CN101603170A - 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,特点是镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室。本发明工艺简单,操作方便,薄膜附着力强,膜层厚度均匀,大大提高了产品的可靠性、安全性和使用寿命,解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。
Description
技术领域
本发明涉及高分子真空涂膜技术领域,具体地说是一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法。
背景技术
现有的LED照明产品,主要使用外壳封装解决其防尘、防水、防潮问题,以达到保护LED照明产品不被氧化和腐蚀。然而,目前有很多LED照明由于受潮或水渗透等原因造成产品失效,氧化和腐蚀一直困扰着LED照明产品的进一步推广和应用,尤其是长期应用于水下或温热潮湿的工作环境中,使得整个LED照明工程的维护、散热问题更为突出,影响使用寿命。所以解决LED照明产品的防尘、防水、防潮,高效散热问题是LED照明及亮化工程的成功关键,将LED发光技术与传统照明产业相结合,形成长寿命LED多功能照明产业的系统工程。将LED发光技术运用到城市照明与景观工程,实现道路照明及LED亮化节电工程的长寿命、免维护的要求。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,它采用真空镀膜技术在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜,工艺简单、操作方便,膜层厚度均匀,较好的解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,大大提高了产品的可靠性、安全性、稳定性和使用寿命,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。
实现本发明目的的技术方案是:一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,特点是镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室,具体镀制包括下述步骤:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗5~8分钟,然后真空干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1~2分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2~3次,晾干后放入真空干燥箱内干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;浓度为0.5~1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1;
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,经上述清洗后的LED芯片放入沉积室,然后镀膜装置系统抽真空和蒸发室、裂解室加热,系统压力为1.3~1.5Pa,蒸发室加热温度为140~160℃,裂解室加热温度为600~700℃;
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室温度为22~28℃,压力为12~14Pa,成膜速率为1μm/h;
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间,镀制结束后,停止蒸发室、裂解室加热,打开冷阱室收集沉积室内剩余单体,冷阱室温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片。
本发明工艺简单,操作方便,薄膜附着力强,膜层厚度均匀,大大提高了产品的可靠性、安全性、稳定性和使用寿命,解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。
附图说明
图1为本发明结构示意图
具体实施方式
通过以下镀件为LED芯片的实施例,对本发明作进一步的详细说明,镀件也可以是锂铁电池或太阳能光伏电板。
参阅附图1,本发明的镀膜装置包括:汽化室1、裂解室2、沉积室3、冷阱室4,具体镀制步骤如下:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗6分钟,然后真空干燥8分钟,干燥箱温度为90℃,压力为100Pa。
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2次,晾干后放入真空干燥箱内干燥8分钟,干燥箱温度为90℃,压力为100Pa;浓度为1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1。
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室1,经上述清洗后的LED芯片7放入沉积室3,镀膜装置系统抽真空,压力为1.4Pa,打开阀门5,关闭阀门6,然后给蒸发室1、裂解室2加热,蒸发室1加热温度为155℃,裂解室2加热温度为650℃。
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室3,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室3的温度为25℃,压力为14Pa,成膜速率为1μm/h。
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间为1.5小时,镀制结束后,停止蒸发室1、裂解室2加热,关闭阀门5,打开阀门6,冷阱室4收集沉积室3内剩余单体,冷阱室4温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片,其薄膜的厚度约为1.5μm。冷阱室4的设置一是为了收集未用完的单体聚对二甲基苯,另外是为了防止油泵返油进入沉积室3,室4应经常清洗,以除去聚对二甲基苯及油膜。
上述具体实施方式只是对本发明可行实施例之一的具体说明,并非用以限制本发明专利,凡为本发明等效实施或变更,均应包含于本专利的权利要求范围之内。
Claims (1)
1、一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,其特征在于镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室,具体镀制包括下述步骤:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗5~8分钟,然后真空干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1~2分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2~3次,晾干后放入真空干燥箱内干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;浓度为0.5~1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1;
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,经上述清洗后的LED芯片放入沉积室,然后镀膜装置系统抽真空和蒸发室、裂解室加热,系统压力为1.3~1.5Pa,蒸发室加热温度为140~160℃,裂解室加热温度为600~700℃;
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室温度为22~28℃,压力为12~14Pa,成膜速率为1μm/h;
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间,镀制结束后,停止蒸发室、裂解室加热,打开冷阱室收集沉积室内剩余单体,冷阱室温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片。
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