TWI413448B - 沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置 - Google Patents

沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI413448B
TWI413448B TW098126055A TW98126055A TWI413448B TW I413448 B TWI413448 B TW I413448B TW 098126055 A TW098126055 A TW 098126055A TW 98126055 A TW98126055 A TW 98126055A TW I413448 B TWI413448 B TW I413448B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sub
emitting layer
light
mask
pixel
Prior art date
Application number
TW098126055A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201008373A (en
Inventor
Za-Il Lhee
Sang-Mock Hong
Keun-Soo Lee
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201008373A publication Critical patent/TW201008373A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI413448B publication Critical patent/TWI413448B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置
本實施例有關於一種沉積有機電致發光(EL)裝置的發光層之方法、一種包含上述沉積方法之製造有機電致發光裝置的方法、以及一種以該方法所製造的有機電致發光裝置。
由於寬廣觀視角度、較好的對比以及快速的響應，充當下一代的顯示裝置之一，主動型發光顯示器裝置的有機電致發光裝置已經吸引大家的注意。藉由在玻璃或其他透明絕緣基板之上形成預定圖樣的陽極、並且之後循序地將有機材質與陰極沉積於該陽極之上，來形成有機電致發光裝置。
當將電壓施加至如上所配置的有機電致發光裝置的陽極與陰極時，則從陽極所射出的複數個電洞便會透過一電洞傳輸層而向發光層移動，而且透過一電子傳輸層將陰極所產生的複數個電子注入於發光層之中。在此一發光層中，電子與電洞組合並且產生激子。隨著激子從激子狀態移至基態，發光層之複數個有機分子便會 發光，藉以形成影像。
為了製造能夠呈現全彩結構之有機電致發光裝置，一般利用一種使用遮罩在基板上獨立沉積紅(R)、綠(G)與藍(B)的子像素以形成每個單位像素之方法。在根據上述方法形成有機電致發光裝置之單位像素中，通常使用一種縫隙型式的陰影遮罩或者一種孔槽型式的陰影遮罩。
圖1為一種縫隙型式單位遮罩10之平面圖。圖2為一種孔槽型式的單位遮罩20之平面圖。參照圖1，縫隙型式單位遮罩10包含一屏蔽部分11以及一長條形狀的開口部分12。縫隙型式單位遮罩10的優點為由於相應於R、G與B其中之一子像素的開口為長條形狀，諸如圖1的子像素R，致使不需考慮到產生於上下像素之間的陰影，因此其開口部分12大。然而，由於在上下像素之間並沒有交錯的肋條，因此遮罩會因其重量而下陷，導致基板與遮罩會彼此分離。再者，隨著顯示裝置的尺寸增加，陰影遮罩的尺寸同樣也會增加，導致遮罩下陷的現象惡化。
參照圖2，孔槽型式的單位遮罩20包含一屏蔽部分21以及一具有孔槽形狀的開口部分22，開口部分22相應於R、G與B其中之一子像素，例如圖1的子像素R。在孔槽型式的單位遮罩20中，儘管藉由跨於屏蔽部分21所形成的交錯肋條，改善在縫隙型式單位遮罩10中所發生的遮罩下陷現象，然會產生因上下像素之間的交錯肋條的陰影現象，致使開口部分狹窄。
本實施例提供一種製造有機電致發光裝置之方法，其能夠避免遮 罩的下陷現象、縮小開口區域以及改善發光區域的能見率。
根據本實施例之觀點，提供一種沉積有機電致發光裝置的發光層之方法，其中將具有複數個不同色彩的子像素之組合設為一個單位像素、以列方向循序與交替地排列複數個子像素、以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，本方法包含：首先使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來第一次沉積發光層，其次使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分、藉由移動遮罩將發光層第二次沉積，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素。
子像素可具有不同的色彩，包含紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)之子像素。
藉由以行方向、亦即以±y方向移動在第一沉積操作中所校準的遮罩(2N+1)個像素節距或者更大，來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
藉由以行方向、亦即以±y方向移動在第一沉積操作中所校準的遮罩(2N-1)個像素節距或者更大、以及藉由以列方向、亦即以±x方向移動N個像素節距或者更大，來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
藉由轉動在第一次沉積操作中所校準的遮罩180°，並且以列方向、亦即以-x方向移動該遮罩一個像素節距，來執行第二次沉積操作。
藉由轉動在第一次沉積操作中所校準的遮罩180°，並且以列方向、亦即以-x方向水平地移動該遮罩一個像素節距、並且以行方向、亦即以±y方向縱向地移動一個像素節距，來執行第二次沉積操作。
使用具有開口部分的遮罩獨立地沉積不同色彩的每個子像素。
具有開口部分的遮罩為一種細微的金屬遮罩。
根據本實施例另一觀點，提供一種製造有機電致發光裝置之方法，其方法包含在絕緣基板之上形成一預定圖樣的第一電極層、在第一電極層之上形成包括一預定圖樣的發光層的有機發光層、在有機發光層之上形成一預定圖樣的第二電極層、以及將第二電極層之外部密封，其中在具有複數個不同色彩的子像素組合設為一個單位像素之有機電致發光裝置中，以列方向循序與交替地排列複數個子像素，以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，有機發光層之形成包含：使用具有相應於以子像素奇數列與偶數行任何一者所排列的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來第一次沉積發光層，並且使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分、藉由移動遮罩而第二次沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素。
根據本實施例另一個觀點，提供一種藉由上述方法所製造的有機電致發光裝置。
10‧‧‧縫隙型式的單位遮罩
11‧‧‧屏蔽部分
12‧‧‧開口部分
20‧‧‧孔槽型式的單位遮罩
21‧‧‧屏蔽部分
22‧‧‧開口部分
100‧‧‧遮罩
110‧‧‧單位遮罩
111‧‧‧屏蔽部分
112‧‧‧開口部分
200‧‧‧絕緣基板
210‧‧‧紅色(R)發光層
220‧‧‧綠色(G)發光層
230‧‧‧藍色(B)發光層
B11、B22、B23、B32、B41、B42‧‧‧藍色子像素
C‧‧‧污染物
P1x‧‧‧x方向之一個像素節距
P1y‧‧‧y方向之一個像素節距
P2x‧‧‧x方向之兩個像素節距
P3y‧‧‧y方向之三個像素節距
R33、R43‧‧‧紅色子像素
S’‧‧‧第一個黑點
S”‧‧‧第二個黑點
藉由參照附圖詳細說明其典範實施例，本實施例上述與其他特徵以及優點將更為明顯，其中：圖1為一種縫隙型式單位遮罩之平面圖；圖2為一種孔槽型式單位遮罩之平面圖；圖3A與3B示範一種用於本實施例所使用的有機電致發光裝置之遮罩；圖4A-4E示範使用圖3A與3B遮罩來沉積有機電致發光裝置的有機發光層之一般方法；圖5A與5B為顯示根據實施例的有機電致發光裝置之有機發光層的沉積方法之平面圖，藉以減少因鄰近黑點所致的低劣能見度；圖6A與6B為顯示根據另一實施例的有機電致發光裝置之有機發光層的沉積方法之平面圖，藉以減少因鄰近黑點所致的低劣能見度；圖7A與7B為顯示根據另一實施例的有機電致發光裝置之有機發光層的沉積方法之平面圖，藉以減少因鄰近黑點所致的低劣能見度；以及圖8A與8B為顯示根據圖7A與7B實施例已修改後範例的有機電致發光裝置之有機發光層的沉積方法之平面圖，藉以減少因鄰近黑點所致的低劣能見度。
圖3A與圖3B概要地示範一種本實施例所使用的有機電致發光裝置之遮罩。參照圖3A，本實施例所使用的有機電致發光裝置之遮罩100包含至少一個單位遮罩110。儘管十二個單位遮罩110形成於圖中細微金屬遮罩的遮罩100之上，本實施例並不受限於此，而 單位遮罩110的數目與排列可變動地修改之。
單位遮罩110包含一屏蔽部分111以及已圖樣化的複數個開口部分112，如圖3所示。之後將會說明的每個開口部分112包含以矩陣型式所排列的複數個子像素。在相同行中具有相同色彩的子像素之有機電致發光裝置中，形成開口部分112，藉以相應於以奇數行或偶數列所排列的紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)子像素之位置。
由於肋條形成於遮罩100中的上下像素之間，因此改善遮罩下陷現象。同樣的是，由於在鄰近的上下像素中並非連續地形成操作部分112，因此上下像素之間的陰影現象減小，致使能夠避免傳統孔槽型式遮罩的開口部分相關之窄化問題。
圖4A與4B示範使用圖3A與3B遮罩來沉積有機電致發光裝置的有機發光層之一般方法。參照圖4A，顯示一部分的有機電致發光裝置，其中紅色(R)與綠色(G)發光層210與220已經沉積於絕緣基板200之上，而接著能夠沉積藍色(B)發光層230。
在有機電致發光裝置的有機發光層中，以矩陣格式形成每個皆組合有紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)子像素的單位像素。相同色彩的發光層排列於相同行中，同時循序與交替地將紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)發光層排列於相同列中。
儘管圖式中並無詳細地示範，使用ITO將預定圖樣的第一電極層形成於絕緣基板200之上，並且將紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)有機發光層沉積於第一電極層之上。同樣的是，當第一電極層操作 而充當陽極時，可以進一步將電洞注入層與電洞傳輸層提供於第一電極以及有機發光層之間。當第二電極層操作充當陰極時，可以將諸如電子注入層以及電子傳輸層的有機薄膜形成於第二電極層以及有機發光層之間。可以使用本實施例所使用的開口遮罩或細微金屬遮罩來沉積有機薄膜。可以將任何一種形成傳統微小分子有機電致發光裝置中所使用材質之有機薄膜使用於此有機層。以電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層的次序來沉積各層。可以改變沉積層的結構。
就主動型式的有機電致發光裝置而言，將複數個TFT電連接至每一個第一電極。當第二電極層的沉積完成時，使用密封基板將主動型式的有機電致發光裝置密封，並且將外部曝露的終端連接至驅動電路裝置，致使有機電致發光裝置完成。
儘管在圖4A中，紅色(R)與綠色(G)發光層210與220已經沉積，然此全然僅為解釋方便之用，因而可以改變有機發光層之沉積順序。
圖4B示範其中包含有機電致發光裝置的單位遮罩110與絕緣基板200彼此校準藉以將藍色(B)發光層230第一次沉積之狀態。參照圖4B，排列單位遮罩110之開口部分112，藉以相應於排列在子像素奇數列中的藍色子像素之位置，其中有機電致發光裝置的藍色(B)發光層即是要形成於此。
如圖4B所示，在具有有機電致發光裝置的單位遮罩110與絕緣基板200彼此校準之狀態中，藉由沉積源(並無顯示)，將有機發光 材質沉積於排列在有機電致發光裝置的奇數列中之藍色子像素上。儘管在圖4B中，就解釋方便來說，將單位遮罩110排列於具有有機電致發光裝置的基板200之上，然而一般而言，將沉積源排列於沉積室(並無顯示)之下部，並且將單位遮罩110排列於沉積源之上方。將具有有機電致發光裝置的絕緣基板200排列於單位遮罩110之上。
在有機發光層的沉積上，有機電致發光裝置的遮罩100可能會受沉積室中或者其他環境的污染物所污染。在圖4B中，以污染物C來污染單位遮罩110其中一個開口部分112之部分。在有機發光層的沉積上，污染物C可能會轉移至有機電致發光裝置的有機發光層。
圖4C示範有機電致發光裝置形成於其中的一部分的絕緣基板200，其中首先以圖4B的校準狀態來沉積排列在奇數列中的藍色(B)發光層230。參照圖4B，在有機電致發光裝置中，不僅紅色(R)與綠色(G)的發光層210與220，同樣也進一步沉積排列在奇數列中的藍色(B)發光層230。在相應於受污染物C所污染的單位遮罩110每一個開口部分112之位置上，污染物C的圖樣會轉移至藍色(B)發光層230，致使產生第一個黑點S’。在發光層上所形成的黑點S’可能會使顯示的品質惡化，或者可能會導致有機電致發光裝置亮度的不規則性。
圖4D示範具有有機電致發光裝置的單位遮罩110與絕緣基板200彼此校準藉以沉積藍色(B)發光層230之狀態，此中排除第一次的沉積。參照圖4D，從第一次沉積的狀態，藉由一個像素的節距P1y， 縱向(換言之，以-y方向)移動單位遮罩110的開口部分112，並且排列相應於排列在偶數列中的藍色子像素之位置，其中有機電致發光裝置的藍色發光層即是要形成於此。
諸如使用於本說明書的偶數或者奇數列之名詞乃以相對觀點來使用，以方便解釋。如圖4A或4C中所示，基於包含複數個單位像素的一部分有機電致發光裝置所示的像素次序來區分偶數與奇數，然而本實施例並不受限於此。因此，用於本實施例的有機電致發光裝置之遮罩開口部分形成藉以相應於以列交替地排列的相同色彩子像素位置，其像素形成於有機電致發光裝置之每一列中。
以單位遮罩110與絕緣基板200如上所校準之狀態，藉由沉積源，將排列在偶數列中的子像素沉積於藍色發光層之中。在第一次沉積操作中，形成於開口部分112中的汙染物C並未消除，並且可能會在第二次沉積操作中轉移至有機電致發光裝置。
圖4E示範一部分的絕緣基板200，其中以圖4D的校準狀態形成有機電致發光裝置，其上第二次沉積了排列在每偶數列中的藍色發光層230。參照圖4E，除了在第一次沉積期間中排列在奇數列中的藍色發光層之外，在此有機電致發光裝置中，進一步以每一偶數列來排列藍色發光層。在相應於受汙染物C所污染的遮罩開口部分112之位置上，汙染物C的圖樣會轉移至藍色發光層230，致使產生第二個黑點S”。
在使用具有汙染物C的遮罩100而以偶數與奇數列連續沉積有機電致發光裝置的有機發光層之過程上，汙染物C的圖樣會轉移，致 使第一個黑點S’與第二個黑點S”形成於有機電致發光裝置鄰近的上下子像素中。
然而，當包含黑點之損壞像素形成鄰接於上述的像素時，低劣的能見度便會增加。因此，當以上述方法使用有機電致發光裝置的遮罩來沉積發光層時，雖可以解決遮罩下陷現象與孔徑比的減少，但由於低劣的能見度而造成損壞率增加。
圖5A與5B為用以解釋一種根據實施例沉積有機電致發光裝置的有機發光層之方法的平面圖，藉以降低因鄰近黑點所造成的低劣能見度。圖5A顯示在以奇數列所進行的藍色發光層的第一次沉積完成之後，為了偶數列所進行的藍色發光層之第二次沉積，將包含有機電致發光裝置之絕緣基板200以及單位遮罩110彼此相校準。
在以奇數列所進行的藍色發光層的第一沉積操作中，由於沉積藍色發光層之故，使得具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112會相應於排列在有機電致發光裝置的第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11，第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11中。
在第一次沉積之後，單位遮罩110之開口部分112相對於第一次沉積的校準狀態而縱向地移動三個像素節距P3y，並且進行校準，藉以相應於排列在子像素偶數列中的子像素之位置，其即為有機電致發光裝置的藍色發光層所要形成之處。
具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112相應於排列在第四列與第一行中的單位像素之藍色子像素B41。以單位遮罩110與絕緣 基板200如上述校準之狀態，藉由沉積源，將排列在偶數列中的子像素第二次沉積於藍色發光層之中。
儘管圖式中並無詳細示範，然為了在單位遮罩110以-y方向而縱向地移動三個像素節距P3y之後，容許單位遮罩110的開口部分112具有仍相應於有機電致發光裝置偶數列中的藍色子像素之結構，該單位遮罩110可包含更多於單位遮罩110周圍的子像素數目之開口部分112數目。形成於單位遮罩110周圍的開口部分112為開放的，並且當需要形成像素之時，用於像素之沉積。同樣的是，開口部分112可避免像素因受屏蔽(並無顯示)阻隔而透過開口部分112之沉積。
圖5B顯示一部分的絕緣基板200，其上形成有機電致發光裝置，其中排列在每一偶數列中的藍色發光層以圖5A校準狀態進行第二次沉積。參照圖5B，雖然在藍色發光層的第一次沉積期間中所形成的第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11上，在藍色發光層的第二次沉積期間中所形成的第二個黑點S”形成於排列在第四列與第一行中的藍色子像素B41上。換言之，根據本實施例的有機沉積方法，並非彼此相鄰地設置黑點S’與S”的產生位置B11與B41，而是彼此相隔開。因此，減低低劣的能見度。
在上述的實施例中，儘管在第二次沉積期間中，基於第一次沉積，單位遮罩110以-y方向而縱向地移動三個像素節距P3y，然本實施例並不受限於此。換言之，單位遮罩110可以縱向地移動各種不同的距離，例如五個像素節距、七個像素節距...以及(2N+1) 個像素節距，其中的N為自然數。同樣的是，縱向移動乃是一種相對的移動，所以單位遮罩110可以實質平行於+y方向移動(2N+1)個像素節距。
圖6A與6B為用以解釋一種根據另一實施例沉積有機電致發光裝置的有機發光層之方法的平面圖，藉以降低因鄰近黑點所造成的低劣能見度。圖6A顯示在以奇數列所進行的藍色發光層的第一次沉積完成之後，為了偶數列所進行的藍色發光層之第二次沉積，將包含有機電致發光裝置之絕緣基板200以及單位遮罩110彼此相校準。
在以奇數列所進行的藍色發光層的第一次沉積操作中，由於沉積藍色發光層之故，使得具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112會相應於排列在第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11，第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11中。
在第一次沉積之後，單位遮罩110之開口部分112對於第一次沉積的校準狀態而縱向地移動一個像素節距P1y、以及以+x方向移動兩個像素節距P2x，並且進行校準，藉以相應於排列在子像素偶數列中的子像素之位置，其即為有機電致發光裝置的藍色發光層所要形成之處。
具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112相應於排列在第二列與第三行中的單位像素之藍色子像素B23。以單位遮罩110與絕緣基板200如上述校準之狀態，藉由沉積源，將排列在偶數列中的 子像素第二次沉積於藍色發光層之中。
儘管圖式中並無詳細示範，然為了在單位遮罩110以-y方向而縱向地移動一個像素節距P1y、以及以+x方向水平移動兩個像素節距P2x之後，為了容許單位遮罩110的開口部分112具有仍相應於有機電致發光裝置偶數列中的藍色子像素之結構，該單位遮罩110可包含更多於單位遮罩110周圍的子像素數目之開口部分112數目。形成於單位遮罩110周圍的開口部分112為開放的，並且當需要形成像素之時，用於像素之沉積。同樣的是，開口部分112可避免像素因受屏蔽(並無顯示)阻隔而透過開口部分112之沉積。
圖6B示範一部分的絕緣基板200，其上以圖6A校準狀態形成有機電致發光裝置，其中排列在每一偶數列中的藍色發光層230進行第二次沉積。參照圖6B，儘管在藍色發光層的第一次沉積期間中所形成的第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11上，在藍色發光層的第二次沉積期間中所形成的第二個黑點S”形成於排列在第二列與第三行中的藍色子像素B23上。換言之，根據本實施例的有機沉積方法，並非彼此相鄰地設置黑點S’與S”的產生位置B11與B23之位置，而是彼此相隔開。因此，減低低劣的能見度。
在上述的實施例中，儘管在第二次沉積期間中，單位遮罩110以-y方向而縱向地移動一個像素節距P1y、並且水平地移動兩個像素節距P2x，然本實施例並不受限於此。例如，當單位遮罩110縱向地移動一個像素節距並且水平地移動一個像素節距時，則第二個黑點便會形成於位置B22上。然而，由於第二個黑點並未鄰接於 第一個黑點，因此減小低劣的能見度。所以，可以藉由以-y或+y方向而縱向在某一像素節距上移動遮罩一個奇數像素節距(2N-1，N為自然數)、以及藉由以-x或+x方向而水平地移動遮罩一個像素節距或更大節距之組合來實施本實施例。
圖7A與7B為用以解釋一種根據另一實施例沉積有機電致發光裝置的有機發光層之方法的平面圖，藉以降低因鄰近黑點所造成的低劣能見度。圖7A示範在以奇數列所進行的藍色發光層的第一次沉積完成之後，為了偶數列所進行的藍色發光層之第二次沉積，將具有有機電致發光裝置之單位遮罩110與絕緣基板200彼此相校準。
由於在偶數列中的藍色發光層之第一次沉積期間中，沉積藍色發光層使得具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112會相應於排列在有機電致發光裝置的第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11，第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11中。
在第一次沉積之後，以第一次沉積之校準狀態，並以遮罩100為中心，將單位遮罩110之開口部分112轉動180°，並且之後以-x方向將之水平地移動一個子像素節距P1x。一個子像素節距等於1/3個像素節距。
在本實施例中，假設單位遮罩110的中心匹配於圖7A有機電致發光裝置的遮罩110之中心，然而本實施例並不受限於此。在此一狀態下，具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112會相應於轉 動180°而排列在第四列與第三行中的像素之紅色子像素R43。接著，藉由以-x方向移動一個子像素節距P1x，具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112便會相應於排列在第四列與第二行中的單位像素之藍色子像素B42。所以，在單位遮罩110與絕緣基板200彼此校準之狀態下，藉由沉積源，將排列在偶數列中的子像素第二次沉積於藍色發光層之中。
在上述的實施例中，假設其中一個單位遮罩形成於有機電致發光裝置的遮罩110之上(請參照圖3A)，然而本實施例並不受限於此。儘管以上的說明為解釋方便起見，而聚焦於單位遮罩110之移動，然而實際的單位遮罩受到包含單位遮罩的有機電致發光裝置的遮罩100之影響。因此，當有機電致發光裝置之包含複數個單位遮罩的遮罩100轉動時，具有汙染物的單位遮罩之開口部分便會位於另一個發光裝置的子像素區域中，而不像圖式中所示範一般。然而，在如此之狀況下，藉由以-x方向移動單位遮罩110一個子像素節距，具有汙染物的單位遮罩之開口部分便會相應於排列在另一偶數列中的藍色像素。
圖7B示範一部分的絕緣基板200，其中以圖7A的校準狀態來形成有機電致發光裝置，其中排列在每一偶數列中的藍色發光層230第二次沉積。參照圖7B，雖然在藍色發光層的第一次沉積期間中所形成的第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11之上，而在藍色發光層的第二次沉積期間中所形成的第二個黑點S”則是形成於排列在第四列與第二行中的藍色子像素B42之上。換言之，根據本實施例的有機沉積方法，並非彼此 相鄰地設置黑點S’與S”的產生位置B11與B42，而是彼此相隔開。因此，減低低劣的能見度。
圖8A與8B為顯示根據圖7A與7B實施例已修改後範例的有機電致發光裝置的有機發光層的沉積方法之平面圖，藉以減少因鄰近黑點所致的低劣能見度。在圖7A與7B的實施例中，當具有污染物C的開口部分112繞著遮罩100轉動180°、以及在180°轉動前後諸如在本實施例中為兩列的偶數列之像素排列在具有污染物C的開口部分112之間時，偶數列中的藍色子像素位於開口部分112在轉動後水平移動一個像素節距之位置。
然而，當具有污染物C的開口部分112繞著遮罩100轉動180°、以及在180°轉動前後諸如在本實施例中為一列的奇數列之像素排列在具有污染物C的開口部分112之間時，開口部分112在轉動後水平移動一個像素節距之位置為奇數列中的藍色子像素，致使開口部分112需要進一步縱向移動一個像素節距。
圖8A示範在奇數列中的藍色發光層第一次沉積完成之後，為了偶數列中的藍色發光層第二次沉積，將單位遮罩110與具有有機電致發光裝置的絕緣基板200彼此校準。由於在奇數列中的藍色發光層第一次沉積期間中，沉積藍色發光層致使具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112便會相應於排列在有機電致發光裝置的第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11，第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的單位像素之藍色子像素B11上。
在第一次沉積之後，以第一次沉積的校準狀態，將單位遮罩110的開口部分112以遮罩100中心轉動大約180°，並且之後將之以-x方向水平移動一個子像素節距P1x。一個子像素節距等於1/3個像素節距。
在本實施例中，假設單位遮罩110的中心匹配於圖8A有機電致發光裝置的遮罩100之中心。在此一狀態下，具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112會相應於轉動180°而排列在第三列與第三行中的像素之紅色子像素R33。接著，藉由以-x方向移動一個子像素節距，具有汙染物C的單位遮罩110之開口部分112便會相應於排列在第三列與第二行中的單位像素之藍色子像素B32。然而在本實施例中，由於藍色像素B32為奇數列中所排列的藍色發光層，因此進一步以+y方向將遮罩縱向移動一個像素節距P1y，藉以到達位於第二列與第二行中的藍色子像素B22。同樣的是，儘管無示範於圖式中，然遮罩可以進一步-y方向移動一個像素節距。
圖8B示範一部分的絕緣基板200，其中以圖8A的校準狀態來形成有機電致發光裝置，其上排列在每一偶數列中的藍色發光層230做第二次沉積。參照圖8B，儘管在藍色發光層的第一次沉積期間中所形成的第一個黑點S’形成於排列在第一列與第一行中的藍色子像素B11之上，而在藍色發光層的第二次沉積期間中所形成的第二個黑點S”則是形成於排列在第二列與第二行中的藍色子像素B22之上。換言之，根據本實施例的有機沉積方法，並非彼此相鄰地設置黑點S’與S”的產生位置B11與B22，而是彼此相隔開。因此，減低低劣的能見度。
如上述根據本實施例使用有機電致發光裝置所用的遮罩來沉積發光層之方法，避免遮罩的下陷與開口部分的減少，並且可以減低因鄰近黑點的產生所引起的低劣能見度。
然而，實施例可以實施於諸多不同型式中，並且不應推斷為受限於在此所提出的實施例；反而是提供這些實施例致使本揭露事項將會完善與完全、以及會完全傳達實施例之觀點給予熟知該項技術者。儘管已經特別地顯示以及參照典範實施例說明了本實施例，然而熟知該項技術者將會了解到從中可以進行型式以及細節上各種不同的改變，而不違反由以下的申請專利範圍所定義的本實施例之精神與範疇。
110‧‧‧單位遮罩
112‧‧‧開口部分
200‧‧‧絕緣基板
B11、B41‧‧‧藍色子像素
C‧‧‧污染物
P3y‧‧‧y方向之三個像素節距
S’‧‧‧第一個黑點

Claims (15)

  1. 一種沉積有機電致發光裝置之發光層之方法，其中將具有複數個不同色彩的子像素之組合設為一個單位像素、以列方向循序與交替地排列複數個子像素、以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，其方法包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以行方向移動在第一次沉積操作中所校準的遮罩(2N+1)個像素節距或者更大，來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中的子像素包含不同的色彩，其包括紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)子像素之中至少一個。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中使用具有開口部分的遮罩獨立地沉積不同色彩的每個子像素。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中具有開口部分的遮罩為一種細微的金屬遮罩。
  5. 一種製造有機電致發光裝置之方法，其方法包含：在一絕緣基板上形成一預定圖樣的第一電極層；在第一電極層之上形成一包括預定圖樣的發光層的有機發光層 ；在有機發光層之上形成一預定圖樣的第二電極層；以及將第二電極層之外部密封；其中在具有複數個不同色彩的子像素組合設為一個單位像素之有機電致發光裝置中，以列方向循序與交替地排列複數個子像素，並且以行方向排列相同色彩的複數個子像素；其中形成該有機發光層包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以行方向移動在第一次沉積操作中所校準的遮罩(2N+1)個像素節距或者更大，來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中的子像素具有不同的色彩，其包括紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)子像素之中至少一個。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中使用具有開口部分的遮罩獨立地沉積不同色彩的子像素。
  8. 一種藉由申請專利範圍第5項之方法所製造的有機電致發光裝置。
  9. 一種藉由申請專利範圍第6項之方法所製造的有機電致發光裝置。
  10. 一種沉積有機電致發光裝置之發光層之方法，其中將具有複數個不同色彩的子像素之組合設為一個單位像素、以列方向循序與交替地排列複數個子像素、以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，其方法包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以行方向移動在第一次沉積操作中所校準的遮罩(2N-1)個像素節距或者更大、以及藉由以列方向移動N個像素節距或者更大來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
  11. 一種沉積有機電致發光裝置之發光層之方法，其中將具有複數個不同色彩的子像素之組合設為一個單位像素、以列方向循序與交替地排列複數個子像素、以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，其方法包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以該遮罩之幾何中心轉動在第一次沉積操作中所校準的遮罩180°、並且以列方向移動該遮罩一個子像素節距來執行第二次沉積操作。
  12. 一種沉積有機電致發光裝置之發光層之方法，其中將具有複數個不同色彩的子像素之組合設為一個單位像素、以列方向循序與交替地排列複數個子像素、以及以行方向排列相同色彩的複數個子像素，其方法包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以該遮罩之幾何中心轉動在第一次沉積操作中所校準的遮罩180°、並且以列方向水平移動該遮罩一個子像素節距以及以行方向縱向移動一個像素節距來執行第二次沉積操作。
  13. 一種製造有機電致發光裝置之方法，其方法包含：在一絕緣基板上形成一預定圖樣的第一電極層；在第一電極層之上形成一包括預定圖樣的發光層的有機發光層；在有機發光層之上形成一預定圖樣的第二電極層；以及將第二電極層之外部密封；其中在具有複數個不同色彩的子像素組合設為一個單位像素之有機電致發光裝置中，以列方向循序與交替地排列複數個子像素，並且以行方向排列相同色彩的複數個子像素；其中形成該有機發光層包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以 及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以行方向移動在第一沉積操作中所校準的遮罩(2N-1)個像素節距或者更大、以及藉由以列方向移動N個像素節距或者更大來執行第二次沉積操作，其中N為自然數。
  14. 一種製造有機電致發光裝置之方法，其方法包含：在一絕緣基板上形成一預定圖樣的第一電極層；在第一電極層之上形成一包括預定圖樣的發光層的有機發光層；在有機發光層之上形成一預定圖樣的第二電極層；以及將第二電極層之外部密封；其中在具有複數個不同色彩的子像素組合設為一個單位像素之有機電致發光裝置中，以列方向循序與交替地排列複數個子像素，並且以行方向排列相同色彩的複數個子像素；其中形成該有機發光層包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以該遮罩之幾何中心轉動在第一次沉積操作中所校 準的遮罩180°，並且以列方向移動該遮罩一個子像素節距來執行第二次沉積操作。
  15. 一種製造有機電致發光裝置之方法，其方法包含：在一絕緣基板上形成一預定圖樣的第一電極層；在第一電極層之上形成一包括預定圖樣的發光層的有機發光層；在有機發光層之上形成一預定圖樣的第二電極層；以及將第二電極層之外部密封；其中在具有複數個不同色彩的子像素組合設為一個單位像素之有機電致發光裝置中，以列方向循序與交替地排列複數個子像素，並且以行方向排列相同色彩的複數個子像素；其中形成該有機發光層包含：使用具有相應於排列在子像素奇數列與偶數行任何一者中的相同色彩子像素位置的複數個開口部分之遮罩來沉積發光層；以及使用發光層第一次沉積操作所使用的遮罩之相同開口部分，藉由移動遮罩來沉積發光層，藉以避免發光層沉積於鄰接在第一次沉積操作期間所沉積的發光層子像素之子像素；其中藉由以該遮罩之幾何中心轉動在第一沉積操作中所校準的遮罩180°、並且以列方向水平移動該遮罩一個子像素節距以及以行方向縱向移動一個像素節距來執行第二次沉積操作。
TW098126055A 2008-08-04 2009-08-03 沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置 TWI413448B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080076111A KR101453877B1 (ko) 2008-08-04 2008-08-04 유기 ｅｌ 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 ｅｌ 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201008373A TW201008373A (en) 2010-02-16
TWI413448B true TWI413448B (zh) 2013-10-21

Family

ID=41278350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098126055A TWI413448B (zh) 2008-08-04 2009-08-03 沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100026173A1 (zh)
EP (1) EP2151866B1 (zh)
JP (1) JP4825903B2 (zh)
KR (1) KR101453877B1 (zh)
CN (1) CN101645492B (zh)
TW (1) TWI413448B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5486951B2 (ja) * 2010-02-12 2014-05-07 株式会社アルバック 蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法
JP2012064564A (ja) * 2010-08-17 2012-03-29 Canon Inc 成膜マスク及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN104862669B (zh) * 2010-12-16 2018-05-22 潘重光 任意尺寸底板及显示屏的气相沉积荫罩板系统及其方法
KR101229022B1 (ko) 2010-12-27 2013-02-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조 방법
JP2013055039A (ja) * 2011-08-11 2013-03-21 Canon Inc Ｅｌ発光装置の製造方法および蒸着装置
JP6030118B2 (ja) 2012-03-07 2016-11-24 株式会社カネカ 発光デバイスの製造方法および発光デバイス
TWI486465B (zh) 2012-08-29 2015-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 遮罩以及有機發光材料層的製作方法
CN102956845B (zh) * 2012-10-12 2016-07-13 华映视讯（吴江）有限公司 屏蔽以及有机发光材料层的制作方法
KR102084712B1 (ko) 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
KR20150053161A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR102254582B1 (ko) 2014-10-02 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104465714B (zh) 2014-12-30 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其显示方法、显示装置
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
CN104898369B (zh) * 2015-06-23 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示基板制作系统和显示装置
US10558036B2 (en) * 2015-12-15 2020-02-11 Facebook Technologies, Llc Using oscillation of optical components to reduce fixed pattern noise in a virtual reality headset
US10475241B2 (en) * 2016-02-03 2019-11-12 Google Llc Super-resolution displays and methods of operating the same
CN108615742A (zh) * 2018-07-10 2018-10-02 南方科技大学 一种显示面板制作方法、显示面板及显示装置
KR20210086073A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 및 이를 이용한 유기발광 표시패널의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231961A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Seiko Epson Corp マスク、電気光学装置及び有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置並びに電子機器
TWI246868B (en) * 2003-05-21 2006-01-01 Pioneer Tohoku Corp Organic electroluminescent panel and producing method of the same
US20060119252A1 (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Kazuyoshi Kawabe Organic EL panel manufacturing method
TW200733442A (en) * 2005-10-31 2007-09-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000048954A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Toray Ind Inc 有機電界発光素子の製造方法
JP2005166687A (ja) * 1998-12-01 2005-06-23 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP3999449B2 (ja) * 2000-07-27 2007-10-31 富士フイルム株式会社 フイルム押さえ装置
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR20030002947A (ko) * 2001-07-03 2003-01-09 엘지전자 주식회사 풀칼라 유기 ｅｌ 표시소자 및 제조방법
JP2005276480A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231961A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Seiko Epson Corp マスク、電気光学装置及び有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置並びに電子機器
TWI246868B (en) * 2003-05-21 2006-01-01 Pioneer Tohoku Corp Organic electroluminescent panel and producing method of the same
US20060119252A1 (en) * 2004-11-16 2006-06-08 Kazuyoshi Kawabe Organic EL panel manufacturing method
TW200733442A (en) * 2005-10-31 2007-09-01 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101645492B (zh) 2014-01-01
US20100026173A1 (en) 2010-02-04
JP2010040529A (ja) 2010-02-18
EP2151866A3 (en) 2012-06-27
JP4825903B2 (ja) 2011-11-30
TW201008373A (en) 2010-02-16
CN101645492A (zh) 2010-02-10
KR101453877B1 (ko) 2014-10-23
EP2151866A2 (en) 2010-02-10
EP2151866B1 (en) 2014-04-02
KR20100015176A (ko) 2010-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI413448B (zh) 沉積有機電致發光裝置之發光層的方法、製造有機電致發光裝置的方法以及該方法製造的有機電致發光裝置
KR101479994B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11522152B2 (en) Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus
US9653521B2 (en) Organic light emitting display device with substantially polygonal sub-pixels
US8183768B2 (en) Organic light emitting display apparatus having pixels with increased aperture ratio
US8159508B2 (en) Electro-luminescence display
JP4925566B2 (ja) シャドーマスク
US7829887B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
TWI538198B (zh) 有機發光顯示裝置
KR100669265B1 (ko) 유기발광소자, 이를 구비하는 표시장치, 및 유기발광소자의제조방법
US7829888B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
US9818941B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR20120041510A (ko) 유기전계 발광소자 및 이를 제조하기 위한 쉐도우 마스크
JP2011096378A (ja) 有機ｅｌ表示装置
WO2022199003A1 (zh) 像素排布结构、显示面板及其制备方法
TWI706558B (zh) 發光顯示裝置
JP2010085866A (ja) アクティブマトリックス型表示装置
TWI544621B (zh) 畫素陣列及其遮罩結構
KR100669772B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20180076820A (ko) 전계 발광 표시 장치
CN215220728U (zh) 像素排布结构、显示面板和显示装置
KR20070095152A (ko) 전계 발광 소자, 전계 발광 소자용 섀도우 마스크 및 이를이용한 전계 발광 소자의 제조방법
CN112366215A (zh) 显示面板及其制备方法和发光装置
JP2011058066A (ja) 蒸着マスク及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法