CN101689451A - 电子发射装置的制造方法及其存储介质或记录介质 - Google Patents
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Abstract
提供了一种使用硼镧化合物薄膜制造高强度电子发射装置的方法和设备。在布置有电子发射基础构件的第二基板上累积低功函数物质靶的溅射粒子。通过使用用于遮蔽电子发射基础构件区域并开放其它区域的掩模，对第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻，之后，利用密封剂密封第二基板和布置有荧光体的第一基板，以制作真空室。在制作步骤期间，将第一基板和第二基板始终维持真空环境或减压环境。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过使用具有低功函数(low work function)物质，尤其是硼镧化合物的烧结体(sintered body)的靶的溅射方法来制造晶体电子发射装置的方法，及其计算机存储介质或记录介质。
背景技术
如在专利文献1、2和3中所述，作为二次电子发射膜，已知如LaB6等硼镧化合物的薄膜。此外，如在专利文献1、2和3中所述，还已知通过使用溅射方法来沉积硼镧化合物的晶体薄膜。此外，如在专利文献4中所述，还已知作为溅射方法所使用的靶，使用了如LaB6等硼镧化合物的烧结体。
专利文献1：日本特开平1-286228
专利文献2：日本特开平3-232959
专利文献3：日本特开平3-101033
专利文献4：日本特开平6-248446
发明内容
然而，在由溅射设备进行沉积之后将硼镧化合物薄膜暴露至大气时，该硼镧化合物薄膜被氧化。当将氧化了的硼镧化合物薄膜用于如FED(Field Emission Display，场致发射显示器)或SED(Surface-Conduction Electron-emitter Display，表面传导电子发射显示器)等电子发射装置时，已难以获得作为显示装置的充足亮度。
本发明的目的在于提供一种使用硼镧化合物薄膜的具有充足亮度的电子发射装置。
本发明的第一方面是一种电子发射装置的制造方法，包括：第一步骤，用于制备布置有荧光体的第一基板，并将所述第一基板放置在真空或减压环境中；第二步骤，用于在第二基板上布置电子发射基础构件；第三步骤，用于在真空或减压环境中，通过使用具有低功函数物质的靶的溅射方法将溅射粒子沉积在经过了所述第二步骤的所述第二基板上；第四步骤，用于在从所述第三步骤维持了真空或减压环境的状态下，布置用于遮蔽包括所述电子发射基础构件的第一区域并开放不包括所述电子发射基础构件的第二区域的掩模；第五步骤，用于在从所述第四步骤维持了真空或减压环境的状态下，对经过了所述第四步骤的所述第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻；以及第六步骤，用于在从所述第一步骤和所述第五步骤维持了真空或减压环境的状态下，使经过了所述第一步骤的所述第一基板与经过了所述第五步骤的所述第二基板相对，并利用密封剂对所述第一基板和所述第二基板进行密封以制作真空或减压室。
本发明的第二方面是一种用于制造电子发射装置的存储介质，其包括控制程序，所述控制程序用于执行以下步骤：第一步骤，用于制备布置有荧光体的第一基板，并将所述第一基板放置在真空或减压环境中；第二步骤，用于在第二基板上布置电子发射基础构件；第三步骤，用于在真空或减压环境中，通过使用具有低功函数物质的靶的溅射方法将溅射粒子沉积在经过了所述第二步骤的所述第二基板上；第四步骤，用于在从所述第三步骤维持了真空或减压环境的状态下，布置用于遮蔽包括所述电子发射基础构件的第一区域并开放不包括所述电子发射基础构件的第二区域的掩模；第五步骤，用于在从所述第四步骤维持了真空或减压环境的状态下，对经过了所述第四步骤的所述第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻；以及第六步骤，用于在从所述第一步骤和所述第五步骤维持了真空或减压环境的状态下，使经过了所述第一步骤的所述第一基板与经过了所述第五步骤的所述第二基板相对，并利用密封剂对所述第一基板和所述第二基板进行密封以制作真空或减压室。
根据本发明，可将如LaB6等硼镧化合物的晶体薄膜密封在真空室中而不被氧化，从而可以实现具有高亮度的显示装置。
附图说明
图1是示出用于本发明的薄膜的制造方法的磁控溅射设备(magnetron sputtering apparatus)的第一例子的示意例示；
图2是本发明的电子生成器的示意截面图；
图3是本发明的流程图；
图4是本发明的框图；
图5A是使用本发明的喷墨装置的掩模制作步骤的截面图；
图5B是使用本发明的喷墨装置的掩模制作步骤的截面图；以及
图6是通过本发明的制造方法所获得的电子发射装置的示意立体图。
附图标记说明：
1第一室
2第二室
3基板制备室
4取出室
5、51、52、53、54、55门阀(gate valve)
11靶
12基板
13、15、42、43基板保持件
14溅射气体引入系统
16加热机构
17等离子电极
18等离子源气体引入系统
19溅射高频电源系统
191、221、502阻塞电容器(Blocking Capacitor)
192、222、503匹配电路
193、223、504高频电源
194溅射DC电源(第一DC偏压电源)
20(退火)基板偏压电源(第三DC电源)
21基板偏压电源(第二DC电源)
22等离子源高频电源系统
23、501用于切割来自HF(高频)电源193的LF(低频)分量的LF切割滤波器
24HF切割滤波器
101阴极
102磁场生成器
103磁场区域
201、207玻璃基板
202阴极电极
203LaB6薄膜
204真空空间
205阳极电极
206荧光体膜
208电子源基板
209突起
210荧光体基板
211DC电源
401磁控溅射设备
402第一门阀
403真空喷墨装置
404第二门阀
405干法蚀刻装置
406第三门阀
407真空空间中的装配装置
408第四门阀
409用于将荧光体基板转移至真空环境的装置
410计算机
411算术运算电路单元
412、413、414、415、416、417、418、419、426、427、428、429控制总线
420存储器单元
421时间控制单元
422第一装载锁定室
423第五门阀
424第二装载锁定室
425第六门阀
51喷墨装置
52液滴
53掩模
601显示侧基板
602三原色荧光体矩阵
603黑矩阵(black matrix)
604阳极电极
605间隔器
606背面基板
607绝缘膜
608扫描线
609信号线
610内部包含电子发射装置的孔
具体实施方式
图1是示出在本发明的薄膜的制造方法中使用的磁控溅射设备的第一例子的示意例示。附图标记1表示第一室，附图标记2表示与第一室1真空连接的第二室(退火单元)，附图标记3表示基板制备室，附图标记4表示取出室，附图标记5表示门阀，附图标记11表示溅射靶，附图标记12表示基板，附图标记13表示用于保持基板12的基板保持件(第一基板保持件)，附图标记14表示溅射气体引入系统，附图标记15表示基板保持件(第二基板保持件)，附图标记16表示加热机构，附图标记17表示等离子电极，附图标记18表示等离子源气体引入系统，附图标记19表示溅射高频电源系统，附图标记101表示可装载靶11的阴极，附图标记102表示磁场生成器，附图标记103表示磁场区域，附图标记191表示阻塞电容器，附图标记192表示匹配电路，附图标记193表示高频电源，附图标记194表示溅射偏压电源，附图标记20表示(退火)基板偏压电源(第三DC电源)，附图标记21表示基板偏压电源(第二DC电源)，附图标记22表示等离子源高频电源系统，附图标记221表示阻塞电容器，附图标记222表示匹配电路，附图标记223表示高频电源，并且附图标记23表示用于切割来自HF(高频)电源193的LF(低频)分量以使其变成HF分量电力的LF切割滤波器(滤波器)。附图标记24表示HF切割滤波器，该HF切割滤波器用于切割来自DC电源21和194的DC电力中所包含的HF分量(例如，如1KHz或以上，尤其像1MHz等的HF分量)。
在本发明中，使用如LaB6等包含硼原子(B)和镧原子(La)的靶11。
在第一室1内部，基板12放置在保持件13上，且基板12与阴极101相对，并且在该室内对基板12进行真空排气(vacuumexhaust)和加热(升温至后面溅射时的温度)。由加热机构16执行加热。接着，从溅射气体引入系统14引入等离子源气体(氦气、氩气、氪气和氙气)，并将该等离子源气体设置为预定压力(0.01Pa(帕)～50Pa，且优选为0.1Pa～10Pa)，之后，通过使用溅射电源19开始沉积。
接着，通过施加来自高频电源193的高频电力(频率为0.1MHz～10GHz，且优选为1MHz～5GHz，并且输入电力是100W～3000W，且优选为200W～2000W)，生成等离子，并且在第一DC电源194中，将DC电力(电压)设置为预定电压(-50V～-1000V，且优选为-10V～-500V)，从而进行溅射沉积。在基板12侧，由第二DC电源21将DC电力(电压)以预定电压(0V～-500V，且优选为-10V～-100V)施加至基板保持件13。可在施加来自高频电源193的高频电力之前输入来自第一DC电源194的DC电力(第一DC电力)，也可在施加高频电力的同时输入该DC电力，还可在高频电力的施加完成之后继续输入该DC电力。
优选将来自第二DC电源21的DC电力和/或来自溅射高频电源19的高频电力至阴极101的输入位置设置为相对于阴极101的中心点对称的多个点。例如，可将相对于阴极101的中心点对称的位置设置为DC电力和/或高频电力的多个输入位置。
由永磁体和电磁体形成的磁场生成器102位于并布置在阴极101的背部，并且可以将靶11的表面暴露至磁场103。尽管磁场103优选为不到达基板12的表面，但在不缩小硼镧化合物的广泛单晶域(single-crystal domain)的程度的情况下，磁场103可以到达基板12的表面。
作为其它效果，设置在本发明中所使用的第一DC电源194侧的HF切割滤波器24可以保护第一DC电源194。
可将磁场生成器102的南极和北极相互配置为沿相对于阴极101的平面的垂直方向的相反极性(opposite polarity)。此时，使邻近的磁体沿相对于阴极101的平面的水平方向相互成相反极性。此外，还可将磁场生成器102的南极和北极相互配置为沿相对于阴极101的平面的水平方向的相反极性。同样此时，使邻近的磁体沿相对于阴极101的平面的水平方向相互成相反极性。
在本发明的优选方面中，磁场生成器102可以沿相对于阴极101或靶11的表面的水平方向进行往返运动。
本发明中所使用的滤波器23可以切割来自高频电源193的低频分量(0.01MHz或以下，特别地，0.001MHz或以下的频率分量)。
此外，本发明可以通过将来自基板12侧的第二DC电源21的DC电力(电压)施加至基板保持件13，来延长单晶域的平均面积。第二DC电力(电压)可以是平均每小时具有DC分量(DC分量接地)的脉冲波形电力。
在图2中，附图标记208表示电子源基板，该电子源基板具有形成了锥形突起209(Spindt型电子发射基础构件)的钼膜(阴极电极)202和涂覆钼膜的突起209的LaB6膜203。附图标记210表示荧光体基板(phosphor substrate)，该荧光体基板包括玻璃基板207、玻璃基板207上的荧光体膜206和由薄的铝膜制成的阳极电极204。该电子源基板208与荧光体基板210之间的空间204是真空空间。通过在阴极电极202和阳极电极205之间施加100V～3000V的DC电压，从由LaB6膜203涂覆的钼膜202的突起209的顶端向阳极电极205照射电子束，并且该电子束透过阳极电极205，且在阳极电极205处，该电子束碰撞荧光体膜，从而可以使荧光体发光。
在本发明中，作为电子发射基础构件，不限于上述那些，另外，该电子发射基础构件可以是使用薄膜(PdO薄膜、结晶碳薄膜等)通过成形工艺形成纳米量级的间隙的SED型电子发射基础构件。
图3是示出本发明的流程图的图。步骤301是用于制备设置有在接收到电子的照射时发出荧光的荧光体膜的第一玻璃基板的步骤。荧光体层布置有用于发出红色荧光、绿色荧光和蓝色荧光的三种类型的荧光体。尽管红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体沿由扫描线和信号线构成的矩阵布线的信号线方向成直线地布置，但荧光体的沉积不限于此。对于玻璃基板，可以布置用作用于加速来自电子源的电子的阳极电极的导电膜(铝膜、钛膜和钡膜等)、用于区分像素的黑矩阵体(例如，黑色树脂矩阵、金属矩阵等)以及间隔器等等。
步骤302是将第一玻璃基板转移至形成第一真空或减压环境(在下文，将“真空”和“减压环境”两者都称为“真空”)的第一真空室的步骤。在转移时，可以使用常用的装载锁定室(load lock chamber)(未示出)和门阀(未示出)。
步骤303是制备设置有电子发射基础构件的第二玻璃基板的步骤。该电子发射基础构件布置在与等效电路上扫描线和信号线的交点处，并且该电子发射基础构件是为矩阵驱动而设置的。尽管电子发射基础构件具有由自身的电子发射效应，但通过后面的步骤的低功函数物质膜可以大幅改善其电子发射效率。
一个区段的电子发射基础构件和一个区段的荧光体膜一起形成一个亚像素(sub-pixel)。一个红色亚像素、一个绿色亚像素和一个蓝色亚像素的三色像素形成单像素(one-pixel)。在本发明中，单像素沿多个行布置在多个列处，从而可以形成矩阵阵列。在该矩阵阵列中，形成了扫描线的金属膜布线(铝布线、铜布线和银布线等)以及信号线的金属膜布线(铝布线、铜布线和银布线等)。
此外，对于本发明中使用的第二玻璃基板，可以优选设置用于使在制造步骤或作为显示装置的工作期间生成的静电电荷带电的抗静电膜(电荷分散膜)。作为抗静电膜，可以使用氧化钛膜、氧化锡膜、氧化铟膜和氧化铟/锡膜(ITO膜)等。
此外，预先将间隔器和密封剂布置在本发明中所使用的第二玻璃基板上。
步骤304是利用第二真空环境的第二室通过使用溅射设备(图1所示的磁控溅射设备、高频RF磁控溅射设备等)在第二玻璃基板上形成如LaB6等硼镧化合物薄膜的步骤。在该步骤之前，将第二玻璃基板转移至处于由卸载锁定室(未示出)和门阀(未示出)维持真空环境的状态下的溅射设备。
通过步骤304，在第二玻璃基板上全体或部分形成有如LaB6等硼镧化合物薄膜，结果，电子发射基础构件被作为低功函数物质膜的如LaB6等硼镧化合物薄膜所涂覆。
另外，本发明可以使用例如，CeB6膜、BaLaB6膜和含碳LaB6膜等作为低功函数物质膜。
在步骤305中，将第二玻璃基板转移至第三真空环境的第三室中。通过使用门阀(未示出)将第二室和第三室维持在真空状态。
在步骤306中，在第三室内的第三真空环境中，包括电子发射基础构件的第一区域被掩模构件(mask member)所遮蔽。
在步骤306中，可通过喷墨方法将掩模材料涂覆在累积在电子发射基础构件上的LaB6膜上。从在蚀刻率上比LaB6低的可溶解有机金属材料、耐热性有机树脂材料等中适当地选择掩模材料。根据需要，在通过喷墨方法涂覆掩模材料之后，可以执行真空烘培处理(vacuum bake processing)等。尽管步骤306可在第三室内执行，但也可在其它真空室中执行该步骤306。
步骤307是如下步骤：在维持了第三真空环境的状态下，通过干法蚀刻(dry etching)从未涂覆有掩模材料的区域(等同于不包括电子发射基础构件的第二区域)去除LaB6膜。优选地，通过在干法蚀刻室内存在蚀刻气体(氟基气体、氯基气体、醇基气体、CO气体和氧气等)的状况下激励等离子，来进行干法蚀刻。
此外，在步骤307中，可以使用已知的干法蚀刻装置，如离子束蚀刻设备和电子束蚀刻设备等。
在去除LaB6膜之后，可以由干法蚀刻装置、离子束蚀刻设备或电子束蚀刻设备对电子发射基础构件上的掩模材料进行蚀刻，直到使电子发射基础构件上的LaB6膜暴露为止。
不包括电子发射基础构件的第二区域的LaB6膜变为除显示时像素以外的不必要的电子源，并且成为不必要的发光的原因。结果，当使第二区域的LaB6膜留存在显示装置中时，显示对比度降低，或者导致在显示单元处闪烁不必要的光。这已经成为使显示质量降低的原因。
通过本发明的步骤307，去除了第二区域的LaB6膜，从而消除了该区域中的不必要发光，并且可以提高显示质量。
在步骤308中，在维持真空状态的同时，将步骤302的第一玻璃基板和步骤307的第二玻璃基板分别转移至第四真空环境的第四室中。第一真空环境、第三真空环境和第四真空环境是通过门阀(未示出)真空连接的。
在步骤309中，第一玻璃基板和第二玻璃基板以预定间隔相对地布置在第四室内，并且一个区段的荧光体膜的位置与一个区段的电子发射基础构件的位置精确匹配以通过使用密封剂将它们密封。由预先设置的间隔器确定该预定间隔。该间隔器可以是柱状或板状的，并且以每隔预定的间隔而布置。在第一玻璃基板或第二玻璃基板处预先设置密封剂，并且该密封剂可以密封以在第一玻璃基板和第二玻璃基板之间形成真空环境。作为密封剂，可以优选使用低熔点金属(如铱和锡等)以及有机树脂粘合剂等。
在步骤309中，由已知的静电夹头(chuck)或真空夹头保持第一玻璃基板和第二玻璃基板，并且在这两个基板以充足的距离间隔开的状态下，可以对它们进行真空烘培处理，或者可以利用如钡和钛等吸气材料(gettering material)将它们粘合。之后，使两个基板接近由间隔器材料所确定的间隔，并且之后，对这两个基板进行密封加工处理，从而制造了真空显示面板。
图4是本发明的框图。附图标记401表示磁控溅射设备，附图标记402表示第一门阀，附图标记403表示真空喷墨装置，附图标记404表示第二门阀，附图标记405表示干法蚀刻装置，附图标记406表示第三门阀，附图标记407表示真空空间中的装配装置(assemble device)，附图标记408表示第四门阀，附图标记409表示用于将荧光体基板转移至真空环境的装置，附图标记410表示计算机，附图标记411表示算术运算电路单元，附图标记412、413、414、415、416、417、418、419、426、427、428和429表示控制总线，附图标记420表示存储器单元，附图标记421表示时间控制单元，附图标记422表示第一卸载锁定室，附图标记423表示第五门阀，附图标记424表示第二装载锁定室并且附图标记425表示第六门阀。
将设置有荧光体膜的第一玻璃基板转移至第二装载锁定室425，并在对室425的内部进行真空排气之后，打开第六门阀424，并且将第一玻璃基板转移至用于将荧光体基板转移至真空环境的装置409中。
将设置有电子发射基础构件的第二玻璃基板转移至第一装载锁定室422中，并在对室422的内部进行真空排气之后，打开第五门阀423，并且将第二玻璃基板放置在磁控溅射设备401的内部。在磁控溅射设备401内，执行步骤304。
在完成步骤304之后，打开第一门阀402，并且将第二玻璃基板转移至真空喷墨装置403中。在真空喷墨装置403内，执行步骤306。
干法蚀刻装置405可以执行步骤307。在通过转移自动机(transfer robot)(未示出)使第二玻璃基板按顺序通过磁控溅射设备401、真空喷墨装置403、干法蚀刻装置405和真空空间中的装配装置407时，第一门阀402、第二门阀404和第三门阀406分别进行打开和关闭操作以维持真空状态。
此外，在本发明中，代替喷墨装置，还可以使用分配器(dispenser)。
将干法蚀刻装置405内的第二玻璃基板和用于将荧光体基板转移至真空环境的装置409内的第一玻璃基板转移至真空空间中的装配装置407，并且在此执行步骤309。
计算机410具有存储器单元420，并且可以控制从步骤301到309的全部步骤。作为存储器单元420，可以使用如硬盘介质、磁光盘介质和软(floppy，注册商标)盘介质等记录介质以及如闪速存储器和MRAM等非易失性存储器(存储器介质)。此外，可将来自记录介质的数据临时存储在存储器单元420中。存储器单元420存储用于控制从步骤301到309的全部步骤的控制程序。由算术运算电路单元(CPU：Central Processing Unit，中央处理单元)411处理所存储的控制程序数据，并且如图所示通过控制总线412、413、414、415、416、417、418和419将这些处理后的数据发送。
此外，在本发明中，在算术运算电路单元411内部设置时间控制单元421(例如，通过使用来自波形时钟的时钟来生成控制信号)，使得可以精确地控制全部的步骤301～309。
此外，在本发明中，作为在磁控溅射中使用的磁体单元，可以使用通常使用的永磁体。
此外，当在停止盘的移动时进行磁控溅射时，制备面积比基板12略大的靶，并将多个磁体单元以适当的间隔隔开地布置在靶的后表面上，并且使多个磁体单元沿与靶表面平行的方向进行平移运动，使得可以获得良好的厚度一致性和对靶的高利用率。此外，在移动托盘的同时进行溅射时，相对于基板的移动方法，可以使用与基板的长度相比具有短的宽度的靶和磁体单元。
图5A和5B是使用喷墨装置的掩模制作步骤(等同于图2的步骤306)的示意截面图。图5中与图2相同的附图标记表示相同的构件。在图5A中，附图标记50表示掩模图案化之前的LaB6膜，并且该LaB6膜沉积在第二玻璃基板201的整个表面上。附图标记51表示喷墨装置的头部，并且附图标记52表示从喷墨头51排出的、包含形成掩模材料所使用的材料的液滴。图5B中的附图标记53表示通过液滴52的排出所形成的、可以掩蔽LaB6薄膜203的掩模。此时，液滴52可以包括多个液滴。接着，执行步骤307，从而可以制作在图2中示出的电子发射装置。
图6是由本发明的制造方法所获得一个例子的电子发射装置的示意立体图。在图6中，附图标记601表示作为可看见显示的侧面侧的显示侧基板的玻璃支撑基板。玻璃支撑基板601是由红色荧光体、绿色荧光体和蓝色荧光体构成的三原色荧光体矩阵。本发明不限于三原色，并且还可为三原色添加其它的颜色(例如，互补色关系色、桔黄色和黄绿色等)。附图标记603表示黑矩阵。附图标记604表示用作阳极电极的铝、钛和钡等的金属膜，向该金属膜施加了300V～2000V的高压，并将其设置为可透过电子束的膜厚度。附图标记605表示用于维持真空室的真空厚度的间隔器。间隔器605由玻璃、陶瓷、金属氧化物和金属等制作成。此外，除如图6所示的柱状以外，间隔器可以是板状的。附图标记606表示背面基板，尽管优选为玻璃材料，但该背面基板可以由陶瓷材料、金属氧化物材料和金属材料形成。附图标记607表示由氧化硅、氧化钛和各种类型的绝缘有机树脂形成的绝缘膜。附图标记608表示扫描线，并且作为扫描线608，使用了各种金属(例如，铝、铜和银等)。附图标记609表示信号线，并且作为信号线609，使用了各种金属(例如，铝、铜和银等)。扫描线608和信号线609通过绝缘膜607而层间绝缘。附图标记610是包括电子发射装置的孔。图2中示出的电子发射装置布置在孔610内部。此外，在该孔内，不仅可以布置图2所示的Spindt型电子发射装置，而且可以布置SCE型电子发射装置。
由扫描侧驱动电路(未示出)和信号侧驱动电路(未示出)分别对扫描线608和信号线609进行矩阵驱动。该矩阵驱动为如下驱动：将扫描信号施加至扫描线608并将与扫描信号同步的图像信号施加至信号线609，从而显示图像。
Claims (12)
1.一种电子发射装置的制造方法，包括：
第一步骤，用于制备布置有荧光体的第一基板，并将所述第一基板放置在真空或减压环境中；
第二步骤，用于在第二基板上布置电子发射基础构件；
第三步骤，用于在真空或减压环境中，通过使用具有低功函数物质的靶的溅射方法将溅射粒子沉积在经过了所述第二步骤的所述第二基板上；
第四步骤，用于在从所述第三步骤维持了真空或减压环境的状态下，布置用于遮蔽包括所述电子发射基础构件的第一区域并开放不包括所述电子发射基础构件的第二区域的掩模；
第五步骤，用于在从所述第四步骤维持了真空或减压环境的状态下，对经过了所述第四步骤的所述第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻；以及
第六步骤，用于在从所述第一步骤和所述第五步骤维持了真空或减压环境的状态下，使经过了所述第一步骤的所述第一基板与经过了所述第五步骤的所述第二基板相对，并利用密封剂对所述第一基板和所述第二基板进行密封以制作真空或减压室。
2.根据权利要求1所述的电子发射装置的制造方法，其特征在于，所述电子发射基础构件是Spindt型电子发射装置。
3.根据权利要求1所述的电子发射装置的制造方法，其特征在于，所述靶具有包含硼原子(B)和镧原子(La)的烧结体。
4.根据权利要求1所述的电子发射装置的制造方法，其特征在于，所述第三步骤的沉积物具有包括硼原子(B)和镧原子(La)的晶体沉积物。
5.一种用于制造电子发射装置的存储介质，其包括控制程序，所述控制程序用于执行以下步骤：
第一步骤，用于制备布置有荧光体的第一基板，并将所述第一基板放置在真空或减压环境中；
第二步骤，用于在第二基板上布置电子发射基础构件；
第三步骤，用于在真空或减压环境中，通过使用具有低功函数物质的靶的溅射方法将溅射粒子沉积在经过了所述第二步骤的所述第二基板上；
第四步骤，用于在从所述第三步骤维持了真空或减压环境的状态下，布置用于遮蔽包括所述电子发射基础构件的第一区域并开放不包括所述电子发射基础构件的第二区域的掩模；
第五步骤，用于在从所述第四步骤维持了真空或减压环境的状态下，对经过了所述第四步骤的所述第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻；以及
第六步骤，用于在从所述第一步骤和所述第五步骤维持了真空或减压环境的状态下，使经过了所述第一步骤的所述第一基板与经过了所述第五步骤的所述第二基板相对，并利用密封剂对所述第一基板和所述第二基板进行密封以制作真空或减压室。
6.根据权利要求5所述的存储介质，其特征在于，所述电子发射基础构件是Spindt型电子发射装置。
7.根据权利要求5所述的存储介质，其特征在于，所述靶具有包含硼原子(B)和镧原子(La)的烧结体。
8.根据权利要求5所述的存储介质，其特征在于，所述第三步骤的沉积物具有包含硼原子(B)和镧原子(La)的晶体沉积物。
9.一种用于制造电子发射装置的记录介质，其包括控制程序，所述控制程序用于执行以下步骤：
第一步骤，用于制备布置有荧光体的第一基板，并将所述第一基板放置在真空或减压环境中；
第二步骤，用于在第二基板上布置电子发射基础构件；
第三步骤，用于在真空或减压环境中，通过使用具有低功函数物质的靶的溅射方法将溅射粒子沉积在经过了所述第二步骤的所述第二基板上；
第四步骤，用于在从所述第三步骤维持了真空或减压环境的状态下，布置用于遮蔽包括所述电子发射基础构件的第一区域并开放不包括所述电子发射基础构件的第二区域的掩模；
第五步骤，用于在从所述第四步骤维持了真空或减压环境的状态下，对经过了所述第四步骤的所述第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻；以及
第六步骤，用于在从所述第一步骤和所述第五步骤维持了真空或减压环境的状态下，使经过了所述第一步骤的所述第一基板与经过了所述第五步骤的所述第二基板相对，并利用密封剂对所述第一基板和所述第二基板进行密封以制作真空或减压室。
10.根据权利要求9所述的记录介质，其特征在于，所述电子发射基础构件是Spindt型电子发射装置。
11.根据权利要求9所述的记录介质，其特征在于，所述靶具有包含硼原子(B)和镧原子(La)的烧结体。
12.根据权利要求9所述的记录介质，其特征在于，所述第三步骤的沉积物具有包含硼原子(B)和镧原子(La)的晶体沉积物。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100331 |