所述第二压力而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。
在一些实施方式中，一种计算机可读介质上存储有指令，当执行这些指令时，产生一种将在处理腔室中执行的用于处理基板的方法。所述方法可包括任一个所述的实施方式。
在一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可包括：处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧，所述反射板具有多个通孔；其中设置于所述反射板中的多个通孔中的至少一个通孔为入口，所述入口用以提供第一气体至接近所述基板的背侧的区域；其中设置于所述反射板中的多个通孔中的至少一个通孔为出口，所述出口用以产生这些气体的气流，所述气流流出所述基板的背侧。
本发明其他的和更进一步的实施方式描述如下。
附图说明
可通过参照描绘于附图中的本发明的说明性实施方式来理解以上简要概述的并且下面将更加详细地讨论的本发明的实施方式。然而，应注意的是附图仅图示本发明的典型实施方式并且因此不应被视为对本发明范围的限制，因为本发明可允许其他等效的实施方式。
图1图示了根据本发明的一些实施方式的用于处理基板的方法。
图2A-B(统称为图2)图示了根据本发明的一些实施方式的基板在本发明的方法的各阶段的示意性侧视图。
图3图示了根据本发明的一些实施方式的适于执行本发明的方法的处理腔室的示意性侧视图。
图4-5图示了根据本发明的一些实施方式的适于执行本发明的方法的处理腔室的一部分的示意性侧视图。
为了便于理解，已尽可能地使用相同的参考数字来标示各图共有的相同元件。这些附图并未按比例绘制并且为清楚起见可对这些附图进行简化。预期一个实施方式的元件和特征结构可有益地结合到其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本发明的实施方式提供用于处理基板的方法和设备。本发明的实施方式可以有利地促进对接近基板背侧的环境条件的控制，以减少基板上材料的升华或掺杂剂的扩散，从而减少或防止材料在处理腔室表面上沉积，从而增加在清洁处理腔室所需的维护工作之前的生产时间，并提高处理效率。在一些实施方式中，本发明可提供用于在基板的背侧上沉积覆盖层(capping layer)，从而进一步减少基板背侧的任何材料的升华或掺杂剂的扩散。
图1图示了根据本发明的一些实施方式的用于处理基板的方法100。图2A-B图示了根据本发明的一些实施方式的通过本发明的方法100的各阶段的基板200。方法100可以在任何适于半导体基板处理的处理腔室中执行，例如，诸如类似于以下针对图3所描述的处理腔室这样的处理腔室。
方法100通常开始于102，在102处在基板上执行处理，所述基板设置于具有基板支撑环和反射板的处理腔室中，所述基板支撑环配置成用以支撑基板，所述反射板设置成接近基板的背侧。
参照图2，基板200可以是适于制造半导体装置的任何类型的基板。例如，基板200可以是掺杂的或者未掺杂的硅基板、III-V族化合物基板、硅锗(SiGe)基板、外延基板、绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)基板、显示器基板(诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器、电致发光(EL)灯显示器)、发光二极管(LED)基板、太阳能电池阵列、太阳能电池板或类似物。在一些实施方式中，基板200可以是半导体晶片，诸如200mm或300mm的半导体晶片。
此外，在一些实施方式中，基板可包括完全或部分制造的半导体装置的一个或更多个部件。例如，在一些实施方式中，基板200可包括一个或更多个层、一个或更多个特征结构、一个或更多个完整或部分制造的结构或类似者。例如，在一些实施方式中，基板200可包括诸如氮化物层、氧化物层或类似者这样的层(在204处以虚线示出)。
处理腔室可以是具有基板支撑环和反射板的任何类型的处理腔室，基板支撑环配置成用以支撑基板，反射板设置成接近基板的背侧。合适的处理腔室的实例包括任何的或处理腔室，或能够执行热处理(例如快速热处理(RTP))的任何其他处理腔室，所有处理腔室皆可从位于California(加利福尼亚)州Santa Clara(圣克拉拉)市的AppliedMaterials,Inc.(应用材料公司)取得。其它合适的处理腔室，包括那些可从其他制造商取得的处理腔室亦可根据本文中所提供的教导而被使用和/或改进。在一些实施方式中，处理腔室可类似于以下针对图3所描述的处理腔室。
在基板上执行的处理可以是制造半导体装置所需要的任何处理，例如，诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或类似者这样的沉积处理，诸如干法蚀刻、湿法蚀刻或类似者这样的蚀刻处理，或诸如快速热退火(RTA)、氮化后退火(post nitridation anneal)、氧化后退火或类似者这样的退火处理。例如，根据本发明的实施方式的方法可有利地在约500摄氏度以上进行处理，其中基板背侧不与支撑件(诸如边缘环)直接接触。此外，根据本发明的实施方式的方法还可以有利地促进从基板的背侧进行测量(诸如使用光学技术的温度测量)，并能同时尽量减少或消除任何随着时间的处理变化。
本发明人已经观察到，一些处理(例如在快速热处理(RTP)腔室中进行的氮化后退火处理或氧化后退火处理)可能需要处理腔室被保持在较高的温度(例如约1000摄氏度或更高)和较低的压力(例如，小于约100托(Torr)，或在一些实施方式中，小于约50托，或小于约10托)下以执行所述处理。然而，本发明人已经观察到，在这样的温度和压力下执行处理可能引起不期望的状况：基板200上材料的升华或掺杂剂的扩散。例如，在含硅基板的退火处理中，例如水分、来自在处理腔室中执行的先前处理所剩余的材料、来自第一气源的泄漏物或类似者可导致少量的氧存在于处理腔室内。例如，本发明人已经观察到，存在低浓度的氧、高处理温度和/或低氧气分压(至少部分地由低处理压力所引起)，可能会导致氧化硅从基板升华。升华的硅氧化物材料之后可凝结于处理腔室的表面上，例如，侧壁、反射板、高温计或类似者。本发明人还观察到，在诸如快速热处理(RTP)腔室之类的处理腔室中，含氧气体可以流向基板的前侧以防止上述升华。例如，通过提供含氧气体至基板的前侧，氧的浓度和/或氧的分压增加，从而减少或消除材料(例如，氧化硅)从基板升华。然而，本发明人已经观察到，由于在传统的处理腔室中的流体传导性差异，导致到达基板200的背侧206以防止材料从基板200的背侧206升华的氧气量不足，所述流体传导性差异是关于沿着基板的前侧208的流体相比于沿着基板200的背侧206的流体之间的差异。
因此，接下来在104处，将包括含氧气体或含氮气体之一的第一气体提供至基板200的背侧206。在一些实施方式中，在执行处理期间，第一气体可经由一个或更多个通孔而被提供至基板的背侧，这些通孔设置在反射板中，反射板设置在基板的后面。通过提供第一气体至基板200的背侧206，发明人观察到接近基板背侧的环境条件(例如，压力、氧气分压、氧浓度或类似条件)可以得到控制，从而减少或消除基板200上材料的升华或掺杂剂的扩散(例如，如上面所述)。例如，在第一气体是含氧气体的实施方式中，本发明人观察到，提供含氧气体会增加接近基板200的背侧206处的氧浓度，从而防止硅从基板200升华，从而防止氧化硅在处理腔室的表面上形成和随后沉积。
所述含氧气体或含氮气体可包括适于防止基板200上材料的升华或掺杂剂的扩散同时在处理环境中呈非反应性的任何气体或气体组合。例如，在第一气体包括含氧气体的实施方式中，第一气体可包括以下气体之一：氧气(O2)、氮氧化物(NOx)或类似气体。在第一气体包括含氮气体的实施方式中，第一气体可包括以下气体之一：氮气(N2)、氮氧化物(NOx)、氨(NH3)或类似气体。在一些实施方式中，含氧气体或含氮气体可以是与提供至基板前侧的气体相同的(例如，如上所述，含氧气体可以流向基板的前侧)，或者在一些实施方式中，含氧气体或含氮气体可以是不同于提供至基板前侧的气体。
第一气体可以任意流量(flow rate)提供，所述流量适于提供足够量的含氧气体或含氮气体同时不会造成过大的压力差，过大的压力差在处理期间会造成基板200从支撑环移位。例如，可以使用下面的公式计算压力差：
Mw*g＝(Pfs-Pfb)*Aw
其中Mw是晶片(基板)的质量，g是重力，Pfs和Pfb分别是在基板前侧208和背侧206的压力，Aw为晶片的面积。例如，在基板是300mm的晶片的实施方式中，小于约2托的压力差适于提供第一气体同时不会造成基板200从支撑环移位。因此，在一些实施方式中，第一气体可设置为约50sccm至约500sccm的流量。在一些实施方式中，第一气体的流量也可以在一段时间内增加以防止朝向基板200的高压气体的初始爆裂(burst)。在这样的实施方式中，第一气体可以约10sccm至约50sccm的第一流量被提供并且在1秒至约5秒的一段时间内增加至约300sccm至约500sccm的第二流量。
在一些实施方式中，例如第一气体所需的流量将产生会导致基板200移位的压力差，可以将真空施加到设置在反射板中的所述一个或更多个通孔之一或更多者，以抵消施加到基板200的背侧206的压力。
接着在106，可以任选地在基板200的背侧206上形成覆盖层202，如图2B所示。本发明人已经观察到，通过在基板200的背侧206上形成覆盖层202，可以进一步减少或消除基板200上材料的升华或掺杂剂的扩散(例如，如上面所述)。覆盖层202可包括任何工艺兼容的材料，所述材料适于防止基板200上的材料升华或掺杂剂的扩散(例如，如上面所述)同时不与基板200的材料反应，例如，氮化物层、氧化物层或类似材料。例如，在基板200是含硅基板200的实施方式中，覆盖层202可包括氮化硅(SiN)。
在108，为了形成覆盖层202，可由第一气体形成等离子体。等离子体可以形成于与用于处理基板200的相同的处理腔室中，或者在一些实施方式中，等离子体可以形成于与用于处理基板的所述处理腔室不同的处理腔室中，且随后提供至处理腔室(例如，远程等离子体)。
可按以下方式形成等离子体：例如通过在适合的条件下在处理腔室(例如，用来处理基板的处理腔室或远程等离子体腔室)内将一些能量耦合至第一气体来点燃(igniting)第一气体以产生等离子体。在一些实施方式中，耦合至第一气体的能量可包括高达约3000瓦(W)的直流电能量。替代地或者结合地，在一些实施方式中，可以约2兆赫(MHz)至约3千兆赫(GHz)的频率供应高达约10,000W的RF能量。例如，在一些实施方式中，气源331可以是远程等离子体腔室，以在提供第一气体至处理腔室之前由所述第一气体形成等离子体。
除了上述情况之外，额外的处理参数可被用来点燃或维持等离子体。例如，在一些实施方式中，处理腔室可以维持在约10毫托(mTorr)至约5000毫托的压力下。此外，在一些实施方式中，处理腔室可以维持在约500摄氏度至约1100摄氏度的温度下。
接着，在110，基板的背侧206可以暴露至形成于等离子体中的激发态物种，以在基板200的背侧206上形成覆盖层202。基板200的背侧206可暴露至激发态物种中持续任何所需的时间量，以形成达到所需厚度的覆盖层202。例如，在一些实施方式中，基板200的背侧206可暴露至等离子体中持续约10秒至约60秒的一段时间。在一些实施方式中，覆盖层202可形成为约5埃(angstrom)至约30埃的厚度。
除了上述情况以外，可以利用额外的处理参数来形成覆盖层。例如，在一些实施方式中，处理腔室可以维持在约10毫托至约5000毫托的压力下。此外，在一些实施方式中，处理腔室可以维持在约200摄氏度至约1100摄氏度的温度下。
接着在104处提供第一气体(或任选地在106处形成覆盖层206)，所述方法通常会结束，并可根据需要进一步处理基板200。例如，在一些实施方式中，可以在基板200上执行诸如附加层沉积、蚀刻、退火或类似处理这样的额外处理，例如，在基板200上形成半导体装置，或制备基板200用于以下应用中：包括但并不限于诸如光伏电池(PV)、发光二极管(LED)或显示器(例如，液晶显示器(LCD)、等离子体显示器、电致发光(EL)灯显示器或类似显示器)。
图3图示了根据本发明的一些实施方式的适于执行本发明的方法的处理腔室。处理腔室300可以是任何合适的处理腔室，例如，配置用于热处理，诸如快速热处理(RTP)，或任何上述的处理腔室。
基板200被安装于基板支撑件308上的处理腔室300内，并由灯头(lamphead)301加热，灯头301设置在与基板支撑件308相对的位置。灯头301产生的辐射被引导到基板200的前侧208。或者(图中未示出)，灯头301可被配置成用以加热基板200的背侧206，例如，诸如通过被设置在基板200的下方，或通过引导辐射到基板200的背侧。辐射通过水冷式石英窗口组件314而进入处理腔室300。基板200的下方是反射板302，反射板302被安装在水冷式、不锈钢底座316上。底座316包括一个循环回路346，冷却剂通过循环回路346循环来冷却反射器302。在一些实施方式中，反射板302由铝制成并具有高反射率的表面涂层320。水可以通过底座316循环以保持反射板302的温度远低于加热的基板200的温度。或者可以相同或不同的温度提供其他的冷却剂。例如，防冻液(例如，乙二醇丙二醇或类似者)或其他传热流体可以通过底座316循环和/或底座316可以耦接至冷却器(chiller)(图中未示出)。基板200的底面或背侧和反射板302的顶部形成反射腔318。反射腔318提高了基板200的有效发射率。
基板200局部区域的温度由多个温度探测器测量，诸如352a、352b和352c。每个温度探测器包括光管(light pipe)324，光管324穿过通孔327，通孔327从底座316的背侧延伸通过反射板302的顶部。光管324位于通孔327内，所以它的最上端与反射板302的上表面齐平或稍低于反射板302的上表面。光管324的另一端耦接至柔性光纤325，光纤325从反射腔318发送采样光(sampledlight)到高温计328。高温计328与温度控制器350连接，温度控制器350响应于测得的温度控制供应至灯头301的功率。所述灯可被分成多个区域。所述区域可以由控制器单独调节以允许在基板200的不同区域进行可控的辐射加热。
除了如上所述的配置成用以容纳每个光管的通孔327之外，底座346和反射板302可包括一个或更多个附加的通孔(图示一个附加的通孔351)，所述附加的通孔配置成用以容纳其他的机构(例如，升降销或类似机构)以方便处理。
在处理期间，第一气体可从气体面板(例如，气源229)流动，并在入口330(例如，第一入口)进入处理腔室300。入口330被设置在处理腔室300的一侧，并促进第一气体流动遍及基板300的表面。本发明人已经观察到，从入口330提供第一气体可能会导致从基板200的前侧208至背侧206的气体传导性差异。例如，当第一气体经由入口330而被提供至基板200的前侧208，第一气体以第一流动路径流动而直接遍及基板200的前侧208且第一气体以间接的第二流动路径流至基板200的背侧206。第一流动路径与第二流动路径之间的流体传导性差异导致到达基板的背侧206的第一气体的浓度低于到达基板200的前侧208的第一气体的浓度。本发明人已经观察到，这种低浓度的第一气体可导致处理程度的不足，例如，诸如如上所述基板200的背侧206上材料的升华或掺杂剂的扩散。
因此，在一些实施方式中，第一气体可通过接近基板背侧的第二入口被提供至基板200的背侧。例如，在一些实施方式中，第一气体可经由反射板320的一个或更多个通孔(例如，通孔327、351)而被提供至基板的背侧。
在一些实施方式中，第一气体可经由气源331被提供至一个或更多个通孔327、351。虽然所示为分开的气源，但是气源229和气源331可以是相同的气源且具有独立的流量控制器，以根据需要提供第一气体至基板的前侧或背侧。在一些实施方式中，阀329可以被耦接至一个或更多个通孔，例如，阀329被设置于气源331与通孔327、351之间，以便引导第一气体至通孔327、351或排气装置(exhaust)之一。通过提供设置于气源331与通孔327、351之间的阀329，气源331可以保持在恒定的“导通(on)”状态，提供第一气体至通孔327、351或排气装置，从而保持了更均匀的压力并且减少在朝向通孔327、351启动第一气体流时由气源产生的高压力爆裂的情况。
通过经由一个或更多个通孔327、351提供第一气体，除了基板200上方的流动路径404外，如图4所示，在基板200下方产生流动路径402。本发明人已经观察到，提供流动路径402可以减少或消除从基板200的前侧208至背侧206的气流传导性差异，从而便于提供更高浓度的第一气体至基板200的背侧206，从而减少或消除了以上讨论的处理程度的不足。
在一些实施方式中，真空可被提供至接近基板200的背侧的区域。在一些实施方式中，真空可被提供至一个或更多个通孔(例如，通孔327)，同时第一气体被提供至所述一个或更多个通孔的另一个通孔(例如，通孔351)，从而产生从所述一个或更多个通孔的第一通孔(例如，通孔327)至所述一个或更多个通孔的第二通孔(例如，通孔351)的流动路径，例如，图5中所示的流动路径502。通过提供真空至一个或更多个通孔，可减少施加至基板200的背侧206的压力量，从而减少基板200的前侧208与背侧206之间的压力差，因此，减少基板200从基板支撑件(如上所述)移位的风险。在这样的实施方式中，泵333(例如诸如低真空泵(roughing pump)或真空泵)可耦接至所述一个或更多个通孔。在一些实施方式中，被施加真空的通孔可能会比其他通孔具有更大的直径，以防止对通往泵333的气流的限制。泵333和将泵耦接至所述一个或更多个通孔的导管具有足以提供以上讨论的压力差的传导性和功率。
返回参照图3，基板支撑件308可被配置为固定的或可使基板200旋转。基板支撑件308包括支撑件或边缘环334，边缘环334与基板200接触且环绕基板的外周边，从而使基板200除围绕外周边的小的环形区域之外的整个底面暴露。支撑环334也被称为边缘环334，在本说明书之内这两个术语可以互换使用。为了尽量减少在处理期间在基板200的边缘可能会发生的热不连续性，支撑环334可由与基板200相同或相似的材料制成，例如硅。
在一些实施方式中，支撑环334可设置于可旋转的管状圆柱体(tubularcylinder)336上，管状圆柱体336涂有硅，以在高温计328的频率范围呈不透明。圆柱体336上的涂层作为挡板以阻挡来自外部源的辐射，外部源可能污染强度的测量。圆柱体336的底部由环状上轴承341保持，环状上轴承341设置于多个球轴承337上，多个球轴承337进而保持在固定的、环形的下轴承座圈(lower bearing race)339内。在一些实施方式中，球轴承337是由钢制成的并涂有硅氮化物以减少在操作期间颗粒的形成。在热处理期间，上轴承341被磁耦接至致动器(图中未示出)，致动器使圆柱体336、边缘环334和基板200旋转。
清洗环(purge ring)345被装配到腔室主体中而围绕圆柱体336。在一些实施方式中，清洗环345具有内部环形腔347，内部环形腔347打开朝向轴承341上方的区域。内部环形腔347通过通道349与气源(图中未示出)连接。在处理期间，清洗气体通过清洗环345流入所述腔室。
在一些实施方式中，支撑环334具有比圆柱体336的半径大的外半径，这样外半径向外延伸超出圆柱体336。超出圆柱体336的支撑环334的环形延伸部分与位于延伸部分下面的清洗环345共同作为挡板，挡板防止杂散光进入基板200的背侧的反射腔318。为了进一步减少杂散光进入反射腔318的可能性，支撑环334和清洗环345也可涂有能吸收灯头301所产生的辐射的材料(例如，黑色或灰色的材料)。
基板支撑件208可耦接至升降机构355，升降机构355能够相对于灯头301而升高和降低基板。例如，基板支撑件308可耦接至升降机构355，以使得在升降运动期间基板200与反射器302之间的距离是恒定的。
在一些实施方式中，基板支撑件308可适于磁悬浮，并在处理腔室300内旋转(图中未示出)。基板支撑件308能够在处理期间旋转同时垂直地升高和降低，且亦可在处理之前、处理期间或处理之后升高或降低而不旋转。升高/降低和/或旋转基板支撑件通常需要移动部件，故由于移动部件的不存在或减少，这种磁悬浮和/或磁场的旋转可防止或减少颗粒的产生。
因此，本发明已提供用于处理基板的方法和设备。本发明的实施方式提供了用于处理基板的方法。在一些实施方式中，本发明可促进足够的第一气体流流向基板的背侧，以减少在基板上的材料的升华或掺杂剂的扩散，从而防止材料在处理腔室的表面上沉积，从而提高处理效率。在一些实施方式中，本发明可提供在基板的背侧上沉积覆盖层，从而进一步减少在基板上的材料的升华或掺杂质的扩散。
虽然上述内容涉及本发明的实施方式，但是在不偏离本发明的基本范围的情况下，也可设计本发明的其他和更进一步的实施方式。

Claims (15)

1.一种处理设置于处理腔室中的基板的方法，所述方法包括：
在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；
在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于所述反射板中；以及
将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面且所述第二压力接近所述基板的底表面，其中所述第一压力大于所述第二压力而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
施加真空至所述一个或更多个通孔之一或更多者以产生第一气体流，所述第一气体流从所述基板的背侧流出，以减少施加至所述基板的背侧的压力量。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一压力比所述第二压力大至少2托。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述一个或更多个通孔被配置成容纳升降销或温度传感器至少之一。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述处理为退火处理。
6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括：
提供所述第一气体至所述基板的前侧，且在同一时间提供所述第一气体至所述基板的所述背侧。
7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中提供所述第一气体包括：
以第一流量提供所述第一气体；以及
在一段时间内增加所述第一流量至第二流量。
8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括：
由所述第一气体形成等离子体；以及
通过将所述基板的所述背侧暴露至所述等离子体所形成的激发态物种而在所述基板的所述背侧上形成覆盖层。
9.如权利要求8所述的方法，其中由所述第一气体形成所述等离子体包括：
在远程等离子体腔室中形成所述等离子体；以及
提供所述等离子体至所述处理腔室。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述覆盖层为氮化物层或氧化物层之一。
11.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有指令，当执行所述指令时，可产生一种用于处理基板的方法，所述方法将在处理腔室中执行且为权利要求1至3中任一项所述的方法。
12.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧，所述反射板具有多个通孔；
其中设置于所述反射板中的所述多个通孔中的至少一个通孔为入口，所述入口用以提供第一气体至接近所述基板的背侧的区域；以及
其中设置于所述反射板中的所述多个通孔中的至少一个通孔为出口，所述出口用以产生这些气体气流，所述气流流出所述基板的所述背侧。
13.如权利要求12所述的设备，进一步包括：
气源，所述气源耦接至所述入口；以及
真空泵，所述真空泵耦接至所述出口。
14.如权利要求12或13中任一项所述的设备，进一步包括：
第二入口，所述第二入口设置于所述处理腔室中，以提供所述第一气体至接近所述基板的前表面的区域。
15.如权利要求12或13中任一项所述的设备，进一步包括：
升降销或温度传感器至少之一，所述升降销或温度传感器至少之一设置于所述多个通孔的至少一些通孔中。
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