KR100326559B1 - 플라즈마표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 방전시 방전효율을 높이도록 구성된 플라즈마 표시소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 표시소자는 상부기판에 형성되어 유지방전을 일으키는 제 1 및 제 2전극과, 하부기판에 제 1 및 제 2전극과 교차되는 방향으로 형성되는 제 3전극과, 상부기판 및 하부기판의 사이에 형성되어 방전공간을 형성하는 격벽과, 격벽의 내부에 형성되어 제 1 및 제 2전극간의 유지방전기간에 전압이 인가되어 격벽표면에서 하전입자들의 재결합을 방지하기 위한 격벽전극을 구비한다.
이에따라, 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자는 전력손실 및 격벽가열을 방지함과 아울러, 휘도 및 방전효율을 향상시키게 된다.

Description

플라즈마 표시소자{Plasma Display Element}
본 발명은 평면표시장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 방전시 방전효율을 높이도록 구성된 플라즈마 표시소자에 관한 것이다.
최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 "LCD"라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; 이하 "PDP"라 함)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들중 PDP는 단순구조에 의한 제작의 용이성, 고휘도 및 고발광 효율의 우수, 메모리 기능 및 160。 이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40 인치이상의 대화면을 구현할수 있는 장점을 가지고 있다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 PDP는 어드레스 전극(2)을 실장한 하부기판(14)과, 상기 하부 기판(14)의 상부에 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(8)과, 플라즈마 방전으로 발생된 빛에 의해 여기되어 발광하는 형광체(6)와, 상부기판(16)의 상부에 투명하게 형성되어 방전을 유지 구동시키는 서스테인전극(4)과, 상기 상부기판(16) 및 서스테인 전극(4)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 벽전하를 형성하는 유전체후막(12)과, 상기 유전체 후막(12)의 상부에 도포되어 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체후막(12)을 보호하는 보호막(10)을 구비한다. 어드레스 전극(2) 및 서스테인 전극(4)간에 소정의 구동전압(예를들어 200V)이 인가되면, 방전셀의 내부에는 어드레스전극(2)에서 방출된 전자에 의해 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이를 상세히 설명하면, 어드레스 전극(2)에서 방출된 전자가 방전셀에 봉입된 He와 Xe의 혼합가스 또는 Ne와 Xe의 혼합가스의 원자와 충돌하여 상기 혼합가스의 원자들을 이온화 시켜면서 2차전자의 방출이 일어나며 이때의 2차전자는 혼합가스의 원자들과 충돌을 반복하면서 차례로 원자를 이온화 해간다. 즉, 전자와 이온이 배로 증가하는 애벌런치(Avalanche)과정에 들어간다. 상기 애벌런치 과정에서 발생된 빛(예를들면, 자외선)이 적색(Red; 이하 "R"라 함), 녹색(Green; 이하 "G"라 함), 청색(Blue;이하 "B"라 함)의 형광체를 여기 발광시키게 되며 상기 형광체에서 발광된 R,G,B의 빛은 보호막(10), 유전체후막(12) 및 서스테인 전극(4)을 경유하여 상부기판(16)으로 진행되어 문자 또는 그래픽을 표시하게 된다. 이때, 서스테인 전극(4)에 안정적인 구동전압을 인가하기 위해 버스전극(20)들이 형성되어 있다.
도 2 및 도 3을 결부하여 종래기술에 따른 PDP의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다. 상부기판(16)의 상부에 소정의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide; 이하 "ITO"라 함)를 성막하여 서스테인 전극쌍(4)을 형성한다. (제1 단계) 상부기판(16)의 상부에 스퍼터링법(Sputtering Method) 또는 진공증착법을 이용하여 ITO를 소정의 두께로 증착시켜 서스테인 전극쌍(4)을 형성하게 된다. 이때, 서스테인 전극쌍(4)은 제1 서스테인 전극(4a)과 제2 서스테인 전극(4b)으로 구성되어 있다.
서스테인 전극쌍(4)의 상부에 Cr막, Cu막, Cr막을 순차적으로 적층하여 버스전극(20)을 형성한다. (제2 단계) 서스테인 전극쌍(4)의 상부에 스퍼터링법을 이용하여 소정의 두께로 Cr, Cu, Cr을 순차적으로 증착시켜 버스전극(20)을 형성한다. 이때, 버스전극(20)은 서스테인 전극쌍(4)에 안정적인 구동전압을 인가하는 기능을 수행하게 된다.
상부기판(16)의 상부에 소정의 두께로 유전체후막(12)을 형성한다.(제3 단계) 스크린 프린트법(Screen Print Method)을 이용하여 상부기판(16)의 상부에 소정의 두께로 유전체후막(12)을 형성한다. 이때, 유전체후막(12)은 벽전하(Wall Charge)를 형성하게 된다.
유전체후막(12)의 상부에 소정의 두께로 보호막(10)을 형성한다. (제4 단계) 보호막(10)은 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체후막(12)을 보호하는 기능을 수행하게 되며, 2000Å의 두께로 성막하는 것이 바람직하다. 상기 제1 내지 제4 단계에 의해 형성된 PDP상판이 도 2에 도시되어 있다. 이때, 서스테인 전극쌍(4)에 전압을 인가하면 제1 서스테인 전극(4a)과 제2 서스테인 전극(4b) 사이에는 서스테인 방전이 일어나게 된다. 이 경우, 방전 경로는 서스테인 전극쌍(4)에서 가장 가까운 부분(방전 반경 R이 최소되는 부분)부터 형성되기 시작하여 서스테인 방전 시간이 경과함에 따라 먼 부분(방전 반경 R이 큰 부분)까지 확장된다. 이 때, 방전반경 R이 최소되는 부분에서 전계의 세기가 가장 크게되므로 이 부분에서 형성된 전자 및 이온의 밀도가 가장 높으며 특히, 이 부분의 전자의 온도(즉, 에너지)가 높은 것들이 대부분 존재하게 된다. 전자 및 이온의 밀도가 높게 되면 형광체(6)에 여기되는 자외선의 밀도가 높아지므로 휘도가 증가하게 되고 전자 및 이온의 밀도가 낮으면 자외선의 밀도가 낮아지므로 휘도가 낮아지게 된다. 그러나, 서스테인 방전시 서스테인 전극쌍(4)의 방전경로가 먼부분(방전반경 R이 큰 부분)이 주로 사용됨에 의해 PDP의 발광효율이 낮아지는 문제점이 도출되고 있다.
하부기판(14)의 상부에 어드레스 전극(2)을 형성한다. (제5 단계) 하부기판(14)의 상부에 스크린 프린트법을 이용하여 어드레스 전극(2)을 형성하게 된다. 이때, 어드레스 전극(2)은 상기 서스테인 전극쌍(4)과 직교하도록 형성된다.
하부기판(14)의 상부에 소정의 높이를 갖는 격벽(8)을 형성한다. (제6 단계) 어드레스 전극(2)이 형성된 하부기판(14)의 상부에 샌드 블라스트법(Sand Blast Method), 첨가법(Additive Method), 스크린 프린트법(Screen Print Method), 식각법(Etching Method) 등을 이용하여 소정의 높이를 갖는 격벽(8)을 형성하게 된다. 이때, 격벽(8)은 각각의 방전셀을 분할하여 방전공간을 마련하게 된다.
하부기판(14)의 상부 및 격벽(8)의 내측면에 소정의 두께로 형광체층(6)을 형성한다. (제7 단계) 형광체를 스크린 프린트법을 이용하여 하부기판(14)의 상부 및 격벽(8)의 내측면에 소정의 두께로 도포하여 형광체층(6)을 형성하게 된다. 이때, 형광체층(6)은 플라즈마 방전으로 발생된 자외선에 의해 여기·발광되어 R,G,B에 대응하는 가시광선을 발생하게 된다. 상기 제5 내지 제7 단계에 의해 형성된 PDP하판이 도 3에 도시되어 있다.
PDP상판 및 하판을 봉착하여 PDP소자를 형성한다. (제8 단계) 상기 제1 단계 내지 제4 단계의 과정에 의해 형성된 PDP상판과 상기 제5 단계 내지 제7 단계의 과정에 의해 형성된 PDP하판을 봉착함과 아울러, 방전공간의 잔존공기를 배기시키게 된다. 또한, 방전공간에 불활성 가스(He+Xe 또는 Ne+Xe)를 적당한 압력으로 주입한후, 주입구를 봉지하면 교류형 PDP 소자가 형성된다. 이 경우, 방전공간에는 극성을 가진 하전입자(전자 및 양이온)들이 방전시 격벽에서 표면재결합에 의해 손실되어 방전전압을 증가 시킴과 아울러, 플라즈마 표시소자의 온도를 상승시키는 문제점이 도출되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 플라즈마 방전시 방전효율을 높이도록 구성된 플라즈마 표시소자를 제공하는데 있다.
도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 표시소자의 구조를 도시한 사시도.
도 2는 도 1의 상판 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 3은 도 1의 하판 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자의 구조를 도시한 단면도.
도 5는 도 4의 상판 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 6은 도 4의 하판 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자의 동작원리를 설명하기 위해 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자의 구동방법을 설명하기 위해 도시한 파형도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2,32 : 어드레스 전극 4,34 : 서스테인 전극
6,36 : 형광체 8,38 : 격벽
10,40 : 보호막 12,42 : 유전체후막
14,44 : 하부기판 16,46 : 상부기판
20,50 : 버스전극 52 : 격벽전극
54 : 전자 56 : 양이온
58 : 펄스공급부 60 : 갭
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자는 상부기판에 형성되어 유지방전을 일으키는 제 1 및 제 2전극과, 하부기판에 제 1 및 제 2전극과 교차되는 방향으로 형성되는 제 3전극과, 상부기판 및 하부기판의 사이에 형성되어 방전공간을 형성하는 격벽과, 격벽의 내부에 형성되어 제 1 및 제 2전극간의 유지방전기간에 전압이 인가되어 격벽표면에서 하전입자들의 재결합을 방지하기 위한 격벽전극을 구비한다.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자는 어드레스 전극(32)을 실장한 하부기판(44)과, 상기 하부 기판(44)의 상부에 수직으로 형성된 격벽전극(52)과, 격벽전극(52)의 표면에 소정의 두께로 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(38)과, 하부기판(44)의 상부 및 격벽(38)의 내측에 도포되어 플라즈마 방전으로 발생된 빛에 의해 여기 발광하는 형광체(36)와, 상부기판(46)의 상부에 투명하게 형성되어 방전을 유지 구동시키는 서스테인 전극쌍(34)과, 서스테인 전극쌍(34)의 상부에 형성되어 서스테인 전극쌍(34)에 안정적인 구동전압을 인가하는 버스전극(50)과, 각각의 서스테인 전극들(34a,34b) 및 버스전극들(50a,50b)에서 분리되어 도포되어 벽전하를 형성하는 유전체후막층들(42a,42b)과, 유전체후막층들(42a,42b)의 상부에 도포되어 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체후막층들(42a,42b)을 보호하는 보호막들(40a,40b)을 구비한다.
이를 도 6 및 도 7을 결부하여 설명하면, PDP하판에 형성된 격벽전극(52)에는 서스테인 방전시 소정의 전압레벨(예를들면, 수십 - 수백V)을 갖는 마이너스(-) 펄스가 인가된다. 격벽전극(52)에 마이너스(-) 펄스가 인가되면 대향방전에 의해형성된 하전입자(즉, 전자(54) 및 양이온(56))들이 격벽(38) 표면에서 재결합하는 것을 방지하여 하전입자의 손실을 막게된다. 제1 서스테인 전극(34a) 또는 제2 서스테인 전극(34b)과 어드레스 전극(32) 사이에 구동전압이 인가되면, 이들 사이에는 대향방전이 일어나게 된다. 대향방전후, 서스테인 전극쌍(34)에 구동전압이 인가됨에 의해 서스테인 방전을 일으켜 대향방전시의 발광을 유지하게 된다. 이 경우, 대향방전에 의해 방전공간에는 하전입자(전자(54) 및 양이온(56))들이 형성되어 격벽(38) 표면에서 재결합된다. 즉, 전자(54)가 열운동이나 확산에 의해 격벽(38) 표면에 부착되면 격벽(38)의 내측면이 (-)로 대전된다. 이에의해 발생한 전계에 의해 양이온(56)이 격벽(38)으로 흡입되어 전자(54)와 양이온(56)의 재결합이 일어나게 된다. 이에따라, 격벽(38)에서는 재결합에 의한 하전입자의 손실이 발생하게 되어 전원전력의 손실이 많아져 PDP의 효율감소 및 격벽(38)을 가열시키게 된다. 이를 방지하기 위해 펄스공급부(58)에서는 서스테인 방전기간동안 소정의 전압레벨(예를들면, 수십 - 수백V)을 갖는 마이너스 펄스를 격벽전극(52)에 인가하게 된다. 이에따라, 열운동 또는 확산에 의해 격벽(38)으로 이동하는 전자를 전계에 의해 방전공간 내부로 밀어내게 되어 양이온(56)이 격벽(38)에서 재결합하는 시드(Seed)를 원천적으로 제거하여 하전입자의 손실을 최소화하게 된다. 이로인해, 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자는 하전입자의 손실을 최소화시켜 전력손실 및 격벽(38) 가열을 방지하게 된다. 또한, 격벽전극(52)은 방전공간이 작아지는 고정세화 플라즈마 표시소자에도 적용되어 하전입자의 손실을 줄일수 있을 것이다.
한편, PDP상판에 형성된 서스테인 전극쌍(34)은 어드레스 전극(32)과 직교하도록 배치되어 있으므로, 실제로 도 5에 도시된바와같은 구조를 가지게 된다. 이 경우, 제1 서스테인 전극(34a)과 제2 서스테인 전극(34b)을 중심으로 유전체후막(42) 및 보호막(40)을 성막하여 분리시켜 제1 및 제2 서스테인 전극(34a,34b) 사이에 소정의 갭(60)이 형성되어 새로운 방전공간을 가지는 구조가 된다. 이에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 서스테인 전극쌍(34)에 구동전압을 인가하여 서스테인 방전을 일으킬 경우 방전 경로는 제1 서스테인 전극(34a)과 제2 서스테인 전극(34b)에서 가장 가까운 부분(방전 반경 R이 최소되는 부분)부터 형성되기 시작하여 유지방전 시간이 경과함에 따라 먼 부분(방전 반경 R이 큰 부분)까지 확장된다. 이 때, 갭(60)에는 고전계가 집중되는 새로운 방전공간으로 사용되어 갭(60)에서 전자 및 이온의 밀도가 가장 높게 된다. 따라서, 에너지가 높은 전자는 대부분 갭(60)에 집중되어 이온화(Ionization) 현상과 여기(Excitation) 현상이 많이 발생하게 된다. 즉, 갭(60)에서 발생되는 자외선(UV)의 세기가 가장 강하게 된다. 이에따라, 상기 갭(60)에서 발생되는 자외선과 기존의 방전공간에서 발생되는 자외선이 형광체(36)를 여기시키게 되므로 형광체(36)에서 발생하는 가시광선이 강하게 되어 셀의 휘도를 높이게 된다. 이로인해, 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자는 갭(60)에 대응하는 방전공간이 증대되므로 종래의 구동전압보다 낮은 레벨의 구동전압으로도 종래와 동일한 휘도레벨을 얻을 수 있게 된다. 또한, 전자 및 이온의 밀도와 에너지가 높아지므로 방전 효율이 향상된다.
상술한바와 같이 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자는 자신의 하판에격벽전극을 형성시켜 하전입자의 손실을 방지하여 전력손실 및 격벽가열을 방지함과 아울러, 자신의 상판에 소정의 갭을 형성시켜 휘도 및 방전효율을 향상시키게 된다.
도 5 및 도 6을 결부하여 본 발명에 따른 고효율 PDP의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다. 상부기판(46)의 상부에 소정의 두께로 ITO(Indium Tin Oxide; 이하 "ITO"라 함)를 성막하여 서스테인 전극쌍(34)을 형성한다. (제11 단계) 상부기판(46)의 상부에 스퍼터링법(Sputtering Method) 또는 진공증착법을 이용하여 ITO를 소정의 두께로 증착시켜 서스테인 전극쌍(34)을 형성하게 된다. 이때, 서스테인 전극쌍(34)은 제1 서스테인 전극(34a)과 제2 서스테인 전극(34b)으로 분리되어 있다.
서스테인 전극쌍(34)의 상부에 Cr막, Cu막, Cr막을 순차적으로 적층하여 버스전극(50)을 형성한다. (제12 단계) 제1 및 제2 서스테인 전극(34a,34b)들의 상부에 스퍼터링법을 이용하여 소정의 두께로 Cr, Cu, Cr을 순차적으로 증착시켜 제1 및 제2 버스전극(50a,50b)을 형성한다. 이때, 버스전극들(50a,50b)은 제1 및 제2 서스테인 전극(34a,34b)에 안정적인 구동전압을 인가하는 기능을 수행하게 된다.
서스테인 전극(34a,34b) 및 버스전극(50a,50b)을 중심으로 분리되어 소정의 두께로 도포된 유전체후막(42)을 형성한다.(제13 단계) 스크린 프린트법(Screen Print Method)을 이용하여 제1 서스테인 전극(34a) 및 제1 버스전극(50a)의 상부에 소정의 두께로 도포하여 제1 유전체후막(42a)을 형성함과 아울러, 제2 서스테인 전극(34b) 및 제2 버스전극(50b)의 상부에 소정의 두께로 도포하여 제2유전체후막(42b)을 형성하게 된다. 이때, 제1 유전체후막(42a)과 제2 유전체후막(42b)의 사이에는 소정의 갭이 형성된다.
유전체후막(42)의 상부에 소정의 두께로 보호막(40)을 형성한다. (제14 단계) 제1 및 제2 유전체후막(42a,42b)의 상부에 각각 제1 및 제2 보호막(40)을 형성하게 된다. 보호막(40)은 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체후막(42)을 보호하는 기능을 수행하게 되며, 2000Å의 두께로 성막하는 것이 바람직하다. 이때, 제1 보호막(40a)과 제2 보호막(40b)사이에는 소정의 갭(60)이 형성된다. 이에따라, PDP상판에는 제1 및 제2 서스테인 전극(34a,34b)을 중심으로 형성된 유전체후막(42)과 보호막(40) 사이에는 소정의 갭(60)이 형성되어 새로운 방전공간을 마련하게 된다. 상기 갭(60)의 기능에 대해서는 충분히 기술되어 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 상기 제11 내지 제14 단계에 의해 형성된 PDP상판이 도 5에 도시되어 있다.
하부기판(44)의 상부에 어드레스 전극(32)을 형성한다. (제15 단계) 하부기판(44)의 상부에 스크린 프린트법을 이용하여 어드레스 전극(32)을 형성하게 된다. 이때, 어드레스 전극(32)은 상기 서스테인 전극쌍(34)과 직교하도록 형성된다.
하부기판(44)의 상부에 격벽전극(52) 및 격벽(38)을 순차적으로 형성한다. (제16 단계) 어드레스 전극(32)이 형성된 하부기판(44)의 상부에 샌드 블라스트법(Sand Blast Method), 첨가법(Additive Method), 스크린 프린트법(Screen Print Method), 식각법(Etching Method) 등을 이용하여 격벽전극(52) 및 격벽(38)을 순차적으로 형성하게 된다. 이때, 도 7과 같이 격벽전극(52)은 하전입자(즉, 전자(54) 및 양이온(56))들이 격벽(38) 표면에서 재결합하는 것을 방지하여 하전입자의 손실을 방지하게 된다. 상기 격벽전극(52)의 기능에 대해서는 충분히 기술되어 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 격벽(38)은 각각의 방전셀을 분할하여 방전공간을 마련하게 된다.
하부기판(44)의 상부 및 격벽(38)의 내측면에 소정의 두께로 형광체층(36)을 형성한다. (제17 단계) 형광체를 스크린 프린트법을 이용하여 하부기판(44)의 상부 및 격벽(38)의 내측면에 소정의 두께로 도포하여 형광체층(36)을 형성하게 된다. 이때, 형광체층(36)은 플라즈마 방전으로 발생된 자외선에 의해 여기·발광되어 R,G,B에 대응하는 가시광선을 발생하게 된다. 상기 제15 내지 제17 단계에 의해 형성된 PDP하판이 도 6에 도시되어 있다.
PDP상판 및 하판을 봉착하여 PDP소자를 형성한다. (제18 단계) 상기 제11 단계 내지 제14 단계의 과정에 의해 형성된 PDP상판과 상기 제15 단계 내지 제17 단계의 과정에 의해 형성된 PDP하판을 봉착함과 아울러, 방전공간의 잔존공기를 배기시키게 된다. 또한, 방전공간에 불활성 가스(He+Xe 또는 Ne+Xe)를 적당한 압력으로 주입한후, 주입구를 봉지하면 교류형 PDP 소자가 형성된다. 이에따라, 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자의 제조방법은 자신의 하판에 격벽전극을 형성시켜 하전입자의 손실을 방지하여 전력손실 및 격벽가열을 방지함과 아울러, 자신의 상판에 소정의 갭을 형성시켜 휘도 및 방전효율을 향상시키게 된다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자의 구동방법을 설명하기 위한 파형도가 도시되어 있다. 이때, 제1 서스테인 전극(34a)을 스캔/서스테인 전극이라 하고, 제2 서스테인 전극(34b)을 공통 서스테인 전극이라 한다. 도 8의 (a)는 어드레스 전극(32)에 공급되는 전압파형을 나타내고, 도 8의 (b)는 공통 서스테인 전극(34b; 이하 "X전극"이라 함)에 공급되는 전압파형을 나타낸다. 또한, 도 8의 (c)는 공통 서스테인 전극(X전극)에 나란하게 배치된 스캔/서스테인 전극(34a; 이하 "Y전극"이라 함)에 공급되는 전압파형을 나타내며 도 8의 (d)는 격벽(38)의 내부에 형성된 격벽전극(52)에 공급되는 전압파형을 나타낸다. 통상 1/60 초(Second)의 시간이 주어지는 한 프레임(Frame)은 256계조를 구현하는 경우 8개의 서브필드(Sub Field;SF)로 구성되며, 각각의 서브필드(SF)는 어드레스 구간과 서스테인 구간으로 구성되어 있다. 각 서브필드의 어드레스 구간은 점등할 화소의 벽전하를 축적시키는 구간이다. 이를 상세히 설명하면, 먼저, 각 서브필드의 어드레스 구간중 제1 내지 제3 스텝은 셀의 안정적인 동작을 위하여 전체의 셀 내부에 벽전하를 약간 잔류시키기 위한 구간이다. 이를 위하여, Y 및 X 전극 사이에 상대적으로 높은 전압레벨을 갖는 라이팅(Writing)펄스를 인가해 셀 내부의 유전체층에 벽전하를 형성한다. 이어서, Y 및 X전극 간에 소거펄스 등을 인가하여 여러번의 방전을 일으킴으로써, 셀 내부에 균일한 벽전하가 잔류하도록 한다. 다음으로, 각 서브필드의 어드레스 구간중 제4 스텝은 점등할 화소에 대해 다음의 서스테인 방전이 가능할 정도의 벽전하를 어드레스 방전에 따라 축적시키기 위한 구간이다. 이를 위하여, 어드레스 전극에 인가되는 영상데이터 펄스와 Y전극(예를들면, Y1 내지 Y480)에 인가되는 스캔펄스에 의해 어드레스 방전을 일으킴으로써 점등할 셀의 내부에 벽전하가 형성되게 된다.
또한, 각 서브필드의 서스테인 구간은 상기 벽전하에 서스테인 펄스를 인가하여 어드레스 방전이 일어난 셀에 대해서만 서스테인 방전을 일으켜 휘도의 상대치를 결정하는 구간이다. 이를 상세히 설명하면, Y 및 X전극 간에 인가되는 서스테인 펄스가 어드레스 구간에서 점등된 셀의 내부에 형성된 벽전하에 가산되어 서스테인 방전을 일으킴으로써 휘도의 상대치를 결정하게 된다. 이때, 격벽전극(52)에는 서스테인 펄스와 동기화되어 소정의 전압레벨을 갖는 마이너스 펄스를 인가하게 된다. 이에따라, 방전공간에서는 열운동 또는 확산에 의해 격벽(38)으로 이동하는 전자를 전계에 의해 방전공간 내부로 밀어내게 되어 양이온(56)이 격벽(38)에서 재결합하는 시드(Seed)를 원천적으로 제거하여 하전입자의 손실을 최소화하게 된다. 이로인해, 본 발명에 따른 고효율 플라즈마 표시소자의 구동방법은 서스테인 구간동안 격벽전극(52)에 마이너스 펄스를 인가하여 하전입자의 재결합을 방지하여 하전입자의 손실을 줄여 전력손실 및 격벽의 온도상승을 방지하게 된다.
상술한 바와같이, 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자는 자신의 하판에 격벽전극을 형성시켜 하전입자의 손실을 방지하여 전력손실 및 격벽가열을 방지함과 아울러, 자신의 상판에 소정의 갭을 형성시켜 휘도 및 방전효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (4)

  1. 상부기판에 형성되어 유지방전을 일으키는 제 1 및 제 2전극과,
    하부기판에 상기 제 1 및 제 2전극과 교차되는 방향으로 형성되는 제 3전극과,
    상기 상부기판 및 하부기판의 사이에 형성되어 방전공간을 형성하는 격벽과,
    상기 격벽의 내부에 형성되어 상기 제 1 및 제 2전극간의 유지방전기간에 전압이 인가되어 격벽표면에서 하전입자들의 재결합을 방지하기 위한 격벽전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서.
    상기 서스테인 방전이 일어나는 기간동안 상기 격벽전극에는 마이너스 펄스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1전극과 제 2전극을 각각 덮는 제 1 및 제 2 유전층을 가지며 상기 제 1유전층 및 제 2유전층 사이에는 소정의 갭이 형성되도록 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2유전층 상에는 각각 보호막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자.
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