CN101567288B - 一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种场致发射显示器，具体涉及一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法。先在场致发射显示器的下基板上制得栅极电极层，再在栅极电极层上印刷整面水溶性绝缘介质层，再在水溶性绝缘介质层上印刷整面阴极电极层，再利用菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层进行曝光显影，再利用阴极电极层作掩膜，对整面水溶性绝缘介质层进行湿法刻蚀，形成与阴极电极层相同图形的水溶性绝缘介质层；在阴极电极层上印刷致密薄层材料层，在致密薄层材料层上覆盖碳纳米管阴极材料层，最后对致密薄层材料层和碳纳米管阴极材料层同时进行烧结。本发明避免了向栅极孔中填充碳纳米管的困难，把碳纳米管层置于阴极电极层上方。
Description
一、技术领域：
本发明涉及一种场致发射显示器，具体涉及一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法。
二、背景技术：
碳纳米管是一种特殊的冷阴极材料，具有高的纵横比，小的尖端曲率半径，能够在外加电压的作用下发射大量的电子，目前已经引起了人们的重视。而碳纳米管场致发射显示器件作为新型的显示技术，一些技术瓶颈仍不能得到有效的解决。其中高效的器件结构设计与制作是一个典型的问题。简单的二极结构碳纳米管场致发射显示屏，其制作工艺简单，但一方面阳极需要高压才能给电子足够能量轰击荧光粉实现高亮度，另一方面阳极电极又充当调制电极，连接外围驱动电路又需要低电压，因此存在发光亮度和驱动电压之间的不可调和的矛盾，必须在二极结构的基础上引入栅极结构，由栅极进行电压调制，由阳极控制亮度。
由于控制栅极和碳纳米管阴极之间的距离很近，因此在控制栅极上施加相对比较低的电压，就容易在碳纳米管阴极的顶端形成强大的电场强度。在以往的栅极结构中，栅极条位于碳纳米管阴极的正上方，因为栅极孔径很小，而且距离阴极很近，把碳纳米管浆料填在栅极孔径中很难，很容易使碳纳米管和栅极电极相连而短路。其所形成的栅极电流比较大，对于器件的材料要求比较高，在器件的制作过程中容易使得碳纳米管阴极受到一定的损伤和污染，尽管各个企业和研究机构采用特殊的材料和制作工艺，还是带来了一系列问题，如：器件制作成本过高；制作过程复杂。制作工艺要求过于苛刻等等。
三、发明内容
本发明提供一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，以克服现有技术中先制作显示屏整体结构后往栅极孔中填充发射材料所带来的高精度对准的困难。
为解决上述问题，本发明提供以下技术方案：
一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，包括以下操作步骤：
①先在场致发射显示器的下基板1上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2；
②再在栅极电极层2上印刷整面水溶性绝缘介质层3，对水溶性绝缘介质层3进行烘干后高温烧结；
③然后在烧结水溶性绝缘介质层3上印刷整面阴极电极层4，将阴极电极层4烘干；所述的阴极电极层4材料为感光性银浆；
④再利用阴极电极层4的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层4进行曝光显影，使整面阴极电极层4形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层4；所述光刻后阴极电极层4与栅极电极层2垂直交叉；
⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层4作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层3进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层3形成与阴极电极层4相同图形的水溶性绝缘介质层3；
⑥将阴极电极层4进行烧结；
⑦在烧结后的阴极电极层4上印刷致密薄层材料层5，再将致密薄层材料层5烘干；
⑧然后在致密薄层材料层5上覆盖碳纳米管阴极材料层6，再将碳纳米管阴极材料层6烘干；
⑨再对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6同时进行烧结，使致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6成型；
⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层6的发射性能。
上述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
①先在场致发射显示器的下基板1上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2；
②再在栅极电极层2上印刷整面水溶性绝缘介质层3，对水溶性绝缘介质层3进行110～130℃，常压下，烘干10～15分钟后，再在580℃，常压下，烧结20分钟；
③然后在烧结后水溶性绝缘介质层3上印刷整面阴极电极层4，将阴极电极层4在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；所述的阴极电极层4材料为感光性银浆；
④再利用阴极电极层4的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层4进行曝光显影，使整面阴极电极层4形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层4；所述光刻后阴极电极层4图形与栅极电极层2垂直交叉；其中曝光显影的曝光能量为600～800mJ，显影液是浓度为0.3％～0.5％的碳酸钠溶液；
⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层4作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层3进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层3形成与阴极电极层4相同图形的水溶性绝缘介质层3；其中湿法刻蚀采用的药液为浓度为0.3％-0.5％的稀硝酸溶液，溶液温度为35℃-40℃，刻蚀时间为100秒～130秒；
⑥将阴极电极层4在570℃，常压下，烧结20分钟；
⑦在烧结后的阴极电极层4上印刷致密薄层材料层5，然后将致密薄层在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；
⑧然后在致密薄层材料层5上覆盖碳纳米管阴极材料层6，将碳纳米管阴极材料层6在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；
⑨再对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6在350℃，常压下，同时进行一次性烧结15分钟；使致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6成型；
⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层6的发射性能。
步骤②中，所述栅极电极层2上印刷有1层或2层整面水溶性绝缘介质层3。
步骤①中，在场致发射显示器的下基板1上利用丝网印刷法直接印刷包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2，然后在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；再在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层2材料为银浆。
步骤①中，先在场致发射显示器的下基板1上印刷整面栅极电极层2，然后在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；利用栅极电极层的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面栅极电极层2进行曝光显影，使整面栅极电极层2形成包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2，然后将光刻后的栅极电极层2在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层2材料为感光银浆，曝光显影的曝光能量为600～800mJ，显影液是浓度为0.3％～0.5％的碳酸钠溶液。
所述的致密薄层材料层5包括重量比为10％-30％氧化铅，25％-40％二氧化硅，10％-25％银纳米颗粒，25％-45％KH-550有机硅烷偶联剂。
本发明避免了向栅极孔中填充碳纳米管的困难，把碳纳米管层置于阴极电极层上方。
四、附图说明
图1为本发明通过步骤(1)得到的下基板结构示意图；
图2为本发明通过步骤(2)～(3)得到的下基板结构示意图；
图3为本发明通过步骤(4)得到的下基板结构示意图；
图4为本发明通过步骤(5)得到的下基板结构示意图；
图5为本发明通过步骤(7)得到的下基板结构示意图；
图6为本发明通过步骤(8)得到的下基板结构示意图；
图7为图1的俯视图；
图8为图6的俯视图；
1-下基板，2-栅极电极层，3-水溶性绝缘介质层，4-阴极电极层，5-致密薄层材料层，6-碳纳米管阴极材料层。
五、具体实施方式
为进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例，对依据本发明提出的碳纳米管场致发射显示器结构进行详细说明。
实施例1
如图1和图7所示：(1)先在经丙酮超声清洗后的场致发射显示器的下基板1上利用丝网印刷法直接印刷包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2，在100℃，常压下，烘干20分钟，然后在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层2材料为银浆。
如图2所示：(2)再在栅极电极层2上印刷整面水溶性绝缘介质层3，对水溶性绝缘介质层3进行130℃，常压下，烘干10分钟后，再在580℃，常压下，烧结20分钟。
(3)然后在烧结后水溶性绝缘介质层3上印刷整面阴极电极层4，然后在80℃，常压下，烘干30分钟；所述的阴极电极层4材料为感光性银浆；
如图3所示：(4)再利用阴极电极层的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对阴极电极层4进行曝光显影，使整面阴极电极层4形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层4；光刻后阴极电极层4与栅极电极层2垂直交叉；其中曝光显影的曝光能量为700mJ，显影液是浓度为0.5％的碳酸钠溶液。在此步骤中对阴极电极层4进行选择性曝光，使得曝光区中的抗蚀剂发生交联，交联使得抗蚀剂不溶于抗蚀剂显影化合物，所以在显影时曝光区的图案遗留下来，形成我们所需的阴极电极层图形，由于阴极电极层4是碱溶性体系，所以利用浓度为0.5％的碳酸钠溶液可实现阴极电极层的图形化。
如图4所示：(5)利用步骤(4)制得的阴极电极层4作为掩膜，对水溶性绝缘介质层3进行湿法刻蚀，使水溶性绝缘介质层3形成与光刻后阴极电极层4相同图形的水溶性绝缘介质层3；其中湿法刻蚀采用的药液为浓度为0.3％的稀硝酸溶液，溶液温度为35℃，刻蚀时间为100秒～130秒。
(6)将阴极电极层4在570℃，常压下，烧结20分钟；
如图5所示：(7)在烧结后的阴极电极层4上印刷致密薄层材料层5，然后将致密薄层5在130℃，常压下烘干10分钟；
如图6和图8所示：(8)然后在致密薄层材料层5上覆盖碳纳米管阴极材料层6，将碳纳米管阴极材料层6在130℃，常压下烘干10分钟；由于碳纳米管阴极材料层6与阴极电极层4之间的黏附力并不强，如果直接将碳纳米管阴极材料层6涂覆在阴极电极层4上面的话，在后处理中，如对碳纳米管阴极材料层6取向处理或超声波处理会减少碳纳米管的数量，从而影响其发射性能。因此在阴极电极层4的上方覆盖一层致密薄层材料层5，以增加碳纳米管的黏附力。
(9)最后对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6在350℃，常压下，同时进行一次性烧结15分钟；使致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层5成型。
(10)最后把整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管的发射性能。
在对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6同时进行烧结时，碳纳米管阴极材料层6下部熔入到致密薄层材料层5中，从而紧紧的黏附在阴极电极层4上，这是由于致密薄层材料层5中的硅烷偶联剂含有亲有机和亲无机的两种功能团，因此通过硅烷偶联剂就可以把有机材料和无机材料这两种性质差异很大的材料牢固粘合在一起(偶联)，此致密薄层材料层加强了碳纳米管阴极材料层6和阴极电极层4之间的黏附力。如果直接将碳纳米管阴极材料层6涂覆在阴极电极层4上面的话，例如在之后碳纳米管的取向处理：利用胶带使碳纳米管方向向上的处理，这种胶粘的方式常常会使部分碳纳米管脱附，造成碳纳米管阴极材料层6发射降低的结果。同样利用超声波处理碳纳米管阴极材料层6表面的杂质同样会减少碳纳米管的数量，造成碳纳米管层发射降低的结果。而利用本发明提供的致密薄层材料层5增强了碳纳米管阴极材料6层和阴极电极层4之间的黏附力，减少了在后处理中碳纳米管脱附的现象，增强了碳纳米管阴极材料6层的发射能力。
上述的致密材料包括重量比为
15％氧化铅，
25％二氧化硅，
15％银纳米颗粒，
45％有机成分KH-550有机硅烷偶联剂，也就是γ-氨丙基三乙氧基硅烷，H2NCH2CH2Si(OC2H5)3。
为了增强该致密材料薄层的黏附性，可适量添加胺类催化剂，其有利于硅醇集团的缩合。两种无机成分氧化铅和二氧化硅，是低熔点玻璃粉的主要成分，烧结后可以把碳纳米管固定在阴极电极层4上；银纳米颗粒起到导电的作用，使碳纳米管阴极材料层5通过致密薄层材料层5，与下面的阴极电极层6导通；最后一种组分为有机硅烷偶联剂，硅烷耦联剂层含有亲有机和亲无机的两种功能团，通过硅烷偶联剂就可以把有机材料和无机材料这两种性质差异很大的材料牢固粘合在一起(偶联)，因此致密薄层材料层5加强了碳纳米管阴极材料层6和阴极电极层4之间的黏附力。
上述的水溶性绝缘介质层3指的是该绝缘介质浆料可与水反应，稀硝酸起催化作用，该绝缘介质可在烧结后进行湿法刻蚀的水溶性绝缘介质层。例如大洲电子材料的DGP-607W型或DGP-230R型介质浆料。
实施例2
如图1和图7所示：(1)先在经丙酮超声清洗后的场致发射显示器的下基板1上印刷整面栅极电极层2，然后在100℃，常压下，烘干30分钟。利用栅极电极层的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面栅极电极层2进行曝光显影，使整面栅极电极层2形成包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层2；然后对光刻后的栅极电极层2在570℃，常压下，烧结20分钟。所述的曝光能量为800mJ，显影液采用的是0.3％的碳酸钠溶液。所述的栅极电极层2的材料为感光银浆。
如图2所示：(2)再在烧结后的栅极电极层2上印刷第一层整面水溶性绝缘介质层3，先对水溶性绝缘介质层3在110℃，常压下，烘干15分钟，再在580℃，常压下，烧结20分钟后；再在第一层水溶性绝缘介质层3上再印刷第二层整面水溶性介质层3，对第二层水溶性绝缘介质层3在110℃，常压下，烘干15分钟，再在580℃，常压下，烧结20分钟；
(3)然后在烧结后水溶性绝缘介质层3上印刷整面阴极电极层4，然后在100℃，常压下，烘干20分钟；所述的阴极电极层4材料为感光性银浆；
如图3所示：(4)再利用阴极电极层4的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对阴极电极层4进行曝光显影，使整面阴极电极层4形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层4；光刻后阴极电极层4与栅极电极层2垂直交叉；其中曝光显影的曝光能量为800mJ，显影液是浓度为0.3％的碳酸钠溶液。在此步骤中对阴极电极层4进行选择性曝光，使得曝光区中的抗蚀剂发生交联，交联使得抗蚀剂不溶于抗蚀剂显影化合物，所以在显影时曝光区的图案遗留下来，形成我们所需的阴极电极层图形，由于阴极电极层4是碱溶性体系，所以利用浓度为0.3％的碳酸钠溶液可实现阴极电极层的图形化。
如图4所示：(5)利用步骤(4)制得的阴极电极层4作为掩膜，对水溶性绝缘介质层3进行湿法刻蚀，使水溶性绝缘介质层3形成与光刻后阴极电极层4相同图形的水溶性绝缘介质层3；其中湿法刻蚀采用的药液为浓度为0.5％的稀硝酸溶液，溶液温度为40℃，刻蚀时间为100秒～130秒。
(6)将阴极电极层4在570℃，常压下，烧结20分钟；
如图5所示：(7)在烧结后的阴极电极层4上印刷致密薄层材料层，然后将致密薄层在100℃，常压下烘干15分钟；
如图6和图8所示：(8)然后在致密薄层材料层上覆盖碳纳米管层，将碳纳米管层在100℃，常压下烘干15分钟； 由于碳纳米管阴极材料层6与阴极电极层4之间的黏附力并不强，如果直接将碳纳米管阴极材料层6涂覆在阴极电极层4上面的话，在后处理中，如对碳纳米管阴极材料层6取向处理或超声波处理会减少碳纳米管的数量，从而影响其发射性能。因此在阴极电极层4的上方覆盖一层致密薄层材料层5，以增加碳纳米管的黏附力。
(9)最后对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6在350℃，常压下，同时进行一次性烧结15分钟；使致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层5成型。
(10)最后把整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管的发射性能。
在对致密薄层材料层5和碳纳米管阴极材料层6同时进行烧结时，碳纳米管阴极材料层6下部熔入到致密薄层材料层5中，从而紧紧的黏附在阴极电极层4上，这是由于致密薄层材料层5中的硅烷偶联剂含有亲有机和亲无机的两种功能团，因此通过硅烷偶联剂就可以把有机材料和无机材料这两种性质差异很大的材料牢固粘合在一起(偶联)，此致密薄层材料层加强了碳纳米管阴极材料层6和阴极电极层4之间的黏附力。如果直接将碳纳米管阴极材料层6涂覆在阴极电极层4上面的话，如果在之后的后处理中，例如碳纳米管的取向处理：利用胶带使碳纳米管方向向上的处理，这种胶粘的方式常常会使部分碳纳米管脱附，造成碳纳米管阴极材料层6发射降低的结果。同样利用超声波处理碳纳米管阴极材料层6表面的杂质同样会减少碳纳米管的数量，造成碳纳米管层发射降低的结果。而利用致密薄层材料层5增强了碳纳米管阴极材料6层和阴极电极层4之间的黏附力，减少了在后处理中碳纳米管脱附的现象，增强了碳纳米管阴极材料6层的发射能力。
上述的致密材料包括重量比为
10％氧化铅，
40％二氧化硅，
25％银纳米颗粒，
25％KH-550有机硅烷偶联剂，也就是γ-氨丙基三乙氧基硅烷，H2NCH2CH2Si(OC2H5)3。
为了增强该致密材料薄层的黏附性，可适量添加胺类催化剂，其有利于硅醇集团的缩合。两种无机成分氧化铅和二氧化硅，是低熔点玻璃粉的主要成分，烧结后可以把碳纳米管固定在阴极电极层4上；银纳米颗粒起到导电的作用，使碳纳米管阴极材料层5通过致密薄层材料层5，与下面的阴极电极层6导通；最后一种组分为有机硅烷偶联剂，硅烷耦联剂层含有亲有机和亲无机的两种功能团，通过硅烷偶联剂就可以把有机材料和无机材料这两种性质差异很大的材料牢固粘合在一起(偶联)，因此致密薄层材料层5加强了碳纳米管阴极材料层6和阴极电极层4之间的黏附力。
上述的水溶性绝缘介质层指的是该绝缘介质浆料可与水反应，稀硝酸起催化作用，该绝缘介质可在烧结后进行湿法刻蚀的水溶性绝缘介质层。例如大洲电子材料的DGP-607W型或DGP-230R型介质浆料。
Claims (6)
1.一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
①先在场致发射显示器的下基板(1)上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)；
②再在栅极电极层(2)上印刷整面水溶性绝缘介质层(3)，对水溶性绝缘介质层(3)进行烘干后高温烧结；
③然后在烧结水溶性绝缘介质层(3)上印刷整面阴极电极层(4)，将阴极电极层(4)烘干；所述的阴极电极层(4)材料为感光性银浆；
④再利用阴极电极层(4)的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层(4)进行曝光显影，使整面阴极电极层(4)形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层(4)；所述光刻后阴极电极层(4)与栅极电极层(2)垂直交叉；
⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层(4)作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层(3)进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层(3)形成与阴极电极层(4)相同图形的水溶性绝缘介质层(3)；
⑥将阴极电极层(4)进行烧结；
⑦在烧结后的阴极电极层(4)上印刷致密薄层材料层(5)，再将致密薄层材料层(5)烘干；
⑧然后在致密薄层材料层(5)上覆盖碳纳米管阴极材料层(6)，再将碳纳米管阴极材料层(6)烘干；
⑨再对致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)同时进行烧结，使致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)成型；
⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层(6)的发射性能。
2.一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：
①先在场致发射显示器的下基板(1)上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)；
②再在栅极电极层(2)上印刷整面水溶性绝缘介质层(3)，对水溶性绝缘介质层(3)进行110～130℃，常压下，烘干10～15分钟后，再在580℃，常压下，烧结20分钟；
③然后在烧结后水溶性绝缘介质层(3)上印刷整面阴极电极层(4)，将阴极电极层(4)在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；所述的阴极电极层(4)材料为感光性银浆；
④再利用阴极电极层(4)的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层(4)进行曝光显影，使整面阴极电极层(4)形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层(4)；所述光刻后阴极电极层(4)图形与栅极电极层(2)垂直交叉；其中曝光显影的曝光能量为600～800mJ，显影液是浓度为0.3％～0.5％的碳酸钠溶液；
⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层(4)作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层(3)进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层(3)形成与阴极电极层(4)相同图形的水溶性绝缘介质层(3)；其中湿法刻蚀采用的药液为浓度为0.3％-0.5％的稀硝酸溶液，溶液温度为35℃-40℃，刻蚀时间为100秒～130秒；
⑥将阴极电极层(4)在570℃，常压下，烧结20分钟；
⑦在烧结后的阴极电极层(4)上印刷致密薄层材料层(5)，然后将致密薄层在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；
⑧然后在致密薄层材料层(5)上覆盖碳纳米管阴极材料层(6)，将碳纳米管阴极材料层(6)在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；
⑨再对致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)在350℃，常压下，同时进行一次性烧结15分钟；使致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)成型；
⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层(6)的发射性能。
3.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：步骤②中，所述栅极电极层(2)上印刷有1层或2层整面水溶性绝缘介质层(3)。
4.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：步骤①中，在场致发射显示器的下基板(1)上利用丝网印刷法直接印刷包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)，然后在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；再在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层(2)材料为银浆。
5.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：步骤①中，先在场致发射显示器的下基板(1)上印刷整面栅极电极层(2)，然后在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；利用栅极电极层的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面栅极电极层(2)进行曝光显影，使整面栅极电极层(2)形成包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)，然后将光刻后的栅极电极层(2)在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层(2)材料为感光银浆，曝光显影的曝光能量为600～800mJ，显影液是浓度为0.3％～0.5％的碳酸钠溶液。
6.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：所述的致密薄层材料层(5)包括重量比为10％-30％氧化铅，25％-40％二氧化硅，10％-25％银纳米颗粒，25％-45％KH-550有机硅烷偶联剂。
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