CN101693719A - 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 - Google Patents
以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101693719A CN101693719A CN200910197611A CN200910197611A CN101693719A CN 101693719 A CN101693719 A CN 101693719A CN 200910197611 A CN200910197611 A CN 200910197611A CN 200910197611 A CN200910197611 A CN 200910197611A CN 101693719 A CN101693719 A CN 101693719A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thia
- compound
- naphthalenetetracarbacidic acidic
- tetracarboxylic acid
- conjugated compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 47
- 241000534944 Thia Species 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- -1 1,1-dicyano-2,2-dithiol disodium salt Chemical compound 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 2
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 27
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical compound BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003480 eluent Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PHSPJQZRQAJPPF-UHFFFAOYSA-N N-alpha-Methylhistamine Chemical compound CNCCC1=CN=CN1 PHSPJQZRQAJPPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008431 aliphatic amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000010813 municipal solid waste Substances 0.000 claims description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLWLTDZLUVBSRJ-UHFFFAOYSA-K chembl2360149 Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].O=C1C(N=NC=2C=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)=C(C(=O)[O-])NN1C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZLWLTDZLUVBSRJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 2
- ILQHFISNNSQESO-UHFFFAOYSA-N naphthalene;hydrobromide Chemical compound Br.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 ILQHFISNNSQESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- NIUKKUVCMDAXMS-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetrabromo-3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(Br)C(Br)=CC2=C(C(O)=O)C(Br)(C(O)=O)C(C(O)=N)(Br)C(C(=N)O)=C21 NIUKKUVCMDAXMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 36
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical group ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 12
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASAVFBNAUMXKHJ-UHFFFAOYSA-N 2-decyltetradecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(CN)CCCCCCCCCC ASAVFBNAUMXKHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000840 electrochemical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002451 electron ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
Abstract
Description
技术领域
本发明涉及一种可溶液法成膜的n-型有机半导体材料,具体地说涉及一类以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制备方法和作为有机半导体材料在有机薄膜场效应晶体管中的应用。
背景技术
有机薄膜场效应晶体管(organic thin film transistors,简称OTFT)是通过电场来控制有机半导体材料导电能力的有源器件。OTFT具有制备工艺简单、成本低、质量轻、柔韧性、和塑料衬底良好的兼容性等优点,其在柔性显示、有机射频电子商标(ORFID)、有机传感器等方面有着广阔的应用前景(Forrest,S.R.Nature.2004,428,911-918;Korzhov,M.et al.Physics Word.2008,29-33;Leenen,M.A.M.et al.Phys.Status Solidi A.2009,206,588-597;Special issue:Organic Electronics and Optoelectronics,Forrest,S.R.;Thompson,M.E.ed.Chem.Rev.2007,107,923-1386;Rogers,J.A.et al.Proc Natl AcadSci USA.2009,106,10875-10876.等)。随着OTFT和相关领域技术的发展,轻薄、便携、可弯曲、可贴身穿戴、个性时尚的有机电子产品将逐步走进人们的生活,并将给电子产业和人类的生活带来革命性的变化。
有机半导体材料是OTFT的关键组份,按其传输载流子的类型,分为p-型有机半导体材料(空穴传输)和n-型有机半导体材料(电子传输)。整体来说,p-型有机半导体材料发展较快,一些分子材料的OTFT性能可以和无定型硅相媲美。n-型有机半导体材料对于构筑有机p-n结二极管、双极性晶体管和低功耗、高噪声容限的互补电路具有举足轻重的作用(Newman,C.R.et al Chem.Mater.2004,16,4436-4451;Klauk,H.etal.Nature.2007,445,745-748;Yan,H.et al.Nature.2009,457,679-686)。然而,n-型有机半导体材料发展滞后,高性能、环境稳定、易加工的n-型有机半导体材料极为短缺,已成为OTFT发展的技术瓶颈(Jones,B.A.et al.J.Am.Chem.Soc.2007,129,15259-15278;Oh,J.H.et al.Proc Natl Acad Sci USA.2009,106,6065-6070;Adv.Funct.Mater.2009,19,2365-2372.等)。
萘四羧酸二酰亚胺(NDI)是一类典型的n-型有机半导体材料,广泛用于制备n-型OTFT器件。然而,其较小的共轭芳环,在固体结构中难以形成有效的π-π堆积,其OTFT器件的电子迁移率较低;另一方面,用溶液加工方法制备的NDI-OTFT器件较少,而且成膜性较差、性能较低。叶树堂等人在CN1990488A中披露的n-型有机半导体材料为以NDI为核的苯环稠合的共轭化合物,该类化合物的薄膜器件为真空蒸镀法制备,电子迁移率限于10-2cm2/Vs。为了寻求兼具高电子迁移率、环境稳定、易加工性能的n-型有机半导体材料,发明人披露一种未见报道的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭分子材料,并将其应用于OTFT器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物。
本发明的又一目的还在于提供上述以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物的制备方法。
本发明的另一目的在于提供上述以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物的应用,用作高性能的n-型有机半导体材料构筑OTFT器件。
本发明提供的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物,其结构如下式所示:
式中R为C1~C30的烷基,可以是正烷基或支烷基等。
本发明制备以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物的方法,其步骤如下:
A)萘四甲酸二酐(NDA)和液溴(Br2)以摩尔比1∶5~8在5~20%的发烟硫酸中于100~140℃加热反应72~168小时,反应液降至室温,倾入一定量碎冰中,过滤、真空干燥,得黄色粉末固体,即2,3,6,7-四溴代萘四甲酸二酐(TBNDA),产率在80%~96%;
B)步骤A制备的TBNDA与脂肪胺(RNH2)以摩尔比1∶2~4在有机溶剂中于110~140℃加热反应0.5~2小时,反应液降至室温,倾入水中,过滤得黄色固体;推荐采用乙酸有机溶剂;
C)步骤B制备的产物与三溴化磷(PBr3)以摩尔比1∶3~6在有机溶剂中于80~110℃加热反应0.5~3小时;推荐采用甲苯或二甲苯有机溶剂;
D)步骤C制备的产物与1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐以摩尔比1∶2.5~4在有机溶剂中,于室温和40~60℃分别反应0.5~2小时和0.5~1小时,硅胶柱层析得目标化合物;推荐采用四氢呋喃有机溶剂。
所述的方法,步骤B~D均在惰性气体(高纯氮气或氩气)保护下进行反应。
所述的方法,其中步骤B中的脂肪胺为C1~C30烷基的胺,如正烷基或分支烷基胺。
所述的方法,其中步骤B得到的产物为未分离的中间产物,即四溴代萘二酰胺二酸,经过滤、水洗、真空干燥备用。
所述的方法,其中步骤C得到的产物为2,3,6,7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺,其取代基为C1~C30烷基,如正烷基或分支烷基,以二氯甲烷/石油醚混合液为淋洗剂,经硅胶层析柱提纯得到产品,产率在19%~39%(以TBNDA为起始原料计算)。
所述的方法,其中步骤D中的1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐用丙二氰、氢氧化钠及二硫化碳以摩尔比1∶2~2.2∶2~2.4在乙醇中0~5℃下反应制备得到。
所述的方法中所述的有机溶剂是苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃或乙酸。
所述的方法,其中步骤D得到的目标化合物经硅胶层析柱提纯,淋洗剂为氯仿、或者二氯甲烷/石油醚混合液,产率在50~62%。
所述的方法,步骤A~D中所得新化合物经质谱(EI-MS或MS-TOF)、核磁共振谱(1H-NMR)、元素分析中的一种或多种表征,结构无误。
本发明给出了以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物中的四个实例化合物1~4,其取代基R分别为正己基,2-乙基-己基,2-辛基-十二烷基,2-癸基-十四烷基。用紫外吸收光谱(UV)研究了化合物4的光物理性质;用循环伏安法(CV)研究了化合物4的电化学性质;并用溶液加工的方法制备了化合物4的有机薄膜场效应晶体管器件。
本发明的优点在于:
1.本发明披露的合成方法简单有效;原料易于合成制备,合成成本低;得到的目标化合物纯度高。
2.本发明制备的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物具有刚性平面的大π共轭体系和柔性促溶的烷基链,可以用溶液加工的方法制备高电子迁移率的OTFT器件,是一种性能和稳定性优异的n-型有机半导体材料。
附图说明
图1为化合物4的质谱(MALDI-TOF-MS)。
图2为化合物4的核磁共振氢谱(1H-NMR)。
图3为化合物4在二氯甲烷中的紫外吸收光谱。
图4为化合物4的循环伏安曲线。
图5为以化合物4为有机层的OTFT器件的结构示意图。
图6为化合物4的OTFT器件的输出曲线。
图7为化合物4的OTFT器件的转移曲线。
具体实施方式
下述实施例将有助于进一步理解本发明,但不能限制本发明的内容。
实施例1-4的合成路线如下式所示:
R=
n-octyl 1 2-octyl-dodecyl 3
2-ethyl-hexyl 2 2-decyl-tetracosyl 4
实施例1:N,N′-二辛基-[2,3-d:6,7-d′]-双[1,3-二硫杂-2-叶立烯-丙二氰]-萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺(1)的合成。
具体合成步骤是:
1.1 2,3,6,7-四溴代萘四甲酸二酐(TBNDA)的合成
将450mL 20%发烟硫酸混合加入1L的三口烧瓶中,再向其中加入萘四甲酸二酐(NDA)(16g,59.7mmol),液溴(16mL,320mmol)和0.8g碘(催化剂)。将反应混合液升温至130℃,加热反应78小时,降至室温,用氮气流除去未反应的液溴,将反应液倾入向1Kg碎冰中,过滤,用大量的水洗涤沉淀,直到滤液为中性。真空干燥,得到28g黄色粉末状固体(TBNDA),产率为81%。
质谱(MS-EI))m/z 584(M+,95%)
1.2 N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺的合成
在氮气保护下,将TBNDA(3.0g,5.1mmol)和正辛胺(4.26mL,20.4mmol)加入到50mL的乙酸中,于120℃加热反应。在反应液变澄清且颜色开始变深前(约0.5小时),停止加热,降至室温,将反应液倾入400mL水中,过滤,用200mL水洗涤沉淀,真空干燥,得到4.4g黄色固体,MS(MALDI-TOF)测试显示该黄色固体为2,3,6,7-四溴代-4,8-二辛胺基甲酰-1,5-萘二甲酸。
质谱(MALDI-TOF)m/z(M+Na)+864.8;(M+K)+880.8.
将2.2g上述黄色固体和三溴化磷(1.5mL,15.8mmol)加入到100mL干燥的甲苯中。加热回流3小时,降至室温,倾入400mL水中,用甲苯(200mL×3)萃取三次,合并有机相,减压旋出溶剂。以二氯甲烷/石油醚(2/1)为淋洗剂,用硅胶层析柱对粗产品进行分离提纯,得到672mg黄色晶状固体(N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺),产率为32%(以TBNDA为起始原料计算)。
质谱(MS-EI)m/z 806(M+,100%)
核磁氢谱:1H-NMR(400MHz,CDCl3):δ0.86-0.90(t,J=6.96Hz,6H),1.28-1.35(m,12H),1.37-1.42(m,8H),1.72-1.79(m,4H),4.19-4.22(t,J=7.62Hz,4H)
1.3 1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐的合成
在氮气保护下,将6.6g(0.1mol)丙二氰和8.4g(0.21mol)氢氧化钠加入200ml乙醇中,于0~5℃下搅拌反应0.5小时,加入6.5ml(0.11mol)二硫化碳,继续反应1小时,向反应液中加入300ml无水乙醚,过滤沉淀,用乙醚洗涤,晾干,得浅黄色粉末状固体(1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐)15g,产率81%。
1.4 实例化合物1的合成
氮气保护下,在100ml三口瓶中加入254mg(0.315mmol)N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,186mg(1.0mmol)1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐,50mL四氢呋喃,在室温反应1小时,再将温度升至50℃加热反应0.5小时。反应液冷至室温,减压旋去溶剂。粗产物经硅胶层析柱提纯(淋洗液为氯仿),得到紫黑色固体(化合物1)150mg,产率62%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:767.3(M+).
元素分析:分子式:C38H34N6O4S4;理论值:C,59.51;H,4.47;N,10.96;实测值:C,59.45;H,4.46;N,10.58。
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.864(3H),1.258-1.301(m,10H),1.792(m,2H),4.299(t,2H).
实施例2:N,N′-二(2-乙基-己基)-[2,3-d:6,7-d′]-双[1,3-二硫杂-2-叶立烯-丙二氰]-萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺(2)的合成。
具体合成步骤是:
2.1 N,N′-二(2-乙基-己基)-2,3,6,7-四溴代-萘四羧酸二酰亚胺的合成
用2-乙基-己基胺代替正辛胺,合成方法同实施例1中步骤1.2,产率为33%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:806.8(M+),884.3(M+2K)+.
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.859-0.969(m,6H),1.287-1.409(m,8H),1.923-1.967(m,1H),4.169-4.194(d,J=7.50Hz,2H).
2.2 实例化合物2的合成
用N,N′-二(2-乙基-己基)-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺代替N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,合成方法同实施例1中步骤1.4,制备得到深棕色固体(2),产率51%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:767.5(M+).
元素分析:分子式:C38H34N6O4S4;理论值:C,59.51;H,4.47;N,10.96;实测值:C,59.51;H,4.38;N,10.84。
核磁氢谱:1H-NMR(500MHz,CDCl3)δ(ppm):0.89-0.92(t,J=7.50Hz,3H),0.94-0.97(t,J=7.50Hz,3H),1.29-1.42(m,8H),1.96-1.98(m,1H),4.20-4.28(m,2H).
实施例3:N,N′-二(2-辛基-十二烷基)-[2,3-d:6,7-d′]-双[1,3-二硫杂-2-叶立烯-丙二氰]-萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺(3)的合成。
具体合成步骤是:
3.1. N,N′-二(2-辛基-十二烷基)-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺的合成
用2-辛基-十二烷基胺代替正辛胺,合成方法同实施例1中步骤1.2,产率为33%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:1144.8(M+).
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.863-0.888(m,6H),1.235(b,32H),1.966-2.008(m,1H),4.159-4.183(d,J=7.20Hz,2H).
3.2实例化合物3的合成
用N,N′-二(2-辛基-十二烷基)-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺代替N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,合成方法同实施例1中步骤1.4,制备得到红棕色固体(3),产率53%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:1105.4(M+).
元素分析:分子式:C62H82N6O4S4;理论值:C,67.48;H,7.49;N,7.62;实测值:C,67.38;H,7.58;N,7.56。
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.840-0.891(m,6H),1.236(b,32H),2.002-2.022(m,1H),4.222-4.246(d,J=7.20Hz,2H).
实施例4:N,N′-二(2-癸基-十四烷基)-[2,3-d:6,7-d′]-双[1,3-二硫杂-2-叶立烯-丙二氰]-萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺(4)的合成。
具体合成步骤是:
4.1 N,N′-二(2-癸基-十四烷基)-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺的合成
用2-癸基-十四烷基胺代替正辛胺,合成方法同实施例1中步骤1.2,产率为19%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:1257.6(M+).
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.852-0.894(m,6H),1.287-1.409(m,8H),1.235(b,40H),1.970-2.005(m,1H),4.159-4.184(d,J=7.50Hz,2H).
4.2实例化合物4的合成
用N,N′-二(2-癸基-十四烷基)-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺代替N,N′-二辛基-2,3,6,7-四溴代萘-1,4,5,8-四羧酸二酰亚胺,合成方法同实施例1中步骤1.4,制备得到红棕色固体(4),产率50%。
质谱:[MS(TOF)]m/z:1215.8(M+).
元素分析:分子式:C70H98N6O4S4;理论值:C,69.15;H,8.12;N,6.91;实测值:C,69.41;H,8.37;N,6.67。
核磁氢谱:1H-NMR(300MHz,CDCl3)δ(ppm):0.849-0.889(m,12H),1.231(b,80H),1.988-2.014(m,2H),4.219-4.244(d,J=7.50Hz,4H).
以上四个以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物(1~4),可溶于常见的有机溶剂,如氯仿、甲苯、氯苯、二氯苯等,其溶解度从化合物1到化合物4递增。化合物1和2溶解度较小,在氯仿等常用溶剂中<1mg/ml;化合物3和4溶解度较大,化合物3在氯仿等常用溶剂中>10mg/ml,化合物4在氯仿等常用溶剂中>20mg/ml.
(3)化合物4的紫外吸收光谱和电化学性质
图3给出了化合物4的紫外吸收光谱,它们的紫外最大吸收峰位置为573nm左右,光学带隙为2.1eV。图4给出了化合物4的循环伏安曲线。循环伏安法测试在计算机控制的CHI610D电化学分析仪上进行,采用传统的三电极测试体系,铂电极为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)作为参比电极,铂丝作为对电极,样品溶于新蒸的二氯甲烷(摩尔浓度为1×10-3M),Bu4NPF6(0.1M)作为支持电解质,扫描速度为50mV/s,以二茂铁为参比,真空条件下二茂铁的能级为4.8eV。因二氯甲烷中二茂铁相对SCE参比电极的起始氧化电位为0.4eV,材料的LUMO能级可以由以下能级的公式计算得到:
ELUMO=-(Ered onset-0.4+4.8)eV≈-(Ered onset+4.4)eV
电化学测试显示它们的起始还原电位在0V左右,由此计算的LUMO能级为-4.4eV。
(5)化合物4作为半导体活性层构筑的有机薄膜场效应晶体管
图5给出了以化合物4为半导体层的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)的结构示意图。如图5所示,本发明中OTFT器件的制备方法为:将5-20mg的化合物4溶于1ml氯仿中,在OTS修饰的SiO2/Si基底上(高掺杂的硅衬底作为栅极,热氧化二氧化硅绝缘层的厚度为450nm,电容为10nFcm-2)甩上一层约10-80nm厚度的有机半导体薄膜,在有机薄膜的上面利用掩模板沉积金源漏电极,从而制得上电极结构的OTFT器件,器件的半导体沟道长度为50μm,沟道宽度为3mm。OTFT的电性能用Keithley4200半导体测试仪在空气中室温下测到。
图6和图7分别给出了化合物4的一个OTFT器件的输出曲线和转移曲线。本发明用合成的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物作为有机层做成了很多个OTFT器件,在这些器件中,其中最高的迁移率可达0.15cm2/V·s,开关比大于107,阈值电压低于15伏。
本发明不限于所披露的四个实例化合物,以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物种类繁多,本发明的保护范围以所附权利要求书限定为准。
Claims (10)
2.一种制备如权利要求1所述的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物的方法,其步骤为:
A)萘四甲酸二酐和液溴以摩尔比1∶5~8在5~20%的发烟硫酸中和100~140℃加热反应72~168小时,获得2,3,6,7-四溴代萘四甲酸二酐;
B)步骤A)制备的2,3,6,7-四溴代萘四甲酸二酐与脂肪胺RNH2以摩尔比1∶2~4在有机溶剂中和110~140℃加热反应0.5~2小时获得四溴代萘二酰胺二酸;
C)步骤B)制备的产物与三溴化磷以摩尔比1∶3~6在有机溶剂中和80~110℃加热反应0.5~3小时;
D)步骤C)制备的产物与1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐以摩尔比1∶2.5~4在有机溶剂中,于室温和40~60℃分别反应0.5~2小时和0.5~1小时;
其中,R如权利要求1所述。
3.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤B)~D)在惰性气体保护下进行反应。
4.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤A)的反应液降至室温,倾入碎冰中,过滤、真空干燥。
5.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤B)得到的反应液降至室温,倾入水中,过滤得黄色固体;经过滤、水洗、真空干燥。
6.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤C)得到的产物为2,3,6,7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺,其取代基为C1~C30正烷基或分支烷基,以二氯甲烷/石油醚混合液为淋洗剂,经硅胶层析柱提纯。
7.如权利要求2所述的方法,其特征是所述的有机溶剂是苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃或乙酸。
8.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤D)中的1,1-二氰基-2,2-二硫醇二钠盐用丙二氰、氢氧化钠及二硫化碳以摩尔比1∶2~2.1∶1~1.2在乙醇中0~5℃下反应制备得到。
9.如权利要求2所述的方法,其特征是步骤D)得到的产物经硅胶层析柱提纯。
10.一种如权利要求1所述的以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的应用。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101976119A CN101693719B (zh) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 |
EP10824465.8A EP2492271B1 (en) | 2009-10-23 | 2010-10-21 | Sulfur containing heterocycle-fused naphthalene tetracarboxylic acid diimide derivatives, preparation method and use thereof |
PCT/CN2010/077932 WO2011047624A1 (zh) | 2009-10-23 | 2010-10-21 | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、制法和应用 |
KR20127013047A KR101496931B1 (ko) | 2009-10-23 | 2010-10-21 | 황을 포함한 헤테로고리-융합된 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드 유도체, 이의 제조방법 및 용도 |
JP2012534531A JP5416282B2 (ja) | 2009-10-23 | 2010-10-21 | 硫黄含有複素環が縮合したナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体及びその製造方法と応用 |
US13/453,668 US8471021B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-04-23 | Sulfur containing heterocycle-fused naphthalene tetracarboxylic acid diimide derivatives, preparation method and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101976119A CN101693719B (zh) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210019769.9A Division CN102603741B (zh) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 一种2,3,6,7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺化合物、制备及用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101693719A true CN101693719A (zh) | 2010-04-14 |
CN101693719B CN101693719B (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=42092727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009101976119A Active CN101693719B (zh) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101693719B (zh) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101885732A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-11-17 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用 |
WO2011047624A1 (zh) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、制法和应用 |
CN102344456A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-02-08 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一锅法制备硫杂环稠合的萘二酰亚胺衍生物的方法 |
CN102351879A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-02-15 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用 |
CN102453235A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法与应用 |
CN102918023A (zh) * | 2010-05-27 | 2013-02-06 | 伊斯曼柯达公司 | 芳族酰胺酸盐和组合物 |
CN103408570A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-27 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含有1,3-二硫-2-叶立德烯共轭单元的萘二酰亚胺衍生物、制备方法和应用 |
CN104804021A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用 |
CN105008374A (zh) * | 2013-02-28 | 2015-10-28 | 日本化药株式会社 | 新型稠合多环芳族化合物及其用途 |
CN105143231A (zh) * | 2013-04-25 | 2015-12-09 | 巴斯夫欧洲公司 | π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途 |
CN107170885A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-15 | 上海幂方电子科技有限公司 | 有机半导体材料组合物和有机场效应晶体管的半导体层及其制备方法 |
US9997718B2 (en) | 2015-04-13 | 2018-06-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic photoelectric device image sensor and electronic device |
CN109311909A (zh) * | 2016-07-12 | 2019-02-05 | 国立研究开发法人理化学研究所 | 芳香族化合物及其用途 |
CN110981890A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-10 | 中国科学院化学研究所 | 萘四甲酰二亚胺并二硫环戊酮连氮化合物及其制备与应用 |
CN112552304A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 广州华睿光电材料有限公司 | 芳环并芘醌类化合物及其应用 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101423522A (zh) * | 2007-10-31 | 2009-05-06 | 中国科学院化学研究所 | 二并苝-3,4,6,7:12,13,15,16-八羧酸四酰亚胺类化合物及其制法 |
-
2009
- 2009-10-23 CN CN2009101976119A patent/CN101693719B/zh active Active
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011047624A1 (zh) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、制法和应用 |
US8471021B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-06-25 | Shanghai Institute Of Organic Chemistry, Chinese Academy Of Sciences | Sulfur containing heterocycle-fused naphthalene tetracarboxylic acid diimide derivatives, preparation method and use thereof |
CN102918023A (zh) * | 2010-05-27 | 2013-02-06 | 伊斯曼柯达公司 | 芳族酰胺酸盐和组合物 |
CN101885732A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-11-17 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用 |
CN102453235A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法与应用 |
CN102453235B (zh) * | 2010-10-29 | 2013-11-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法与应用 |
CN102351879B (zh) * | 2011-08-08 | 2014-04-23 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用 |
CN102344456A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-02-08 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一锅法制备硫杂环稠合的萘二酰亚胺衍生物的方法 |
CN102351879A (zh) * | 2011-08-08 | 2012-02-15 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用 |
CN102344456B (zh) * | 2011-08-08 | 2013-12-11 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一锅法制备硫杂环稠合的萘二酰亚胺衍生物的方法 |
CN105008374A (zh) * | 2013-02-28 | 2015-10-28 | 日本化药株式会社 | 新型稠合多环芳族化合物及其用途 |
US9859508B2 (en) | 2013-02-28 | 2018-01-02 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Condensed polycyclic aromatic compound and use thereof |
US9444058B2 (en) | 2013-04-25 | 2016-09-13 | Basf Se | Preparation of pi-extended naphthalene diimides and their use as semiconductor |
CN105143231A (zh) * | 2013-04-25 | 2015-12-09 | 巴斯夫欧洲公司 | π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途 |
CN105143231B (zh) * | 2013-04-25 | 2019-01-22 | 巴斯夫欧洲公司 | π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途 |
CN103408570A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-27 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含有1,3-二硫-2-叶立德烯共轭单元的萘二酰亚胺衍生物、制备方法和应用 |
CN104804021A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用 |
CN104804021B (zh) * | 2014-01-27 | 2017-11-10 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含硒π扩展萘四羧酸二酰亚胺化合物、制法和应用 |
US9997718B2 (en) | 2015-04-13 | 2018-06-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic photoelectric device image sensor and electronic device |
CN109311909A (zh) * | 2016-07-12 | 2019-02-05 | 国立研究开发法人理化学研究所 | 芳香族化合物及其用途 |
CN107170885A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-15 | 上海幂方电子科技有限公司 | 有机半导体材料组合物和有机场效应晶体管的半导体层及其制备方法 |
CN112552304A (zh) * | 2019-09-26 | 2021-03-26 | 广州华睿光电材料有限公司 | 芳环并芘醌类化合物及其应用 |
CN112552304B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-06-07 | 广州华睿光电材料有限公司 | 芳环并芘醌类化合物及其应用 |
CN110981890A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-10 | 中国科学院化学研究所 | 萘四甲酰二亚胺并二硫环戊酮连氮化合物及其制备与应用 |
CN110981890B (zh) * | 2019-12-13 | 2020-11-17 | 中国科学院化学研究所 | 萘四甲酰二亚胺并二硫环戊酮连氮化合物及其制备与应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101693719B (zh) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101693719A (zh) | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 | |
CN103788111B (zh) | 一种可溶液加工两维共轭有机分子光伏材料及其制备方法与应用 | |
Lu et al. | Triindole-cored star-shaped molecules for organic solar cells | |
CN101885732B (zh) | 硫杂环稠合的萘四羧酸二酰亚胺衍生物、及制法和应用 | |
KR101496931B1 (ko) | 황을 포함한 헤테로고리-융합된 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드 유도체, 이의 제조방법 및 용도 | |
Zhang et al. | Significantly improved photovoltaic performance of the triangular-spiral TPA (DPP–PN) 3 by appending planar phenanthrene units into the molecular terminals | |
CN106831815B (zh) | 一种含噻吩并咔唑类七元稠环的a–d–a型有机小分子受体及其制备方法 | |
Yin et al. | Rational design of diketopyrrolopyrrole-based oligomers for high performance small molecular photovoltaic materials via an extended framework and multiple fluorine substitution | |
Zhou et al. | Improved photovoltaic performance of star-shaped molecules with a triphenylamine core by tuning the substituted position of the carbazolyl unit at the terminal | |
CN103408570A (zh) | 含有1,3-二硫-2-叶立德烯共轭单元的萘二酰亚胺衍生物、制备方法和应用 | |
Hao et al. | Organic single-crystalline transistors based on Benzo [b] thiophen-Benzo [b] furan analogues with contorted configuration | |
CN103113557B (zh) | 菲并[1,10,9,8-cdefg]咔唑基共聚物及其制备方法与应用 | |
CN102351879B (zh) | 硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用 | |
CN104788466A (zh) | 双呋喃并芴酮及其衍生物及制备方法 | |
CN102603741B (zh) | 一种2,3,6,7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺化合物、制备及用途 | |
Wu et al. | High-performance n-channel field effect transistors based on solution-processed dicyanomethylene-substituted tetrathienoquinoid | |
CN111333665B (zh) | 共轭小分子电子受体材料及其制备方法 | |
Zhang et al. | Benzodithiophene and benzotrithiophene-based conjugated polymers for organic thin-film transistors application: Impact of conjugated-and acyl-side chain | |
CN110128399A (zh) | 基于二苯并五元芳杂环有机分子材料及其合成方法和作为空穴传输层的应用 | |
CN102659810B (zh) | 一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用 | |
CN102993190B (zh) | 一种三氟甲基羰基异靛蓝衍生物及其合成方法 | |
CN102477045A (zh) | 一类并噻吩醌式化合物、其制备方法、中间体及其应用 | |
Wang et al. | STFTYT: A simple and broadly absorbing small molecule for efficient organic solar cells with a very low energy loss | |
Yu et al. | Synthesis and photophysical properties of 2, 2′-bis (oligothiophene)-9, 9′-bifluorenylidene derivatives | |
CN101161656B (zh) | 二苯并四硫富瓦烯四羰基二酰亚胺衍生物及制法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |