CN101657888A - 粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法 - Google Patents

粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，能够防止在成膜处理时从容器内或导入管内流出颗粒。基板处理系统(10)具有粉体状物质源供给系统(12)和成膜处理装置(11)。粉体状物质源供给系统包括：收容粉体状物质源(13)(羰基钨)的安瓿容器(14)；向安瓿容器内供给载体气体的载体气体供给装置(16)；连接安瓿容器和成膜处理装置的粉体状物质源导入管(17)；从粉体状物质源导入管分支的吹扫管(19)；和开闭粉体状物质源导入管的开闭阀(22)。在成膜处理前，在关闭开闭阀且对吹扫管内排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。

Description

粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法
技术领域
本发明涉及粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法，特别涉及向对基板实施成膜处理的成膜装置中供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统的清洗方法。
背景技术
在现有技术中，作为对用作基板的晶片实施成膜处理的基板处理系统，公知有使用粉末状的固体源，例如使用粉末状的羰基钨(tungstencarbonyl)(W(CO)6)。该基板处理系统包括：收容固体源的容器(安瓿容器(ampoule))；对晶片实施成膜处理的成膜处理装置；和连接该成膜处理装置与容器并且向成膜处理装置导入固体源的导入管。
在该基板处理系统中，固体源通过载体气体经由导入管内而被搬运到成膜处理装置。被搬运来的固体源通过气化器等而被气体化，该气体在成膜处理装置中被等离子体化。利用该等离子体对晶片实施成膜处理(例如，参照日本特开2006-93240号公报(图1))。
然而，若在上述基板处理系统中持续长时间维持待机状态，则在导入管内、容器内羰基钨的粉粒成长为比粉粒大的粒子(颗粒)。若该颗粒在成膜处理时从容器内、导入管内流出并流入到成膜处理装置，然后该流入的颗粒附着在晶片上，则会引起利用该晶片制造出的半导体设备中发生不良情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法，能够防止在成膜处理时从容器内或者导入管内流出颗粒。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，该清洗方法是具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置的基板处理系统中的所述粉体状物质源供给系统的清洗方法，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，所述粉体状物质源供给系统的清洗方法包括清洗步骤，其中，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
在本发明第一方面中，优选在所述清洗步骤中，所述载体气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量多的供给流量向所述容器内供给所述载体气体。
在本发明第一方面中，优选在所述清洗步骤中，所述载体气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量至少增加25％的供给流量向所述容器内供给所述载体气体。
在本发明第一方面中，优选所述基板处理系统在所述容器与至所述吹扫管的分支点之间还包括向所述导入管内供给附加气体的附加气体供给装置，在所述清洗步骤中，所述附加气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量小的供给流量向所述导入管内供给所述附加气体。
在本发明第一方面中，优选在所述清洗步骤中，所述附加气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量至少减少40％的供给流量向所述导入管内供给所述附加气体。
在本发明第一方面中，优选反复进行所述清洗步骤。
在本发明第一方面中，优选在所述清洗步骤中，向容器内供给所述载体气体，使得在所述容器内的粉体状物质源的表面生成边界层。
为了实现上述目的，本发明第二方面提供一种存储有能够使粉体状物质源供给系统的清洗方法在计算机中运行的计算机能够读取的存储介质，该清洗方法是具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置的基板处理系统中的所述粉体状物质源供给系统的清洗方法，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，所述清洗方法包括清洗步骤，其中，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
为了实现上述目的，本发明第三方面提供一种基板处理系统，所述基板处理系统具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
在本发明第三方面中，优选所述吹扫管具有压力控制阀。
在本发明第三方面中，优选所述吹扫管的流导比所述成膜处理装置和至所述吹扫管的分支点之间的所述导入管的流导大。
在本发明第三方面中，优选所述容器具有超声波振动发生装置。
在本发明第三方面中，优选所述导入管具有加热器。
为了实现上述目的，本发明第四方面提供一种基板处理方法，接着本发明第一方面的粉体状物质源供给系统的清洗方法的实施对所述基板实施所述成膜处理。
附图说明
图1是简要表示本发明第一实施方式所涉及的基板处理系统的结构的示意图。
图2表示的是作为本实施方式所涉及的粉体状物质源供给系统的清洗方法的预吹扫处理的流程图。
图3是模式表示在图1中的安瓿容器内的粉体状物质源表面产生的边界层的示意图。
图4表示的是作为本发明第二实施方式所涉及的粉体状物质源供给系统的清洗方法的预吹扫处理的流程图。
图5是颗粒根据有无实施预吹扫处理等而表现出的附着数的变化的图表。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
图1是简要表示本发明第一实施方式所涉及的基板处理系统的结构的示意图。
在图1中，基板处理系统10包括：对作为基板的晶片(图未示出)实施成膜处理例如MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金属有机化学气相沉积))处理的成膜处理装置11；和向该成膜装置11供给作为成膜处理的来源的粉末状的羰基钨的粉体状物质源供给系统12。
成膜处理装置11具有收容晶片的腔室(图未示出)。在成膜处理装置11中，向着收容在腔室内的晶片供给被气体化的羰基钨，利用该气体化的羰基钨实施成膜处理。
粉体状物质源供给系统12包括：用于收容由粉末状的羰基钨构成的粉体状物质源13的安瓿容器14(容器)；经由载体气体供给管15向安瓿容器14供给载体气体(例如氩气)的载体气体供给装置16；连接安瓿容器14和成膜处理装置11的粉体状物质源导入管17；和在分支点17a从该粉体状物质源导入管17分支并且与干式泵18(排气装置)连接的吹扫管19。
在粉体状物质源供给系统12中，若载体气体供给装置16经由载体气体供给管15向安瓿容器14内以规定的供给流量供给氩气，则该氩气卷起作为粉体状物质源13的羰基钨，该被卷起的羰基钨与载体气体发生混合而成为气体和固体的混合物，该混合物流向成膜处理装置11。
此外当然，在成膜处理时在安瓿容器14内，例如作为升华的气体的羰基钨也作为源气体而向成膜处理装置11流入。
此外，粉体状物质源供给系统12具有经由附加气体供给管20向粉体状物质源导入管17内供给附加气体例如氩气的附加气体供给装置21。附加气体供给管20在安瓿容器14和分支点17a之间与粉体状物质源导入管17连接。附加气体供给装置21向在粉体状物质源导入管17内流动的混合物添加附加气体从而使整体的流量上升，由此，实现混合物向成膜处理装置11的稳定流入。
此外，在图1中，以虚线表示载体气体供给管15中的载体气体流路、粉体状物质源导入管17中的混合物流路、和附加气体供给管20中的附加气体的流路。
粉体状物质源导入管17在成膜处理装置11和分支点17a之间具有直径比吹扫管19的直径小的细径部17b和配置在该细径部17b上的用于开闭该细径部17b的开闭阀22。此外，吹扫管19具有压力控制阀23。若打开开闭阀22，关闭压力控制阀23，则载体气体、附加气体等向成膜处理装置11流动(图中的两点划线)，此外，若关闭开闭阀22，打开压力控制阀23，则载体气体、附加气体等向干式泵18流动(图中的一点划线)而并不向成膜处理装置11流动。此处，因为吹扫管19的直径比细径部17b的直径大，所以吹扫管19的流导(conductance)比细径部17b的流导大。
此外，吹扫管19与粉体状物质源导入管17内连通以及经由该粉体状物质源导入管17与安瓿容器14内连通，所以压力控制阀23不仅能够控制吹扫管19内的压力并且还能够控制安瓿容器14内、粉体状物质源导入管17内(以下简称为“安瓿容器14内等”)的压力。其中，压力计24被设置在分支点17a的附近，该压力计24用于测定粉体状物质源导入管17内的压力。
在载体气体供给管15上设置有流量控制器25，在附加气体供给管20上设置有流量控制器26。流量控制器25、26分别对载体气体供给装置16供给的载体气体的流量和附加气体供给装置21供给的附加气体的流量进行控制。
在粉体状物质源导入管17的周围设置有加热器27，该加热器27对粉体状物质源导入管17进行加热。此外，在安瓿容器14上设置有超声波振动发生装置28，该超声波振动发生装置28向安瓿容器14施加超声波振动。
在该基板处理系统10中，若持续长时间维持在待机状态，则在安瓿容器14内等羰基钨的粉粒成长并变成比粉粒大的颗粒P，但是在本实施方式中，利用载体气体的粘性力在成膜处理前将这些颗粒P除去。
图2表示的是作为本实施方式所涉及的粉体状物质源供给系统的清洗方法的预吹扫处理的流程图。该预吹扫处理是在基板处理系统10中在成膜处理装置11的成膜处理之前实施的。
在图2中，首先，关闭开闭阀22并且将压力控制阀23打开(步骤S21)。由此，确保从安瓿容器14经由粉体状物质源导入管17和吹扫管19的向着干式泵18的流路(图1中的1点划线)。
接着，利用始终处于工作状态的干式泵18被确保的流路，对吹扫管19内进行排气(步骤S22)，载体气体供给装置16向安瓿容器14内供给载体气体和经由该安瓿容器14向粉体状物质源导入管17内供给载体气体。此时的载体气体的供给流量被设定为比成膜处理时的载体气体的供给流量多(步骤S23)(清洗步骤)。
通常，作用在球形的颗粒上的载体气体的粘性力由下述公式(1)表示：
公式1：
F = nm v 2 π d 2 4 . . . . . . ( 1 )
此处，F为载体气体的粘性力，n为载体气体的分子密度，m为载体气体的分子量，v为载体气体的流速，d为颗粒的直径。
此外，通常，如下述公式2所示，分子密度n与压力成正比，流速v与流量成正比并且与压力成反比。
公式2：
n∝压力，
Figure G2008800111613D00072
因此，载体气体的粘性力如下述公式3所示，其与载体气体的流量的平方成正比并且与安瓿容器14或者粉体状物质源导入管17内的压力成反比。
公式3：
Figure G2008800111613D00073
其中， k = mπ d 2 4 . . . . . . ( 3 )
在步骤S23中，具体而言，载体气体的供给流量与成膜处理时的载体气体的供给流量(80sccm)相比增加了25％，被设定为100sccm。由此，能够对安瓿容器14内等的颗粒P上作用比成膜处理时的粘性力大的粘性力。其结果，不仅能够使通过成膜处理时的粘性力而移动的颗粒P从安瓿容器14内等移动，而且还能够使比该颗粒P大的颗粒P从安瓿容器14内等移动。
此外，附加气体供给装置21向粉体状物质源导入管17内供给附加气体(步骤S24)。此时，附加气体供给装置21供给的附加气体的供给流量比成膜处理时的附加气体供给流量(500sccm)稍微小一些，被设定为480sccm。此处，对从安瓿容器14内移动的颗粒P以及载体气体的混合物施加附加气体。此外，因为开闭阀22关闭并且压力控制阀23打开，所以上述混合物并不在细径部17b中流动，而是从吹扫管19向基板处理系统10的外部排出。由此，将颗粒P从安瓿容器14内等除去。
在紧接着的步骤S25中，对是否从吹扫管19内的排气开始经过规定时间、步骤S23是否实施规定次数以上进行判断。对于该判断结果，当为没有经过规定时间并且步骤S23没有实施规定次数以上时，返回到步骤S23，继续进行载体气体的供给等，当经过规定时间时或者步骤S23实施规定次数以上时，结束本处理。其中，作为步骤S25中的规定时间，例如被设定为预先通过实验等确定的、从安瓿容器14内等将颗粒P完全除去所需要的时间。具体而言，作为规定时间，例如设定为1秒钟。此外，作为在步骤S25中的规定次数，例如设定为预先通过实验等确定的、从安瓿容器14内等将颗粒P完全除去所需要的步骤S23的实施次数。
根据图2的处理，在成膜处理之前，在关闭开闭阀22并且利用干式泵18对吹扫管19内进行排气时，载体气体供给装置16以比成膜处理时的载体气体的供给流量多的供给流量向安瓿容器14内以及经由该安瓿容器14向粉体状物质源导入管17内供给载体气体，所以，能够使载体气体在安瓿容器14内等的流量增加。此处，如上述公式3所示，因为作用于颗粒P上的载体气体的粘性力与载体气体的流量的平方成正比，因此，能够使作用在安瓿容器14等内的颗粒P的粘性力比成膜处理时的粘性力大。其结果，在成膜处理前，不仅能够使通过成膜处理时的粘性力移动的颗粒P移动，而且还能够使比该颗粒P大的颗粒P移动。此外，移动的颗粒P通过吹扫管19内的排气的流动而被导向吹扫管19但是并没被导向粉体状物质源导入管17b，从该吹扫管19被排出。即，在成膜处理前，几乎能够将在成膜处理时通过粘性力而有可能移动的颗粒P从安瓿容器14内等全部排除。其结果，能够防止在成膜处理时从安瓿容器14内等流出颗粒P。
此外，在图2的处理中，因为反复实施作为清洗步骤的步骤S23，所以，能够在成膜处理之前，从基板处理系统的安瓿容器14内等可靠地除去颗粒P。其中，在只需通过一次步骤S23的实施便能够完全除去颗粒P的情况下，没有必要反复实施步骤S23。其中，也可以不根据规定时间的经过、规定次数以上的实施来判断图2的处理是否结束，而设置用于检测来自于安瓿容器14内等的颗粒P的除去处理的终点的终点检测器，根据该终点检测器的检测结果来进行判断。
在步骤S23中，也可以通过对载体气体的供给流量、安瓿容器14内的压力进行控制从而在安瓿容器14内的粉体状物质源13的表面产生边界层。因为边界层的厚度为几μm左右，因此，如图3所示，虽然颗粒P从该边界层29突出，但是粉体状物质源13的粉粒30不从边界层29突出。此处，因为在边界层29内不产生载体气体的流动，所以在不从边界层29突出的粉粒30上没有作用有粘性力。另外，因为在边界层29外产生载体气体的流动，所以在从边界层29突出的颗粒P上作用有粘性力。由此，能够从安瓿容器14内选择性地除去颗粒P。其中，为了在安瓿容器14内产生边界层，有必要至少将安瓿容器14内的压力设定在133Pa(1Torr)以上，因此，当产生边界层时，优选将安瓿容器14内的压力设定为133Pa以上。
此外，在步骤S23中，使来自于载体气体供给装置16的载体气体的供给流量增加，但是若过度增加该供给流量，则粉体状物质源13的大部分被卷起，结果有可能在成膜处理前从安瓿容器14内除去大部分的粉体状物质源13。因此，在步骤S23中的载体气体的供给流量存在上限，该上限例如为200sccm(比成膜处理时的载体气体的流量增加150％)，这是本发明人等通过实验等确定的。而且，在步骤S23中，载体气体的供给流量与成膜处理时的载体气体的供给流量(80sccm)相比增加了25％，被设定为100sccm，但是，只要载体气体的供给流量比成膜处理时的载体气体的供给流量增加10％，被设定为88sccm，则能够将成膜处理时通过粘性力移动的颗粒P从安瓿容器14内等移动，这是本发明人等通过实验等确定的。。
在上述基板处理系统10中，安瓿容器14具有超声波振动发生装置28。若向安瓿容器14施加超声波振动，则颗粒P向安瓿容器14内的粉体状物质源13的表面浮起。由此，能够使颗粒P暴露在载体气体的流动中，从而能够可靠地向颗粒P作用粘性力。
此外，在上述基板处理系统10中，因为粉体状物质源导入管17具有加热器27，通过该加热器27对粉体状物质源导入管17进行加热，所以，能够利用热应力促进粉体状物质源导入管17内的颗粒P的除去。
此外，也可以利用加振器等使粉体状物质源导入管17产生振动，由此，能够促进颗粒P从粉体状物质源导入管17的内壁剥离，其结果，能够促进颗粒P的除去。
其中，上述基板处理系统10具有附加气体供给装置21，但是，只要能够实现在粉体状物质源导入管17内流动的混合物(颗粒P和载体气体的混合物)向成膜处理装置11的稳定流入，则基板处理系统10没有必要具有附加气体供给装置21。
接着，对本发明第二实施方式所涉及的基板处理系统和粉体状物质源供给系统的清洗方法进行说明。
本实施方式所涉及的粉体状物质源供给系统的清洗方法仅仅在载体气体的供给流量和附加气体的供给流量方面与第一实施方式不同，所以对其重复的结构、作用省略说明，以下只对不同的结构、作用进行说明。
图4表示的是作为本实施方式所涉及的粉体状物质源供给系统的清洗方法的预吹扫处理的流程图。预吹扫处理同样也是在基板处理系统10中先于成膜处理装置11的成膜处理而实施的。
在图4中，首先，关闭开闭阀22并且打开压力控制法23(步骤S41)，利用干式泵18对吹扫管19内进行排气(步骤S42)。
接着，载体气体供给装置16向安瓿容器14内以及经由该安瓿容器14向粉体状物质源导入管17内供给载体气体。此时的载体气体的供给流量为与成膜处理时的载体气体的供给流量(80sccm)相同的量，被设定为80sccm(步骤S43)。
接着，附加气体供给装置21向粉体状物质源导入管17内供给附加气体(步骤S44)(清洗步骤)。此时，附加气体供给装置21供给的附加气体的供给流量比成膜处理时的附加气体的供给流量(500sccm)少，具体而言，比成膜处理时的减少了40％，被设定为300sccm。其中，被供给的附加气体被附加到从安瓿容器14内移动的颗粒P和载体气体的混合物中。
在步骤S44中，因为附加气体的供给流量与成膜处理时的相比有所减少，所以干式泵18经由吹扫管19排气的附加气体的量减少，干式泵18能够对更多的载体气体进行排气。由此，能够使安瓿容器14内或者粉体状物质源供给管17内的压力比成膜处理时的压力降低。此外，如上述公式3所示，载体气体的粘性力与安瓿容器14内或者粉体状物质源导入管17内的压力成反比。由此，能够对安瓿容器14内等的颗粒P作用比成膜处理时的粘性力大的粘性力。其结果，不仅能够使成膜处理时通过粘性力移动的颗粒P移动，而且还能够使比该颗粒P大的颗粒P从安瓿容器14内等移动。
此外，在步骤S44中，因为关闭开闭阀22并且打开压力控制阀23，所以，将颗粒P从安瓿容器14内等经由吹扫管19除去。
在紧接着的步骤S45中，对是否从吹扫管19内的排气开始经过规定时间、步骤S44是否实施规定次数以上进行判断。对于该判断结果，当为没有经过规定时间并且步骤S44没有实施规定次数以上时，返回到步骤S43，继续进行载体气体的供给等，当经过规定时间时或者步骤S44实施规定次数以上时，结束本处理。其中，作为步骤S45中的规定时间，与图2中的步骤S25的规定时间相同。此外，作为在步骤S45中的规定次数，例如设定为预先通过实验等确定的、从安瓿容器14内等将颗粒P完全除去所需要的步骤S44的实施次数。
根据图4的处理，在成膜处理之前，在关闭开闭阀22并且干式泵18工作以对吹扫管19内进行排气时，附加气体供给装置21以比成膜处理时的附加气体的供给流量少的供给流量向粉体状物质源导入管17内供给附加气体，所以，能够使干式泵18经由吹扫管19排出的附加气体的量减少，从而该干式泵18能够对更多的载体气体进行排气，能够降低安瓿容器14内或者粉体状物质源导入管17内的压力。此处，如上述公式3所示，因为作用于颗粒P上的载体气体的粘性力与安瓿容器14或者粉体状物质源导入管17内的压力成反比，因此，能够使作用在安瓿容器14内等的颗粒P的粘性力比成膜处理时的粘性力大。其结果，能够得到与第一实施方式相同的效果。
其中，也可以不根据规定时间的经过、规定次数以上的实施来判断图4的处理是否结束，而设置用来检测来自于安瓿容器14内等的颗粒P的除去处理的终点的终点(end point)检测器，根据该终点检测器的检测结果来进行判断。
此外，在步骤S44中，附加气体的供给流量与成膜处理时的附加气体的供给流量(500sccm)相比减少了40％，被设定为300sccm，但是，只要附加气体的供给流量比成膜处理时的附加气体的供给流量减少10％，被设定为450sccm，便能够使成膜处理时通过粘性力移动的颗粒P从安瓿容器14内等移动，这是本发明人等通过实验等确认的。
在上述基板处理系统10中，因为吹扫管19具有压力控制阀23，所以该压力控制阀23能够经由吹扫管19将安瓿容器14内等的压力控制在期望的低压。其结果，能够可靠地使作用在颗粒P上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。此外，载体气体的粘性力在安瓿容器14的压力成为133Pa(1Torr)以下时并不作用，这是本发明人等通过实验等确认的。因此，在预吹扫处理时，在基板处理系统10中，通过压力控制阀23将安瓿容器14内的压力控制为不在133Pa以下。
此外，在上述基板处理系统10中，因为吹扫管19的流导比粉体状物质源导入管17的细径部17b的流导大，所以当载体气体流过吹扫管19时，与载体气体流过细径部17b相比，能够促进载体气体的排出，从而，能够降低载体气体的安瓿容器14内或者粉体状物质源导入管17内的压力。其结果，能够可靠地使作用在颗粒P上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
在上述各实施方式中，吹扫管19从粉体状物质源导入管17分支，但是基板处理系统10也可以设置与安瓿容器14内连通的吹扫专用管来代替吹扫管19，也可以从该吹扫专用管将通过载体气体的粘性力移动的颗粒P排出。
此外，在上述各实施方式中，载体气体供给装置16和附加气体供给装置21供给氩气，但是，只要被供给的气体为不活泼性气体即可，载体气体供给装置16等也可以供给氙气、氪气等稀有气体或者氮气等。
此外，本发明的目的，也可以通过向计算机供给存储有实现上述各实施方式的功能用的软件的程序代码的存储介质，由计算机的CPU读出存储在存储介质中的程度代码来实施而实现。
此时，从存储介质读出的程序代码本身能够实现上述各实施方式的功能，程序代码以及存储有该程序代码的存储介质构成本发明。
此外，作为用于供给程序代码的存储介质，例如，只要是RAM、NV-RAM、软盘(floppy(注册商标)disk)、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等光盘、磁带、非易失性存储卡、其它ROM等能够存储上述程序代码的介质即可。或者，上述程序代码也可以通过从互联网、商用网络或者与本地网络连接的图未示出的其它计算机、数据库等下载而提供给计算机。
此外，通过执行计算机读出的程序代码，不仅实现上述各实施方式的功能，而且还包括根据该程序代码的指示，通过CPU运行的OS(操作系统)等进行的实际处理的一部分或者全部，根据该处理来实现上述实施方式的功能。
而且，还包括从存储介质读出的程序代码，在被写入到插入计算机中的功能扩展板、与计算机连接的功能扩展单元所具备的存储器中之后，根据该程序代码的指示，其功能扩展板、功能扩展单元所具有的CPU等进行实际处理的一部分或者全部，通过该处理实现上述各实施方式的功能的情况。
上述程序代码的方式可以由目标代码(object code)、通过翻译器(interpreter)执行的程序代码、向OS供给的脚本数据(script date)等方式构成。
【实施例】
接着，对本发明的实施例进行说明。
实施例1
首先，在持续长时间维持待机状态的基板处理系统10中，在执行图2的处理之后，在成膜处理装置11中连续对两个晶片实施成膜处理。然后，利用颗粒计数器对附着在已实施该成膜处理的晶片的表面上的、大小为0.10μm以上的颗粒数进行计数。将其结果表示在图5的图表中。
实施例2
首先，在持续长时间维持待机状态的基板处理系统10中，在执行图4的处理之后，在成膜处理装置11中连续对两个晶片实施成膜处理。然后，对附着在已实施该成膜处理的晶片的表面上的、大小为0.10μm以上的颗粒数进行计数。将其结果表示在图5的图表中。
比较例1
在持续长时间维持待机状态的基板处理系统10中，不执行图2的处理、图4的处理之后，在成膜处理装置11中连续对两个晶片实施成膜处理。然后，对附着在已实施该成膜处理的晶片的表面上的、大小为0.10μm以上的颗粒数进行计数。将其结果表示在图5的图表中。
比较例2
首先，在持续长时间维持待机状态的基板处理系统10中，将图2的处理中的载体气体的供给流量设定为与成膜处理时相同的量实施预吹扫处理，之后，在成膜处理装置11中连续对两个晶片实施成膜处理。然后，对附着在已实施该成膜处理的晶片的表面上的、大小为0.10μm以上的颗粒数进行计数。将其结果表示在图5的图表中。
如图5的图表所示，对比较例1与比较例2进行对比可知，通过实施预吹扫处理，能够抑制成膜处理时颗粒从安瓿容器14内等流出。然而，即便将载体气体的供给流量、附加气体的供给流量设定为与成膜处理时相同的量进行预吹扫处理，也不能够使附着在晶片表面的颗粒的数目在作为目标值的30个以下。
另外，对比较例2与实施例1或者实施例2进行比较可知，在执行预吹扫处理时，通过增加载体气体的供给流量或者降低附加气体的供给流量，能够对颗粒P作用更大的粘性力，从而，几乎能够从安瓿容器14内等将颗粒P全部排除，其结果，能够防止在成膜处理时颗粒P从安瓿容器14内等流出而流入到成膜处理装置11内。
工业可利用性
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法、存储介质、基板处理系统和基板处理方法，在成膜处理之前，在从容器向成膜处理装置导入载体气体和粉体状物质源的混合物的导入管的开闭阀关闭并且排气装置对从导入管分支的吹扫管内进行排气时，载体气体供给装置供给载体气体使得由载体气体作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时由载体气体作用在颗粒上的粘性力大。由此，能够对在导入管内和容器内成长的颗粒作用比成膜处理时的粘性力大的粘性力。其结果，在成膜处理前，不仅能够使成膜处理时通过粘性力而移动的颗粒移动，而且还能够使比该颗粒大的颗粒移动。此外，移动的颗粒通过吹扫管内的排气的流动而被导入到吹扫管而不是导入管，并从该吹扫管被排出。即，在成膜处理前，能够将在成膜处理时通过粘性力具有移动可能性的颗粒从容器内、导入管内大致排除。其结果，能够防止在成膜处理时颗粒从容器内、导入管内流出。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，因为载体气体供给装置以比成膜处理时的供给流量大的供给流量向容器内供给载体气体，所以能够增加载体气体在导入管内、容器内的流量。因为粘性力与载体气体的流量的平方成正比，所以能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，载体气体供给装置以比成膜处理时的供给流量至少增加25％的供给流量向容器内供给载体气体，所以能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，因为在容器和至吹扫管的分支点之间向导入管内供给附加气体的附加气体供给装置以比成膜处理时的供给流量少的供给流量向导入管内供给附加气体，所以排气装置经由吹扫管排气的附加气体的量减少，该排气装置能够对更多的载体气体进行排气，能够降低载体气体的导入管内、容器内的压力。因为粘性力与导入管内或者容器内的压力成反比，所以能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，因为附加气体供给装置以比成膜处理时的供给流量至少减少40％的供给流量向导入管内供给附加气体，所以能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，因为反复进行清洗步骤，所以能够在成膜处理前从基板处理系统的容器内、导入管内可靠地除去颗粒。
根据本发明的粉体状物质源供给系统的清洗方法，以在容器内的粉体状物质源的表面产生边界层的方式向容器内供给载体气体。因为在边界层内部没有产生流动，所以，在不从边界层突出的粉体状物质源的粉粒上没有作用有粘性力。另外，因为在边界层外产生有流动，所以在从边界层突出的颗粒上作用有粘性力。由此，能够从容器内选择性地除去颗粒。
根据本发明的基板处理系统，因为吹扫管具有压力控制阀，所以该压力控制阀能够经由吹扫管将导入管内、容器内的压力控制在期望的低压力。其结果，能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的基板处理系统，因为吹扫管的流导比成膜处理装置和至吹扫管的分支点之间的导入管的流导大，所以，当载体气体流过吹扫管时，与成膜处理装置和至吹扫管的分支点之间载体气体流动的成膜处理时相比，能够促进载体气体的排出，从而，能够降低载体气体的导入管内、容器内的压力。其结果，能够可靠地使作用在颗粒上的粘性力比成膜处理时的粘性力大。
根据本发明的基板处理系统，容器具有超声波振动发生装置。若向容器施加超声波振动，则颗粒向着容器内的粉体状物质源的表面浮起，由此，能够可靠地向颗粒作用粘性力。
根据本发明的基板处理系统，因为导入管具有加热器，所以能够利用热应力促进导入管内的颗粒的除去。

Claims (14)

1.一种粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
该清洗方法是具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置的基板处理系统中的所述粉体状物质源供给系统的清洗方法，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，所述粉体状物质源供给系统的清洗方法包括清洗步骤，其中，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
2.如权利要求1所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
在所述清洗步骤中，所述载体气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量大的供给流量向所述容器内供给所述载体气体。
3.如权利要求2所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
在所述清洗步骤中，所述载体气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量至少增加25％的供给流量向所述容器内供给所述载体气体。
4.如权利要求1所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
所述基板处理系统在所述容器与至所述吹扫管的分支点之间还包括向所述导入管内供给附加气体的附加气体供给装置，在所述清洗步骤中，所述附加气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量小的供给流量向所述导入管内供给所述附加气体。
5.如权利要求4所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
在所述清洗步骤中，所述附加气体供给装置以比所述成膜处理时的供给流量至少减少40％的供给流量向所述导入管内供给所述附加气体。
6.如权利要求1所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
反复进行所述清洗步骤。
7.如权利要求1所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法，其特征在于：
在所述清洗步骤中，向所述容器内供给所述载体气体，使得在所述容器内的粉体状物质源的表面生成边界层。
8.一种存储有能够使粉体状物质源供给系统的清洗方法在计算机中运行的计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
该清洗方法是具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置的基板处理系统中的所述粉体状物质源供给系统的清洗方法，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，所述清洗方法包括清洗步骤，其中，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
9.一种基板处理系统，其特征在于：
所述基板处理系统具有用于供给粉体状物质源的粉体状物质源供给系统和使用被供给的该粉体状物质源对基板实施成膜处理的成膜处理装置，所述粉体状物质源供给系统包括：收容所述粉体状物质源的容器；向该容器内供给载体气体的载体气体供给装置；连接所述容器与所述成膜处理装置并且从所述容器向所述成膜处理装置导入所述载体气体和所述粉体状物质源的混合物的导入管；从该导入管分支并且与排气装置连接的吹扫管；和在所述成膜处理装置与至所述吹扫管的分支点之间对所述导入管进行开闭的开闭阀，在所述成膜处理之前，在关闭所述开闭阀并且所述排气装置对所述吹扫管内进行排气时，所述载体气体供给装置供给所述载体气体使得由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力比所述成膜处理时由所述载体气体作用在颗粒上的粘性力大。
10.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于：
所述吹扫管具有压力控制阀。
11.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于：
所述吹扫管的流导比所述成膜处理装置和至所述吹扫管的分支点之间的所述导入管的流导大。
12.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于：
所述容器具有超声波振动发生装置。
13.如权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于：
所述导入管具有加热器。
14.一种基板处理方法，其特征在于：
接着权利要求1所述的粉体状物质源供给系统的清洗方法的实施，对所述基板实施所述成膜处理。
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