KR20100036381A - 박막 태양 전지 제조 중의 기판 온도 제어 방법 및 장치 - Google Patents

박막 태양 전지 제조 중의 기판 온도 제어 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

박막 태양 전지 제조 중의 기판 온도 제어 방법 및 장치가 제공된다. 이중 한 가지 방법은 제1 챔버에서 기판 안정화 시간 동안 기판을 예열시키기 위하여 기판상에 기판 안정화 프로세스를 실행하는 단계, 제2 챔버에 대한 대기 시간을 계산하는 단계로서, 상기 대기 시간은 상기 제2 챔버의 가용성, 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버로 기판을 전달하도록 구성된 진공 전달 로봇의 가용성, 또는 이들 모두에 기초하는, 대기 시간 계산 단계, 및 상기 대기 시간 동안 기판으로부터의 열 손실을 보상하기 위하여 상기 기판 안정화 시간을 조정하는 단계를 포함한다.

Description

박막 태양 전지 제조 중의 기판 온도 제어 방법 및 장치 {APPARATUSES AND METHODS OF SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL DURING THIN FILM SOLAR MANUFACTURING}
본 발명의 실시예들은 전체적으로 박막 태양 전지 제조 중에 기판의 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
결정질(crystalline) 실리콘 태양 전지 및 박막(thin film) 태양 전지는 태양 전지의 두 가지 유형이다. 결정질 실리콘 태양 전지는 통상적으로 단결정질(mono-crystalline) 기판(즉, 순수 실리콘의 단결정 기판)이나 다결정질(multi-crystalline) 실리콘 기판(즉, 다결정질(poly-crystalline) 또는 폴리실리콘(poly-silicon))을 이용한다. 광 포착(light capture)을 향상시키고, 전기 회로를 형성하며, 장치를 보호하기 위하여, 실리콘 기판에는 추가적인 막 층이 증착된다. p-i-n 접합을 형성하기 위하여, 박막 태양 전지는 적절한 기판상에 증착되는 얇은 재료층을 사용한다.
도 1은 광 또는 태양 복사(radiation)(101)를 향해 배향된, 단일 p-i-n 접합 박막 태양 전지(100)의 일정한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 태양 전지(100)는 유리 기판, 폴리머 기판, 금속 기판, 또는 기타 적절한 기판과 같은 기판(102)을 포함한다. 제1 투명 전도성 산화층(TCO 층)(110)이 기판(102) 위에 형성된다. 제1 TCO 층(110)의 위에는, p-도핑형 실리콘 층(122), 진성 실리콘 층(124), n-도핑형 실리콘 층(126)을 포함하는 단일 p-i-n 접합(120)이 형성된다. 일 실시예에서는, 비정질 실리콘 완충 층(amorphous silicon buffer layer)(도시되지 않음)이 p-도핑형 실리콘 층(122)과 진성 실리콘 층(124) 사이에 형성된다. 진성 실리콘 층(124)은 통상적으로 비정질 실리콘을 포함한다. 일 실시예에서, n-도핑형 실리콘 층(126)은 각각의 층이 상이한 저항율(resistivity)을 가지는 이중 층(dual layer)을 포함한다. 단일 p-i-n 접합부(120) 위에 제2 TCO 층(140)이 형성되고, 이 제2 TCO 층(140) 위에 금속 후위 반사층(metal back reflector layer)(150)이 형성된다.
도 2는 광 또는 태양 복사(201)를 향해 배향된 탠덤(tandem) p-i-n 접합 박막 태양 전지(200)의 일정한 실시예의 개략적인 다이어그램이다. 태양 전지(200)는 유리 기판, 폴리머 기판, 금속 기판, 또는 기타 적절한 기판과 같은 기판(102)을 포함한다. 제1 투명 전도성 산화층(TCO 층)(210)이 기판(202) 위에 형성된다. 제1 TCO 층(210)의 위에는, p-도핑형 실리콘 층(222), 진성 실리콘 층(224), n-도핑형 실리콘 층(226)을 포함하는 제1 p-i-n 접합(220)이 형성된다. 제1 p-i-n 접합(220)의 진성 실리콘 층(224)은 통상적으로 비정질 실리콘을 포함한다. 일 실시예에서는, 비정질 실리콘 완충 층(도시되지 않음)이 p-도핑형 실리콘 층(222)과 진성 실리콘 층(224) 사이에 형성된다. 제1 p-i-n 접합(220)의 위에는, p-도핑형 실리콘 층(232), 진성 실리콘 층(234), n-도핑형 실리콘 층(236)을 포함하는 제2 p-i-n 접합(230)이 형성된다. 제2 p-i-n 접합(230)의 진성 실리콘 층(234)은 통상적으로 미세결정질(microcrystalline) 실리콘을 포함한다. 제2 p-i-n 접합부(230) 위에 제2 TCO 층(240)이 형성되고, 이 제2 TCO 층(240) 위에 금속 후위 반사층(250)이 형성된다. 탠덤 p-i-n 접합 박막 태양 전지(200)는, 태양 복사 스펙트럼의 여러 부분들이 포착되도록, 통상적으로 상이한 재료의 진성 실리콘 층(224, 234)을 포함한다.
현재의 박막 태양 전지에서는 저 효율 및 고 비용이 문제된다. 따라서, 향상된 박막 태양 전지 형성 방법 및 장치가 요구된다.
본 발명의 실시예들은 전체적으로 박막 태양 전지 제조 중의 기판 온도 제어 방법 및 장치를 제공한다. 일 실시예에서는, 기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 이러한 방법은 제1 챔버에서 기판 안정화 시간 동안 기판을 예열시키기 위하여 기판상에 기판 안정화 프로세스를 실행하는 단계, 제2 챔버에 대한 대기 시간을 계산하는 단계로서, 상기 대기 시간은 상기 제2 챔버의 가용성(availability), 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버로 기판을 전달하도록 구성된 진공 전달 로봇의 가용성, 또는 상기 제2 챔버의 가용성과 상기 진공 전달 로봇의 가용성 모두의 조합에 기초하는, 대기 시간 계산 단계, 및 상기 대기 시간 동안 기판으로부터의 열 손실을 보상하기 위하여 상기 기판 안정화 시간을 조정하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서는 기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 이러한 방법은 전달 챔버, 상기 전달 챔버에 결합되는 하나 또는 그보다 많은 처리 챔버, 상기 전달 챔버 내에 배치되는 기판 전달 로봇, 및 상기 전달 챔버에 결합되고 다수의 가열 요소를 가지는 예열 챔버를 가지는 로드록(load-lock) 챔버를 진공 시스템에 제공하는 과정, 상기 기판을 상기 예열 챔버 내에서 제1 온도로 예열시키는 과정, 상기 기판 전달 로봇으로 상기 기판을 상기 예열 챔버로부터 p-i-n 접합의 p형 실리콘 층을 증착하도록 구성된 제1 처리 챔버로 전달하는 과정, 및 제2 온도에서 상기 기판상에 p-i-n 접합의 p형 실리콘 층을 형성하는 과정을 포함한다.
또 다른 실시예에서는, 기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 진공 시스템이 제공된다. 이러한 시스템은 전달 챔버, 상기 전달 챔버에 결합되는 하나 또는 그보다 많은 처리 챔버, 상기 전달 챔버 내에 배치되는 기판 전달 로봇, 및 상기 전달 챔버에 결합되는 로드록 챔버를 포함한다. 상기 로드록 챔버는 제1 배기가능 챔버, 제2 배기가능 챔버, 및 기판 안정화 시간 동안 상기 기판상에 온도 안정화 프로세스를 실행하도록 구성된 예열 챔버를 포함한다.
본 발명의 상기 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록 하기 위하여, 위에서 간략하게 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예를 참조하여 이루어질 것이며, 이들 실시예 중 일부는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 동일한 효과를 가지는 다른 실시예를 허용하고 있으므로, 첨부된 도면은 본 발명의 통상적인 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니라는 점에 주의하여야 한다.
도 1은 단일 p-i-n 접합 박막 태양 전지의 일정한 실시예의 개략적인 다이어그램이다.
도 2는 탠덤 p-i-n 접합 박막 태양 전지(200)의 일정한 실시예의 개략적인 다이어그램이다.
도 3은 다수의 PECVD 프로세스 챔버를 가지는 프로세스 시스템의 일 실시예에 대한 상부 개략도이다.
도 4는 다수의 PECVD 프로세스 챔버를 가지는 프로세스 시스템의 다른 실시예에 대한 상부 개략도이다.
도 5는 로드록 챔버의 일 실시예의 개략적인 횡단면도이다.
도 6은 플라스마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버의 일 실시예의 개략적인 횡단면도이다.
이해를 돕기 위하여, 도면에서 공통되는 동일한 요소들을 표시하는데 있어서는 가능하다면 동일한 참조부호가 사용되었다. 일 실시예에 나타난 요소들은 구체적인 언급이 없더라도 다른 실시예에 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 박막 태양 전지 제조 중에 기판 온도를 제어하는 향상된 방법 및 장치를 포함한다.
도 3은, 제조에 알맞은 프로세스로, 도 1 및 도 2의 태양 전지와 같은, 박막 태양 전지를 형성하기 위해 실리콘 막을 증착하도록 구성된 다수의 PECVD 프로세스 챔버(331-335)를 가지는 프로세스 챔버(300)의 일 실시예에 대한 상부 개략도이다. 프로세스 시스템(300)은 프로세스 챔버(331-335)에 결합되고 로드록 챔버(310)에 결합되는 전달 챔버(320)를 포함한다. 로드록 챔버(310)는 시스템 외부의 대기 환경과 프로세스 챔버(331-335) 내부 및 전달 챔버(320) 내의 진공 환경 사이에서 기판이 전달될 수 있게 한다. 로드록 챔버(310)는 하나 또는 그보다 많은 기판을 유지하는 하나 또는 그보다 많은 배기가능 영역(evacuable region)을 포함한다. 배기가능 영역은 시스템(300)으로 기판을 입력하는 동안 펌프 다운(pump down)되며, 시스템(300)으로부터 기판을 배출하는 동안 배기(vent)된다. 전달 챔버(320)는 그 내부에 배치되는 하나 이상의 진공 로봇(322)을 가지는데, 이러한 진공 로봇은 로드록 챔버(310)와 프로세스 챔버(331-335) 사이에서 기판을 전달하도록 구성된다. 시스템 제어기(340)는 진공 로봇(322)을 포함하여 전달 챔버(320)와, 프로세스 챔버(331-335), 그리고 시스템(300)에 결합되는 파이로미터(pyrometer)(350)와 같은 온도 측정 장치를 제어한다. 도 3에는 5개의 프로세스 챔버가 도시되어 있다. 그러나, 도 4에 도시된 시스템(400)의 7개의 프로세스 챔버(431-437)와 같이, 시스템은 적절한 어떠한 개수의 프로세스 챔버도 가질 수 있다.
도 4는 다수의 PECVD 프로세스 챔버(431-437)를 가지는 프로세스 챔버의 다른 실시예의 상부 개략도이다. 도 3의 시스템(300)과 관련하여 설명한 바와 같이, 도 4의 시스템(400)은 프로세스 챔버(431-437)에 결합되고 로드록 챔버(410)에 결합되는 전달 챔버(420)를 포함한다. 로드록 챔버(410)는 하나 이상의 진공 로봇(422)을 가진다. 시스템 제어기(440)는 로드록 챔버(410)와, 진공 로봇(422)을 포함하여 전달 챔버(420)와, 프로세스 챔버(431-437), 그리고 시스템(400)에 결합되는 파이로미터(450)와 같은 온도 측정 장치를 제어한다.
도 5는 로드록 챔버(500)의 일 실시예에 대한 개략적인 횡단면도이다. 로드록 챔버(500)는 제1 배기가능 챔버(510) 및 제2 배기가능 챔버(520)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 각각의 배기가능 챔버(510, 520)는 2개의 기판을 유지시키도록 구성된 2개 세트의 기판 지지부(530a, 530b)를 가진다. 다른 실시예들에서는, 각각의 배기가능 챔버(510, 520)가 하나 또는 그보다 많은 기판을 유지하기 위하여 적절한 어떠한 개수의 기판 지지부 세트도 가질 수 있다. 로드록 챔버(500)는 기판을 예열시키기 위하여, 가열 램프(예를 들어 적외선 가열 램프)와 같은 다수의 가열 요소(542)를 가지는 예열 챔버(540)를 더 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 예열 챔버(540)는 한 세트의 기판 지지부(530)를 가진다. 다른 실시예들에서는, 예열 챔버가 하나 또는 그보다 많은 기판을 유지시키기 위하여 적절한 어떠한 개수의 기판 지지부 세트도 가질 수 있다.
도 6은 플라스마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버(600)의 일 실시예에 대한 개략적인 횡단면도이다. 적절한 플라스마 강화 화학 기상 증착 챔버 중 하나는 캘리포니아, 산타 클라라에 위치하는 Applied Materials, Inc. 로부터 구입할 수 있다. 본 발명을 실시하는데 있어서는, 다른 제조업체들로부터 구입하는 것을 포함하여, 다른 증착 챔버도 사용될 수 있다.
챔버(600)는 일반적으로 벽(602), 바닥(604), 샤워헤드(610), 및 기판 지지부(630)를 포함하며, 이들은 프로세스 용적(606)을 형성한다. 프로세스 용적은, 기판이 챔버(600) 내외로 전달될 수 있도록, 밸브(608)를 통해서 접근된다. 밸브(608)를 밀봉하기 위하여 슬릿 밸브 도어(slit valve door)(607)가 제공된다. 기판 지지부(630)는 기판 지지부(630)를 승강 및 하강시키기 위하여 리프트 시스템(lift system)(636)에 결합된 축(stem)(634) 및 기판을 지지하기 위한 기판 수용 표면(632)을 포함한다. 기판의 주변 위에 선택적으로 쉐도우 프레임(shadow frame)(633)이 배치될 수 있다. 리프트 핀(638)이 기판 지지부(630)를 통해 이동가능하게 배치되어 기판을 기판 수용 표면(632)으로부터 그리고 기판 수용 표면으로 이동시킨다. 기판 지지부(630)는 또한 기판 지지부(630)를 원하는 온도로 유지하기 위하여 가열 및/또는 냉각 요소(639)를 포함할 수 있다. 또한 기판 지지부(630)는 기판 지지부(630)의 주변에 RF 접지(grounding)를 제공하기 위하여 접지 스트랩(grounding strap)(631)을 포함할 수 있다.
샤워헤드(610)는 서스펜션(614)에 의하여 그 주변에서 후면 플레이트(612)에 결합된다. 샤워헤드(610)는 또한, 샤워헤드(610)의 진직도(straightness)/굴곡(curvature)의 제어 및/또는 처짐(sag)을 방지하는 것을 돕기 위하여 하나 또는 그보다 많은 중앙 지지부(616)에 의하여 후면 플레이트에 결합될 수도 있다. 후면 플레이트(612)에는 가스 소스(620)가 결합되어 후면 플레이트(612) 및 샤워헤드(610)를 통하여 기판 수용 표면(632)으로 가스를 공급한다. 챔버(600)에는 진공 펌프(609)가 결합되어 프로세스 용적(606)을 원하는 압력으로 제어한다. 후면 플레이트(612) 및/또는 샤워헤드(610)에는 RF 전력 소스(622)가 결합되어 샤워헤드(610)로 RF 전력을 제공하고, 이로써 샤워헤드(610) 및 기판 지지부(630) 사이에서 가스로부터 플라스마가 생성될 수 있도록 샤워헤드와 기판 지지부 사이에 전기장이 형성되게 된다. 약 0.3 MHz 내지 약 200 MHz 사이의 주파수와 같이, 다양한 RF 주파수가 사용될 수 있다. 일 실시예에서 RF 전력 소스는 13.56 MHz의 주파수에서 제공된다.
또한 가스 소스와 후면 플레이트 사이에 원격 플라스마 소스(624)도 결합될 수 있다. 기판의 처리과정 사이에, 챔버 부품들을 세정하기 위해 원격 플라스마가 생성되어 제공되도록, 세정 가스가 원격 플라스마 소스(624)로 제공될 수 있다. 세정 가스는 샤워헤드에 제공된 RF 전력 소스(622)에 의해 추가로 여기될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예에서는, 도 4의 시스템(400)이나 도 3의 시스템(300)과 같은 시스템이 도 1의 단일 p-i-n 접합이나 도 2의 p-i-n 접합(230, 240) 중 하나와 같은 단일 p-i-n 접합을 증착하도록 구성된다. 도 3의 프로세스 챔버(331-335) 중 하나 또는 도 4의 프로세스 챔버(431-437) 중 하나와 같이, 프로세스 챔버 중 하나(즉, P-챔버)가 p-i-n 접합의 p-도핑형 실리콘 층을 증착하도록 구성되는 한편, 도 3의 나머지 프로세스 챔버(331-335) 또는 도 4의 나머지 프로세스 챔버(431-437)와 같이, 나머지 프로세스 챔버는 진성 실리콘 층 및 n-도핑형 실리콘 층 모두를 증착하도록 각각 구성된다(즉 I-N 챔버). 따라서, 기판은 로드록 챔버를 통해 시스템으로 들어간다. 일정한 실시예들에서는, 진공 로봇이 기판을 예열 챔버로 전달한다. 이후 진공 로봇은 기판을 P-챔버로 전달한다. 이후, 진공 로봇은 기판을 I-N 챔버로 전달한다. 이후, 진공 로봇은 기판을 다시 로드록 챔버로 전달한다.
일정한 경우에, 진공 로봇은 챔버로부터 기판을 제거한 후, 예를 들어 다음 챔버가 다른 기판, 프로세스를 처리하고 있을 수 있으므로, 기판을 다음 챔버로 전달하기 위하여 다음 챔버가 이용가능하게 될 때까지 대기하여야 할 수 있다. 예를 들어, 진공 로봇은 예열 챔버로부터 기판을 제거한 이후에 P-챔버가 준비되기를 기다려야 할 수 있다. 다른 예에서는, 진공 로봇이 P-챔버로부터 기판을 제거한 이후에 I-N 챔버가 준비되기를 기다려야 할 수 있다. 대기하는 동안, 기판은 열 손실을 받게 된다. 일정한 실시예들에서는, 도 3의 시스템 제어기(340) 또는 도 4의 시스템 제어기(440)와 같은 시스템 제어기가 다음 개방 챔버에 대한 대기 시간을 결정한다. 진공 로봇 상에서의 대기 시간에 따라서, 시스템 제어기는, 대기 시간 동안 기판의 열 손실을 보상하기 위하여, 다음 개방 챔버에서 실행되는 기판 온도 안정화 단계를 늘린다.
예를 들어, 진공 로봇은 P-챔버로부터 기판을 제거한다. 진공 로봇 상에서 I-N 챔버에 대한 대기 시간이 60 내지 70초이면, 기판 온도 안정화 단계는 진공 로봇 상에서 대기하였던 기판의 처리과정 동안에 추가적으로 30초 내지 45초의 기판 온도 안정화 시간만큼 연장된다.
태양 전지의 성능은 진성 층 사이에서의 막 성장 온도에 매우 민감하다. 이론(theory)에 의해 제한되기를 원하지는 않지만, 이러한 인터페이스의 제어는 중요한 것으로 여겨지는데, 이는 p-도핑형 실리콘 층과 진성 층 인터페이스에 대한 손상으로 인해 p-도핑형 실리콘 층으로부터 p-형 도펀트(dopant)가 진성 실리콘 층으로 확산될 수 있고, 이에 따라 p-도핑형 실리콘 층과 진성 층의 인터페이스에서 전자-정공 쌍의 재결합의 증가로 인해 흡수(absorber) 진성 층으로부터 광 수집 효율을 감소시키기 때문이다. 다른 이론에서는, 실리콘 막의 증착 동안에 온도를 유지하게 되면 품질 및 전도성의 균일성을 향상시키는 것을 도우며, 이에 따라 효율을 향상시키는 것으로 여겨진다.
따라서, 시스템 제어기는 진공 로봇 상의 대기 시간에 기초하여 기판 온도 안정화 시간을 능동적으로 조정한다. 일정한 실시예들에서는, 기판 온도 안정화 시간에 대한 조정이 여러 전달 또는 진공 로봇 대기 시간에 대해 미리 결정된 시간으로부터 추론될 수 있다. 다른 실시예들에서는, 기판 온도 안정화 시간에 대한 조정이 기판의 실제 온도에 기초하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판의 온도는 PECVD 챔버의 바로 바깥이나 전달 챔버 내에 위치하는 파이로미터(pyrometer)에 의해 측정될 수 있다. 이렇게 하여, 기판의 온도에 기초하여 기판 온도 안정화 시간이 조정된다.
증착 챔버의 전방에 위치한 온도 센서(파이로미터)를 사용하여 온도 손실이 측정될 수 있으며, 이로써 파이로미터로부터 측정된 온도에 따라 소프트웨어가 "연장된(extended)" 안정화를 설정할 수 있다.
일정한 경우에, 기판은 P-챔버로부터 제거되기 위해 진공 로봇이 준비되기를 기다려야만 한다. 통상적으로, 기판은 리프트 핀에 의해 기판 지지부로부터 이동된 비-접촉 위치에서 대기한다. 따라서, 기판은 열 손실을 받게 된다. 이러한 열 손실을 보상하기 위하여, 기판이 P-챔버로부터 제거되기 위해 진공 로봇이 준비되기를 기다려야만 한다면, 시스템 제어기는 기판을 기판 지지부상에서 접촉 위치로 이동시키면서 진공 로봇이 전달에 사용될 수 있을 때까지 기판 지지부 가열 요소가 기판을 가열한다. 이와 같은 기판의 가열 중에, 균일한 기판 온도를 유지하기 위하여 헬륨, 수소, 또는 다른 비-반응성 가스와 같은 가스 유동이 제공될 수 있다. 일정한 실시예들에서는, 기판 온도를 균일하게 하는 것을 돕기 위하여 가스 유동이 고압으로 제공된다.
다른 실시예들에서, 예열 챔버 내에서의 기판의 예열과정은 P-챔버 내에서 원하는 기판 온도 약간 위의 예열 온도로 설정된다. 더 높은 예열 챔버는 기판이 예열 챔버로부터 P-챔버로 전달될 때의 열 손실을 보상한다.
실시예
본 명세서에서 개시되는 실시예들은 단지 예시적인 것일 뿐, 청구범위에서 명시적으로 기술하지 않는 한 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다. 아래에서 설명된 프로세스 조건들은 예시적인 것이다. 다른 프로세스 조건 및 범위도 가능할 수 있다.
실시예 1
57,200 cm2의 표면적 및 3 mm의 두께를 가지는 기판이, 캘리포니아주 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 구입할 수 있는 PECVD 60K Thin Film Solar 시스템 내에서, 단일 접합 P-I-N 태양 전지를 형성하도록 처리되었다. PECVD 60K Thin Film Solar 시스템의 내부 챔버 용적은 약 2,700리터이다.
표 1은 예열 챔버로부터 P-챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 p-도핑형 비정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 1 Torr 내지 4 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 800 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. p형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5%로 제공된 트리메틸보론(trimethylboron; TMB)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) TMB(0.5%)/H2 운반 가스(sccm) 메탄 (sccm) 아르곤 (sccm) RF (W) 시간 (초)
온도 안정화 0 0 0 0 75,000 0 5
플라스마 안정화 0 0 0 0 40,000 1,500 30
P-도핑형 a-실리콘 층 8,850 42,000 9,000 8,550 0 2,900 22
표 2는 P-챔버로부터 I-N 챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 진성 비정질 실리콘 층 및 n-도핑형 비정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 1 Torr 내지 4 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 800 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. n형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5% 몰(molar) 또는 체적 농도로 제공된 포스핀(phosphine)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) PH3/H2 운반가스(sccm) RF (W) 시간 (초)
기판 온도 안정화 0 60,000 0 0 20
플라스마 안정화 0 60,000 0 2,800 15
진성 실리콘 층 9,000 112,500 0 3,000 696
N-도핑형 a-실리콘 층 2,500 내지 5,000 사이, 예를 들어, 3,000 7,500 내지 22,000 사이, 예를 들어, 13,500 1,250 내지 15,000 사이, 예를 들어, 9,900 3,200 49
실시예 2
57,200 cm2의 표면적 및 3 mm의 두께를 가지는 기판이, 캘리포니아주 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 구입할 수 있는 PECVD 60K Thin Film Solar 시스템 내에서, 탠덤 접합 P-I-N 태양 전지를 형성하도록 처리되었다. PECVD 60K Thin Film Solar 시스템의 내부 챔버 용적은 약 2,700리터이다.
표 3은 예열 챔버로부터 P-챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 제1 p-i-n 접합의 p-도핑형 비정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 1 Torr 내지 4 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 800 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. p형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5%로 제공된 트리메틸보론(trimethylboron; TMB)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) TMB/H2 운반 가스(sccm) 메탄 (sccm) 아르곤 (sccm) RF (W) 시간 (초)
기판 온도 안정화 0 0 0 0 75,000 0 5
플라스마 안정화 0 0 0 0 40,000 1,500 30
P-도핑형 a-실리콘 층 8,850 42,000 9,000 8,550 0 2,900 22
표 4는 P-챔버로부터 I-N 챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 제1 p-i-n 접합의 n-도핑형 미세결정질 실리콘 층 및 진성 비정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 1 Torr 내지 12 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 800 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. n형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5% 몰(molar) 또는 체적 농도로 제공된 포스핀(phosphine)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) PH3/H2 운반가스(sccm) RF (W) 시간 (초)
기판 온도 안정화 0 60,000 0 0 20
플라스마 안정화 0 60,000 0 2,800 15
진성 실리콘 층 9,000 112,500 0 3,000 696
N-도핑형 mc-실리콘 층 600 180,000 1,300 2,100 181
표 5는 예열 챔버로부터 P-챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 제2 p-i-n 접합의 p-도핑형 미세결정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 4 Torr 내지 12 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 1,500 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. p형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5%로 제공된 트리메틸보론(trimethylboron; TMB)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) TMB/H2 운반가스(sccm) RF (W) 시간 (초)
기판 온도 안정화 0 60,000 0 0 5
플라스마 안정화 0 60,000 0 5,000 30
P-도핑형 mc-실리콘 층 500 325,000 500 18,000 195
표 6은 P-챔버로부터 I-N 챔버까지 0 또는 최소의 대기시간을 가지는 PECVD 챔버에서 제2 p-i-n 접합의 n-도핑형 비정질 실리콘 층 및 진성 미세결정질 실리콘 층을 증착하기 위한 프로세스 조건을 보여주고 있다. 처리과정 동안에, 압력은 약 1 Torr 내지 12 Torr 사이로 설정되었고; 간격(spacing)은 400 mil 내지 약 800 mil 사이로 설정되었고; 기판 지지부의 온도는 약 150 ℃ 내지 약 300 ℃ 사이로 설정되었다. n형 도펀트는 H2 와 같은 운반 가스 내에 0.5% 몰(molar) 또는 체적 농도로 제공된 포스핀(phosphine)이었다.
실란 (sccm) 수소 (sccm) PH3/H2 운반가스(sccm) RF (W) 시간 (초)
기판 온도 안정화 0 100,000 0 0 20
플라스마 안정화 0 100,000 0 5,000 15
진성 mc-실리콘 층 2,042 204,200 0 28,000 2,888
N-도핑형 a-실리콘 층 600 180,000 1,300 2,100 181
또한 본 발명의 실시예들은 인-라인(in-line) 시스템 및 하이브리드 인-라인/클러스터 시스템(hybrid in-line/cluster system)상에서도 실행될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 제1 p-i-n 접합 및 제2 p-i-n 접합을 형성하도록 구성된 제1 시스템을 참조하여 설명되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시예들에서는, 제1 p-i-n 접합 및 제2 p-i-n 접합이 단일 시스템에서 실행될 수도 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 진성 층 및 n형 층 모두를 증착하도록 구성된 프로세스 챔버를 참조하여 설명되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시예들에서는, 별도의 챔버가 진성 층 및 n형 층을 증착하도록 구성될 수도 있다. 또한 본 발명의 다른 실시예들에서는 프로세스 챔버가 p형 층 및 진성 층 모두를 증착하도록 구성될 수도 있다.
실시예 3
표 7은 실시예 2 및 3에서 설명된 기판 온도 안정화 시간에 제공되는 추가 기판 온도 안정화 시간의 일례이다. 이러한 조정은 진공 로봇 대기 시간이나 측정된 기판 온도에 기초하여 이루어질 수 있다.
진공 로봇 대기 시간(초) 기판 온도(℃) 추가적인 온도 안정화 시간(초)
0 200 0
28 190 23
30 189 24
60 182 35
70 180 38
115 170 51
120 169 52
173 160 63
180 157 65
229 150 74
240 147 76
290 140 84
300 137 86
357 130 95
600 115 126
기판 내에서의 균일성(within-substrate uniformity) 및 런-투-런(run-to-run) 균일성 모두에 관하여 태양 전지 성능의 변동에서의 향상과 함께 박막 태양 전지 제조 중의 향상된 기판 온도 제어 방법 및 장치가 제공되었다. 이론에 제한되지 않기 때문에, 본 발명의 발명자들은 PIN 형 실리콘 박막 태양 전지의 성능이 여러 가지 이유로 인해서 막 성장 온도에 매우 민감하다는 것을 발견하였다. 먼저, 윈도우(window) 층 P형 반도체 막 품질은 온도에 의해 야기된 전도성 변동으로 인해서 온도에 매우 민감하다. 둘째로, P형 층 및 I형 층 인터페이스에서의 온도 제어는 청색 광(blue light) 흡수를 방지하기 위해 중요하며, 인터페이스가 p형 층으로부터의 도펀트의 확산에 의해 손상된다면 흡수 진성층으로부터의 광 수집 효율은 P-I 인터페이스에서 전자-정공 쌍들의 재결합 증가로 인해 심각하게 영향을 받게 될 것이다. 셋째로, I형 층 증착 온도가 도펀트 확산을 위한 한계 온도보다 더 크다면, P-I 인터페이스로의 도펀트 확산 증가가 태양 전지 성능에 크게 영향을 미치게 된다. 따라서, 처리과정 동안에 기판 전달 및 막 증착 프로세스 동안의 온도 제어를 정확하게 제공하는, 본 명세서에서 제공된 장치 및 방법이 필요하다.
전술한 설명이 본 발명의 실시예들에 관한 것이었으나, 본 발명의 다른 또는 추가적인 실시예들도 본 발명의 기본 범위 내에서 안출될 수 있을 것이며, 본 발명의 범위는 이하의 청구범위에 의해 결정된다. 예를 들어, 프로세스 챔버는 수평 위치에 있는 것으로 도시되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시예들에서는 프로세스 챔버가, 수직 위치와 같이, 임의의 비-수평 위치에 있을 수도 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 다중 프로세스 챔버 클러스터 기구를 참조하여 설명되었다. 그러나 본 발명의 실시예들은 인-라인 시스템 및 하이브리드 인-라인/클러스터 시스템에서 실행될 수도 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 제1 p-i-n 접합 및 제2 p-i-n 접합을 형성하도록 구성된 제1 시스템을 참조하여 설명되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시예들에서는 제1 p-i-n 접합 및 제2 p-i-n 접합이 단일 시스템 내에서 형성될 수도 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 진성 층 및 n형 층 모두를 증착하도록 구성된 프로세스 챔버를 참조하여 설명되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시예들에서는 독립된 챔버들이 진성 층 및 n형 층을 증착하도록 구성될 수도 있을 것이다. 또한 본 발명의 다른 실시예들에서는 프로세스 챔버가 p형 층 및 진성 층 모두를 증착하도록 구성될 수도 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법으로서,
    제1 챔버에서 기판 안정화 시간 동안 기판을 예열시키기 위하여 기판상에 기판 안정화 프로세스를 실행하는 단계;
    제2 챔버에 대한 대기 시간을 계산하는 단계로서, 상기 대기 시간은 상기 제2 챔버의 가용성(availability), 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버로 기판을 전달하도록 구성된 진공 전달 로봇의 가용성, 또는 상기 제2 챔버의 가용성과 상기 진공 전달 로봇의 가용성의 조합에 기초하는, 대기 시간 계산 단계; 및
    상기 대기 시간 동안 기판으로부터의 열 손실을 보상하기 위하여 상기 기판 안정화 시간을 조정하는 단계;를 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    조정된 온도 안정화 시간의 만료 이후에 상기 기판을 상기 제2 챔버로 전달하는 단계를 더 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 안정화 프로세스를 실행하는 단계는, 상기 기판을 처리하기 위한 온도보다 더 높은 온도로 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열 손실을 보상하기 위해 온도 안정화 시간을 조정하는 단계는 상기 온도 안정화 시간을 증가시키는 단계를 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 온도 안정화 시간이 상기 기판의 실제 온도에 기초하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 챔버가 다수의 가열 요소를 가지는 예열 챔버를 포함하는 로드록 챔버이고, 상기 제2 챔버는 p-i-n 접합의 p형 실리콘 층을 증착하도록 구성된 처리 챔버인,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 온도 안정화 단계를 실행한 이후에 상기 제1 챔버 내에서 기판상에 p-i-n 접합의 p형 실리콘 층을 형성하는 단계; 및
    상기 조정된 온도 안정화 시간의 만료 이후에 상기 제2 챔버 내에서 상기 p-i-n 접합의 진성 실리콘 층 및 n-도핑형 실리콘 층 모두를 형성하는 단계;를 더 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 리프트 핀에 의하여 지지되는 비-접촉 위치로부터 상기 기판이 기판 지지부에 의해 지지되는 접촉 위치로 상기 기판을 이동시키는 단계;
    상기 조정된 온도 안정화 시간이 만료될 때까지 상기 기판 지지부로 상기 기판을 가열하는 단계; 및
    상기 기판 지지부로 상기 기판을 가열하면서 균일한 기판 온도를 유지하기 위하여 헬륨이나 수소와 같은 비-반응성 가스를 유동시키는 단계;를 더 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 방법.
  9. 기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 진공 시스템으로서,
    전달 챔버;
    상기 전달 챔버에 결합되는 하나 또는 그보다 많은 처리 챔버;
    상기 전달 챔버 내에 배치되는 기판 전달 로봇; 및
    상기 전달 챔버에 결합되는 로드록 챔버로서,
    제1 배기가능 챔버;
    제2 배기가능 챔버; 및
    기판 안정화 시간 동안 상기 기판상에 온도 안정화 프로세스를 실행하도록 구성된 예열 챔버;를 구비하는 로드록 챔버;를 포함하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 진공 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    시스템 제어기를 더 포함하고, 상기 시스템 제어기는 상기 시스템이,
    제1 챔버에서 기판 안정화 시간 동안 기판을 예열시키기 위하여 기판상에 기판 안정화 프로세스를 실행하는 과정;
    제2 챔버에 대한 대기 시간을 계산하는 과정으로서, 상기 대기 시간은 상기 제2 챔버의 가용성, 상기 기판 전달 로봇의 가용성, 또는 상기 제2 챔버의 가용성과 상기 기판 전달 로봇의 가용성의 조합에 기초하는, 대기 시간 계산 과정; 및
    상기 대기 시간 동안 기판으로부터의 열 손실을 보상하기 위하여 상기 기판 안정화 시간을 조정하는 과정;을 실행하도록 하는,
    기판 위에 박막 태양 전지를 형성하기 위한 진공 시스템.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100089318A1 (en) * 2008-09-12 2010-04-15 Ovshinsky Stanford R Remote Plasma Apparatus for Manufacturing Solar Cells
TW201101524A (en) * 2009-06-29 2011-01-01 Bay Zu Prec Co Ltd Manufacturing device for electrode of solar cell
KR101113328B1 (ko) * 2009-12-30 2012-03-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 도전막 형성방법
CN102346082A (zh) * 2011-07-30 2012-02-08 常州天合光能有限公司 电池片焊接熔锡温度的测量方法
US20130045560A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Kenneth P. MacWilliams Techniques and systems for fabricating anti-reflective and passivation layers on solar cells
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
JP2014139980A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Hitachi High-Technologies Corp 試料処理装置およびその方法並びに荷電粒子線装置
KR20150132506A (ko) * 2013-03-15 2015-11-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 소형 배치 기판 핸들링 시스템을 위한 온도 제어 시스템 및 방법
US10720348B2 (en) 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
KR20200086582A (ko) * 2019-01-09 2020-07-17 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
CN115810691A (zh) * 2022-01-29 2023-03-17 宁德时代新能源科技股份有限公司 电池生产系统及电池生产方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0714077B2 (ja) * 1988-04-07 1995-02-15 富士電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
JPH09289201A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH1046345A (ja) * 1996-08-01 1998-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱処理装置
JP4086967B2 (ja) * 1998-06-18 2008-05-14 日本碍子株式会社 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置
JP4010068B2 (ja) * 1998-11-12 2007-11-21 日新電機株式会社 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
JP2000150619A (ja) * 1999-01-01 2000-05-30 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JP2000243992A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
JP2004523880A (ja) * 2000-09-15 2004-08-05 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 処理装置用ダブル二重スロット式ロードロック
JP2002158273A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Anelva Corp 真空処理装置
US6673716B1 (en) * 2001-01-30 2004-01-06 Novellus Systems, Inc. Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques
US6824343B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20050150542A1 (en) * 2004-01-13 2005-07-14 Arun Madan Stable Three-Terminal and Four-Terminal Solar Cells and Solar Cell Panels Using Thin-Film Silicon Technology
US7432184B2 (en) * 2005-08-26 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system using designated PVD chambers
US20070080141A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Low-voltage inductively coupled source for plasma processing

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