CN101641807A - 制造磁性器件的方法 - Google Patents
制造磁性器件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101641807A CN101641807A CN200780052423A CN200780052423A CN101641807A CN 101641807 A CN101641807 A CN 101641807A CN 200780052423 A CN200780052423 A CN 200780052423A CN 200780052423 A CN200780052423 A CN 200780052423A CN 101641807 A CN101641807 A CN 101641807A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic device
- film
- manufacturing magnetic
- group
- compound group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 43
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 11
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims description 3
- RIFGWPKJUGCATF-UHFFFAOYSA-N ethyl chloroformate Chemical compound CCOC(Cl)=O RIFGWPKJUGCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 85
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 6
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 230000008676 import Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018936 CoPd Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical group CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F41/308—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices lift-off processes, e.g. ion milling, for trimming or patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
使用非有机膜掩模在等离子体气氛中蚀刻磁性膜以生产磁性元件。所述等离子体气氛由选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类和二酮类组成的组的至少一种气化化合物来形成。在等离子体气氛中使用非有机材料掩模蚀刻包含选自由元素周期表中第8族、第9族和第10族元素组成的组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。可以将选自氧、臭氧、氮、H2O、N2O、NO2和CO2组成的组的至少一种气体作为等离子体气氛气体添加至所述气化化合物。蚀刻速率和蚀刻比是令人满意的。
Description
技术领域
本发明涉及具有干法蚀刻工艺的制造磁性器件的方法。更具体地，本发明涉及具有以下工艺的制造磁性器件的方法：当进行磁性薄膜的微细加工时，在高蚀刻速率和高选择比下进行干法蚀刻。
背景技术
MRAM(磁随机存取存储器)，其为集成化磁存储器，其作为具有与DRAM类似的集成密度和与SRAM类似的高速度，并且能够无限制地重写的存储器已引起关注。此外，构成磁阻装置例如GMR(巨磁阻)和TMR(隧穿磁阻)的薄膜磁头、磁性传感器等已得到快速开发。
迄今为止，在磁性材料的蚀刻工艺中，已频繁使用离子减薄(ion milling)。然而，由于离子减薄是物理溅射蚀刻，所以难以得到对于各种掩模用材料的选择性，并导致要蚀刻的材料底部锥形化的问题。因此，目前状况是离子减薄不适于制造需要特别精细加工技术的大容量MRAM，所述离子减薄难以均匀加工大面积300mm基板，并且不能提高产率。
代替该离子减薄，已引入在半导体工业中培育的技术。
这些中，期待RIE(反应性离子蚀刻)技术，该技术能够确保在大面积300mm基板中的均匀性，并且微细加工性优良。
然而，即使使用广泛用于半导体工业中的RIE技术，对磁性材料例如FeNi、CoFe和CoPt的反应性也差，并难以在不产生蚀刻残渣和侧壁沉积的情况下加工它们。
作为使用用于磁性膜干法蚀刻的工艺制造磁性器件的方法，对于过渡元素磁性材料的选择性蚀刻，日本专利申请特开H8-253881提出向其中添加含氮化合物气体例如氨(NH3)和胺气的一氧化碳(CO)气体作为用于干法蚀刻的反应气体；日本专利申请特开2005-42143提出具有至少一个羟基的醇作为使用非有机材料作为掩模的磁性材料干法蚀刻的蚀刻气体；日本专利申请特开2005-268349提出至少包含甲烷和氧的气体作为用于难以蚀刻元素例如Pt和Ir的磁性材料的干法蚀刻气体。
发明内容
本发明的目的在于提供基于高速蚀刻和高选择比的干法蚀刻工艺，其中当使用由非有机材料形成的掩模材料(非有机材料掩模)时，不需要后腐蚀处理或不需要耐腐蚀处理，所述非有机材料例如选自由在元素周期表中的第III族、第IV族、第V族和第VI族组成的金属组的金属原子材料，或由这些金属原子和非金属原子形成的材料。
本发明的另一目的在于提供使用上述干法蚀刻工艺制造磁性器件的方法。
为了实现上述目的，本发明首先为特征在于包括以下步骤的制造磁性器件的方法：在通过使用选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类、二酮类和胺类组成的气化化合物组的至少一种化合物产生的等离子体的气氛中，通过使用非有机材料掩模来蚀刻包括选自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族元素组成的金属组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜；本发明其次为特征在于包括以下步骤的制造磁性器件的方法：在通过使用选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类、二酮类和胺类组成的气化化合物组的至少一种化合物，和选自由氧、臭氧、氮、H2O、N2O和CO2组成的气体组的至少一种气体而产生的等离子体的气氛中，通过使用非有机材料掩模来蚀刻包括选自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族组成的金属组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。
在本发明的制造方法中，作为醚类，可以列举选自由二甲醚、乙醚和环氧乙烷组成的化合物组的至少一种醚。
在本发明的制造方法中，作为醛类，可以列举选自由甲醛和乙醛组成的化合物组的至少一种醛。
在本发明的制造方法中，作为羧酸类，可以列举选自由甲酸和乙酸组成的化合物组的至少一种羧酸。
在本发明的制造方法中，作为酯类，可以列举选自由氯甲酸乙酯和乙酸乙酯组成的化合物组的至少一种酯。
在本发明的制造方法中，作为胺类，可以列举选自由二甲胺和三乙胺组成的化合物组的至少一种胺。
在本发明的制造方法中，作为二酮类，可以列举选自由四甲基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮组成的化合物组的至少一种二酮。
用于本发明的掩模材料(非有机材料掩模)为由通过混合选自由在元素周期表中的第III族、第IV族、第V族和第VI族组成的金属组的金属原子材料如Ta、Ti、Al或Si，或者此类金属原子和非金属原子的混合材料产生的物质形成的单层膜或层压膜组成的非有机材料，例如，能够使用由金属例如Ta、Ti和Al或非金属例如Si，或者这些金属或非金属的氧化物或氮化物形成的单层膜或层压膜组成的非有机掩模材料。
作为用于本发明的非有机材料掩模，例如，可以使用单质元素Ta、Ti、Al或Si的单层膜或层压膜作为掩模材料。作为选择，可以使用以下物质的单层膜或层压膜作为掩模材料，所述物质为Ta、Ti、Al或Si的氧化物或氮化物例如Ta氧化物，Ti氧化物，Al氧化物例如Al2O3，Si氧化物例如SiO2，和TaN、TiN、AlN、SiN等。当使用上述单层膜时，其厚度为2至300nm，优选15至30nm。当使用上述层压膜时，其层压厚度为2至300nm，优选15至30nm。
在根据本发明的制造方法中，作为要进行蚀刻工艺的由选自由在元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族组成的金属组的至少一种金属组成的磁性膜或抗磁性膜，可以使用FeN膜、NiFe膜、CoFe膜、CoFeB膜、PtMn膜、IrMn膜、CoCr膜、CoCrPt膜、NiFeCo膜、NiFeMo膜、CoFeB膜、FeMn膜、CoPt膜、NiFeCr膜、CoCr膜、CoPd膜、CoFeB膜或NiFeTb膜。这些磁性膜或抗磁性膜可以是铁磁性或软磁性的。虽然包含在这些磁性膜或抗磁性膜中的磁性物质含量为10原子％以上，优选50原子％以上，但其不限于这些值。
在根据本发明的制造方法中，要进行蚀刻工艺的磁性膜或抗磁性膜可以为单层膜或层压膜。当使用单层膜时，其厚度为2至300nm，优选15至30nm。当使用层压膜时，其层压厚度为2至300nm，优选15至30nm。
在根据本发明的制造方法中，蚀刻磁性膜或抗磁性膜时的蚀刻温度优选保持在250℃以下的范围内。如果温度超过250℃，则将不期望的热损伤给予磁性膜。本发明的优选温度范围为20至100℃。
此外，在根据本发明的制造方法中，蚀刻期间的真空度优选为0.05和10Pa之间的范围。在该压力范围内，磁性器件能够通过高密度等离子体的形成来各向异性地加工。
在根据本发明的制造方法中，可以将氧化气体或氮化气体(添加气体)例如氧、臭氧、氮、H2O、N2O、NO2和CO2在不超过50原子％的范围内添加至上述气化化合物。
此外，在本发明中，优选将惰性气体在不超过90原子％的范围内添加至上述气化化合物。作为惰性气体，可以使用Ar、Ne、Xe或Kr等。此时，也可以使用上述添加气体和惰性气体的混合气体。同样，此时，优选混合气体的量在上述量范围内。
根据本发明的制造方法，如果将上述添加气体或惰性气体在上述范围内添加至上述气化化合物，则能够进一步增大蚀刻速率，同时，能够显著提高对掩模的选择性。然而，如果使用大于50原子％的添加气体，将发生蚀刻速率的下降，还将导致降低对非有机材料掩模的选择比。
在用于本发明的制造方法中的干法蚀刻法中，当使用由非有机材料组成的掩模材料来蚀刻磁性材料时，不要求后腐蚀处理，并且不需要考虑蚀刻设备的耐腐蚀性。如上所述，根据本发明，可以获得高蚀刻速率和大的选择比，并且通过高蚀刻速率和大的选择比，可以实现由单层膜或层压膜组成的磁性薄膜的高度微细加工。由此，高度集成化的MRAM的产率能够显著改进。
附图说明
图1A为在本发明实施例的方法中使用的蚀刻设备的示意性构成图；
图1B为示于图1A中的设备的俯视图；
图2A为在开始加工之前的晶片(磁性层层压基板)的示意性截面图；
图2B为当在示于图2A的晶片上制造Ta掩模时的示意性截面图；
图2C为示出在通过使用示于图2B中的Ta掩模蚀刻而制造的TMR中的磁性膜的实例的示意性截面图；
图3为示出在根据本发明的TMR中的磁性膜的另一实例的示意性截面图；
图4为示出在本发明中制造的TMR部件的基本结构的纵断面图。
图5为说明在本发明中制造的TMR部件中的电阻值变化的图。
具体实施方式
[实施例1]
图1为具有ICP(电感耦合等离子体)等离子体源的蚀刻设备的示意性图。在实施例1中，将乙酸用作气化化合物，将乙酸和氧气的混合气体用作蚀刻气体，并通过使用示于图1中的设备，如图2A和图2B所示蚀刻TMR元件。图2C和图3示出使用根据本发明的制造方法制造的TMR的两个实例。图2A示出在用于本发明的蚀刻工艺之前的层压结构。其为图1A中所示的晶片9，其中将磁性材料层等层压在由石英等组成的基板上，并为蚀刻的对象。
在图2A中，201是指Ta膜，202是指Al膜，203是指Ta膜，204是指层压的铁磁性膜，其为由具有厚度1nm至20nm(优选5nm)的软磁性CoFe膜以及抗铁磁性膜的PtMn膜组成的引脚层(pin layer)，205是指由Al2O3形成的绝缘膜(具有厚度0.1nm至10nm，优选0.5nm至2nm)，206是指软磁性膜，其为由具有厚度1nm至20nm(优选5nm)的CoFe膜形成的自由层(free layer)，207为由NiFe膜形成的软磁性膜，208是指由Ta形成的掩模，209是指图案化光致抗蚀剂膜。
通过根据本发明的制造方法制造的TMR元件的基本结构将示于图4中。TMR 401的基本结构为以下结构：其中绝缘层402(对应于图2中的Al2O3绝缘膜205)的两侧被夹在铁磁性层403(对应于图2中的NiFe膜207和CoFe膜206的层压膜)和404(对应于图2中的CoFe/PtMn膜204)之间。在铁磁性层403和404中，箭头403a和404a分别示出磁化方向。图5A和图5B为说明当将来自电源405的电压V施加至TMR 401时在TMR 401中的电阻状态的图。TMR 401具有以下特性：对应于在铁磁性层403和404每一层中的磁化状态，根据施加电压V而改变电阻值。具体地，如图5A所示，当在铁磁性层403和404中的磁化方向相同时，TMR 401的电阻值最小化；如图5B所示，当铁磁性层403和404中的磁化方向彼此相反时，TMR 401的电阻值最大化。TMR 401的最小电阻值和最大电阻值分别由Rmin和Rmax表示。此处，通常，尽管存在以下结构：其中将感应电流(sensing current)平行于器件的膜表面引入的CIP(面内电流(Current-in-Plane))型结构；和其中感应电流垂直于器件的膜表面引入的CPP(垂直于平面的电流)型结构，但是图4和图5示出CPP型磁阻效应元件的实例。
图2B示出使用示于图1中的图案化光致抗蚀剂膜209和作为蚀刻气体的CF4气体来蚀刻Ta膜之后的状态。在Ta膜208的蚀刻工艺中，使用示于图1中的设备。示于图1A中的真空容器2使用排气系统21抽真空，打开闸阀(未示出)以将设置有示于图2A中的层压磁性膜的晶片9引入至真空容器2中，将晶片9保持在基板保持架4中，并使用温度控制机构41维持在预定温度下。接着，操作气体导入系统3以将预定流速的蚀刻气体(CF4)从贮存CF4气体的钢瓶(cylinder)(图1A中未示出)，经过配管、阀门和流速控制器(未示出)导入至真空容器2中。将导入的蚀刻气体通过真空容器2扩散于介电壁容器11。此处，操作等离子体源设备1。等离子体源设备1由以下组成：气密连接的介电壁容器11、在介电壁容器11中产生诱导磁场的1-圈天线(1-turn antenna)12、通过产生要供给至天线12的高频功率(电源功率)的匹配箱(matchingbox)(未示出)经过传送通道15连接至天线12的等离子体用高频电源13、在介电壁容器11中产生预定磁场的电磁体14等，以致内部空间与真空容器2连通。当将由等离子体用高频电源13产生的高频波通过传送通道15供给至天线12时，电流流入1-转天线12中，结果，在介电壁容器11内部形成等离子体。
将从上方观察的设备的结构示于图1B中。将大量侧壁用磁体22配置在真空容器2的侧壁外侧，沿外周方向排列，以使得其在面对真空容器2侧壁的表面上的磁极不同于邻近的磁体，由此，会切磁场(cusped magnetic field)沿真空容器2侧壁内表面沿周向顺次形成，并且等离子体扩散入真空容器2侧壁的内表面中。此时，同时操作偏压用高频电源5以供给自偏压和控制从等离子体至晶片9表面的离子注入能(ion-implanting energy)，所述自偏压为用于施加至要进行蚀刻处理的晶片9的负直流电的电压。如上所述形成的等离子体从介电壁容器11扩散入真空容器2中，到达晶片9表面附近。此时，未用光致抗蚀剂(PR)膜209涂布的Ta膜暴露于等离子体，通过蚀刻气体CF4蚀刻，并由如图2B所示的在晶片9上的Ta膜形成Ta掩模208。
使用光致抗蚀剂膜209作为掩模通过上述CF4的用于Ta膜的蚀刻条件如下：
<蚀刻条件>
蚀刻气体的流速(CF4)：326mg/min(50sccm)
电源功率：500W
偏压功率：70W
真空容器2中的压力：0.8Pa
基板保持架4的温度：40℃
接着，在去除光致抗蚀剂209之后，进行蚀刻工艺，从而制造示于图2C中的磁性膜，在所述蚀刻工艺中，将乙酸气体和氧气用作蚀刻气体，通过上述工艺形成的Ta用作用于蚀刻NiFe膜207、CoFe膜206、Al2O3膜205和CoFeB/PtMn膜204的掩模材料。在上述工艺中，除了使用CF4气体代替由乙酸气体和氧气组成的混合气体之外，还使用示于图1中的设备。此时的蚀刻条件如下所述。此时的蚀刻速率(nm/min)使用常规步骤(routineprocedure)测量。结果为30nm/min。也使用常规步骤，测量膜204至207的层压膜与Ta膜203的选择比(层压膜204至207的蚀刻速率/Ta膜203的蚀刻速率)。结果为10倍。
<蚀刻条件>
乙酸的流速：15sccm(40.2mg/min)
氧的流速：5sccm(7.1mg/min)
电源功率：1000W
偏压功率：800W
真空容器2中的压力：0.4Pa
基板保持架4的温度：40℃
此时，通过操作气体导入系统3，从示于图1A中的其中贮存乙酸的容器31，将预定流速的蚀刻气体(乙酸)和氧气经过配管32、阀33和流速控制器34导入至真空容器2中，并进行蚀刻。在该工艺中蚀刻之后，确认示于图2C中的结构。
[实施例2至20和比较例1]
除了将示于表2中的蚀刻气体代替用于上述实施例1中的由乙酸气体和氧气组成的蚀刻气体之外，以与实施例1相同的方式形成示于图2C中的元件，测量蚀刻速率和选择比。结果示于以下表1中。将示于表1中的蚀刻速率作为当在实施例1中的蚀刻速率为″1″和选择比为″1″时的比例示出。
表1
| 实施例 | 蚀刻气体(流速) | 蚀刻速率 | 选择比 |
| 2 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.) | 1.1 | 0.8 |
| 3 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)和氧(5sccm，7.1mg/min.) | 1.1 | 1.2 |
| 4 | 环氧乙烷(15sccm，29.6mg/min.)和氧(5sccm，7.1)mg/min.) | 1.0 | 0.9 |
| 5 | 甲醛(15sccm，20.1mg/min.) | 0.9 | 0.9 |
| 6 | 甲醛(15sccm，20.1mg/min.)和氧(5sccm，7.1mg/min.) | 1.0 | 1.1 |
| 7 | 甲醛(15sccm，20.1mg/min.)，氧(20sccm，35.7mg/min.)和氩(5sccm，7.1mg/min.) | 1.2 | 0.9 |
| 8 | 乙酸(15sccm，40.2mg/min.) | 0.8 | 0.9 |
| 9 | 乙酸(15sccm，40.2mg/min.)，氧(5sccm，7.1mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.3 | 0.9 |
| 10 | 乙酸乙酯(15sccm，59.0mg/min.)，氧(5sccm，7.1mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.1 | 0.9 |
| 11 | 二甲胺(15sccm，67.1mg/min.)和氧(5sccm，7.1mg/min.) | 1.2 | 0.8 |
| 12 | 二甲胺(15sccm，67.1mg/min.)，氧(1sccm，1.4mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.2 | 0.8 |
| 13 | 乙酰丙酮(15sccm，67.0mg/min.)和氧(5sccm，7.1mg/min.) | 1.1 | 0.8 |
| 14 | 乙酰丙酮(15sccm，67.0mg/min.)，氧(5sccm 7.1mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.1 | 0.6 |
| 15 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)，NO2(5sccm，10.3mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.1 | 0.9 |
| 16 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)，N2(5sccm，6.3mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.2 | 0.7 |
| 17 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)，H2O(5sccm，4.0mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.2 | 0.8 |
| 18 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)，CO2(5sccm，9.8mg/min.)和氩(20sccm，35.7mg/min.) | 1.1 | 0.7 |
| 19 | 二甲醚(15sccm，30.9mg/min.)，臭氧(3sccm，6.4mg/min.)和氩(25sccm，44.6mg/min.) | 1.3 | 0.8 |
| 20 | 乙酸(15sccm，40.2mg/min.)，臭氧(3sccm，6.4mg/min.)和氩(25sccm，44.6mg/min.) | 1.3 | 0.9 |
| 比较例1 | 甲烷(15sccm，10.8mg/min.)，和氧(5sccm，7.1mg/min.) | 0.3 | 0.8 |
如上所述，用于根据本发明的制造方法中的干法蚀刻方法显示意料不到地显著效果。
[实施例21至25和比较例2]
除了改变上述实施例中的蚀刻气体的流速之外，以与实施例1、9、3、6和13相同的方式形成示于图2C中的元件，并测量蚀刻速率和选择比。结果示于表2中。将示于表2中的蚀刻速率作为当在实施例1中的蚀刻速率为″1″和选择比为″1″时的比例示出。
表2
| 实施例 | 蚀刻气体(流速) | 蚀刻速率 | 选择比 |
| 21 | 乙酸(20sccm，53.6mg/min.)和氧(10sccm，14.2mg/min.) | 0.8 | 0.8 |
| 22 | 乙酸(20sccm，53.6mg/min.)，氧(10sccm，14.2mg/min.)和氩(30sccm，53.5mg/min.) | 0.7 | 0.9 |
| 23 | 二甲醚(20sccm，41.2mg/min.)和氧(10sccm，14.2mg/min.) | 0.8 | 1.1 |
| 24 | 甲醛(20sccm，26.8mg/min.)和氧(10sccm，14.2mg/min.) | 0.8 | 1.1 |
| 25 | 乙酰丙酮(20sccm，89.3mg/min.)和氧(10sccm，14.2mg/min.) | 0.7 | 1.1 |
| 比较例2 | 甲烷(20sccm，14.4mg/min.)，和氧(10sccm，14.2mg/min.) | 0.5 | 0.7 |
在醚类、醛类、羧酸类、二酮类和胺类中，醚类和醛类不是腐蚀性的，安全性特别有利。
尽管已描述一定数量的本发明的实施例和比较例，但是本发明不限于所述实施方案，但是在由权利要求书的描述理解的技术范围内能够变化为各种实施方案。例如，蚀刻设备不限于示于图1中的具有1-转天线的ICP型等离子体设备，而且还可以使用称为高密度等离子体源的螺旋型等离子体设备、两频率激发平行板型等离子体设备(two-frequency excitation Parallel plate-type plasmaapparatus)、微波型等离子体设备等。此外，即使在使用非有机材料作为掩模材料蚀刻磁性材料的情况下，和在其中磁性材料为TMR的情况下，TMR的构造不限于示于图2中的构造。此外，本发明不限于上述TMR，还可以应用GMR。此外，如图3中所示，可以使用其中将示于图2A中的绝缘膜205用作蚀刻止动器的工艺。
Claims (20)
1.一种制造磁性器件的方法，其包括以下步骤：
形成通过使用选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类、二酮类和胺类组成的气化化合物组的至少一种化合物产生的等离子体气氛和
通过使用非有机材料掩模，蚀刻包括选自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族组成的金属组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。
2.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述醚类为选自由二甲醚、乙醚和环氧乙烷组成的化合物组的至少一种醚。
3.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述醛类为选自由甲醛和乙醛组成的化合物组的至少一种醛。
4.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述羧酸类为选自由甲酸和乙酸组成的化合物组的至少一种羧酸。
5.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述酯类为选自由氯甲酸乙酯和乙酸乙酯组成的化合物组的至少一种酯。
6.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述胺类为选自由二甲胺和三乙胺组成的化合物组的至少一种胺。
7.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述二酮类为选自由四甲基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮组成的化合物组的至少一种二酮。
8.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述磁性器件为TMR。
9.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述等离子体气氛通过将选自由氧、臭氧、氮、H2O、N2O、NO2和CO2组成的气体组的至少一种气体添加至所述气化化合物中而形成。
10.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述醚类为选自由二甲醚、乙醚和环氧乙烷组成的化合物组的至少一种醚。
11.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述醛类为选自由甲醛和乙醛组成的化合物组的至少一种醛。
12.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述羧酸类为选自由甲酸和乙酸组成的化合物组的至少一种羧酸。
13.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述酯类为选自由氯甲酸乙酯和乙酸乙酯组成的化合物组的至少一种酯。
14.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述胺类为选自由二甲胺和三乙胺组成的化合物组的至少一种胺。
15.根据权利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述二酮类为选自由四甲基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮组成的化合物组的至少一种二酮。
16.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述非有机材料掩模包括选自由在元素周期表中的第III族、第IV族、第V族和第VI族组成的金属组的金属原子材料，或此类金属原子和非金属原子的混合材料的至少一种膜。
17.根据权利要求16所述的制造磁性器件的方法，其中所述非有机材料掩模包括由Ta、Ti或Al金属，非金属，此类金属或非金属的氧化物，或者此类金属或非金属的氮化物组成的至少一种膜。
18.根据权利要求17所述的制造磁性器件的方法，其中所述非金属为Si。
19.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述磁性膜为通过层压磁性膜和抗磁性膜形成的层压磁性膜。
20.根据权利要求1所述的制造磁性器件的方法，其中所述磁性器件为TMR。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2007/057689 WO2008129605A1 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 磁性素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101641807A true CN101641807A (zh) | 2010-02-03 |
Family
ID=39875154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200780052423A Pending CN101641807A (zh) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 制造磁性器件的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100044340A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2008129605A1 (zh) |
| KR (1) | KR20100005058A (zh) |
| CN (1) | CN101641807A (zh) |
| WO (1) | WO2008129605A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151456A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 三星电子株式会社 | 磁器件及其制造方法 |
| CN107958950A (zh) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 中电海康集团有限公司 | Mtj器件的制作方法、mtj器件及stt-mram |
| CN109314181A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-02-05 | 国立大学法人东北大学 | 隧道磁阻元件及其制备方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100301008A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Canon Anelva Corporation | Process and apparatus for fabricating magnetic device |
| KR20130005804A (ko) * | 2011-07-07 | 2013-01-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 터널 접합 구조체의 제조 방법 |
| JP6142676B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-06-07 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法、ドライエッチング装置、金属膜及びそれを備えたデバイス |
| KR102082322B1 (ko) | 2013-08-09 | 2020-02-27 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자의 제조 방법 |
| JP6347695B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2018-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被エッチング層をエッチングする方法 |
| US10249479B2 (en) * | 2015-01-30 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Magnet configurations for radial uniformity tuning of ICP plasmas |
| JP6499980B2 (ja) * | 2016-01-04 | 2019-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
| WO2018139276A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 国立大学法人東北大学 | トンネル磁気抵抗素子の製造方法 |
| JP7223507B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2023-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6854844B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2021-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956197A (en) * | 1986-10-27 | 1990-09-11 | International Business Machines Corporation | Plasma conditioning of a substrate for electroless plating |
| JP2677321B2 (ja) * | 1995-03-15 | 1997-11-17 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | ドライエッチング方法 |
| JP3409516B2 (ja) * | 1995-07-26 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | 白金薄膜のプラズマエッチング方法 |
| JP3877490B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2007-02-07 | 株式会社東芝 | 磁気素子およびその製造方法 |
| JP2004332045A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 多層膜材料のドライエッチング方法 |
| JP4111274B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-07-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁性材料のドライエッチング方法 |
| JP4364669B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP2006060044A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| EP2419796B1 (en) * | 2009-05-29 | 2016-09-07 | Aspen Technology, Inc. | Apparatus and method for model quality estimation and model adaptation in multivariable process control |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2009510643A patent/JPWO2008129605A1/ja active Pending
- 2007-03-30 WO PCT/JP2007/057689 patent/WO2008129605A1/ja active Application Filing
- 2007-03-30 KR KR1020097020323A patent/KR20100005058A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-30 CN CN200780052423A patent/CN101641807A/zh active Pending
-
2009
- 2009-09-10 US US12/556,987 patent/US20100044340A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151456A (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-12 | 三星电子株式会社 | 磁器件及其制造方法 |
| CN109314181A (zh) * | 2016-06-20 | 2019-02-05 | 国立大学法人东北大学 | 隧道磁阻元件及其制备方法 |
| CN109314181B (zh) * | 2016-06-20 | 2022-09-30 | 国立大学法人东北大学 | 隧道磁阻元件及其制备方法 |
| CN107958950A (zh) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 中电海康集团有限公司 | Mtj器件的制作方法、mtj器件及stt-mram |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100044340A1 (en) | 2010-02-25 |
| JPWO2008129605A1 (ja) | 2010-07-22 |
| KR20100005058A (ko) | 2010-01-13 |
| WO2008129605A1 (ja) | 2008-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101641807A (zh) | 制造磁性器件的方法 | |
| KR101041049B1 (ko) | 자성 재료의 드라이 에칭 방법 | |
| CN101517768B (zh) | 磁阻效应元件制造方法和用于制造磁阻效应元件的多腔设备 | |
| US20100304504A1 (en) | Process and apparatus for fabricating magnetic device | |
| US8524094B2 (en) | Masking material for dry etching | |
| Matsui et al. | Etching characteristics of magnetic materials (Co, Fe, Ni) using CO/NH3 gas plasma for hardening mask etching | |
| US20100078310A1 (en) | Fabricating method of magnetoresistive element, and storage medium | |
| US8431418B2 (en) | Method of manufacturing magnetic tunnel junction device and apparatus for manufacturing the same | |
| JP2012038815A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法 | |
| JP2012204408A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20110227018A1 (en) | Magnetoresistance element, method of manufacturing the same, and storage medium used in the manufacturing method | |
| JP2011014679A (ja) | 磁性素子の製造法及び記憶媒体 | |
| JP2008041716A (ja) | 磁気抵抗素子、磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置 | |
| JP2005268349A (ja) | 反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置 | |
| Chalastaras et al. | GMR multilayers on a new embossed surface | |
| Yang et al. | Nanoscale Spin-Transfer Torque MRAM Etching Using Various Gases | |
| JP2009055050A (ja) | スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはｔｍｒ膜の製造方法 | |
| KR100631024B1 (ko) | 질화물계 비정질 연자성 박막, 자성소자 및 질화물계비정질 연자성 박막의 제조방법 | |
| Han et al. | Formation of tunnel barrier using a pseudo-atomic layer deposition method and its application to spin-dependent tunneling junction | |
| JP2011014677A (ja) | 磁性素子の製造法及び記憶媒体 | |
| Kanazawa et al. | Reactive ion etching of FePt using inductively coupled plasma |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20100203 |