CN101645492A - 沉积发光层的方法、有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了沉积发光层的方法、有机电致发光器件及其制造方法。一种沉积有机EL器件的发光层的方法，在该有机EL器件中具有多种不同颜色的子像素组合设定为单位像素，多个子像素沿行方向依次地且交替地布置，相同颜色的多个子像素沿列方向布置，该方法包括：利用具有多个开口部分的掩模首次沉积发光层，该多个开口部分对应于布置在子像素的任意偶数行和奇数行中具有相同颜色的子像素的位置；以及使用用于发光层首次沉积操作的掩模的相同开口部分，通过移动掩模以防止发光层被沉积在与首次沉积操作期间发光层沉积处的子像素相邻的子像素处来二次沉积发光层。

Description

沉积发光层的方法、有机电致发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种沉积有机电致发光(EL)器件的发光层的方法、制造有机电致发光器件的包括上述沉积方法的方法以及通过上述制造方法制造的有机EL器件。
背景技术
有机EL器件是有源型发光显示器件，由于宽的视角、良好的对比度以及快的响应速度其作为下一代显示器件备受关注。有机EL器件通过在玻璃或其它透明绝缘基板上以预定图案形成阳极以及随后在阳极上方顺序沉积有机材料和阴极而形成。
当电压施加到根据如上构造的有机EL器件的阳极和阴极时，从阳极注入的多个空穴经由空穴传输层朝向发光层移动，由阴极产生的多个电子通过穿过电子传输层而注入到发光层。在发光层中，电子和空穴复合并产生激子。当激子从激子态转移到基态时，发光层的多个有机分子发射光，从而形成图像。
为了制造能呈现全彩色方案的有机EL器件，通常使用利用掩模在基板上单独沉积红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素从而形成每个单位像素的方法。在根据上述方法形成有机EL器件的单位像素中，经常使用狭缝型(slit type)荫罩板(shadow mask)或狭槽型(slot type)荫罩板。
图1是狭缝型单位掩模10的平面图。图2是狭槽型单位掩模20的平面图。参照图1，狭缝型单位掩模10包括屏蔽部分11和条形的开口部分12。狭缝型单位掩模10的优点在于，由于对应于子像素R、G和B的其中之一(例如图1中的子像素R)的开口部分12以条形敞开，所以开口部分12比较大，使得不需要考虑在上像素和下像素之间产生的遮蔽(shadowing)。然而，由于在上像素和下像素之间不存在横肋(cross rib)，所以掩模由于其重量而下垂(sag)，使得基板和掩模会彼此分离。此外，随着显示器件的尺寸增加，荫罩板的尺寸也增加，使得掩模下垂现象恶化。
参照图2，狭槽型单位掩模20包括屏蔽部分21和开口部分22，该开口部分22具有对应于子像素R、G和B其中之一(例如图1中的子像素R)的狭槽形状。在狭槽型单位掩模20中，尽管通过形成与屏蔽部分21交叉的横肋而改善了发生在狭缝型单位掩模10中的掩模下垂现象，但是产生了由于上像素和下像素之间的横肋引起的遮蔽现象，使得开口部分变窄。
发明内容
本发明的实施例提供了一种制造有机EL器件的方法，其能防止掩模下垂现象、减小开口面积并改善发光区域中的可见度比率。
根据本发明实施例的方面，提供了一种沉积有机EL器件的发光层的方法，在该有机EL器件中具有多种不同颜色的子像素组合设定为单位像素，多个子像素沿行方向依次地且交替地布置，相同颜色的多个子像素沿列方向布置，该方法包括：利用具有多个开口部分的掩模首次沉积发光层，该多个开口部分对应于布置在子像素的任意偶数行和奇数行中具有相同颜色的子像素的位置；以及使用用于发光层的首次沉积操作的掩模的相同开口部分，通过移动掩模以防止发光层被沉积在与首次沉积操作期间发光层沉积处的子像素相邻的子像素处来二次沉积所述发光层。
子像素可以具有包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的不同颜色的子像素。
二次沉积操作通过沿列方向(即，±y的方向)将在首次沉积操作期间对准的掩模移动(2N+1)个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
二次沉积操作通过沿列方向(即，±y的方向)将在首次沉积操作期间对准的掩模移动(2N-1)个像素节距或以上并沿行方向(即，±x的方向)移动N个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
二次沉积操作通过将在首次沉积操作期间对准的掩模旋转180°并将该掩模沿行方向(即，-x方向)移动一个像素节距来执行。
二次沉积操作通过将在首次沉积操作期间对准的掩模旋转180°并将该掩模沿行方向(即，-x方向)水平移动一个像素节距且沿列方向(即，±y的方向)垂直移动一个像素节距来执行。
具有开口部分的掩模用于单独沉积不同颜色的每个子像素。
具有开口部分的掩模是精细金属掩模。
根据本发明实施例的另一方面，提供了一种制造有机EL器件的方法，该方法包括：在绝缘基板上形成预定图案的第一电极层；在第一电极层上形成包括具有预定图案的发光层的有机发光层；在有机发光层上形成具有预定图案的第二电极层；以及密封第二电极层的外部，其中，在该有机EL器件中，具有多种不同颜色的子像素组合被设定为单位像素，多个子像素沿行方向依次且交替地布置，具有相同颜色的多个子像素沿列方向布置，其中，形成有机发光层包括：利用具有多个开口部分的掩模首次沉积发光层，该多个开口部分相应于布置在子像素的任意偶数行和奇数行中具有相同颜色的子像素位置；以及使用用于发光层的首次沉积操作的掩模的相同开口部分，通过移动掩模以防止发光层被沉积在与首次沉积操作期间发光层沉积处的子像素相邻的子像素处来二次沉积发光层。
根据本发明实施例的另一方面，提供了一种通过上述方法制造的有机EL器件。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示范性实施例，本发明实施例的上述和其它的特征以及优点将变得更加明显，附图中：
图1是狭缝型单位掩模的平面图；
图2是狭槽型单位掩模的平面图；
图3A和图3B示出了在本发明实施例中使用的用于有机EL器件的掩模；
图4A-4B示出了使用图3A和图3B的掩模来沉积有机EL器件的有机发光层的一般方法；
图4C示出了其中形成有机EL器件的绝缘基板的一部分，布置在奇数行中的蓝色(B)发光层以图4B的对准状态被首先沉积；
图4D示出了单位掩模和包括有机EL器件的绝缘基板彼此对准以沉积除了首次沉积之外的蓝色(B)发光层的情形；
图4E示出了其中在图4D的对准状态下形成有机EL器件的绝缘基板的一部分，在该有机EL器件上二次沉积布置在每个偶数行中的蓝色发光层；
图5A和图5B是示出根据实施例的用于沉积有机EL器件的有机发光层的方法的平面图，以减少由于相邻的黑点而引起的低可见度(inferiorvisibility)；
图6A和图6B是示出根据另一实施例的沉积有机EL器件的有机发光层的方法的平面图，以减少由于相邻的黑点而引起的低可见度；
图7A和图7B是示出根据另一实施例的沉积有机EL器件的有机发光层的方法的平面图，以减少由于相邻的黑点而引起的低可见度；以及
图8A和图8B是示出根据图7A和图7B的实施例的修改示例的有机EL器件的有机发光层的沉积方法的平面图，以减少由于相邻的黑点而引起的低可见度。
具体实施方式
图3A和图3B示意性地示出了在本发明实施例中使用的用于有机EL器件的掩模。参照图3A，在本发明实施例中使用的用于有机EL器件的掩模100包括至少一个单位掩模110。尽管在附图中十二个单位掩模110形成于掩模100(其是精细金属掩模)上，但是本发明的实施例不限于此并且单位掩模110的数量和布置可以被不同地修改。
如图3B所示，单位掩模110包括屏蔽部分111和被构图的多个开口部分112。以下将描述的每个开口部分112包括以矩阵类型布置的多个子像素。在同一列具有相同颜色子像素的有机EL器件中，开口部分112形成为对应于布置在奇数列或偶数行中的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素的位置。
由于肋形成于掩模100中的上像素与下像素之间，所以改善了掩模下垂现象。此外，由于操作部分112没有连续形成于相邻上像素和下像素中，所以减少了上像素和下像素之间的遮蔽现象，从而防止了与常规狭槽型掩模的开口部分变窄相关的问题。
图4A-4B示出了使用图3A和图3B的掩模沉积有机EL器件的有机发光层的一般方法。参照图4A，示出了有机EL器件的一部分，其中红色(R)发光层210和绿色(G)发光层220已经沉积在绝缘基板200上并且蓝色(B)发光层230可以被沉积。
在有机EL器件的有机发光层中，每个都结合红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素的单位像素以矩阵形式形成。相同颜色的发光层布置在相同列中，而红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的发光层相继且交替地布置在相同行中。
虽然在附图中没有详细地示出，但是预定图案的第一电极层使用ITO形成在绝缘基板200上，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的有机发光层沉积在第一电极层上。此外，当第一电极层用作阳极时，空穴注入层和空穴传输层可以进一步设置在第一电极层与有机发光层之间。当第二电极层用作阴极时，有机膜(诸如电子注入层和电子传输层)可以形成在第二电极层与有机发光层之间。有机膜可以使用开口掩模或在本实施例中使用的精细金属掩模沉积。任何用于常规小分子有机EL器件的有机膜形成材料都可以用于有机层。层以空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的顺序沉积。可以对层沉积的结构进行各种修改。
对于有源型有机EL器件，多个TFT电连接到每个第一电极。当完成第二电极层的沉积时，使用密封基板密封有源型有机EL器件，暴露于外部的端子连接到驱动电路器件，从而完成有机EL器件。
虽然在图4A中已经沉积了红色(R)发光层210和绿色(G)发光层220，但是这仅仅是为了便于解释，因此可以改变有机发光层的沉积顺序。
图4B示出了单位掩模110和包括有机EL器件的绝缘基板200彼此对准以首先沉积蓝色(B)发光层230的情形。参照图4B，单位掩模110的开口部分112布置为对应于蓝色子像素的位置，该蓝色子像素布置在其中将形成有机EL器件的蓝色(B)发光层的子像素奇数行中。
如图4B所示，在其中单位掩模110和具有有机EL器件的绝缘基板200彼此对准的情形下，有机发光材料通过沉积源(未示出)沉积于布置在有机EL器件的奇数行中的蓝色子像素上。虽然在图4B中，为了便于解释，单位掩模110布置在具有有机EL器件的基板200上，但通常沉积源布置在沉积腔室(未示出)的下部中，单位掩模110布置在沉积源上方。具有有机EL器件的绝缘基板200布置在单位掩模110上方。
用于有机EL器件的掩模100会被沉积腔室或有机发光层沉积中的其他环境中的污染物污染。在图4B中，单位掩模112的一个开口部分112的一部分被污染物C污染。污染物C可以在有机发光层的沉积中转移到有机EL器件的发光层。
图4C示出了其中形成有机EL器件的绝缘基板200的一部分，布置在奇数行中的蓝色(B)发光层230以图4B的对准状态被首先沉积。参照图4B，在有机EL器件中，不仅沉积红色(R)发光层210和绿色(G)发光层220而且还沉积布置在奇数行的蓝色(B)发光层230。污染物C的图案被转移到一位置处的蓝色(B)发光层230，该位置对应于被污染物C污染的单位掩模110的每个开口部分112，从而产生第一黑点S’。形成于发光层上的黑点S’会使有机EL器件的显示品质恶化或者致使有机EL器件的亮度不规则。
图4D示出了单位掩模110和包括有机EL器件的绝缘基板200彼此对准以沉积除了首次沉积之外的蓝色(B)发光层230的情形。参照图4D，单位掩模110的开口部分112从首次沉积的情形垂直移动(即，沿-y方向移动)一个像素节距(pitch)P1y，并布置为对应于在偶数行中布置的蓝色子像素的位置，即，对应于将形成有机EL器件的蓝色发光层处的子像素的位置。
为了解释的方便，在本说明书中使用的术语诸如偶数行或奇数行用作相对概念。如图4A或图4C所示，偶数行或奇数行是基于在包括多个单位像素的部分有机EL器件中示出的像素的顺序，然而，本发明的实施例不限于此。因而，用于本发明实施例的有机EL器件的掩模的开口部分形成为对应于交替布置在行中的具有相同颜色子像素的位置，即，对应于在有机EL器件的每行中形成的像素的位置。
布置在偶数行中的子像素在单位掩膜110和绝缘基板200如上所述对准的情形下由沉积源沉积为蓝色发光层。在首次沉积操作中形成在开口部分112中的污染物C没有被消除，并且会在二次沉积(second deposition)操作中转移到有机EL器件。
图4E示出了其中在图4D的对准状态下形成有机EL器件的绝缘基板200的一部分，在该有机EL器件上二次沉积布置在每个偶数行中的蓝色发光层230。参照图4E，除了在首次沉积期间布置在每个奇数行中的蓝色发光层之外，蓝色发光层还布置在有机EL器件中的每个偶数行中。污染物C的图案被转移到在对应于被污染物C污染的掩模的开口部分112的位置处的蓝色发光层230，从而产生第二黑点S”。
在使用具有污染物C的掩模100在偶数行和奇数行中连续沉积有机EL器件的有机发光层的工艺中，污染物C的图案被转移，使得第一黑点S’和第二黑点S”形成在有机EL器件的相邻的上子像素和下子像素中。
然而，当包括黑点的有缺陷像素邻近如上所述的像素形成时，低可见度增多。因而，当在上述方法中使用用于有机EL器件的掩模沉积发光层时，可以解决掩模下垂现象和开口率降低，但是由于低可见度使得缺陷比率增加。
图5A和图5B是用于解释根据实施例沉积有机EL器件的有机发光层的方法的平面图，以减少由于相邻的黑点引起的低可见度。图5A示出了包括有机EL器件的绝缘基板200和单位掩模110彼此对准，用于在完成奇数行中的蓝色发光层的首次沉积之后进行偶数行中的蓝色发光层的二次沉积。
在蓝色发光层的在奇数行中的首次沉积操作中，由于沉积蓝色发光层使得具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在有机EL器件的第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11，所以黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的蓝色子像素B11中。
在首次沉积之后，单位掩模110的开口部分112相对于首次沉积的对准状态被垂直移动三个像素的节距P3y，并被对准以对应于布置在其中将形成有机EL器件蓝色发光层的子像素偶数行中的子像素位置。
具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第四行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B41。在单位掩模110和绝缘基板200如上对准的情形下，布置在偶数行中的子像素通过沉积源被二次沉积为蓝色发光层。
尽管在附图中没有详细示出，但为了使单位掩模110的开口部分112在单位掩模110沿-y方向被垂直移动三个像素节距P3y之后仍具有对应于有机EL器件的偶数行中的蓝色子像素的结构，单位掩模110的开口部分112的数量可以多于在单位掩模110周围的子像素的数量。在单位掩模110周围形成的开口部分112是敞开的且在需要形成像素时用于沉积像素。此外，开口部分112可以防止通过开口部分112的像素沉积被屏蔽(未示出)阻挡。
图5B示出了其上形成有机EL器件的绝缘基板200的一部分，在该有机EL器件中布置在每个偶数行中的蓝色发光层在图5A的对准情形下被二次沉积。参照图5B，虽然在蓝色发光层的首次沉积期间形成的第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的蓝色子像素B11上，但是在蓝色发光层的二次沉积期间形成的第二黑点S”形成于布置在第四行和第一列处的蓝色子像素B41上。也就是，根据本实施例的有机沉积方法，黑点S’和S”产生位置B11和B41不是彼此邻近设置，而是彼此隔开。因而，减少了低可见度。
在上述实施例中，尽管在二次沉积期间单位掩模110在首次沉积的基础上沿-y方向垂直移动三个像素节距P3y，但是本发明的实施例不限于此。也就是，单位掩模110可以被垂直移动各种距离，例如五个像素节距、七个像素节距、......以及(2N+1)个像素节距，其中N是自然数。此外，垂直移动是相对的，使得单位掩模110可以沿+y方向被基本平行地移动(2N+1)个像素节距。
图6A和图6B是用于解释根据另一实施例的有机EL器件的有机发光层的沉积方法的平面图，以减少由于相邻的黑点引起的低可见度。图6A示出了包括有机EL器件的绝缘基板200和单位掩模110彼此对准，用于在完成奇数行蓝色发光层的首次沉积之后进行偶数行蓝色发光层的二次沉积。
在奇数行蓝色发光层的首次沉积操作中，由于蓝色发光层沉积为使得具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11，所以第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的蓝色子像素B11中。
在首次沉积之后，单位掩模110的开口部分112相对于首次沉积的对准状态沿-y方向垂直移动一个像素节距P1y并沿+x方向移动两个像素节距P2x，并且被对准以对应于布置在将形成有机EL器件的蓝色发光层的子像素偶数行中的子像素位置。
具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第二行和第三列的单位像素的蓝色子像素B23。布置在偶数行的子像素在单位掩模110和绝缘基板200如上对准的情形下被二次沉积为蓝色发光层。
虽然在附图中没有示出，但是为了使单位掩模110的开口部分112在单元掩模110沿-y方向垂直移动一个像素节距P1y并沿+x方向垂直移动两个像素节距P2x之后仍具有对应于有机EL器件的偶数行蓝色子像素的结构，单位掩模110的开口部分112的数量可以多于在单位掩模110周围的子像素的数量。形成在单元掩模110周围的开口部分112是敞开的，且在需要形成像素时用于沉积像素。此外，开口部分112可以防止通过开口部分112的像素沉积被屏蔽(未示出)阻挡。
图6B示出了其中有机EL器件在图6A的对准状态下形成的绝缘基板200的一部分，在有机EL器件上布置在每个偶数行中的蓝色发光层230被二次沉积。参照图6B，虽然在蓝色发光层的首次沉积期间形成的第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11中，但是在蓝色发光层的二次沉积期间形成的第二黑点S”形成于布置在第二行和第三列处的蓝色子像素B23中。也就是，根据本实施例的有机沉积方法，黑点S’产生位置B11和黑点S”产生位置B23彼此不相邻设置，而是彼此隔开。因而，减少了低可见度。
在上述实施例中，尽管单位掩模110在二次沉积期间沿-y方向垂直移动一个像素节距P1y并且水平移动两个像素节距P2x，但是本发明的实施例不限于此。例如，当单位掩模110垂直移动一个像素节距并水平移动一个像素节距时，第二黑点形成于B22位置处。然而，由于第二黑点与第一黑点不相邻，所以减少了低可见度。因此，本发明的实施例可以通过将掩模沿-y或+y方向垂直移动大于一个像素节距的奇数像素节距(2N-1，其中N是自然数)并沿-x或+x方向水平移动一个或多个像素节距的组合而实施。
图7A和图7B是用于解释根据另一实施例的有机EL器件的有机发光层的沉积方法的平面图，以减少由于相邻黑点引起的低可见度。图7A示出了单元掩模110和具有有机EL器件的绝缘基板200彼此对准，用于在完成奇数行蓝色发光层的首次沉积之后进行偶数行蓝色发光层的二次沉积。
由于在奇数行蓝色发光层的首次沉积期间蓝色发光层沉积为使得具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在有机EL器件的第一行和第一列处的蓝色子像素B11，所以第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11处。
在首次沉积之后，单位掩模110的开口部分112在首次沉积的对准状态下围绕掩模110的中心旋转180°，然后沿-x方向水平移动一个子像素节距p1x。一个子像素节距等于1/3像素节距。
在本实施例中，假设单位掩模110的中心与图7A中的用于有机EL器件的掩模100的中心匹配，然而，本发明的实施例不限于此。在该情形下，通过180°的旋转，具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第四行和第三列处的像素的红色子像素R43。接着，通过沿-x方向移动一个子像素节距p1x，具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第四行和第二列处的像素的蓝色像素B42。因此，在单位掩模110和绝缘基板200彼此对准的情形下，布置在偶数行的子像素通过沉积源被二次沉积为蓝色发光层。
在上述实施例中，假设一个单位掩模形成在用于有机EL器件的掩模100上(请参照图3A)，然而，本发明的实施例不限于此。尽管为了便于解释以上描述集中在单位掩模110的移动，但是实际的单位掩模经受用于有机EL器件的包括单位掩模的掩模100的移动。因而，当用于有机EL器件的包括多个单位掩模的掩模100被旋转时，具有污染物的单位掩模的开口部分位于另一发光器件的子像素的区域中，不同于附图的图解。然而，在该情形下，通过沿-x方向将单位掩模110移动一个子像素节距，具有污染物的单位掩模的开口部分对应于布置在另一偶数行中的蓝色像素。
图7B示出了其中在图7A的对准状态下形成有机EL器件的绝缘基板200的一部分，在该有机EL器件上布置在每个偶数行中的蓝色发光层230被二次沉积。参照图7B，尽管在蓝色发光层的首次沉积期间形成的第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11中，但是在蓝色发光层的二次沉积期间形成的第二黑点S”形成于布置在第四行和第二列处的蓝色子像素B42中。也就是，根据本实施例的有机沉积方法，黑点S’产生位置B11和黑点S”产生位置B42彼此不相邻设置，而是彼此隔开。因而，减少了低可见度。
图8A和图8B是用于解释根据图7A和图7B的实施例的修改示例的有机EL器件的有机发光层的沉积方法的平面图，以减少由于相邻黑点而引起的低可见度。在图7A和图7B的实施例中，当具有污染物C的开口部分112围绕掩模100旋转180°且偶数行(例如，在本实施例中为两行)的像素在180°旋转之前和之后都布置在具有污染物C的开口部分112之间时，偶数行中的蓝色子像素处于在旋转之后开口部分112被水平移动一个像素节距的位置处。
然而，当具有污染物C的开口部分112被围绕掩模100旋转180°且奇数行(例如，一行)的像素在180°旋转之前和之后都布置在具有污染物C的开口部分112之间时，开口部分112在旋转之后水平移动一个像素节距的位置是奇数行中的蓝色子像素，使得开口部分112需要被进一步垂直移动一个像素节距。
图8A示出了单位掩模110和具有有机EL器件的绝缘基板200彼此对准，以在完成奇数行中蓝色发光层的首次沉积之后进行偶数行中蓝色发光层的二次沉积。由于在奇数行蓝色发光层的首次沉积期间，蓝色发光层沉积为使得具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在有机EL器件的第一行和第一列处的蓝色子像素B11，所以第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11处。
在首次沉积之后，单位掩模110的开口部分112在首次沉积的对准状态下围绕掩模100的中心旋转180°，然后沿-x方向水平移动一个子像素的节距p1x。一个子像素节距等于1/3像素节距。
在本实施例中，假设单位掩模110的中心与在图8A中用于有机EL器件的掩模100的中心匹配。在该情形下，通过旋转180°，具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第三行和第三列处的像素的红色子像素R33。接着，通过沿-x方向移动一个子像素节距，具有污染物C的单位掩模110的开口部分112对应于布置在第三行和第二列处的像素的蓝色像素B32。然而，在本实施例中，由于蓝色像素B32是布置在奇数行的蓝色发光层，所以掩模进一步沿+y方向垂直移动一个像素节距p1y，以到达在第二行和第二列处的蓝色子像素B22。此外，尽管在附图中没有示出，但是掩模还可以沿-y方向移动一个像素节距。
图8B示出了其中在图8A的对准状态下形成有机EL器件的绝缘基板200的一部分，在该有机EL器件上布置在每个偶数行中的蓝色发光层230被二次沉积。参照图8B，尽管在蓝色发光层的首次沉积期间形成的第一黑点S’形成于布置在第一行和第一列处的单位像素的蓝色子像素B11中，但是在蓝色发光层的二次沉积期间形成的第二黑点S”形成于布置在第二行和第二列处的蓝色子像素B22中。也就是，根据本实施例的有机沉积方法，黑点S’产生位置B11和黑点S”产生位置B22设置为彼此不相邻，而是彼此隔开。因而，减少了低可见度。
如上所述，根据本发明实施例的使用用于有机EL器件的掩模来沉积发光层的方法，防止了掩模下垂和开口部分减小，并可以减少由于相邻黑点的产生而引起的低可见度。
然而，本发明的实施例可以以多种不同的形式实施而不应被解释为仅限于此处所述的实施例；而是，提供这些实施例使得本公开透彻和完整，并将实施例的理念充分传达给本领域技术人员。尽管已经参照本发明的示范性实施例具体示出并描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员应当理解，可以在形式和细节上做出各种变化而不背离由权利要求书所限定的本发明实施例的精神和范围。
本申请要求于2008年8月4日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2008-0076111的权益，在此结合其全部公开作为参考。

Claims (22)

1.一种沉积有机电致发光器件的发光层的方法，在该有机电致发光器件中具有多种不同颜色的子像素组合设定为单位像素，多个子像素沿行方向依次地且交替地布置，相同颜色的多个子像素沿列方向布置，该方法包括：
利用具有多个开口部分的掩模首次沉积发光层，该多个开口部分对应于布置在所述子像素的任意偶数行和奇数行中具有相同颜色的所述子像素的位置；以及
使用用于所述发光层的所述首次沉积操作的掩模的相同开口部分，通过移动所述掩模以防止所述发光层被沉积在与该首次沉积操作期间所述发光层沉积处的所述子像素相邻的子像素处来二次沉积所述发光层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述子像素包括含有红色、绿色和蓝色至少之一的不同颜色的子像素。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述二次沉积操作通过沿所述列方向将在首次沉积操作期间对准的掩模移动2N+1个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述二次沉积操作通过沿所述列方向将在首次沉积操作期间对准的掩模移动2N-1个像素节距或以上并沿所述行方向移动N个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述二次沉积操作通过将在首次沉积操作期间对准的掩模旋转180°并将所述掩模沿所述行方向移动一个像素节距来执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述二次沉积操作通过将在所述首次沉积操作中对准的掩模旋转180°并将所述掩模沿所述行方向水平移动一个像素节距且沿所述列方向垂直移动一个像素节距来执行。
7.根据权利要求1所述的方法，其中具有所述开口部分的所述掩模用于单独沉积具有不同颜色的每个子像素。
8.根据权利要求1所述的方法，其中具有所述开口部分的所述掩模是精细金属掩模。
9.一种制造有机电致发光器件的方法，该方法包括：
在绝缘基板上形成预定图案的第一电极层；
在所述第一电极层上形成包括预定图案的发光层的有机发光层；
在所述有机发光层上形成预定图案的第二电极层；以及
密封所述第二电极层的外部，
其中，在该有机电致发光器件中，具有多种不同颜色的子像素组合被设定为单位像素，多个子像素沿行方向依次且交替地布置，相同颜色的多个子像素沿列方向布置，
其中，形成所述有机发光层包括：
利用具有多个开口部分的掩模首次沉积所述发光层，该多个开口部分对应于布置在所述子像素的任意偶数行和奇数行中具有相同颜色的所述子像素的位置；以及
使用用于所述发光层的所述首次沉积操作的掩模的相同开口部分，通过移动所述掩模以防止所述发光层被沉积在与所述首次沉积操作期间所述发光层沉积处的所述子像素相邻的子像素处来二次沉积所述发光层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中具有不同颜色的所述子像素包括红色的子像素、绿色的子像素和蓝色的子像素。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述二次沉积操作通过沿所述列方向将在首次沉积操作期间对准的掩模移动2N+1个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述二次沉积操作通过沿所述列方向将在首次沉积操作期间对准的掩模移动2N-1个像素节距或以上并沿所述行方向移动N个像素节距或以上来执行，其中N是自然数。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述二次沉积操作通过将在所述首次沉积操作中对准的掩模旋转180°并将所述掩模沿所述行方向移动一个像素节距来执行。
14.根据权利要求9所述的方法，其中所述二次沉积操作通过将在所述首次沉积操作中对准的掩模旋转180°并将所述掩模沿所述行方向水平移动一个像素节距并沿所述列方向垂直移动一个像素节距来执行。
15.根据权利要求9所述的方法，其中具有所述开口部分的所述掩模用于单独沉积不同颜色的每个所述子像素。
16.一种通过权利要求9所述的方法制造的有机电致发光器件。
17.一种通过权利要求10所述的方法制造的有机电致发光器件。
18.一种通过权利要求11所述的方法制造的有机电致发光器件。
19.一种通过权利要求12所述的方法制造的有机电致发光器件。
20.一种通过权利要求13所述的方法制造的有机电致发光器件。
21.一种通过权利要求14所述的方法制造的有机电致发光器件。
22.一种通过权利要求15所述的方法制造的有机电致发光器件。
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