CN101557103A - 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 - Google Patents
瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101557103A CN101557103A CNA2008100359485A CN200810035948A CN101557103A CN 101557103 A CN101557103 A CN 101557103A CN A2008100359485 A CNA2008100359485 A CN A2008100359485A CN 200810035948 A CN200810035948 A CN 200810035948A CN 101557103 A CN101557103 A CN 101557103A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diode
- transient voltage
- manufacture method
- boron
- voltage suppresser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100359485A CN101557103B (zh) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008100359485A CN101557103B (zh) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101557103A true CN101557103A (zh) | 2009-10-14 |
CN101557103B CN101557103B (zh) | 2011-09-14 |
Family
ID=41175099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100359485A Active CN101557103B (zh) | 2008-04-11 | 2008-04-11 | 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101557103B (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102856319A (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-02 | 万国半导体股份有限公司 | 带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器 |
CN103248034A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-14 | 成都市宏山科技有限公司 | 可雷电防护的u盘 |
CN103269062A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-28 | 成都市宏山科技有限公司 | 一种具有浪涌和静电双重防护功能的手机 |
CN103296665A (zh) * | 2012-03-05 | 2013-09-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种瞬态电压抑制器 |
CN103515940A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-01-15 | 立锜科技股份有限公司 | 瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法 |
CN103887302A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 意法半导体公司 | 用于集成电路的静电放电器件 |
CN105186478A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-23 | 北京燕东微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器 |
CN105186481A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-23 | 华东光电集成器件研究所 | 一种用于微波固态控制电路电压控制端的静电泄放电路 |
CN107093603A (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 旺宏电子股份有限公司 | 静电放电保护元件 |
CN107316863A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-03 | 王凯 | 瞬态电压抑制器及其制作方法 |
CN107393915A (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 无锡华润微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6600204B2 (en) * | 2001-07-11 | 2003-07-29 | General Semiconductor, Inc. | Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same |
JP2007103809A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-04-11 CN CN2008100359485A patent/CN101557103B/zh active Active
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102856319B (zh) * | 2011-06-28 | 2015-01-07 | 万国半导体股份有限公司 | 带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器 |
CN102856319A (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-02 | 万国半导体股份有限公司 | 带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器 |
CN103296665A (zh) * | 2012-03-05 | 2013-09-11 | 北大方正集团有限公司 | 一种瞬态电压抑制器 |
CN103296665B (zh) * | 2012-03-05 | 2016-04-27 | 北大方正集团有限公司 | 一种瞬态电压抑制器 |
CN103515940B (zh) * | 2012-06-18 | 2016-05-18 | 立锜科技股份有限公司 | 瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法 |
CN103515940A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-01-15 | 立锜科技股份有限公司 | 瞬时电压抑制器电路与用于其中的二极管元件及其制造方法 |
CN103887302B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-04-19 | 意法半导体公司 | 用于集成电路的静电放电器件 |
CN103887302A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 意法半导体公司 | 用于集成电路的静电放电器件 |
CN103248034B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-08-12 | 成都市宏山科技有限公司 | 可雷电防护的u盘 |
CN103269062A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-28 | 成都市宏山科技有限公司 | 一种具有浪涌和静电双重防护功能的手机 |
CN103248034A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-14 | 成都市宏山科技有限公司 | 可雷电防护的u盘 |
CN105186478A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-23 | 北京燕东微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器 |
CN105186478B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-03-30 | 北京燕东微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器 |
CN105186481A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-23 | 华东光电集成器件研究所 | 一种用于微波固态控制电路电压控制端的静电泄放电路 |
CN107093603A (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 旺宏电子股份有限公司 | 静电放电保护元件 |
CN107393915A (zh) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 无锡华润微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器及其制造方法 |
CN107393915B (zh) * | 2016-05-17 | 2020-06-12 | 无锡华润微电子有限公司 | 瞬态电压抑制器及其制造方法 |
CN107316863A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-03 | 王凯 | 瞬态电压抑制器及其制作方法 |
CN107316863B (zh) * | 2017-07-12 | 2019-05-07 | 新昌县佳良制冷配件厂 | 瞬态电压抑制器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101557103B (zh) | 2011-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101557103B (zh) | 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 | |
CN105261616B (zh) | 瞬态电压抑制器及其制造方法 | |
CN1245758C (zh) | 静电放电防护电路 | |
CN104733454B (zh) | 用于保护射频和微波集成电路的装置与方法 | |
US20050017286A1 (en) | Capacitor with improved capacitance density and method of manufacture | |
US7053453B2 (en) | Substrate contact and method of forming the same | |
US9449888B2 (en) | Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same | |
CN101425519A (zh) | 制造在绝缘物上硅层中的瞬时电压抑制器 | |
CN100444386C (zh) | 半导体基底上的防护环系统 | |
CN106057781A (zh) | 静电放电保护器件的制造方法 | |
US7910998B2 (en) | Silicon controlled rectifier device for electrostatic discharge protection | |
CN102593124A (zh) | 半导体放电器件及其形成方法 | |
US8710616B2 (en) | Die seal ring | |
CN108063138A (zh) | 瞬态电压抑制器及其制作方法 | |
KR100329895B1 (ko) | 디커플링 캐패시턴스 형성 방법 및 반도체 소자 | |
CN108122885A (zh) | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | |
CN110875303B (zh) | 一种瞬态电压抑制器件及其制造方法 | |
CN102024774A (zh) | 一种接触焊盘 | |
TW200929525A (en) | Inductor of semiconductor device and method for manufacturing the same | |
CN106158744A (zh) | 静电保护结构及其制作方法、芯片及其制作方法 | |
CN106206572A (zh) | 包括电感器的射频集成电路及其制造方法 | |
CN110875304A (zh) | 瞬态电压抑制器件及其制造方法 | |
CN105449007A (zh) | 一种叠加电容及其制作方法 | |
CN104576639B (zh) | 一种具有小回滞窗口的高压esd保护器件 | |
US20050242416A1 (en) | Low-capacitance bonding pad for semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Transient voltage suppresser diode and manufacturing method thereof Effective date of registration: 20130110 Granted publication date: 20110914 Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Shanghai Development Zone, Pudong branch Pledgor: Will Semiconductor Ltd. Registration number: 2012310000011 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20160506 Granted publication date: 20110914 Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd Shanghai Development Zone, Pudong branch Pledgor: Will Semiconductor Ltd. Registration number: 2012310000011 |
|
PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model |