CN101603170A - 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法 - Google Patents

一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101603170A
CN101603170A CNA2009100550867A CN200910055086A CN101603170A CN 101603170 A CN101603170 A CN 101603170A CN A2009100550867 A CNA2009100550867 A CN A2009100550867A CN 200910055086 A CN200910055086 A CN 200910055086A CN 101603170 A CN101603170 A CN 101603170A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
film
dimethyl benzene
poly
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2009100550867A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101603170B (zh
Inventor
黄益新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN2009100550867A priority Critical patent/CN101603170B/zh
Publication of CN101603170A publication Critical patent/CN101603170A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101603170B publication Critical patent/CN101603170B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,特点是镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室。本发明工艺简单,操作方便,薄膜附着力强,膜层厚度均匀,大大提高了产品的可靠性、安全性和使用寿命,解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。

Description

一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法
技术领域
本发明涉及高分子真空涂膜技术领域,具体地说是一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法。
背景技术
现有的LED照明产品,主要使用外壳封装解决其防尘、防水、防潮问题,以达到保护LED照明产品不被氧化和腐蚀。然而,目前有很多LED照明由于受潮或水渗透等原因造成产品失效,氧化和腐蚀一直困扰着LED照明产品的进一步推广和应用,尤其是长期应用于水下或温热潮湿的工作环境中,使得整个LED照明工程的维护、散热问题更为突出,影响使用寿命。所以解决LED照明产品的防尘、防水、防潮,高效散热问题是LED照明及亮化工程的成功关键,将LED发光技术与传统照明产业相结合,形成长寿命LED多功能照明产业的系统工程。将LED发光技术运用到城市照明与景观工程,实现道路照明及LED亮化节电工程的长寿命、免维护的要求。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,它采用真空镀膜技术在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜,工艺简单、操作方便,膜层厚度均匀,较好的解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,大大提高了产品的可靠性、安全性、稳定性和使用寿命,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。
实现本发明目的的技术方案是:一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,特点是镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室,具体镀制包括下述步骤:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗5~8分钟,然后真空干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1~2分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2~3次,晾干后放入真空干燥箱内干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;浓度为0.5~1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1;
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,经上述清洗后的LED芯片放入沉积室,然后镀膜装置系统抽真空和蒸发室、裂解室加热,系统压力为1.3~1.5Pa,蒸发室加热温度为140~160℃,裂解室加热温度为600~700℃;
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室温度为22~28℃,压力为12~14Pa,成膜速率为1μm/h;
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间,镀制结束后,停止蒸发室、裂解室加热,打开冷阱室收集沉积室内剩余单体,冷阱室温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片。
本发明工艺简单,操作方便,薄膜附着力强,膜层厚度均匀,大大提高了产品的可靠性、安全性、稳定性和使用寿命,解决了LED照明产品的防水、防潮、耐高温和酸碱腐蚀问题,有利于LED亮化节电工程的进一步推广和应用。
附图说明
图1为本发明结构示意图
具体实施方式
通过以下镀件为LED芯片的实施例,对本发明作进一步的详细说明,镀件也可以是锂铁电池或太阳能光伏电板。
参阅附图1,本发明的镀膜装置包括:汽化室1、裂解室2、沉积室3、冷阱室4,具体镀制步骤如下:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗6分钟,然后真空干燥8分钟,干燥箱温度为90℃,压力为100Pa。
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2次,晾干后放入真空干燥箱内干燥8分钟,干燥箱温度为90℃,压力为100Pa;浓度为1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1。
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室1,经上述清洗后的LED芯片7放入沉积室3,镀膜装置系统抽真空,压力为1.4Pa,打开阀门5,关闭阀门6,然后给蒸发室1、裂解室2加热,蒸发室1加热温度为155℃,裂解室2加热温度为650℃。
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室3,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室3的温度为25℃,压力为14Pa,成膜速率为1μm/h。
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间为1.5小时,镀制结束后,停止蒸发室1、裂解室2加热,关闭阀门5,打开阀门6,冷阱室4收集沉积室3内剩余单体,冷阱室4温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片,其薄膜的厚度约为1.5μm。冷阱室4的设置一是为了收集未用完的单体聚对二甲基苯,另外是为了防止油泵返油进入沉积室3,室4应经常清洗,以除去聚对二甲基苯及油膜。
上述具体实施方式只是对本发明可行实施例之一的具体说明,并非用以限制本发明专利,凡为本发明等效实施或变更,均应包含于本专利的权利要求范围之内。

Claims (1)

1、一种在LED芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法,其特征在于镀件LED芯片放入沉积室,镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,镀膜材料经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,在LED芯片表面沉积为均匀、透明的聚对二甲基苯薄膜,镀膜装置包括:汽化室、裂解室、沉积室、冷阱室,具体镀制包括下述步骤:
a、清洗
(i)、用无水乙醇对LED芯片进行超声清洗5~8分钟,然后真空干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;
(ii)、将上述超声清洗的LED芯片放在硅烷偶联剂醇的水溶液中浸1~2分钟,然后用乙醇水溶液漂洗2~3次,晾干后放入真空干燥箱内干燥5~10分钟,干燥箱温度为80~90℃,压力为100Pa;浓度为0.5~1%的硅烷偶联剂醇与水的体积比为1∶5,无水乙醇与水的体积比为62∶1;
b、涂覆
(i)、将镀膜材料聚对二甲基苯放入蒸发室,经上述清洗后的LED芯片放入沉积室,然后镀膜装置系统抽真空和蒸发室、裂解室加热,系统压力为1.3~1.5Pa,蒸发室加热温度为140~160℃,裂解室加热温度为600~700℃;
(ii)、镀膜材料聚对二甲基苯经汽化、裂解后以活性单体进入沉积室,然后在LED芯片表面沉积,使得LED芯片表面均匀涂覆了一层透明的聚对二甲基苯薄膜,沉积室温度为22~28℃,压力为12~14Pa,成膜速率为1μm/h;
(iii)根据成膜速率和镀膜的厚度设定沉积时间,镀制结束后,停止蒸发室、裂解室加热,打开冷阱室收集沉积室内剩余单体,冷阱室温度控制在-70℃以下,然后镀膜装置系统排气,取出经涂膜处理的LED芯片。
CN2009100550867A 2009-07-21 2009-07-21 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法 Expired - Fee Related CN101603170B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100550867A CN101603170B (zh) 2009-07-21 2009-07-21 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100550867A CN101603170B (zh) 2009-07-21 2009-07-21 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101603170A true CN101603170A (zh) 2009-12-16
CN101603170B CN101603170B (zh) 2010-09-15

Family

ID=41469066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100550867A Expired - Fee Related CN101603170B (zh) 2009-07-21 2009-07-21 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101603170B (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102605327A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 拉奇企业有限公司 沉积结构及配合其使用的聚对二甲基苯沉积系统
CN103834918A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 东莞劲胜精密组件股份有限公司 纳米涂层整机防水制备方法
CN103898480A (zh) * 2014-03-25 2014-07-02 侯光辉 一种在电子装置上连续进行真空镀防水膜的装置及方法
CN104233228A (zh) * 2014-07-18 2014-12-24 许昌学院 一种全自动非接触式真空镀膜方法与设备
CN104878345A (zh) * 2015-06-16 2015-09-02 广东易能纳米科技有限公司 一种纳米材料真空镀膜机
CN105154829A (zh) * 2015-07-28 2015-12-16 昆明物理研究所 一种低应力的各向同性有机物填充的装置及方法
CN105576087A (zh) * 2015-12-23 2016-05-11 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led产品表面处理工艺及系统
CN106191780A (zh) * 2016-07-06 2016-12-07 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 一种分子铜和一种在涉水金属表面覆膜的方法
CN106811734A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种家电纳米防水膜的制备方法
CN106811721A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种电脑纳米防水膜的制备方法
CN106811723A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种汽车纳米防水膜的制备方法
CN106811720A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种电路板纳米防水膜的制备方法
CN106811722A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种军工装备纳米防水膜的制备方法
CN106811733A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种智能穿戴设备的纳米防水膜的制备方法
CN107462019A (zh) * 2017-09-25 2017-12-12 南京天煌机械有限公司 一室双温真空干燥箱及烘干方法
CN112795901A (zh) * 2020-10-30 2021-05-14 夏禹新材料(深圳)有限公司 一种高效沉积派瑞林膜层的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1775999A (zh) * 2005-11-30 2006-05-24 天津理工大学 Gd3Al5O12:Ce,Dy发光薄膜及其制备方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102605327A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 拉奇企业有限公司 沉积结构及配合其使用的聚对二甲基苯沉积系统
CN103834918A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 东莞劲胜精密组件股份有限公司 纳米涂层整机防水制备方法
CN103834918B (zh) * 2012-11-21 2016-08-03 东莞劲胜精密组件股份有限公司 纳米涂层整机防水制备方法
CN103898480A (zh) * 2014-03-25 2014-07-02 侯光辉 一种在电子装置上连续进行真空镀防水膜的装置及方法
CN104233228A (zh) * 2014-07-18 2014-12-24 许昌学院 一种全自动非接触式真空镀膜方法与设备
CN104878345A (zh) * 2015-06-16 2015-09-02 广东易能纳米科技有限公司 一种纳米材料真空镀膜机
CN105154829A (zh) * 2015-07-28 2015-12-16 昆明物理研究所 一种低应力的各向同性有机物填充的装置及方法
CN105576087A (zh) * 2015-12-23 2016-05-11 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led产品表面处理工艺及系统
CN106811721A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种电脑纳米防水膜的制备方法
CN106811720B (zh) * 2015-12-29 2019-05-17 广东易能纳米科技有限公司 一种电路板纳米防水膜的制备方法
CN106811733B (zh) * 2015-12-29 2019-07-16 广东易能纳米科技有限公司 一种智能穿戴设备的纳米防水膜的制备方法
CN106811723A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种汽车纳米防水膜的制备方法
CN106811720A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种电路板纳米防水膜的制备方法
CN106811722A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种军工装备纳米防水膜的制备方法
CN106811733A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种智能穿戴设备的纳米防水膜的制备方法
CN106811734B (zh) * 2015-12-29 2019-07-16 广东易能纳米科技有限公司 一种家电纳米防水膜的制备方法
CN106811722B (zh) * 2015-12-29 2019-01-18 广东易能纳米科技有限公司 一种军工装备纳米防水膜的制备方法
CN106811723B (zh) * 2015-12-29 2019-02-05 广东易能纳米科技有限公司 一种汽车纳米防水膜的制备方法
CN106811734A (zh) * 2015-12-29 2017-06-09 广东易能纳米科技有限公司 一种家电纳米防水膜的制备方法
CN106191780A (zh) * 2016-07-06 2016-12-07 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 一种分子铜和一种在涉水金属表面覆膜的方法
CN107462019A (zh) * 2017-09-25 2017-12-12 南京天煌机械有限公司 一室双温真空干燥箱及烘干方法
CN112795901A (zh) * 2020-10-30 2021-05-14 夏禹新材料(深圳)有限公司 一种高效沉积派瑞林膜层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101603170B (zh) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101603170B (zh) 一种在led芯片表面镀制聚对二甲基苯薄膜的方法
CN103897093B (zh) 石墨烯/聚合物复合水凝胶薄膜及其制备方法
CN106848494B (zh) 一种碳自掺杂氮化碳纳米薄膜电极的简单制备方法
CN101899303B (zh) 一种含稀土多酸与水滑石复合发光薄膜及其制备方法
CN104356430B (zh) 一种碳点/壳聚糖原位复合材料的制备方法
CN101944396B (zh) 用于超级电容器电极的多孔成型木炭/金属氧化物复合材料的制备方法
EP1155723A3 (en) High temperature ceramic filter
CN106892476B (zh) 一种海水淡化装置
Gao et al. Reversed vapor generation with Janus fabric evaporator and comprehensive thermal management for efficient interfacial solar distillation
CN102534497A (zh) 基于不锈钢材料的高温选择性吸收涂层及其制备方法
CN104923214A (zh) 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法
CN103898480A (zh) 一种在电子装置上连续进行真空镀防水膜的装置及方法
CN101793828A (zh) 一种荧光素和庚烷磺酸钠共插层水滑石的光学pH传感器及其制备方法
CN112980399A (zh) 一种超亲水铜基mof光热材料及其制备方法和应用
CN110707996A (zh) 基于海绵城市的cpc聚光光伏节能平屋顶
Zhao et al. Hierarchical cactus-like microsphere network membranes engineered via multiple polyphenol-mediated complexation for efficient solar-powered water purification
CN104036963A (zh) 全固态有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的制备方法
CN103804030A (zh) 一种用于碳陶刹车盘的防氧化复合涂层的制备方法
CN1511630A (zh) 多孔陶瓷负载的高活性纳米二氧化钛的制备方法
CN101234497B (zh) 一种液态硅系炭化防腐木竹的制备方法
CN102352510A (zh) 镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法
CN100588519C (zh) 一种超疏水木材的制备方法
CN104556763A (zh) 一种混凝土加固用碳纤维布预处理方法
CN101871165B (zh) 一种阴离子比色传感纤维素材料的制备方法
CN102398918A (zh) 在电极基材料表面原位生长纳米氧化锌的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100915

Termination date: 20190721