CN101541471A - 焊锡用熔剂上爬防止组合物、被覆了该组合物的锡焊用电子构件、该构件的锡焊方法及电气产品 - Google Patents

焊锡用熔剂上爬防止组合物、被覆了该组合物的锡焊用电子构件、该构件的锡焊方法及电气产品 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是提供包含含有由具有碳数6以下的多氟烷基的不饱和化合物衍生的聚合单元的聚合物的焊锡用熔剂上爬防止组合物，该组合物与包含含有由具有碳数8以上的多氟烷基的不饱和化合物衍生的聚合单元的聚合物的以往的焊锡用熔剂上爬防止组合物具备同等的性能。本发明的焊锡用熔剂上爬防止组合物包含含有由上式(a)表示的不饱和化合物的至少1种衍生的聚合单元的聚合物，式中符号含义如下所述：R1为氢原子或甲基，Q1、Q2分别独立地为单键或2价连接基团，Rf为可含有插入碳—碳原子间的醚性氧原子的碳数1～6的多氟烷基。

Description

焊锡用熔剂上爬防止组合物、被覆了该组合物的锡焊用电子构件、该构件的锡焊方法及电气产品
技术领域
本发明涉及具有电接点的电子零部件或印刷基板等电子构件的锡焊时作为防止焊锡用熔剂的上爬(日文：這い上がり)的预处理剂使用的熔剂上爬防止组合物。此外，本发明涉及具有由该组合物形成的被膜的焊锡用电子零部件或印刷基板等电子构件、使用该组合物的锡焊方法以及包含实施了锡焊的上述电子构件的电气产品。
背景技术
在印刷基板上锡焊各种零部件或在IC插口上锡焊IC时，预先实施用于使焊锡的附着性提高的熔剂处理。一般的熔剂为在溶剂中含有酸性成分的腐蚀剂。因此，不希望熔剂渗透或附着于连接器、开关、电位器、半固定电阻等电子零部件的电接点部分或印刷基板的不需要锡焊的部分等，需要防止这样的情况。特别是由于在电子零部件的通孔部分等发生的熔剂通过毛细现象等而上爬的被称为“熔剂的上爬”的现象，熔剂附着或渗透至不需要锡焊的部分而引起腐蚀，需要防止这样的情况。
因此，在锡焊前进行用于防止熔剂上爬的预处理。该预处理中所用的熔剂上爬防止剂通常是包含对熔剂的溶剂具有拒溶剂性的聚合物的组合物。一直以来，因为熔剂的典型的溶剂为IPA，所以拒IPA性被作为防止熔剂上爬的性能的指标使用。因此，作为熔剂上爬防止剂的有效成分，一直使用拒IPA性能好的含多氟烷基的聚合物。
作为该现有的熔剂上爬防止剂的聚合物，可使用采用了下式(a11)表示的含多氟烷基的(甲基)丙烯酸酯的聚合物(参照专利文献1)。
CH2＝C(R11)OCO-Q11-Rf1      (a11)
式中符号含义如下所述：R11为氢原子或甲基，Q11为2价连接基团，Rf1为碳数4～14的多氟烷基。
本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯双方或任一方。
专利文献1：日本专利特开平10-303536号公报
发明的揭示
美国环境保护局(USEPA)在2003年3月公开了有关从包括野生动物及人类的血液在内的各种环境中检测出的全氟辛酸(PFOA)的安全性的预警调查报告书。另外，2006年1月氟树脂制造商等提倡参与减少PFOA及其类似物以及它们的前体物质在环境中的排放和在产品中的含量的计划。
如果全氟烷基的碳数在6以下，则对生物体及环境的风险大幅度降低。但是，如果全氟烷基的碳数在8以上，则由聚合物中的全氟烷基主导的疏水性、疏油性等性能高，如果碳数在6以下，则该性能显著下降。其原因可以认为是碳数8以上的全氟烷基具备结晶性。作为熔剂上爬防止剂的性能指标非常重要的拒IPA性在全氟烷基的碳数在6以下时也会急剧下降。
本发明的目的是提供与以往的熔剂上爬防止剂具备同等的性能、熔剂上爬防止性能高的焊锡用熔剂上爬防止组合物。本发明的熔剂上爬防止组合物中的聚合物包含由具有对生物体及环境的影响小的碳数6以下的多氟烷基的不饱和化合物衍生的聚合单元，而现有的熔剂上爬防止组合物中的聚合物含有由多氟烷基的碳数在8以上的不饱和化合物衍生的聚合单元。
鉴于以上各种问题，本发明通过在包含由具有对生物体及环境的影响小的碳数6以下的多氟烷基的不饱和化合物衍生的聚合单元的聚合物中导入氨基甲酸酯键，可提供与以往的包含含有由多氟烷基的碳数在8以上的不饱和化合物衍生的聚合单元的聚合物的熔剂上爬防止剂具备同等性能的熔剂上爬防止剂。
本发明是包含含有由下式(a)表示的不饱和化合物的至少1种衍生的聚合单元的聚合物的焊锡用熔剂上爬防止组合物。本说明书中，式(a)表示的化合物记为化合物(a)，其它式表示的化合物也同样标记。
Figure A20078004274100051
式中符号含义如下所述：R1为氢原子或甲基，Q1、Q2分别独立地为单键或2价连接基团，Rf为可含有插入碳-碳原子间的醚性氧原子的碳数1～6的多氟烷基。
作为化合物(a)，优选Q1为单键或-Z-(Y)n-表示的2价连接基团(其中，Z为单键、-O-或-NH-，Y为碳数1～6的直链亚烷基、氨基、磺酰基或它们的组合，n为0或1的整数)、Q2为单键或碳数1～6的直链亚烷基的化合物。
作为化合物(a)，优选下述化合物(a1)。
Figure A20078004274100052
式中符号含义如下所述：R1、Rf如前所述，p、q分别独立地为0～6的整数。
本发明的组合物较好是聚合物中的由所述式(a)或(a1)表示的化合物衍生的聚合单元的比例为50质量％以上。
此外，本发明包括在电子构件的锡焊部位的一部分或全部具有由所述任一种组合物形成的被膜、具备焊锡用熔剂上爬防止性能的电子构件。
另外，本发明还包括在电子构件的锡焊部位的一部分或全部形成由所述任一种组合物构成的被膜、用焊锡用熔剂涂布该被膜的一部分或全部后进行锡焊的电子构件的锡焊方法，以及包含用该方法实施了锡焊的电子构件的电气产品。
本发明的熔剂上爬防止组合物不仅可降低聚合物中的碳数8以上的多氟烷基的含量，确保对生物体及环境的安全性，还可防止因多氟烷基的链长的减少而导致的上爬防止性能的下降，能够维持与现有产品同等程度的性能。
实施发明的最佳方式
本发明的焊锡用熔剂的上爬防止组合物(也称为上爬防止剂)包含含有由下式(a)表示的不饱和化合物的至少1种衍生的聚合单元的聚合物作为被膜成分。
Figure A20078004274100061
式中符号含义如下所述：R1为氢原子或甲基，Q1、Q2分别独立地为单键或2价连接基团，Rf为可含有插入碳-碳原子间的醚性氧原子的碳数1～6的多氟烷基。
多氟烷基表示烷基的2个以上的氢原子被氟原子取代的基团，可以含有插入该烷基的碳-碳键间的醚性氧原子。
多氟烷基优选不含醚性氧原子的基团。
本说明书中，多氟烷基或Rf基的表述对应含有插入碳-碳键间的醚性氧原子的多氟烷基的上位概念，只要没有特别说明，都为不含该氧原子和含该氧原子这两种多氟烷基的总称。
上述多氟烷基(Rf基)为对应于碳数1～6的烷基的氟取代数2以上的基团，可以是直链结构和分支结构中的任一种。例如，可以例举对应于甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等直链或分支结构的烷基的部分氟取代或全氟取代烷基等。作为分支结构的多氟烷基，可以例举异丙基、3-甲基丁基的全氟取代烷基等。
Rf基可以是直链结构或分支结构的任一种，但从改善Rf基的堆积性的角度考虑，Rf基优选直链结构。基于同样的理由，Rf基为分支结构时，支链部分最好存在于Rf基的末端部分。
Rf基理想的是实质上全氟取代的全氟烷基，特别好是主链的链长(不包括侧链的碳数)为1～6的Rf基。
式中的Q1及Q2为单键或2价连接基团。Q1为单键时，表示存在于Q1的两端的C(＝O)的碳原子和N-H的氮原子直接结合。同样，Q2为单键时，表示存在于Q2的两端的氧原子和Rf的碳原子直接结合。只要Q1及Q2为单键或2价连接基团即可进行适当选择，并不限定于所述基团。
作为2价连接基团，可以例举-O-、-S-、-NH-、-SO2-、-PO2-、-CH＝CH-、-CH＝N-、-N＝N-、-N(O)＝N-、-COO-、-COS-、-CONH-、-COCH2-、-O-CH2CH2-、-CH2CH2-、-CH2-、-CH2NH-、-CH2-、-CO-、-CH＝CH-COO-、-CH＝CH-CO-、直链状或分支状的亚烷基或亚烯基、亚烷基氧基，2价的4、5、6或7元环取代基或由它们构成的稠合取代基、6元环芳基、4～6元环的饱和或不饱和的脂肪族基团、5或6元环杂环基或它们的稠环，由这些2价连接基团的组合构成的基团。
所述连接基团可以具有取代基，作为取代基的例子，可例举卤素原子(F、Cl、Br、I)、氰基、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丁氧基、辛氧基、甲氧基乙氧基等)、芳氧基(苯氧基等)、烷硫基(甲硫基、乙硫基等)、酰基(乙酰基、丙酰基、苯甲酰基等)、磺酰基(甲磺酰基、苯磺酰基等)、酰氧基(乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、磺酰氧基(甲磺酰氧基、甲苯磺酰氧基等)、膦酰基(二乙基膦酰基等)、酰氨基(乙酰氨基、苯甲酰氨基等)、氨基甲酰基(N，N-二甲基氨基甲酰基、N-苯基氨基甲酰基等)、烷基(甲基、乙基、丙基、异丙基、环丙基、丁基、2-羧基乙基、苄基等)、芳基(苯基、甲苯基等)、杂环基(吡啶基、咪唑基、呋喃基等)、链烯基(乙烯基、1-丙烯基等)、烷氧基酰氧基(乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、烷氧基羰基(甲氧基羰基、乙氧基羰基等)和聚合性基团(乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、甲硅烷基、肉桂酸残基等)等。
Q1较好是以-Z-(Y)n-(Z为单键、-O-或-NH-，Y为碳数1～6的亚烷基、氨基、磺酰基或由它们的组合得到的2价连接基团，n为0或1的整数)表示的2价的连接基团。Q2较好是单键或碳数1～6的直链亚烷基。
优选的化合物(a)由以下的结构式(a1)表示。特好的是Rf为碳数1～6的直链全氟烷基(RF)的结构的化合物。
Figure A20078004274100071
式中符号含义如下所述：p、q分别独立地为0～6的整数，R1、Rf如前所述。
具体可例示
CH2＝CH-COO-(CH2)2-NHCOO-(CH2)2-C6F13.
CH2＝C(CH3)-COO-(CH2)2-NHCOO-(CH2)2-C6F13
等。
本发明的共聚物含有1种由以上的化合物(a)、优选(a1)衍生的单元，也可含有2种以上。
此外，聚合物中的由所述化合物(a)、优选(a1)的总量衍生的单元的含量较好为50质量％以上，更好为80质量％以上，进一步更好的是实质上为100质量％。化合物(a)、优选(a1)的含量如果在以上的范围内，则共聚物的熔剂上爬防止性能良好。
本发明的聚合物中各聚合单元的含量实质上可看作是聚合加料量。
本发明的聚合物在含有由以上的化合物(a)、优选(a1)衍生的单元的同时可含有1种或2种以上的由除此以外的化合物(b)衍生的聚合单元。化合物(b)只要是可与以上的(a)或(a1)形成共聚物的其它化合物即可，无特别限定。
作为化合物(b)，可例举例如具有聚合性不饱和基团的化合物。具体可例举丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯等聚烯烃系不饱和酯、具有乙烯基的化合物、具有乙烯基的硅烷化合物、苯乙烯化合物、具有环氧基的不饱和酯、具有氨基和聚合性不饱和基团的化合物、丙烯酸二酯等(甲基)丙烯酸的多酯及具有取代氨基和聚合性不饱和基团的化合物等。
化合物(b)的例1：下式表示的硅烷化合物。
Figure A20078004274100081
式中符号的含义如下所述：R2为氢原子或甲基，Q3为单键或2价连接基团，R3、R4及R5分别独立地为羟基或可水解的官能团，s为1～3的整数，t、u分别独立地为0或1的整数，但(4-s-t-u)在1以上。
作为Q3的2价连接基团，可例举与所述Q1、Q2同样的基团。作为Q3，优选单键或以-Z2-(Y2)n-(Z2为单键、-COO-或-CONH-，Y2为2价连接基团，n为0或1的整数)表示的2价连接基团。作为优选的Y2，可例举亚烷基、氨基、磺酰基或由它们的组合获得的2价连接基团，更好的是Y2为碳数1～6的直链亚烷基。
作为R3、R4及R5的可水解的官能团，可例举烷氧基、卤素原子、氨基等，特好的是烷氧基。作为烷氧基，优选碳数1～5的烷氧基，特好的是碳数1～3的烷氧基。
(4-s-t-u)较好的是在1以上。
化合物(b)的例2：下式表示的苯乙烯化合物。
Figure A20078004274100091
式中符号含义如下所述：R6为-H、-OH、-CH3、-Cl、-CHO、-COOH、-CH2OH、-CH2Cl、-CH2NH2、-CH2N(CH3)2、-CH2N(CH3)3Cl、-CH2NH3Cl、-CH2CN、-CH2COOH、-CH2N(CH2COOH)2、-CH2SH、-CH2SO3Na、-CH2OCOCH3。
化合物(b)的例3：下式表示的(甲基)丙烯酸酯。
Figure A20078004274100092
式中符号含义如下所述：R7为氢原子或甲基，R8为-H、-CH3、-CH2CH2OH、-CH2CH2N(CH3)2、-(CH2)mH(m＝2～20)、-CH2CH(CH3)2、-CH2-C(CH3)2-OCO-Ph、-(CH2CH2O)mH(m＝2～20)、-CH2Ph、-CH2CH2OPh、-CH2N(CH3)3Cl、-CH2CH2O-PO(OH)2、-[Si(CH3)2O]mH(m＝2～20)、-(CH2CH2O)mCH3(m＝2～20)、-(CH2)2-NCO、
Figure A20078004274100093
化合物(b)的例4：下式表示的化合物。
Figure A20078004274100094
式中符号含义如下所述：R9为氢原子或甲基，R10为-NHCH2OH、-NHCH2SO3H、-NHC(CH3)2CH2-CO-CH3、-CmH2m+1(m＝2～20)、-NH2。
化合物(b)的例5：下式表示的化合物。
CH2＝CHCl
CH2＝CH-CN
Figure A20078004274100101
化合物(b)的例6：下式表示的化合物。
CH2＝C(R11)-COO-(CH2)n-OCO-C(R11)＝CH2
Figure A20078004274100102
式中符号含义如下所述：R11为氢原子或甲基。
化合物(b)的例7：下式表示的化合物。
式中符号含义如下所述：R12为氢原子或甲基，Q4为单键或2价连接基团，Rf为碳数1～6的多氟烷基。
作为Q4的2价连接基团，可例举与所述Q1、Q2同样的基团。作为Q4，优选以-Z3-(Y3)n-(Z3为单键、-O-或-NH-，Y3为2价连接基团，n为0或1的整数)表示的2价连接基团。作为优选的Y3，可例举亚烷基、氨基、磺酰基或由它们的组合获得的2价连接基团，更好的是Y3为碳数1～6的直链亚烷基。
化合物(b)的例8：下式表示的(甲基)丙烯酸酯
Figure A20078004274100111
式中符号含义如下所述：R13为氢原子或甲基，R14为有机基团(但多氟烷基除外)，r为1～4的整数。
本发明的共聚物可以50质量％以下的量、优选20质量％以下的量含有由以上的化合物(b)衍生的单元，其含量也根据种类而不同。
本发明中，如果聚合物的分子量适度地大，则可以充分发挥上爬防止性能；另一方面，如果分子量过大，则在溶剂中的溶解性变差。因此聚合物的分子量以重均分子量(Mw)计通常较好是1×103～1×107，特别好是1×105～1×106。
本发明的聚合物除了含有由以上的化合物(a)、附加的化合物(b)衍生的单元以外，对于聚合形式等没有特别限定。聚合形式可以是无规、嵌段、接枝等中的任一种，没有特别限定，但通常较好是无规共聚物。
对于其制造方法也没有特别限定，本发明中通常可以基于各化合物中的不饱和基团使其加成聚合。聚合时，可以适当采用公知的不饱和化合物的加成聚合条件进行。例如，作为聚合引发源，没有特别限定，可以采用有机过氧化物、偶氮化合物、过硫酸盐等常规的引发剂。
本发明的聚合物在聚合时除所述化合物(a)及所述化合物(b)以外，在不影响本发明的效果的范围内可含有其它成分。作为其例子，聚合引发剂是当然的成分，还可例举聚合调节剂、聚合催化剂、反应性染料及抗静电剂等。
该其它成分在聚合物中的含有率较好在10质量％以下，更好在5质量％以下，进一步更好在1质量％以下。
包含上述聚合物的本发明的组合物(上爬防止剂)通常是液状形态。因此，优选的形态是通过以后述的溶剂为聚合介质的溶液聚合来制造共聚物，通过聚合直接制备液状组合物。聚合原料的化合物为氯乙烯等气体的情况下，可以使用压力容器，在加压下连续供给。
形成组合物的溶剂只要可以溶解或分散聚合物即可，没有特别限定，可以例举各种有机溶剂、水或它们的混合介质等。特别易溶于氟类溶剂，也可以使用氢氯氟碳(HCFC)和全氟化碳(PFC)等。如果考虑到社会的环境问题，较好是氢氟碳(HFC)或氢氟醚(HFE)等。以下，示例可使用的氟类溶剂的具体例子，但并不局限于这些例子。
六氟间二甲苯(以下记作m-XHF)
六氟对二甲苯(以下记作p-XHF)
CF3CH2CF2CH3
CF3CH2CF2H
C6F13OCH3
C6F13OC2H5
C3F7OCH3
C2F7OC2H5
C6F13H
CF2HCF2CH2OCF2CF2H
CF3CFHCFHCF2CH3
CF3(OCF2CF2)n(OCF2)mOCF2H
C3F17OCH3
C7F15OCH3
C4F9OCH3
C4F8OC2H5
C4F9CH2CH3
CF2CH2OCF2CF3CF2H
上述式中，m、n均表示1～20。
本发明的上爬防止剂通常以优选0.01～20质量％、更优选0.05～5质量％的浓度包含上述聚合物。如果聚合物的浓度在该范围内，则可以充分发挥上爬防止性能，组合物的稳定性也良好。还有，上爬防止剂的上述聚合物浓度为最终浓度即可，例如作为聚合组合物直接制备上爬防止剂的情况下，聚合刚结束后的聚合物组合物的聚合物浓度(固体成分浓度)即使超过20质量％也没有问题。高浓度的聚合组合物可以适当地稀释，使其最终达到上述优选的浓度。
只要是在不会对组合物的稳定性、熔剂上爬防止性能或外观等产生不良影响的范围内，本发明的上爬防止剂可以包含除前述以外的其它成分。作为这样的其它成分，可以例举例如用于防止被膜表面的腐蚀的pH调节剂、防锈剂、将组合物稀释使用时用于进行液中的聚合物的浓度管理或与未处理零部件进行区分的染料、染料的稳定剂、阻燃剂、消泡剂或者抗静电剂等。此外，同样可以同时包含例如不含化合物(a)的化合物(b)的共聚物。
本发明可提供在电子构件的表面的锡焊部位的一部分或全部形成所述的上爬防止剂的被膜，用焊锡用熔剂对该被膜的一部分或全部实施处理后进行锡焊的电子构件的锡焊方法。这时，可以将上爬防止剂根据目的和用途稀释至任意的浓度，被覆于电子构件。作为被覆方法，可以采用一般的被覆加工方法。例如，浸渍涂布、喷涂或者采用填充有本发明的组合物的气溶胶罐的涂布等方法。
作为电子构件，具体可以例举连接器、开关、电位器或半固定电阻等具有电接点的电子零部件、具有电接点的印刷基板等。作为被本发明的上爬防止剂所被覆的部位，可以例举在印刷基板上锡焊连接器等电子零部件时可能会发生熔剂的上爬的部位。更具体来说，可以例举安装于基板的连接器等电子零部件的引脚部分、印刷基板的安装电子零部件主体的一侧的基板表面或者用于安装电子零部件的设于印刷基板的通孔等。此外，可以被覆于电子零部件或印刷基板的整个表面，也可以采用除上述以外的被覆方法。例如，也可以采用被覆效率高的基于全浸渍或半浸渍的方法。
上爬防止剂涂布后，较好是在溶剂的沸点以上的温度下进行干燥。当然，在由于被处理零部件的材质等而难以加热干燥的情况下，应该不采用加热来进行干燥。还有，加热条件根据涂布的组合物的组成和涂布面积等进行选择即可。
本发明的上爬防止剂在电子零部件或印刷基板的表面形成被膜，防止焊锡用熔剂的上爬。因此，通过本发明，可提供熔剂引起的腐蚀得到防止的电子零部件或印刷基板。
接着，通过上述操作而在表面形成了被膜(干燥)的电子零部件或印刷基板通过焊锡用熔剂处理，再进行锡焊。对于锡焊的方法无特别限定，可按照现有公知的方法来实施。
对于熔剂及焊锡的种类也无特别限定，可使用电子零部件的锡焊中常用的熔剂和焊锡。
另外，该电子零部件或印刷基板可作为各种电气产品的材料使用。该电气产品是由熔剂引起的腐蚀所引发的问题得到防止的品质良好的电气产品。作为该电气产品的具体例子，可以例举计算机用设备、电视机、音响用设备(收录机、激光唱片、微型唱盘)等所用的设备、移动电话等。
实施例
以下，对本发明进行具体说明，但本发明并不受到以下的实施例的限定。还有，只要没有特别限定，以下的实施例的记载中，以“％”表示的量表示“质量％”。
[不饱和化合物的合成·调制]
[具有氨基甲酸酯键和多氟烷基的不饱和化合物1的合成]
在烧瓶中加入41.8g的六氟间二甲苯(m-XHF)、12.9g的2-(全氟己基)乙醇(纯度98.9％)、0.04g三亚乙基二胺和1mg吩噻嗪，充分搅拌。在其中滴加5.0g的2-异氰酸乙酯基丙烯酸酯(纯度99.7％)。滴加后于40℃彻夜反应(转化率97.5％)。用0.5μm的过滤器加压过滤所得的溶液，获得表1所示结构的化合物1的30质量％的m-XHF溶液。
[具有氨基甲酸酯键和多氟烷基的不饱和化合物2的合成]
在烧瓶中加入39.0g的m-XHF、11.7g的2-(全氟己基)乙醇(纯度98.9％)、0.040g三亚乙基二胺和1mg吩噻嗪，充分搅拌。在其中滴加5.0g的2-异氰酸乙酯基甲基丙烯酸酯(纯度99.4％)。于40℃彻夜反应(转化率97.5％)。用0.5μm的过滤器加压过滤所得的溶液，获得表1所示结构的化合物2的30质量％的m-XHF溶液。
[具有多氟烷基的不饱和化合物(比较化合物1)的合成]
加入200.2g的2-(全氟己基)乙醇(纯度98.9％)、45.5g的丙烯酸、80.1g的环己烷和5.2g的对甲苯磺酸·一水合物，于80℃反应8小时(脱水蒸除)。然后，进行中和和水洗，再进行蒸馏，获得表1所示结构的比较化合物1(纯度99.4％)。
[具有多氟烷基的不饱和化合物(比较化合物2)的调制]
从市场获得表1所示结构的比较化合物2(比较化合物1的丙烯酸改为甲基丙烯酸的化合物)。纯度为99.8％。
[表1]
  名称   结构
  化合物1   CH2＝CH-COO-(CH2)2-NHCOO-(CH2)2-C6F13
  化合物2   CH2＝C(CH3)-COO-(CH2)2-NHCOO-(CH2)2-C6F13
 比较化合物1   CH2＝CH-COO-(CH2)2-C6F13
[聚合物的组合物的调制]
[聚合物的组合物1、2的调制]
在密闭容器中分别装入100质量份的化合物1或2、1质量份的引发剂V-601[和光纯药工业株式会社制]及399质量份作为溶剂的m-XHF，于70℃反应26小时，获得含有聚合物1或2的聚合物的组合物1或2。
[比较聚合物的组合物1、2的调制]
在密闭容器中分别装入100质量份的比较化合物1或2、1质量份的引发剂V-601[和光纯药工业株式会社制]及399质量份作为溶剂的m-XHF，于70℃反应26小时，获得含有比较聚合物1或2的比较聚合物的组合物1或2。
[表2]
 聚合组合物1  聚合组合物2   比较聚合组合物3   比较聚合组合物4
  化合物1   100
  化合物2   100
 比较化合物1   100
 比较化合物2   100
  V-601   1   1   1   1
  m-XHF   399   399   399   399
[实施例1～2、比较例1～2]
[防止组合物的调制]
分别取1g聚合物的组合物1和2以及比较聚合物的组合物1和2，于110℃干燥2小时后，称量固体成分，求出固体成分(聚合物)浓度(质量％)。然后，用m-XHF进行稀释使聚合物的组合物1和2以及比较聚合物的组合物1和2的固体成分浓度都达到0.1质量％，获得熔剂上爬防止组合物1和2及比较防止组合物1和2。
[接触角的测定]
常温下将玻璃板在防止剂组合物1和2及比较防止剂组合物1和2中分别浸渍1分钟后取出，于110℃干燥5分钟，获得具有上爬防止剂的被膜的玻璃板。
在该玻璃板上滴加2-丙醇(IPA)进行接触角的测定。结果示于表3。接触角的测定使用液滴式投影型接触角计[协和界面科学株式会社(協和界面科学社)制]。
[表3]
 实施例1  实施例2  比较例1  比较例2
  IPA的接触角   64度   60度   38度   44度
如上所述，本发明的组合物的IPA的接触角大，具有高斥IPA性。藉此可认为该组合物具有作为熔剂上爬防止剂的高性能。

Claims (7)

1.焊锡用熔剂上爬防止组合物，其特征在于，包含含有由下式(a)表示的不饱和化合物的至少1种衍生的聚合单元的聚合物，
Figure A2007800427410002C1
式中符号含义如下所述：R1为氢原子或甲基，Q1、Q2分别独立地为单键或2价连接基团，Rf为可含有插入碳-碳原子间的醚性氧原子的碳数1～6的多氟烷基。
2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述式(a)表示的化合物中，Q1为单键或-Z-(Y)n-表示的2价连接基团，其中，Z为单键、-O-或-NH-，Y为碳数1～6的直链亚烷基、氨基、磺酰基或它们的组合，n为0或1的整数，Q2为单键或碳数1～6的直链亚烷基。
3.如权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，所述式(a)表示的化合物为下式(a1)表示的不饱和化合物，
Figure A2007800427410002C2
式中符号含义如下所述：R1、Rf如前所述，p、q分别独立地为0～6的整数。
4.如权利要求1～3中任一项所述的组合物，其特征在于，聚合物中的由所述式(a)或式(a1)表示的化合物衍生的聚合单元的比例为50质量％以上。
5.具备焊锡用熔剂上爬防止性能的电子构件，其特征在于，在电子构件的锡焊部位具有由权利要求1～4中任一项所述的组合物形成的被膜。
6.电子构件的锡焊方法，其特征在于，在电子构件的锡焊部位形成由权利要求1～4中任一项所述的组合物构成的被膜，在该被膜上涂布焊锡用熔剂后进行锡焊。
7.电气产品，其特征在于，包含用权利要求6所述的方法实施了锡焊的电子构件。
CNA2007800427414A 2006-11-17 2007-09-13 焊锡用熔剂上爬防止组合物、被覆了该组合物的锡焊用电子构件、该构件的锡焊方法及电气产品 Pending CN101541471A (zh)

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