CN101620889B - 熔丝感应电路 - Google Patents

Abstract

一种熔丝感应电路，包括：放大单元、熔丝、参考电阻、切换单元、锁存单元、以及分流电阻，所述分流电阻在感应控制信号控制所述熔丝感应电路开启时能与所述熔丝并联，使得分流电阻可承担更多的电流分配，确保流经熔丝的电流不至于过大，得以令放大单元通过将分别流经熔丝与分流电阻的电流并联相加而得到较大的电流输入，提高感应电路的灵敏度，应用本发明还能降低对用于熔丝编程的编程电压或编程电流的强度要求，可适应较低的编程电压或编程电流。

Description

熔丝感应电路

技术领域

本发明涉及一种熔丝感应电路。

背景技术

熔丝(fuse)被广泛应用于半导体集成电路中的模拟电路或数字电路中，通过熔断熔丝来进行资料存储或系统设定等。传统的熔丝包括有以大电流熔断的金属熔丝(Metal Fuse)或复晶硅熔丝(Polysilicon Fuse)，以及以激光熔断之金属熔丝(Laser Fuse)。现在，提供了一种新型的可通过电子迁移实现的电式可编程熔丝(Electrically-Programmable Fuse，e-fuse)。通常情况下，可通过在编程电路中提供较高的编程电压或编程电流来熔断熔丝，完成编程。熔丝通常被认为是开路，实际上，熔丝在被熔断后，并非是真正的开路，只是因为其阻值非常大而被认为是开路。熔丝的状态(未编程或已编程)可通过感应电路检测熔丝的阻值来进行判定(在未编程状态下熔丝的阻值较小，而在已编程状态下熔丝的阻值将会非常大)，而熔丝的阻值可在感应电路的输出信号中得到反映。感应电路的输出信号是与熔丝的阻值相对应，举例来说，若感应电路的输出信号是高电平，则可以判定熔丝为小阻值，即其状态为未编程；若感应电路的输出信号是低电平，则可以判定熔丝为大阻值，即其状态为已编程。

专利号为7,158,435的美国专利文件公开了一种“熔丝电路与半导体集成电路装置”，其提供了一种熔丝电路，如图1所示，包括有PMOS晶体管11、12，NMOS晶体管13、14、15，熔丝16、以及反相器17、18，其中，PMOS晶体管11、NMOS晶体管13、14构成一电路分支，而PMOS晶体管12、NMOS晶体管15、及熔丝16构成另一电路分支。PMOS晶体管11与NMOS晶体管13的节点以及PMOS晶体管12与NMOS晶体管15的节点所产生的信号通过反相器17、18予以输出。上述专利文件中，需要提供比工作电压或工作电流大得多的编程电压或编程电流来熔断熔丝完成编程，举例来讲，所述编程电压为4.5V，该值相对于一般2.5～3.3V的工作电压明显偏高。而较高的编程电压(电流)需要通过在集成电路中额外提供一独立电源来实现，这不仅增加了系统复杂度及成本，更会因所提供的编程电压(电流)过高而对其他半导体元件的正常运行产生不良影响。另外，上述感应电路用于检测熔丝阻值的灵敏度也较低，一般熔断后的熔丝阻值都在几兆欧姆甚至是上百兆欧姆。

专利号为7,183,836的美国专利文件公开了一种“熔丝感应电路”，其提供了一种熔丝电路，如图2所示，熔丝电路200包括感应放大电路202及与感应放大电路202相耦合的后端放大电路204，感应放大电路202更包括参考分支205及与参考分支205相耦合的至少一熔丝感应分支207。参考分支205由参考电阻(或熔丝)214、PMOS晶体管210、NMOS晶体管206所构成、熔丝感应分支207由熔丝216、PMOS晶体管212、NMOS晶体管208所构成，而后端放大电路204由电阻224、PMOS晶体管226、NMOS晶体管222所构成，熔丝电路200是与电压232(Vcc)及230(Vss)相耦合。后端放大电路204可对参考分支205与熔丝感应分支207的电流差予以放大，通过侦测熔丝感应分支207的输出信号250，即可判定熔丝电路200是否熔断及哪一个电路分支(参考分支205或熔丝感应分支207)产生了熔断。与7,158,435号专利文件类似，在7,183,836号专利文件中仍要求提供较高的编程电压或编程电流来熔断熔丝，相对于一般2.5～3.3V的工作电压而言仍嫌偏高。

发明内容

本发明提供一种熔丝感应电路，增加熔丝感应的灵敏度，可适应较低的编程电压。

本发明提供一种熔丝感应电路，包括：

放大单元，包括第一、第二输入及第一、第二输出；

熔丝，包括与第一节点连接的第一端及与所述放大单元的第一输入连接的第二端，所述第一节点与电源电压连接；

参考电阻，包括与第二节点连接的第一端及与所述放大单元的第二输入连接的第二端，由感应控制信号控制第二节点与电源电压之间通路的开启或关闭；

切换单元，连接在所述放大单元的第一输入与第二输入之间，由反相感应控制信号控制其开启或关闭，所述切换单元在开启时使线路导通，供放大单元将第一输入与第二输入的信号进行放大；

锁存单元，包括第三、第四输入及至少一锁存输出，所述第三、第四输入分别与所述放大单元的第一、第二输出连接，所述锁存单元用于锁存通过所述放大单元的第一输出与第二输出所输出的逻辑值，所述逻辑值用于判定熔丝的状态；

其特征在于，所述熔丝感应电路更包括：分流电阻，包括与第二节点连接的第一端及与所述放大单元的第一输入连接的第二端。

可选地，所述熔丝感应电路更包括：第一控制单元，连接在感应控制信号与第二节点之间，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述第一控制单元在开启时使得电源电压与第二节点之间的线路导通，对所述熔丝进行读操作。

可选地，所述第一控制单元包括第一晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与电源电压连接，漏极与第二节点连接。

可选地，所述熔丝感应电路更包括：第二控制单元，连接在电源电压与放大单元之间，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述第二控制单元在开启时使电源电压与放大单元之间的线路导通，使得放大单元进行工作。

可选地，所述第二控制单元包括第二晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与电源电压连接，漏极与放大单元连接。

可选地，所述放大单元包括第三、第四、第五、及第六晶体管，所述第三、第五晶体管串接在第三节点与第四节点之间，第四、第六晶体管串接在第三节点与第四节点之间，所述第三节点与第二控制单元连接，第四节点与接地电压连接。

可选地，所述第三晶体管的栅极与第一输入连接，源极与第四节点连接，漏极与第一输出连接；所述第五晶体管的体端与电源电压连接、栅极与第二输出连接，源极与第三节点连接，漏极与第一输出连接；所述第四晶体管的栅极与第二输入连接，源极与第四节点连接，漏极与第二输出连接；所述第六晶体管的体端与电源电压连接、栅极与第一输出连接，源极与第三节点连接，漏极与第二输出连接。

可选地，所述切换单元包括连接在放大单元的第一输入与第五节点之间的第七晶体管及连接在放大单元的第二输入与第五节点之间的第八晶体管，所述第五节点与接地电压连接。

可选地，所述第七晶体管的栅极与第六节点连接，源极与第五节点连接，漏极与放大单元的第一输入连接；所述第八晶体管的栅极与第六节点连接，源极与第五节点连接，漏极与放大单元的第二输入连接。

可选地，所述第六节点与反相感应控制信号连接。

可选地，所述锁存单元包括RS锁存器。

可选地，所述锁存单元包括二个互相交叉反馈相连的第一与非门与第二与非门，所述第一与非门与第三输入连接，所述第二与非门与第四输入连接。

可选地，所述参考电阻的阻值设计为小于所述熔丝(未编程)或分流电阻的阻值，但大于熔丝(未编程)与分流电阻并联后的阻值。

可选地，所述熔丝感应电路更包括与所述熔丝连接的编程单元，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述切换单元在开启时使线路导通，用于通过电源电压对所述熔丝进行编程操作。

可选地，所述编程单元包括第九晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与接地电压连接，漏极与所述熔丝的第二端连接。

与现有技术相比，上述技术方案提供了在熔丝读操作过程中可与熔丝并联用于起到分流作用的分流电阻，确保流经熔丝的电流不至于过大，使得放大单元能够通过将分别流经熔丝与分流电阻的电流并联相加而得到较大的电流输入，并对该增大的电流输入进行信号放大及最终输出，提高感应电路的灵敏度。

另外，通过上述技术方案，由于感应电路的灵敏度得到提高，降低了对熔丝阻值的要求，使得熔丝在不完全编程(即熔丝的阻值变化未达到接近开路)或熔丝在编程前后的阻值变化不是太大的情况下，仍能对熔丝进行有效地感应，这样就可以降低对用于熔丝编程的编程电压或编程电流的强度要求，使得熔丝可适应较低的编程电压或编程电流，例如在一般工作电压(电流)下即能运作，避免了电子元件因工作于高压(大电流)情况下产生损伤，不仅能节省成本，更是提供了电路设计更多的可能性及可扩展性。

附图说明

图1是现有技术中一种熔丝感应电路的电路结构图；

图2是现有技术中另一种熔丝感应电路的电路结构图；

图3是本发明实施例熔丝感应电路的基本电路框图；

图4是本发明实施例熔丝感应电路的具体电路结构图。

具体实施方式

本发明实施例通过提供在熔丝读操作过程中可与熔丝并联以用于起到分流作用的分流电阻，使得放大单元在保证流经熔丝的电流尽可能小的情况下通过流经分流电阻的电流得到较大的电流输入，以此进行电流放大并最终输出，从而提高感应电路的灵敏度，可适应较低的编程电压或编程电流，满足在编程电压(电流)较小的情况下仍可检测熔丝状态的要求。

下面结合附图和较佳实施例对本发明具体实施方式做详细的说明。图3为本发明实施方式的熔丝感应电路的基本电路框图，所述熔丝感应电路3包括：放大单元30、熔丝F、参考电阻Rf、分流电阻Ri、第一控制单元32、切换单元34、第二控制单元36、以及锁存单元38。

放大单元30，包括第一、第二输入301、303及第一、第二输出305、307，用于将第一、第二输入301、303的信号进行放大并将放大信号自第一、第二输出305、307输出。

熔丝F，包括与第一节点N1连接的第一端及与所述放大单元30的第一输入301连接的第二端，所述第一节点N1与电源电压VDD连接。于本实施例中，所述电源电压VDD为一般的工作电压，其电压值一般包括2.5～3.3V。当需要熔断熔丝F时，通过电源电压VDD，使得流过熔丝F的电流对熔丝F进行编程，熔丝F的阻值将会相应变大，例如熔丝F未编程时的阻值为几百欧姆，而经编程后的阻值可达几千欧姆甚至更大。

参考电阻Rf，包括与第二节点N2连接的第一端及与所述放大单元30的第二输入303连接的第二端，由感应控制信号控制第二节点N2与电源电压VDD之间通路的开启或关闭。于本实施例中，参考电阻Rf的阻值设计为小于所述熔丝F(未编程)或分流电阻Ri的阻值，但大于熔丝F(未编程)与分流电阻Ri并联后的阻值。

分流电阻Ri，包括与第二节点N2连接的第一端及与所述放大单元30的第一输入301连接的第二端。于本实施例中，分流电阻Ri的阻值可选取小于参考电阻Rf的阻值，并与熔丝F在未编程时的阻值相近。

第一控制单元32，连接在电源电压VDD与第二节点N2之间，由感应控制信号PRD控制其开启或关闭，在感应控制信号PRD为Low时，可控制第一控制单元32开启，使得电源电压VDD与第二节点N2之间的通路开启，从而可对所述熔丝进行读操作。另外，当第一控制单元32开启并使电源电压VDD与第二节点N2之间的通路开启时，第一节点N1与第二节点N2近似等电势，从而使得分流电阻Ri与熔丝F形成并联，分流电阻Ri可以对线路起到分流的作用，在读操作过程中，特别是在熔丝F已被编程的状态下，分流电阻Ri可确保流经熔丝F的电流极小而由分流电阻Ri与熔丝F构成的并联电路的总电流(传输至放大单元30的第一输入301)足够大，第一输入301上的电流(分流电阻Ri与熔丝F构成的并联电路的总电流)与第二输入303上的电流的差值就会足够大，使得放大单元30可有效地对第一输入301上的电流与第二输入303上的电流进行放大处理，准确地判定熔丝F的状态，提高感应电路的灵敏度。

切换单元34，连接在所述放大单元30的第一输入301与第二输入303之间，由反相感应控制信号PRD控制其开启或关闭，在反相感应控制信号PRD为High时，可控制切换单元34开启，使得线路导通，供放大单元30将第一输入与第二输入的信号进行放大。于本实施例中，反相感应控制信号PRD与感应控制信号PRD成反相，其可利用感应控制信号PRD通过一例如反相单元来得到反相感应控制信号PRD，但并不以此为限。

第二控制单元36，连接在电源电压VDD与放大单元30之间，由感应控制信号PRD控制其开启或关闭，在感应控制信号PRD为Low时，可控制第二控制单元36开启，使电源电压VDD与放大单元30之间的线路导通，使得放大单元进行工作。

锁存单元38，包括第三、第四输入381、383及至少一锁存输出385，所述第三、第四输入381、383分别与所述放大单元的第一、第二输出305、307连接。锁存单元38用于锁存通过放大单元30的第一输出305与第二输出307所输出的逻辑值。从而可以根据锁存单元38的锁存输出385所输出的逻辑值来判定熔丝F的状态，即其是否已被编程。

另外，本实施例的熔丝感应电路3还包括编程单元40，与熔丝F的第二端连接，由感应控制信号PRD控制其开启或关闭，在感应控制信号PRD为High时，可控制编程单元40开启，使线路导通，用于通过电源电压VDD对所述熔丝进行编程操作。本实施例的编程单元40可提供在通常工作电压(或工作电流)下即可完成熔丝编程操作，与现有技术中需通过额外提供一编程电源对所述熔丝施加比通常的工作电压(或工作电流)大得多的高电压(或大电流)来进行编程操作相比较，本实施例简化电路设计，节省成本。

请继续参考图4，其为图3所示的熔丝感应电路的一种具体电路结构图。

第一控制单元32包括第一晶体管MP1，其栅极与感应控制信号PRD连接，源极与电源电压VDD连接，漏极与第二节点N2连接，栅极受到感应控制信号PRD为Low时，第一晶体管MP1导通，使得电源电压VDD提供电源至第二节点N2。

第二控制单元36包括第二晶体管MP2，其栅极与感应控制信号PRD连接，源极与电源电压VDD连接，漏极与放大单元30的第三节点N3连接，栅极受到感应控制信号PRD为Low时，第二晶体管MP2导通，使得电源电压VDD提供电源至放大单元30。

放大单元30包括第三、第四、第五、及第六晶体管MN1、MN2、MP3、及MP4，所述第三、第五晶体管MN1、MP3串接在第三节点N3与第四节点N4之间，第四、第六晶体管MN2、MP4串接在第三节点N3与第四节点N4之间，所述第三节点N3与第二控制单元36的第二晶体管MP2的漏极连接，第四节点N4与接地电压VSS连接。这样，当第二控制单元36的第二晶体管MP2导通时，电源电压VDD即可提供电源至放大单元30。于本实施例中，所述电源电压VDD为一般的工作电压，其电压值一般包括2.5～3.3V。接地电压VSS可设定为0V，但并不以此为限，其亦可为小电压值或负电压值。

具体来讲，第三晶体管MN1的栅极与第一输入301连接，源极与第四节点N4连接，漏极与第一输出305连接。第五晶体管MP3的体端与电源电压VDD连接、栅极与第二输出307连接，源极与第三节点N3连接，漏极与第一输出305连接。第四晶体管MN2的栅极与第二输入303连接，源极与第四节点N4连接，漏极与第二输出307连接。第六晶体管MP4的体端与电源电压VDD连接、栅极与第一输出305连接，源极与第三节点N3连接，漏极与第二输出307连接。

需说明的是，本实施例中的放大单元30包括有四个晶体管，但并不以此为限，只要能对输入信号进行放大处理，则放大单元30的具体电路结构另可作其他的变化，应具有相同的放大效果，因该部分为本领域技术人员所熟知的现有技术，故在此不再赘述。

切换单元34包括连接在放大单元30的第一输入301与第五节点N5之间的第七晶体管MN3及连接在放大单元30的第二输入303与第五节点N5之间的第八晶体管MN4。具体来讲，第七晶体管MN3的栅极与第六节点N6连接，源极与第五节点N5连接，漏极与放大单元30的第一输入301连接。第八晶体管MN4的栅极与第六节点N6连接，源极与第五节点N5连接，漏极与放大单元30的第二输入303连接。其中，第五节点N5与接地电压VSS连接，第六节点N6与反相感应控制信号PRD连接。当反相感应控制信号PRD为High时，可控制切换单元34开启，使得包括熔丝F与分流电阻Ri并联的分支线路以及包括参考电阻Rf的线路导通。于本实施例中，反相感应控制信号PRD与感应控制信号PRD成反相，其可利用感应控制信号PRD通过一例如反相器来得到反相感应控制信号PRD，但并不以此为限。

锁存单元38包括二个互相交叉反馈相连的第一与非门T11与第二与非门T12，第三输入381作为第一与非门T11的其中一输入，第四输入381作为第二与非门T12的其中一输入，而第一与非门T11的输出作为锁存输出385。根据锁存输出385所输出的逻辑值可判定熔丝F的状态是否已被编程。例如若锁存输出385的输出信号为高电平(逻辑值为1)，则可以判定熔丝为小阻值，即其状态为未编程；若锁存输出385的输出信号为低电平(逻辑值为0)，则可以判定熔丝为大阻值，即其状态为已编程。

具体来讲，通过本实施例的熔丝感应电路，当感应控制信号PRD为Low时，第一控制单元32的第一晶体管MP1、第二控制单元36的第二晶体管MP2、及切换单元34的第七晶体管MN3与第八晶体管MN4都导通。在这里，因晶体管的本体阻值相对熔丝R、参考电阻Rf、及分流电阻Ri的阻值来说较小，为便于说明，故在此将晶体管的本体阻值忽略。导通后，熔丝F与分流电阻Ri形成并联，若熔丝F未编程，则参考电阻Rf的阻值大于熔丝R与分流电阻Ri的并联阻值，流经熔丝R与分流电阻Ri并联电路的电流I11大于流经参考电阻Rf的电流I12，此时，分流电阻Ri可分担电流I11的部分电流，使得流经熔丝R的电流不至于过大，避免熔丝R因电流过大而造成熔断并产生状态改变(即由未编程改变为已编程)。于本实施例中，假设分流电阻Ri与熔丝F在未编程时的阻值相近，则分流电阻Ri可分担V11一半的电流。这样，可得到放大单元30的第一输入301的电压V11是大于放大单元30的第二输入303的电压V12；经过放大单元30的放大处理后，第一输出305所输出的信号为低电平(逻辑值为0)并传输至锁存单元38的第三输入381，第二输出307所输出的信号为高电平(逻辑值为1)并传输至锁存单元38的第四输入383；锁存单元38根据第三输入381的低电平信号(逻辑值为0)及第四输入383的高电平信号(逻辑值为1)，产生逻辑值为1的高电平信号。

反之，若熔丝F已编程，熔丝F相对分流电阻Ri已显得很大，二者并联后的阻值主要取决于分流电阻Ri的阻值，因参考电阻Rf设计为小于熔丝F(未编程)或分流电阻Ri的阻值，故参考电阻Rf的阻值小于熔丝R与分流电阻Ri的并联阻值，流经熔丝R与分流电阻Ri并联电路的电流I11小于流经参考电阻Rf的电流I12(因熔丝R阻值很大，故电流I11的绝大部分都是流经分流电阻Ri的)，并可得到放大单元30的第一输入301的电压V11是小于放大单元30的第二输入303的电压V12；经过放大单元30的放大处理后，第一输出305所输出的信号为高电平(逻辑值为1)并传输至锁存单元38的第三输入381，第二输出307所输出的信号为低电平(逻辑值为0)并传输至锁存单元38的第四输入383；锁存单元38根据第三输入381的高电平信号(逻辑值为1)及第四输入383的低电平信号(逻辑值为0)，产生逻辑值为0的低电平信号。

如上所述，实际上，只要熔丝F经编程后的阻值相对分流电阻Ri足够大，(例如R_F＞5R_i)，假设熔丝F未编程时的阻值为100欧姆，则通过上述熔丝感应电路，熔丝F编程后的阻值只要达到几千欧姆甚至是在一千欧姆以下仍可满足要求，使得放大单元30的第一、第二输入301、303处的电流比较大，即可以根据所述熔丝感应电路所输出的信号判定出熔丝F是否被编程，从而大大降低了对编程后熔丝F的阻值需尽可能大直至开路的要求，相应地，也降低了对熔丝F进行编程的编程电压或编程电流的强度要求，使得利用现有的电源电压(例如2.5～3.3V)进行熔丝F的编程成为可能。

另外，编程单元40，包括第九晶体管MN5，其栅极与感应控制信号PRD连接，源极与接地电压VSS连接，漏极与所述熔丝F的第二端连接。这样，当感应控制信号PRD为High时，第九晶体管MN5导通，熔丝F与第九晶体管MN5形成通路，因第九晶体管MN5的本体阻值较小，故电源电压VDD的绝大部分都在熔丝F的二端，通过电源电压VDD即可完成对熔丝F的编程操作。因上述熔丝感应电路提高了感应灵敏度，使得熔丝在不完全编程(即熔丝的阻值变化未达到接近开路)或熔丝在编程前后的阻值变化不是太大的情况下仍可检测熔丝状态，故可相对降低对编程电压的要求，只需通常的电源电压即可进行编程，与现有技术中需通过额外提供一编程电源对所述熔丝施加比通常的工作电压(或工作电流)大得多的高电压(或大电流)来进行编程操作相比较，本实施例简化电路设计，节省成本。

综上所述，上述技术方案提供了在熔丝读操作过程中可与熔丝并联用于起到分流作用的分流电阻，确保流经熔丝的电流不至于过大，使得放大单元能够通过将分别流经熔丝与分流电阻的电流并联相加而得到较大的电流输入，并对该增大的电流输入进行信号放大及最终输出，提高感应电路的灵敏度。

另外，灵敏度的提高，使得熔丝在编程前后的阻值变化不是太大的情况下仍可检测熔丝状态，降低对用于熔丝编程的编程电压或编程电流的强度要求，使得熔丝可适应较低的编程电压或编程电流，例如在一般工作电压(或电流)下即能运作，避免了电子元件因工作于高压(大电流)情况下产生损伤，不仅能节省成本，更是提供了电路设计更多的可能性及可扩展性。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种熔丝感应电路，包括：

放大单元，包括第一、第二输入及第一、第二输出；

熔丝，包括与第一节点连接的第一端及与所述放大单元的第一输入连接的第二端，所述第一节点与电源电压连接；

参考电阻，包括与第二节点连接的第一端及与所述放大单元的第二输入连接的第二端，由感应控制信号控制第二节点与电源电压之间通路的开启或关闭；所述参考电阻的阻值设计为小于所述熔丝未编程时或分流电阻的阻值，但大于熔丝未编程时与分流电阻并联后的阻值；

切换单元，连接在所述放大单元的第一输入与第二输入之间，由反相感应控制信号控制其开启或关闭，所述切换单元在开启时使线路导通，供放大单元将第一输入与第二输入的信号进行放大；

锁存单元，包括第三、第四输入及至少一锁存输出，所述第三、第四输入分别与所述放大单元的第一、第二输出连接，所述锁存单元用于锁存通过所述放大单元的第一输出与第二输出所输出的逻辑值，所述逻辑值用于判定熔丝的状态；

其特征在于，所述熔丝感应电路更包括：

分流电阻，包括与第二节点连接的第一端及与所述放大单元的第一输入连接的第二端；

第一控制单元，连接在电源电压与第二节点之间，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述第一控制单元在开启时使得电源电压与第二节点之间的线路导通，对所述熔丝进行读操作；

第二控制单元，连接在电源电压与放大单元之间，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述第二控制单元在开启时使电源电压与放大单元之间的线路导通，使得放大单元进行工作；

与所述熔丝的第二端连接的编程单元，由感应控制信号控制其开启或关闭，所述编程单元在开启时使线路导通，用于通过电源电压对所述熔丝进行编程操作。

2.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述第一控制单元包括第一晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与电源电压连接，漏极与第二节点连接。

3.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述第二控制单元包括第二晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与电源电压连接，漏极与放大单元连接。

4.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述放大单元包括第三、第四、第五、及第六晶体管，所述第三、第五晶体管串接在第三节点与第四节点之间，第四、第六晶体管串接在第三节点与第四节点之间，所述第三节点与第二控制单元连接，第四节点与接地电压连接。

5.根据权利要求4所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述第三晶体管的栅极与第一输入连接，源极与第四节点连接，漏极与第一输出连接；所述第五晶体管的体端与电源电压连接、栅极与第二输出连接，源极与第三节点连接，漏极与第一输出连接；所述第四晶体管的栅极与第二输入连接，源极与第四节点连接，漏极与第二输出连接；所述第六晶体管的体端与电源电压连接、栅极与第一输出连接，源极与第三节点连接，漏极与第二输出连接。

6.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述切换单元包括连接在放大单元的第一输入与第五节点之间的第七晶体管及连接在放大单元的第二输入与第五节点之间的第八晶体管，所述第五节点与接地电压连接。

7.根据权利要求6所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述第七晶体管的栅极与第六节点连接，源极与第五节点连接，漏极与放大单元的第一输入连接；所述第八晶体管的栅极与第六节点连接，源极与第五节点连接，漏极与放大单元的第二输入连接。

8.根据权利要求7所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述第六节点与反相感应控制信号连接。

9.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述锁存单元包括RS锁存器。

10.根据权利要求9所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述锁存单元包括二个互相交叉反馈相连的第一与非门与第二与非门，所述第一与非门与第三输入连接，所述第二与非门与第四输入连接。

11.根据权利要求1所述的熔丝感应电路，其特征在于，所述编程单元包括第九晶体管，其栅极与感应控制信号连接，源极与接地电压连接，漏极与所述熔丝的第二端连接。

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