CN101571780B - 显示装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及传感电路、显示装置及电子设备。在传感电路中可降低传感的灵敏度的偏差。传感电路(60)具备：相互对置的第一基板(11)及第二基板(12)；夹持在第一基板(11)与第二基板(12)之间的液晶(57)；包括液晶(57)和具有第一电极(64)及第二电极(65)的电容元件(C1)，输出与电容元件(C1)的电容值(C1c)对应的大小的检测信号(T)的静电电容检测部。

Description

显示装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及传感电路(sensingcircuit)、显示装置以及电子设备。

背景技术

以往，公知有一种用于检测接触了手指或笔等对象物的传感电路。例如，在专利文献1中公开了一种对由在相互对置的两个基板的每个上设置的电极、和夹持在电极之间的液晶等电介质形成的电容元件的电容值的变化进行检测，来检测出接触了对象物的传感电路。这里，传感的灵敏度由稳态下的电容元件的电容值、和对象物接触基板时的电容元件的电容值之比赋予。

专利文献1：特表2007-510949号公报

不过，电容元件的电容值由电极的面积、电介质的介电常数、以及电极间的距离决定。以往的传感电路中，在相互对置的两个基板的边缘，设置有用于规定基板间的距离的隔离物(spacer)。通常，即便在对象物没有接触基板的状态下，基板也会因自重发生挠曲。而且，隔离物的大小也会有偏差。因此，以往的传感电路中，在任何部分都将电极间的距离保持成恒定值并不容易，难以将电容值设定成目标值。因此，在以往的传感电路中，存在着传感的灵敏度出现偏差的问题。

发明内容

鉴于以上情况，本发明的目的在于，在传感电路中降低传感的灵敏度的偏差。

为了解决以上课题，本发明的传感电路的特征在于，具备：相互对置的第一基板及第二基板、在第一基板与第二基板之间夹持的电介质(例如图8所示的液晶57)、第一电极及第二电极、输出与在第一电极和第二电极之间借助电介质形成的电容的值对应的大小的检测信号(例如图6所示的检测电流It)的静电电容检测部，第一电极及第二电极设置在电介质与第一基板之间(即第一电极及第二电极设置在第一基板中与第二基板的对置面侧)。根据该方式，由于第一电极及第二电极设置在电介质与第一基板之间，所以和在相互对置的第一基板及第二基板的每个上设置电极的构成不同，可以将电极间的距离保持成恒定的值。由此，可将电容元件的电容值设定成为目标值，能够降低传感的灵敏度的偏差。

另外，也可以是在电极与电介质之间夹设其他要素的方式。例如，在采用液晶作为电介质的构成中，可以成为在电极与液晶之间夹设用于规定液晶分子的取向的取向膜的方式。同样，还可以是在电极与第一基板之间夹设其他要素的方式。例如，在传感电路包括由绝缘层、半导体层、漏电极、源电极等构成的晶体管或金属布线的构成中，可以成为晶体管的各要素或金属布线等夹设在电极与第一基板之间的方式。

作为本发明的传感电路的优选方式，第一电极及第二电极由同一层形成，第一电极或第二电极中的一个电极具有向一个方向延伸的至少两个突出部，另一个电极具有朝向两个突出部之间延伸的突出部。例如，包括如下所示的方式，即第一电极及第二电极由同一层形成，第一电极及第二电极中的至少一个电极为梳齿形状，第一电极和第二电极被配置成咬合。根据上述方式，与两方电极形成为矩形且相互分离的方式相比，可充分确保两个电极相互接近的部分。因此，由于与第一电极及第二电极双方形成为矩形的构成相比，在第一电极和第二电极之间产生的电场被施加的面积大，所以液晶的取向容易紊乱，接触时和非接触时的电容值的变化量增大。由此，具有检测灵敏度提高的优点。

作为本发明的传感电路的优选方式，第一电极及第二电极由不同的层形成且被配置成相互对置，并且第一电极配置在电介质与第二电极之间，在第一电极中形成有用于通过在第一电极和第二电极之间产生的电场的狭缝(例如图10所示的狭缝68)。在该方式中，由于第一电极和第二电极由不同的层形成且被配置成相互对置，所以从第二电极通过狭缝至第一电极的电场、或者从第一电极通过狭缝至第二电极之间的电场，与第一电极及第二电极由相同层形成的方式相比，含有大量的与基板垂直的方向的成分。由此，例如液晶等电介质相对基板倾斜。因此，与第一电极及第二电极由同一层形成的方式相比，可以充分确保接触时和非接触时的电容值的变化量。即，具有检测灵敏度升高的优点。

作为本发明的传感电路的优选方式，第一电极及第二电极由不同的层形成，并且第一电极配置在电介质与第二电极之间，第一电极或第二电极中的至少一个电极具有沿一个方向延伸的至少两个突出部，第一电极与第二电极重合的部分的面积，小于第一电极与第二电极不重合的部分的面积。例如还包括下述方式，即第一电极及第二电极由不同的层形成，并且第一电极配置在电介质与第二电极之间，第一电极及第二电极中的至少一个电极为梳齿形状，第一电极与第二电极重合的部分的面积小于第一电极与第二电极不重合的部分的面积。根据上述方式，通过使第一电极与第二电极重合的部分的面积小于第一电极与第二电极不重合的部分的面积，可以减小构成电容元件的电极的面积。由此，可减小电容元件的电容值，因此具有能够提高传感电路的检测灵敏度的优点。

本发明的显示装置具有上述的传感电路，并且具备像素电路，该像素电路含有由与第一电极相同的层形成的第三电极(例如图7、图10、图13所示的共用电极55)、由与第二电极相同的层形成的第四电极(例如图7、图10、图13所示的像素电极53)、和被施加在第三电极与第四电极之间产生的电场的电介质；电介质由具有介电各向异性的物质构成。根据该方式，由于可通过同一制造工艺制造传感电路和像素电路，所以具有容易制造显示装置的优点。另外，电介质也可以由具有介电各向异性和光学各向异性的物质构成。

另外，实施方式中记载的液晶或电泳层与技术方案中记载的“电介质”对应。而且，技术方案中记载的“电介质”并不限于液晶与电泳层，只要是接触时的电容值和非接触时的电容值不同的电介质即可。并且，由具有介电各向异性的物质构成的电介质例如是液晶，但也可以是与液晶同样介电特性具有各向异性的材料。此外，具有介电各向异性和光学各向异性的电介质例如是液晶，但只要是与液晶同样介电特性具有各向异性，并且光学特性具有各向异性的材料即可。

进而，在本说明书中，“梳齿形状”的电极例如图7及图13中的第一电极64或第二电极65那样，是指具有沿一个方向延伸的至少两个突出部的电极。而且，“第一电极及第二电极中至少一个电极为梳齿形状，且第一电极和第二电极被配置成咬合”是指，第一电极或第二电极中的一个电极具有沿一个方向延伸的至少两个突出部，另一个电极具有朝向该两个突出部之间延伸的突出部。这里，还包括一个电极和另一个电极俯视下重合的情况。

另外，本发明的电光学装置可以在各种电子设备中利用。该电子设备的典型例子是将电光学装置用作显示装置的设备。作为这种设备，有个人电脑或移动电话机等。

附图说明

图1是表示第一实施方式的显示装置的构成的框图。

图2是表示第一实施方式的传感电路的构成的电路图。

图3是表示第一实施方式的传感电路的动作的时序图。

图4是表示复位期间中的传感电路的动作的说明图。

图5是表示传感期间中的传感电路的动作的说明图。

图6是表示读出期间中的传感电路的动作的说明图。

图7是表示第一实施方式的显示装置的具体结构的俯视图。

图8是从图7所示的A-A线观察的剖面图。

图9是表示对象物接触显示装置时的状态的图。

图10是表示第二实施方式的显示装置的具体结构的俯视图。

图11是从图10所示的B-B线观察的剖面图。

图12是从图10所示的C-C线观察的剖面图。

图13是表示第三实施方式的显示装置的具体结构的俯视图。

图14是从图13所示的D-D线观察的剖面图。

图15是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图16是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图17是表示本发明的电子设备的具体形态的立体图。

图中：10-显示装置，11-第一基板，12-第二基板，50-液晶元件，53-像素电极，55-共用电极，57-液晶，60-传感电路，64-第一电极，65-第二电极，C-组，C1-接触检测用电容元件，C1m-电容，P-像素电路。

具体实施方式

<A：第一实施方式>

图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置10的构成的框图。显示装置10具有：多个像素电路P排列成面状的像素区域100、驱动各像素电路P的扫描线驱动电路20及数据线驱动电路30、和检测对象物与显示装置10的接触的检测电路40。如图1所示，在像素区域100中设置有沿在X方向上延伸的m条扫描线102、和在与X方向正交的Y方向上延伸的n条数据线104(m及n为2以上的自然数)。各像素电路P被配置在与扫描线102和数据线104的交叉对应的位置。因此，这些像素电路P排列成纵向m行×横向n列的矩阵状。另外，在像素区域100的背面侧设置有背光灯(省略图示)。

扫描线驱动电路20通过在每个水平扫描期间将对m条扫描线102分别输出的扫描信号Gi(i＝1～m)顺次设定成有效电平，依次选择各扫描线102。数据线驱动电路30生成与一行量的n个像素电路P的各个对应的数据电位VD[1]～VD[n]并向各数据线104输出，该一行量的n个像素电路P与扫描线驱动电路20选择出的扫描线102对应。在选择第i行时，对第j列(j是满足1≤j≤n的整数)的数据线104输出的数据电位VD[j]，成为与针对位于第i行第j列的像素电路P指定的灰度对应的电位。

如图1所示，像素电路P包括液晶元件50和晶体管51。液晶元件50由像素电极53及共用电极55、和被施加在两者之间产生的电场的液晶57构成。共用电极55被供给共用电位Vcom。如后所述，在本实施方式中，采用了通过在像素电极53和共用电极55之间产生的横向电场来控制液晶57的取向的横电场方式。晶体管51由N沟道型TFT(ThinFilmTransistor)构成，夹设在像素电极53和数据线104之间，控制两者之间的导通。晶体管51的栅极与扫描线102连接。因此，如果选择第i行的扫描线102，则第i行的各像素电路P的晶体管51成为导通状态，从数据线104向各像素电路P的像素电极53供给数据电位VD。由此，各像素电路P的像素电极53与共用电极55之间被施加电压(＝VD-Vcom)。各像素电路P中的液晶元件50的透过率(从背光灯照射到液晶元件50的光中向观察侧透过的光量的比例)，根据被提供给该像素电路P的数据电位VD变化。

图1所示的符号“R”、“G”、“B”表示各像素电路P的显示颜色。在本实施方式中，如图1所示，以“R”、“G”、“B”各种颜色为显示颜色的三个像素电路P构成一个组C，各组C的每个中设置有传感电路60。各传感电路60向检测电路40输出用于检测与对象物的接触的检测信号T。检测电路40根据从各传感电路60输出的检测信号T，检测对象物与显示装置10的接触。

图2是表示传感电路60的构成的电路图。传感电路60具备：复位晶体管61、放大晶体管62、选择晶体管63、基准电容元件Cr、接触检测用电容元件C1。如图2所示，接触检测用电容元件C1包括第一电极64和第二电极65，第一电极64被供给共用电位Vcom。

如图2所示，N沟道型复位晶体管61的漏极与电源线70连接，另一方面，源极与放大晶体管62的栅极连接。电源线70被供给电源电位VRH。复位晶体管61的栅极与第一控制线72连接。第一控制线72被供给复位信号RES。在复位信号RES为高电平的情况下，复位晶体管61转变成导通状态，在复位信号RES为低电平的情况下，复位晶体管61转变成截止状态。

N沟道型放大晶体管62的漏极与电源线70连接，另一方面，源极与N沟道型选择晶体管63的漏极连接。

如图2所示，在放大晶体管62的栅极与第一控制线72之间夹设有基准电容元件Cr。而且，放大晶体管62的栅极与接触检测用电容元件C1的第二电极65连接。

如图2所示，选择晶体管63的源极与检测线74连接，栅极与第二控制线76连接。第二控制线76被供给选择信号SEL。在选择信号SEL为高电平的情况下，选择晶体管63转变成导通状态，在选择信号SEL为低电平的情况下，选择晶体管63转变成截止状态。

接着，参照图3～图6说明传感电路60的动作。传感电路60以复位期间Tres、传感期间Tsen、以及读出期间Tout为一个单位进行动作。如图3所示，在复位期间Tres中，向第一控制线72提供的复位信号RES的电平被设定为电位VD。即，在复位期间Tres中，复位信号RES的电平被设定成高电平，复位晶体管61成为导通状态。另一方面，向第二控制线76提供的选择信号SEL被维持为低电平，选择晶体管63被维持成截止状态。此时，如图4所示，放大晶体管62的栅极的电位VA被设定成电源电位VRH(复位)。而且，对接触检测用电容元件C1的第二电极65也供给电源电位VRH，接触检测用电容元件C1的第一电极64和第二电极65之间的电压被保持为VRH-Vcom。

如图3所示，在经过复位期间Tres之后的作为下一个期间的传感期间Tsen中，复位信号RES的电平从VD变化成GND(＝0V)。由此，如图5所示，复位晶体管61转变成截止状态。而且，在传感期间Tsen中，选择信号SEL被维持为低电平，选择晶体管63被维持为截止状态。由于放大晶体管62的栅极的阻抗足够高，所以在传感期间Tsen中，放大晶体管62的栅极成为电浮动(floating)状态。如图5所示，由于基准电容元件Cr的一个电极与第一控制线72连接，所以当提供给第一控制线72的复位信号RES的电平从VD变化成GND时，与此对应，放大晶体管62的栅极的电位VA也变化。此时的栅极电位VA的变化量成为与基准电容元件Cr和接触检测用电容元件C1的电容比对应的值。

如图3所示，在作为传感期间Tsen的下一个期间的读出期间Tout中，选择信号SEL转变成高电平。由此，如图6所示，选择晶体管63成为导通状态，与放大晶体管62的栅极的电位VA对应的大小的检测电流It流过检测线74。该检测电流It被提供给检测电路40。

详细的实施方式如后所述，但在传感期间Tsen中，如果对象物接触显示装置10，则接触检测用电容元件C1的电容值发生变化。如果接触检测用电容元件C1的电容值发生变化，与此对应，放大晶体管62的栅极的电位VA也发生变化。因此，当对象物不接触显示装置10时在读出期间Tsen中输出的检测电流It的值、与当对象物接触显示装置时在读出期间Tsen中输出的检测电流It的值不同。

这里，如果将对象物不接触显示装置10的状态下的接触检测用电容元件C1的电容值设为C1c，将对象物接触了显示装置10时的接触检测用电容元件C1的电容值的变化量设为ΔC1c，将基准电容元件Cr的电容值设为Cref，将第一控制线72的电位变化设为ΔV(＝VD)，则对象物接触显示装置10时的放大晶体管62的栅极的电位VA的变化量ΔV，可用以下所示的式子(1)表示。其中，在式(1)中忽略了寄生电容。

ΔVA＝{(Cref×ΔC1c)×ΔV}/{(Cref+C1c+ΔC1c)(Cref+C1c)}…(1)

检测电路40根据检测电流It(相当于检测信号T)的值，检测对象物与显示装置10的接触。由于对象物接触了显示装置10时的栅极的电位VA的变化量ΔVA越大，非接触时的检测电流It的值与接触时的检测电流It的值之差越大，所以检测灵敏度也增高。

接着，参照图7及图8，对传感电路60的具体结构进行说明。图7是表示显示装置10的具体结构的俯视图。在图7中，传感电路60由构成接触检测用电容元件C1的第一电极64及第二电极65、和设置有放大晶体管62等电路元件的电路部66构成。

图8是从图7所示的A-A’线观察的剖面图。如图8所示，在相互对置的第一基板11和第二基板12之间夹持有液晶57，构成接触检测用电容元件C1的第一电极64及第二电极65被设置在第一基板11与液晶57之间。即，第一电极64及第二电极65被设置在第一基板11中与第二基板12的对置面侧。以下，对其具体内容进行说明。

如图8所示，在第一基板11中与第二基板12的对置面上，形成有传感电路60中含有的放大晶体管62。放大晶体管62包括：在第一基板11中与第二基板12的对置面上由半导体材料形成的半导体层111、和隔着覆盖半导体层111的栅极绝缘层Fa0与半导体层111对置的栅电极113。栅电极113被第一绝缘层Fa1覆盖。放大晶体管62的漏电极115及源电极117形成在第一绝缘层Fa1的面上，并且借助接触孔CH1与半导体层111导通。放大晶体管62的漏电极115及源电极117被第二绝缘层Fa2覆盖。

如图8所示，在栅极绝缘层Fa0的面上形成有与栅电极113电连接的栅极布线114。栅电极113和栅极布线114通过在整个栅极绝缘层Fa0上连续形成的导电膜(例如铝的薄膜)的图案形成，由相同的工序一并形成。其中，多个要素通过共用膜体(单层或多层均可)的选择性除去由同一工序形成，这在以下简记为“由同层形成”。

如图8所示，栅极布线114被第一绝缘层Fa1覆盖。在第一绝缘层Fa1的面上形成有数据线104和导电层116。数据线104和导电层116由同层形成。导电层116借助接触孔CH2与栅极布线114导通。如图8所示，数据线104及导电层116被第二绝缘层Fa2覆盖。第二绝缘层Fa2进而被第三绝缘层Fa3覆盖。

如图8所示，在第三绝缘层Fa3的面上形成有多个第一电极64和第二电极65。第一电极64及第二电极65由同层形成。第一电极64及第二电极65由导电性材料构成。如图8所示，各第二电极65借助接触孔CH3与导电层116导通。即，各第二电极65借助导电层116和栅极布线114与放大晶体管62的栅电极113连接。另外，虽然省略详细图示，但第三绝缘层Fa3、第一电极64、第二电极65被按照液晶分子的长轴方向成为与基板平行的方向的方式进行取向的取向膜覆盖。

如果向第一电极64和第二电极65之间施加电压(＝VRH-Vcom)，则在第一电极64和第二电极65之间产生与基板大致平行方向(横向)的电场。如图8所示，由第一电极64及第二电极65、被施加在两者之间产生的电场的液晶57构成多个电容C1m。由这些多个电容C1m构成图2所示的接触检测用电容元件C1。

另外，虽在图8中未图示，但在第三绝缘层Fa3的面上形成有构成各像素电路P的像素电极53和共用电极55。像素电极53和共用电极55由同层形成，通过在两者之间产生的与基板大致平行方向(横向)的电场，控制液晶57的取向。而且，各像素电路P中的晶体管51通过与传感电路60中的放大晶体管62相同的制造工艺形成。晶体管51的源极借助图7所示的接触孔CH4与像素电极53导通。

参照图9，对接触检测用电容元件C1的电容值的变化进行说明。在对象物不接触的状态下，如图8所示，第一基板11与第二基板12平行，但如图9所示，如果手指等对象物与显示装置10接触，则第二基板12挠曲，第一基板11与第二基板12的距离减小。由此，在基板间夹持的液晶57的取向紊乱，电容C1m的电容值发生变化。即，接触检测用电容元件C1的电容值发生变化。

根据上述式(1)也可以理解，非接触时和接触时的电容值的变化量ΔC1c越大，放大晶体管62的栅电位VA的变化量ΔVA也越增大，传感电路60的检测灵敏度升高。作为用于增大接触时和非接触时的电容值的变化量ΔC1c的参数之一，有第一电极64与第二电极65之间的距离d，存在传感电路60的检测灵敏度为最大的值。不过，在第一基板11及第二基板12的每个上设置电极的构成中，电极间的距离相当于相互对置的基板间的距离，即相当于单元间隙量。这里，由于单元间隙量是由显示装置10的显示特性决定的值，所以无法自由变更。因此，在第一基板11及第二基板12的每个上设置电极的构成中，会发生难以按照传感电路60的检测灵敏度成为最大的方式设定电极间的距离的问题。即，如果作为显示装置的特性优先，则检测灵敏度降低，如果检测灵敏度优先则显示装置的特性不是最佳。

与之相对，在本实施方式中，由于构成接触检测用电容元件C1的第一电极64及第二电极65被设置在第一基板11和液晶57之间，所以可以将第一电极64和第二电极65之间的距离d设定成与单元间隙量无关。因此，根据本实施方式具有下述优点，即，可以将第一电极64和第二电极65之间的距离d设定成传感电路60的检测灵敏度为最大的值。也就是说，按照作为显示装置的特性成为最佳的方式设定单元间隙量，另一方面，可以与其无关地设定第一电极64和第二电极65之间的距离d。而且，在本实施方式中，由于液晶分子被排列成其长轴方向成为与基板平行的方向，所以与排列成液晶分子的长轴方向成为与基板垂直的方向的实施方式相比，还具有显示装置10被按压后的液晶分子的取向恢复快的优点。

再次返回至图7继续说明。如图7所示，第一电极64及第二电极65的每个形成为梳齿形状，被配置成相互咬合。根据本实施方式，与将第一电极64及第二电极65双方形成为矩形且使其相互分离的构成相比，可以充分确保第一电极64和第二电极65相互接近的部分。即，在本实施方式中，与第一电极64及第二电极65双方形成为矩形的构成相比，被施加电场的面积较大。因此，液晶57的取向容易紊乱，接触时和非接触时的电容值的变化量ΔC1c增大。由此，具有可提高传感电路60的检测灵敏度的优点。

另外，如图7所示，传感电路60中的第一电极64和像素电路P中的共用电极55由同层形成。而且，传感电路60中的第二电极65和像素电极P中的像素电极53由同层形成。因此，由于传感电路60和像素电极P可以通过同一制造工艺同时制造，所以具有显示装置10的制造变得容易的优点。并且，如图7所示，第一电极64和共用电极55连续形成，第一电极64及共用电极55被公共供给共用电位Vcom。根据本实施方式，由于不需要向第一电极64及共用电极55的每个供给独立的电位，所以具有构成简洁的优点。另外，并不限于此，还可以是第一电极64及共用电极55不连续地独立形成的实施方式。

<B：第二实施方式>

图10是表示本发明的第二实施方式的显示装置10的具体结构的俯视图(与第一实施方式中的图7对应)。如图10所示，在本实施方式的传感电路60中，第一电极64及第二电极65由不同的层形成，被配置成相互对置。图11是从图10所示的B-B’线观察的剖面图(与第一实施方式中的图8对应)。如图11所示，在第三绝缘层Fa3的面上设置有第二电极65。与第一实施方式同样，第二电极65借助接触孔CH3与导电层116导通。如图11所示，第二电极65被第四绝缘层Fa4覆盖。在第四绝缘层Fa4的面上，按照与第二电极65对置的方式设置有第一电极64。虽然省略详细的图示，但第四绝缘层Fa4及第一电极64被按照液晶分子的长轴方向成为与基板平行的方向的方式进行取向的取向膜覆盖。

如图10所示，在第一电极64中形成有用于通过在第一电极64和第二电极65之间产生的电场的狭缝68。图12是从图10所示的C-C’线观察的剖面图。如图12所示，由第一电极64及第二电极65、和被施加在第一电极64与第二电极65之间产生的电场的液晶57构成多个电容C1m。与第一实施方式同样，由这些多个电容C1m构成传感电路60中的接触检测用电容元件C1。

在本实施方式中，由于第一电极64和第二电极65由不同的层形成，被配置成相互对置，所以从第二电极65通过狭缝68到达第一电极64的电场、或者从第一电极64通过狭缝68到达第二电极65的电场，与第一实施方式那样第一电极64及第二电极65由同层形成的实施方式相比，含有大量与基板垂直的方向的成分。因此，在本实施方式中，通过在第一电极64和第二电极65之间产生的电场，使得液晶分子比第一实施方式倾斜。如果在液晶分子倾斜的状态下进行按压，则与在液晶分子相对基板为水平的状态下进行按压的情况相比，液晶分子的取向容易变化。因此，在本实施方式中，接触时和非接触时的电容值的变化量ΔC1c与第一实施方式相比增大。由此，具有可提高传感电路60的检测灵敏度的优点。

另外，如图10所示，传感电路60中的第一电极64和像素电路P中的共用电极55由同层形成。而且，传感电路60中的第二电极65和像素电路P中的像素电极53由同层形成。因此，在本实施方式中也与第一实施方式同样，由于传感电路60和像素电路P可以通过同一制造工艺同时制造，所以具有显示装置10的制造变得容易的优点。

<C：第三实施方式>

图13是表示本发明的第三实施方式的显示装置10的具体结构的俯视图(与图7及图10对应)。如图13所示，在本实施方式的传感电路60中，与第二实施方式的构成不同之处在于，第一电极64及第二电极65由不同的层形成，并且第一电极64及第二电极65的每个形成为梳齿形状，俯视观察时被配置成相互咬合。由于其他构成与第二实施方式的构成相同，所以对重复的部分省略说明。

图14是从图13所示的D-D’线观察的剖面图(与图8及图11对应)。在本实施方式中，通过使第一电极64中与第二电极65重合的部分的面积，小于第一电极64中与第二电极65不重合的部分的面积，与第二实施方式相比，可以减小构成电容C1m的电极的面积。根据上述式(1)也可以理解，由于接触检测用电容元件C1的电容值C1c越小，接触时和非接触时的电位变化量ΔV越增大，所以传感电路60的检测灵敏度增高。因此，根据本实施方式，具有传感电路60的检测灵敏度增高的优点。

而且，在本实施方式中，如图13所示，第一电极64第二电极65的每个形成为梳齿状并被配置成相互咬合，所以与第一实施方式同样，与第一电极64及第二电极65双方形成为矩形的构成相比，被施加电场的面积较大。因此，液晶57的取向容易紊乱，接触时和非接触时的电容值的变化量ΔC1c增大。从而，具有可以增加传感电路60的检测灵敏度的优点。

并且，在本实施方式中，如图13所示，传感电路60中的第一电极64和像素电路P中的共用电极55由同层形成。而且，传感电路60中的第二电极65和像素电路P中的像素电极53由同层形成。因此，由于传感电路60和像素电路P可以通过同一制造工艺同时制造，所以具有显示装置10的制造变得容易的优点。

<D：变形例>

本发明并不限于上述的各实施方式，例如可以进行以下的变形。另外，还可以组合以下所示的变形例中两个以上的变形例。

(1)变形例1

在上述各实施方式中，例示了本发明的传感电路60用于显示装置10的方式，但并不限于此，本发明的传感电路60可以作为对与对象物的接触进行检测的机构而使用，其方式是任意的。在本发明的传感电路60中，由于构成接触检测用电容元件C1的第一电极64及第二电极65被设置在第一基板11中与第二基板12的对置面侧，所以与在相互对置的第一基板11及第二基板12的每个上设置电极的构成不同，可以将第一电极64与第二电极65之间的距离保持成恒定的值。因此，在本发明的传感电路60中，由于可以将第一电极64与第二电极65之间的距离准确设定成所希望的值，所以具有可以将接触检测用电容元件C1的电容值设定为目标值的优点。即，可以抑制传感的灵敏度偏差。

(2)变形例2

在上述的第一实施方式、第三实施方式中，例示了第一电极64及第二电极65的每个形成为梳齿形状且被配置成相互咬合的方式，但例如还可以是将第一电极64形成为梳齿形状，同时将第二电极65形成为矩形，且两者被配置成相互咬合的方式。总而言之，只要是第一电极64及第二电极65中的至少一方的电极为梳齿形状，且第一电极64和第二电极65被配置成咬合的方式即可。另外，还可以是双方的电极为矩形的方式。

(3)变形例3

在上述的第三实施方式中，例示了第一电极64及第二电极65的每个形成为梳齿形状，且俯视下被配置成相互咬合，不存在第一电极64和第二电极65重合的部分的方式，但也可以是具有第一电极64和第二电极65重合的部分的方式。总而言之，只要是第一电极64中与第二电极65重合的部分的面积，小于第一电极64中未与第二电极65重合的部分的面积的方式即可。另外，还可以是第二电极65中与第一电极64重合的部分的面积，小于第二电极65中未与第一电极64重合的部分的面积的方式。由此，由于可以减小电极的面积，所以能够减小电容元件的电容值。于是，根据从上述式(1)可理解，由于接触时和非接触时的电位变化量ΔVA增大，所以传感电路60的检测灵敏度增加。

(4)变形例4

在上述的各实施方式中，例示了按各组C的每一个设置传感电路60的方式，但传感电路60的位置及数量是任意的。例如，也可以是按多个组C设置传感电路60的方式，还可以是按各像素电路P的每个设置传感电路60的方式。

(5)变形例5

在本发明的传感电路60中，夹持在第一基板11和第二基板12之间的电介质的种类是任意的。例如，如上述各实施方式所示，还可以是光学特性根据被施加的电能发生变化的液晶等电光物质被夹持在第一基板11和第二基板12之间的方式。例如，还可以采用有机发光二极管元件、无机发光二极管、LED(LightEmittingDiode)等来代替液晶。

另外，对于采用使带电的白色与黑色微粒分散于分散介质中的电泳层(例如对分散介质进行密封的多个微胶囊(MicroCapsule)的集合)作为电介质来代替液晶的电泳装置(EPD(electrophoreticdisplay))，也可以与上述的各方式同样地应用本发明。

<E：应用例>

接着，对利用本发明的显示装置10的电子设备进行说明。图15是表示采用了以上说明的任意实施方式的显示装置10的便携式个人电脑的构成的立体图。个人电脑2000具有显示装置10和主体部2010。在主体部2010上设置有电源开关2001及键盘2002。

图16表示应用了实施方式涉及的显示装置10的移动电话机的构成。移动电话机3000具有多个操作按钮3001及滚动按钮3002、以及显示装置10。通过操作滚动按钮3002，使在显示装置10上显示的画面发生滚动。

图17表示应用了实施方式涉及的显示装置10的便携信息终端(PDA：PersonalDigitalAssistants)的构成。信息便携终端4000具有多个操作按钮4001及电源开关40020、以及显示装置10。通过操作电源开关4002，在显示装置10上显示住址簿或日程安排等各种信息。

另外，作为可应用本发明的显示装置的电子设备，除了图15～图17所示的设备之外，还可以举出数码相机、电视机、摄像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本、电子纸、台式电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、录像机、具备触摸面板的设备等。而且，本发明的显示装置的用途并不限于图像的显示。例如，在光写入型的打印机或电子复印机等图像形成装置中，可使用根据应该在用纸等记录材料上形成的图像对感光体进行曝光的写入头，作为这种写入头，也可以利用本发明的显示装置。

Claims (7)

1.一种显示装置，其特征在于，具备传感电路和像素电路，其中，

所述传感电路具备：

相互对置的第一基板及第二基板；

在所述第一基板与所述第二基板之间夹持的电介质；

在所述电介质与所述第一基板之间的第一电极及第二电极；和

输出与在所述第一电极和所述第二电极之间借助所述电介质形成的电容的值对应的大小的检测信号的静电电容检测部，

所述像素电路包含与所述第一电极形成在相同层的第三电极、与所述第二电极形成在相同层的第四电极、和被施加在所述第三电极与所述第四电极之间产生的电场的所述电介质。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一电极及所述第二电极由同一层形成，

所述第一电极或所述第二电极中的一个电极具有沿一个方向延伸的至少两个突出部，另一个电极具有朝向所述两个突出部之间延伸的突出部。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一电极及所述第二电极由不同的层形成且被配置成相互对置，并且所述第一电极配置在所述电介质与所述第二电极之间，

所述第一电极中形成有用于通过在所述第一电极与所述第二电极之间产生的电场的狭缝。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一电极及所述第二电极由不同的层形成，并且所述第一电极配置在所述电介质与所述第二电极之间，

所述第一电极或所述第二电极中的至少一个电极具有沿一个方向延伸的至少两个突出部，

所述第一电极和所述第二电极重合的部分的面积，小于所述第一电极和所述第二电极不重合的部分的面积。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述电介质由具有介电各向异性的物质构成。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，

所述电介质由具有介电各向异性和光学各向异性的物质构成。

7.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求5所述的显示装置。