CN101535416A - 基于薄片状基底的无机发光体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种无机发光体，其基于天然和/或合成的薄片状基底(例如云母、刚玉、二氧化硅、玻璃、ZrO2或TiO2)和至少一种无机发光材料。本发明还涉及该无机发光体的制造，并涉及其作为用于白色LED或所谓按需选色用途的LED转换无机发光材料的用途。

Description

基于薄片状基底的无机发光体
本发明涉及一种无机发光元件，其由天然和/或合成的高度稳定的薄片状基底(例如云母(硅铝酸盐)、刚玉(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、玻璃、ZrO2或TiO2)和至少一种无机发光材料构成，本发明还涉及无机发光元件的制造，并涉及其作为用于白色LED或所谓按需选色用途的LED转换无机发光材料的用途。
白色LED代表人工发光的未来技术。根据光和能量专业人员的一般看法，所谓的无机发光材料转换pcLED或荧光转换lucoLED将从2010年起明显替代白炽灯泡和卤素灯泡。从2015年起，荧光管将被替代。
但是，只有在pcLED技术到2010年获得重要进步的情况下才能实现这种公认的进程：如今，白色1W功率的pcLED具有15％的插座效率，即，15％的来自插座的电能被转换成可见光，其余作为热流失。与白炽灯泡(其原理在100多年前由爱迪生发现且至今未变)相比，这代表明显的改进：仅5％的进入白炽灯泡的能量被转换成可见光，其余作为热流失并使周围环境变热。目前，市售白色1W功率的pcLED的发光效率相当于大约45lm/W(流明/瓦特)，而白炽灯泡的发光效率低于20lm/W。pcLED的损耗因子主要在于在白色pcLED中用于发射白光所需的和在按需选色LED用途中用于产生特定色点所需的无机发光材料，以及在于LED的半导体芯片本身和LED的结构(封装)。
按需选色概念是指由使用一种或多种无机发光材料的pcLED产生具有特定色点的光。该概念例如用于创造某些企业设计，例如用于被照明的公司标记、商标等。
目前用于含有蓝光发射芯片作为初级发射体的白色pcLED的无机发光材料主要是YAG:Ce3+或其衍生物，或原硅酸盐:Eu2+。
无机发光材料是如下所述通过固态扩散法(“混合和烧制”)制备的：将粉末状的氧化原材料混合，研磨该混合物，然后在炉中在任选为还原性的气氛中在最高达1700℃的温度下煅烧该混合物最多达数天。这产生了在形态、粒度分布和发光活化剂离子的分布方面在整个基质中不均匀的无机发光材料。此外，通过传统方法制成的这些无机发光材料的形态、粒度分布和其它性质只能很差地调节，且难以再现。这些粒子因此具有许多缺点，特别例如，具有非最佳和不均匀形态和粒度分布的这些无机发光材料对LED芯片的不均匀涂覆，这造成由散射引起的高损耗过程。由于LED芯片的无机发光材料涂层不仅不均匀而且还不能在LED之间再现的事实，在这些LED的生产中发生了进一步损耗。这造成甚至一批内的pcLED发出的光的色点也会变化。这使LED的复杂分拣法(所谓的装箱)成为必要。无机发光材料粒子通过复杂方法施用到LED上。为此，将无机发光材料粒子分散在粘合剂(通常是硅氧烷或环氧化物)中，并将一滴或更多滴分散体施用到芯片上。在粘合剂硬化时，由于不同形态和尺寸，在无机发光材料粒子中出现不均匀沉降行为，从而在LED内和在不同LED之间产生不均匀涂层。因此，必须进行复杂的分拣法(所谓的装箱)，其中根据它们是否符合光学目标参数分拣LED，例如光锥内的光学参数分布，例如在色温、色度(CIE色度图内的x、y值)和光学性能(特别是以流明表示的光通量和发光效率(lm/W))的分布方面。这种分拣造成每机械日的LED时间收率的降低，因为通常远大于30％的LED被淘汰。这种情况造成高的单价，特别是功率LED(即具有高于0.5W的功率要求的LED)的高单价，这可以为每个几美元，即使购买量多于10,000个时。
因此，本发明的目的是提供没有一个或多个上述缺点的无机发光材料，优选用于白色LED或用于按需选色用途的转换无机发光材料。该无机发光材料或无机发光元件在此应该是薄片状，并具有最多达20微米的直径。
出人意料地，由于也可通过湿化学法以薄片形式制备无机发光材料，因此可以实现上述目的。这些无机发光材料薄片可以如下制造：在水分散液或悬浮液中，通过沉淀反应，用无机发光材料层涂覆天然的或以合成方式制备的高度稳定的载体或基底，所述载体或基底包含例如云母、SiO2、Al2O3、ZrO2、玻璃或TiO2薄片，具有非常大的长厚比、原子级平滑表面和可调的厚度。除了云母、ZrO2、SiO2、Al2O3、玻璃或TiO2或它们的混合物之外，所述薄片也可以由无机发光材料本身构成或由材料组成。如果薄片本身仅充当无机发光材料涂层的载体，则后者必须由对LED发出的初级辐射透明的、或吸收初级辐射并将这种能量传递给无机发光材料层的材料构成。
本发明的制造这些无机发光材料的方法和这些无机发光材料在LED中的使用降低了白色LED和/或用于按需选色用途的LED的生产成本，因为消除了无机发光材料引发的不均匀性和各批次之间LED光性质的低的可再现性，并简化和加速了无机发光材料施用到LED芯片上的过程。此外，借助本发明的方法，可以提高白色LED和/或按需选色用途的光输出。总之，LED灯的成本变低，因为：
·每个LED的成本变低(消费者的投资费用)
·从LED中获得了更多的光(更有利的流明/EUR比率)
·总之，总拥有成本变得更有利，其中总拥有成本把灯成本描述为投资费用、维护费用以及操作和更换费用的函数。
因此，本发明涉及一种无机发光元件，其由被无机发光材料涂覆的包含云母、玻璃、ZrO2、TiO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的基底构成。
还优选的是可如下获得的无机发光元件：通过湿化学法将至少两种原材料与至少一种掺杂剂混合以产生无机发光材料前体悬浮液，并添加到包含云母、玻璃、TiO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的基底的水悬浮液中，然后将无机发光材料涂覆的基底热处理。在此特别优选使用SiO2或Al2O3作为基底。
如果使用表面积小于芯片的薄片状无机发光材料，不仅不必将该薄片状无机发光材料分散在合适的树脂(例如硅氧烷或环氧化物)中，还由于该薄片状无机发光材料的大的长厚比，其在树脂中呈现与芯片表面平行的定位。薄片状无机发光材料在树脂中的排列因此是均匀的。该薄片状无机发光材料的使用意味着LED光锥变得更均匀(色点和亮度)，并提高了不同LED之间的可再现性，从而减少或甚至消除了分拣。
将该薄片状无机发光材料分散在树脂(优选硅氧烷或环氧化物)中，并将该分散液施用到LED芯片上。该薄片状无机发光材料的大的长厚比意味着其本身均匀地与芯片表面平行地定位。这使得该无机发光材料层比由分散在树脂中的不规则粉状无机发光材料构成的无机发光材料层更均匀和一致。可以将其它粒子与作为散射中心的本发明的无机发光材料粒子混合。
此外，这种无机发光材料层的散射性质比不规则无机发光材料更有利，因为与分散在树脂中的不均匀粉末表面相比，该薄片表面较少将LED芯片发出的光散射回去。因此较多的光可以被无机发光材料吸收和转换。因此提高了白色LED的光效率。
但是，本发明的无机发光元件也可以直接安装在最终蓝光或紫外光LED的顶部，或与芯片分离(所谓的“远距无机发光材料技术”)。因此可以通过简单更换无机发光材料薄片来影响光温度和光色调。这可以最简单地通过更换在化学上相同的、具有不同厚度的薄片形无机发光物质来进行。
特别地，被选择用于本发明无机发光元件的材料可以是下述化合物，其中，在下述标记中，主晶格显示在冒号左边，一种或多种掺杂元素显示在冒号右边。如果化学元素被逗号彼此分开并在括号内，则它们的使用是非必要的。根据无机发光元件的所需发光性质，可以使用一种或多种供选择的化合物：
BaAl2O4:Eu2+，BaAl2S4:Eu2+，BaB8O1-3:Eu2+，BaF2，BaFBr:Eu2+，BaFCl:Eu2+，
BaFCl:Eu2+，Pb2+，BaGa2S4:Ce3+，BaGa2S4:Eu2+，Ba2Li2Si2O7:Eu2+，
Ba2Li2Si2O7:Sn2+，Ba2Li2Si2O7:Sn2+，Mn2+，BaMgAl，0O17:Ce3+，
BaMgAl10O17:Eu2+，BaMgAl10O17:Eu2+，Mn2+，Ba2Mg3F10:Eu2+，
BaMg3F8:Eu2+，Mn2+，Ba2MgSi2O7:Eu2+，BaMg2Si2O7:Eu2+，
Ba5(PO4)3Cl:Eu2+，Ba5(PO4)3Cl:U，Ba3(PO4)2:Eu2+，BaS:Au，K，BaSO4:Ce3+，
BaSO4:Eu2+，Ba2SiO4:Ce3+，Li+，Mn2+，Ba5SiO4Cl6:Eu2+，BaSi2O5:Eu2+，
Ba2SiO4:Eu2+，BaSi2O5:Pb2+，BaxSri1-xF2:Eu2+，BaSrMgSi2O7:Eu2+，
BaTiP2O7，(Ba，Ti)2P2O7:Ti，Ba3WO6:U，BaY2F8Er3+，Yb+，Be2SiO4:Mn2+，
Bi4Ge3O12，CaAl2O4:Ce3+，CaLa4O7:Ce3+，CaAl2O4:Eu2+，CaAl2O4:Mn2+，
CaAl4O7:Pb2+，Mn2+，CaAl2O4:Tb3+，Ca3Al2Si3O12:Ce3+，
Ca3Al2Si3Oi2:Ce3+，Ca3Al2Si3O，2:Eu2+，Ca2B5O9Br:Eu2+，
Ca2B5O9Cl:Eu2+，Ca2B5O9Cl:Pb2+，CaB2O4:Mn2+，Ca2B2O5:Mn2+，
CaB2O4:Pb2+，CaB2P2O9:Eu2+，Ca5B2SiO10:Eu3+，
Ca0.5Ba0.5Al12O19:Ce3+，Mn2+，Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+，CaBr2:Eu2+in SiO2，
CaCl2:Eu2+in SiO2，CaCl2:Eu2+，Mn2+in SiO2，CaF2:Ce3+，
CaF2:Ce3+，Mn2+，CaF2:Ce3+，Tb3+，CaF2:Eu2+，CaF2:Mn2+，CaF2:U，
CaGa2O4:Mn2+，CaGa4O7:Mn2+，CaGa2S4:Ce3+，CaGa2S4:Eu2+，
CaGa2S4:Mn2+，CaGa2S4:Pb2+，CaGeO3:Mn2+，Cal2:Eu2+in SiO2，
Cal2:Eu2+，Mn2+in SiO2，CaLaBO4:Eu3+，CaLaB3O7:Ce3+，Mn2+，
Ca2La2BO6.5:Pb2+，Ca2MgSi2O7，Ca2MgSi2O7:Ce3+，CaMgSi2O6:Eu2+，
Ca3MgSi2O8:Eu2+，Ca2MgSi2O7:Eu2+，CaMgSi2O6:Eu2+，Mn2+，
Ca2MgSi2O7:Eu2+，Mn2+，CaMoO4，CaMoO4:Eu3+，CaO:Bi3+，CaO:Cd2+，
CaO:Cu+，CaO:Eu3+，CaO:Eu3+，Na+，CaO:Mn2+，CaO:Pb2+，CaO:Sb3+，
CaO:Sm3+，CaO:Tb3+，CaO:Tl，CaO.Zn2+，Ca2P2O7:Ce3+，α-Ca3(PO4)2:Ce3+，
β-Ca3(PO4)2:Ce3+，Ca5(PO4)3Cl:Eu2+，Ca5(PO4)3Cl:Mn2+，Ca5(PO4)3Cl:Sb3+，
Ca5(PO4)3Cl:Sn2+，β-Ca3(PO4)2:Eu2+，Mn2+，Ca5(PO4)3F:Mn2+，
Cas(PO4)3F:Sb3+，Cas(PO4)3F:Sn2+，α-Ca3(PO4)2:Eu2+，β-Ca3(PO4)2:Eu2+，
Ca2P2O7:Eu2+，Ca2P2O7:Eu2+，Mn2+，CaP2O6:Mn2+，α-Ca3(PO4)2:Pb2+，α-
Ca3(PO4)2:Sn2+，β-Ca3(PO4)2:Sn2+，β-Ca2P2O7:Sn，Mn，α-Ca3(PO4)2:Tr，
CaS:Bi3+，CaS:Bi3+，Na，CaS:Ce3+，CaS:Eu2+，CaS:Cu+，Na+，CaS:La3+，
CaS:Mn2+，CaSO4:Bi，CaSO4:Ce3+，CaSO4:Ce3+，Mn2+，CaSO4:Eu2+，
CaSO4:Eu2+，Mn2+，CaSO4:Pb2+，CaS:Pb2+，CaS:Pb2+，Cl，CaS:Pb2+，Mn2+，
CaS:Pr3+，Pb2+，Cl，CaS:Sb3+，CaS:Sb3+，Na，CaS:Sm3+，CaS:Sn2+，
CaS:Sn2+，F，CaS:Tb3+，CaS:Tb3+，Cl，CaS:Y3+，CaS:Yb2+，CaS:Yb2+，Cl，
CaSiO3:Ce3+，Ca3SiO4Cl2:Eu2+，Ca3SiO4Cl2:Pb2+，CaSiO3:Eu2+，
CaSiO3:Mn2+，Pb，CaSiO3:Pb2+，CaSiO3:Pb2+，Mn2+，CaSiO3:Ti4+，
CaSr2(PO4)2:Bi3+，β-(Ca，Sr)3(PO4)2:Sn2+Mn2+，CaTi0.9Al0.1O3:Bi3+，
CaTiO3:Eu3+，CaTiO3:Pr3+，Ca5(VO4)3Cl，CaWO4，CaWO4:Pb2+，CaWO4:W，
Ca3WO6:U，CaYAlO4:Eu3+，CaYBO4:Bi3+，CaYBO4:Eu3+，CaYB0.8O3.7:Eu3+，
CaY2ZrO6:Eu3+，(Ca，Zn，Mg)3(PO4)2:Sn，CeF3，(Ce，Mg)BaAl11O18:Ce，
(Ce，Mg)SrAl11O18:Ce，CeMgAl11O19:Ce:Tb，Cd2B6O11:Mn2+，CdS:Ag+，Cr，
CdS:In，CdS:In，CdS:In，Te，CdS:Te，CdWO4，CsF，Csl，Csl:Na+，Csl:Tl，
(ErCl3)0.25(BaCl2)0.75，GaN:Zn，Gd3Ga5O12:Cr3+，Gd3Ga5O12:Cr，Ce，
GdNbO4:Bi3+，Gd2O2S:Eu3+，Gd2O2Pr3＊，Gd2O2S:Pr，Ce，F，Gd2O2S:Tb3+，
Gd2SiO5:Ce3+，KAl11O17:Tl+，KGa11O17:Mn2+，K2La2Ti3O10:Eu，KMgF3:Eu2+，
KMgF3:Mn2+，K2SiF6:Mn4+，LaAl3B4O12:Eu3+，LaAlB2O6:Eu3+，LaAlO3:Eu3+，
LaAlO3:Sm3+，LaAsO4:Eu3+，LaBr3:Ce3+，LaBO3:Eu3+，(La，Ce，Tb)PO4:Ce:Tb，
LaCl3:Ce3+，La2O3:Bi3+，LaOBr:Tb3+，LaOBr:Tm3+，LaOCl:Bi3+，LaOCl:Eu3+，
LaOF:Eu3+，La2O3:Eu3+，La2O3:Pr3+，La2O2S:Tb3+，LaPO4:Ce3+，LaPO4:Eu3+，
LaSiO3Cl:Ce3+，LaSiO3Cl:Ce3+，Tb3+，LaVO4:Eu3+，La2W3O12:Eu3+，
LiAlF4:Mn2+，LiAl5O8:Fe3+，LiAlO2:Fe3+，LiAlO2:Mn2+，LiAl5O8:Mn2+，
Li2CaP2O7:Ce3+，Mn2+，LiCeBa4Si4O14:Mn2+，LiCeSrBa3Si4O14:Mn2+，
LilnO2:Eu3+，LilnO2:Sm3+，LiLaO2:Eu3+，LuAlO3:Ce3+，(Lu，Gd)2SiO5:Ce3+，
Lu2SiO5:Ce3+，Lu2Si2O7:Ce3+，LuTaO4:Nb5+，Lu1-xYxAlO3:Ce3+，
MgAl2O4:Mn2+，MgSrAl10O17:Ce，MgB2O4:Mn2+，MgBa2(PO4)2:Sn2+，
MgBa2(PO4)2:U，MgBaP2O7:Eu2+，MgBaP2O7:Eu2+，Mn2+，MgBa3Si2O8:Eu2+，
MgBa(SO4)2:Eu2+，Mg3Ca3(PO4)4:Eu2+，MgCaP2O7:Mn2+，
Mg2Ca(SO4)3:Eu2+，Mg2Ca(SO4)3:Eu2+，Mn2，MgCeAlnO19:Tb3+，
Mg4(F)GeO6:Mn2+，Mg4(F)(Ge，Sn)O6:Mn2+，MgF2:Mn2+，MgGa2O4:Mn2+，
Mg8Ge2O11F2:Mn4+，MgS:Eu2+，MgSiO3:Mn2+，Mg2SiO4:Mn2+，
Mg3SiO3F4:Ti4+，MgSO4:Eu2+，MgSO4:Pb2+，MgSrBa2Si2O7:Eu2+，
MgSrP2O7:Eu2+，MgSr5(PO4)4:Sn2+，MgSr3Si2O8:Eu2+，Mn2+，
Mg2Sr(SO4)3:Eu2+，Mg2TiO4:Mn4+，MgWO4，MgYBO4:Eu3+，
Na3Ce(PO4)2:Tb3+，Nal:Tl，Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11:Eu3+，
Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13·xH2O:Eu3+，Na1.29K0.46Er0.08TiSi4O11:Eu3+，
Na2Mg3Al2Si2O10:Tb，Na(Mg2-xMnx)LiSi4O10F2:Mn，NaYF4:Er3+，Yb3+，
NaYO2:Eu3+，P46(70％)+P47(30％)，SrAl12O19:Ce3+，Mn2+，SrAl2O4:Eu2+，
SrAl4O7:Eu3+，SrAl12O19:Eu2+，SrAl2S4:Eu2+，Sr2B5O9Cl:Eu2+，
SrB4O7:Eu2+(F，Cl，Br)，SrB4O7:Pb2+，SrB4O7:Pb2+，Mn2+，SrB8O13:Sm2+，
SrxBayClzAl2O4-z/2:Mn2+，Ce3+，SrBaSiO4:Eu2+，Sr(Cl，Br，l)2:Eu2+in SiO2，
SrCl2:Eu2+in SiO2，Sr5Cl(PO4)3:Eu，SrwFxB4O6.5:Eu2+，SrwFxByOz:Eu2+，Sm2+，
SrF2:Eu2+，SrGa12O19:Mn2+，SrGa2S4:Ce3+，SrGa2S4:Eu2+，SrGa2S4:Pb2+，
Srln2O4:Pr3+，Al3+，(Sr，Mg)3(PO4)2:Sn，SrMgSi2O6:Eu2+，Sr2MgSi2O7:Eu2+，
Sr3MgSi2O8:Eu2+，SrMoO4:U，SrO·3B2O3:Eu2+，Cl，β-SrO·3B2O3:Pb2+，β-
SrO·3B2O3:Pb2+，Mn2+，α-SrO·3B2O3:Sm2+，Sr6P5BO20:Eu，
Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，Pr3+，Sr5(PO4)3Cl:Mn2+，
Sr5(PO4)3Cl:Sb3+，Sr2P2O7:Eu2+，β-Sr3(PO4)2:Eu2+，Sr5(PO4)3F:Mn2+，
Sr5(PO4)3F:Sb3+，Sr5(PO4)3F:Sb3+，Mn2+，Sr5(PO4)3F:Sn2+，Sr2P2O7:Sn2+，β-
Sr3(PO4)2:Sn2+，β-Sr3(PO4)2:Sn2+，Mn2+(Al)，SrS:Ce3+，SrS:Eu2+，SrS:Mn2+，
SrS:Cu+，Na，SrSO4:Bi，SrSO4:Ce3+，SrSO4:Eu2+，SrSO4:Eu2+，Mn2+，
Sr5Si4O10Cl6:Eu2+，Sr2SiO4:Eu2+，SrTiO3:Pr3+，SrTiO3:Pr3+，Al3+，Sr3WO6:U，
SrY2O3:Eu3+，ThO2:Eu3+，ThO2:Pr3+，ThO2:Tb3+，YAl3B4O12:Bi3+，
YAl3B4O12:Ce3+，YAl3B4O12:Ce3+，Mn，YAl3B4O12:Ce3+，Tb3+，YAl3B4O12:Eu3+，
YAl3B4O12:Eu3+，Cr3+，YAl3B4O12:Th4+，Ce3+，Mn2+，YAlO3:Ce3+，Y3Al5O12:Ce3+，
(Y，Gd，Lu，Tb)3(Al，Ga)5O12:(Ce，Pr，Sm)，Y3Al5O12:Cr3+，YAlO3:Eu3+，
Y3Al5O12:Eu3r，Y4Al2O9:Eu3+，Y3Al5O12:Mn4+，YAlO3:Sm3+，YAlO3:Tb3+，
Y3Al5O12:Tb3+，YAsO4:Eu3+，YBO3:Ce3+，YBO3:Eu3+，YF3:Er3+，Yb3+，
YF3:Mn2+，YF3:Mn2+，Th4+，YF3:Tm3+，Yb3+，(Y，Gd)BO3:Eu，(Y，Gd)BO3:Tb，
(Y，Gd)2O3:Eu3+，Y1.34Gd0.60O3(Eu，Pr)，Y2O3:Bi3+，YOBr:Eu3+，Y2O3:Ce，
Y2O3:Er3+，Y2O3:Eu3+(YOE)，Y2O3:Ce3+，Tb3+，YOCl:Ce3+，YOCl:Eu3+，
YOF:Eu3+，YOF:Tb3+，Y2O3:Ho3+，Y2O2S:Eu3+，Y2O2S:Pr3+，Y2O2S:Tb3+，
Y2O3:Tb3+，YPO4:Ce3+，YPO4:Ce3+，Tb3+，YPO4:Eu3+，YPO4:Mn2+，Th4+，
YPO4:V5+，Y(P，V)O4:Eu，Y2SiO5:Ce3+，YTaO4，YTaO4:Nb5+，YVO4:Dy3+，
YVO4:Eu3+，ZnAl2O4:Mn2+，ZnB2O4:Mn2+，ZnBa2S3:Mn2+，(Zn，Be)2SiO4:Mn2+，
Zn0.4Cd0.6S:Ag，Zn0.6Cd0.4S:Ag，(Zn，Cd)S:Ag，Cl，(Zn，Cd)S:Cu，ZnF2:Mn2+，
ZnGa2O4，ZnGa2O4:Mn2+，ZnGa2S4:Mn2+，Zn2GeO4:Mn2+，(Zn，Mg)F2:Mn2+，
ZnMg2(PO4)2:Mn2+，(Zn，Mg)3(PO4)2:Mn2+，ZnO:Al3+，Ga3+，ZnO:Bi3+，
ZnO:Ga3+，ZnO:Ga，ZnO-CdO:Ga，ZnO:S，ZnO:Se，ZnO:Zn，ZnS:Ag+，Cl-，
ZnS:Ag，Cu，Cl，ZnS:Ag，Ni，ZnS:Au，In，ZnS-CdS(25-75)，ZnS-CdS(50-50)，
ZnS-CdS(75-25)，ZnS-CdS:Ag，Br，Ni，ZnS-CdS:Ag+，Cl，ZnS-CdS:Cu，Br，
ZnS-CdS:Cu，l，ZnS:Cl-，ZnS:Eu2+，ZnS:Cu，ZnS:Cu+，Al3+，ZnS:Cu+，Cl-，
ZnS:Cu，Sn，ZnS:Eu2+，ZnS:Mn2+，ZnS:Mn，Cu，ZnS:Mn2+，Te2+，ZnS:P，
ZnS:P3-，Cl-，ZnS:Pb2+，ZnS:Pb2+，Cl-，ZnS:Pb，Cu，Zn3(PO4)2:Mn2+，
Zn2SiO4:Mn2+，Zn2SiO4:Mn2+As5+，Zn2SiO4:Mn，Sb2O2，Zn2SiO4:Mn2+，P，
Zn2SiO4:Ti4+，ZnS:Sn2+，ZnS:Sn，Ag，ZnS:Sn2+，Li+，ZnS:Te，Mn，ZnS-
ZnTe:Mn2+，ZnSe:Cu+，Cl，ZnWO4
该无机发光元件优选由至少一种下列无机发光材料构成：
(Y，Gd，Lu，Sc，Sm，Tb)3(Al，Ga)5O12:Ce(含或不含Pr)、(Ca，Sr，Ba)2SiO4:Eu、YSiO2N:Ce、Y2Si3O3N4:Ce、Gd2Si3O3N4:Ce、(Y，Gd，Tb，Lu)3Al5-xSixO12-xNx:Ce、BaMgAl10O17:Eu、SrAl2O4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、(Ca，Sr，Ba)Si2N2O2:Eu、SrSiAl2O3N2:Eu、(Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu、锌/碱土金属原硅酸盐、铜/碱土金属原硅酸盐、铁/碱土金属原硅酸盐、钼酸盐、钨酸盐、钒酸盐、第III族氮化物、氧化物，在每种情况下它们是独立地，或是它们与一种或多种活化剂离子(例如Ce、Eu、Mn、Cr和/或Bi)的混合物。
该无机发光元件可以在大工业规模下制造成厚度通常为80纳米至大约20微米、优选100纳米至15微米的薄片。在直接施用到芯片上的情形，薄片在其它两个维度(长×宽)上的尺寸为100微米×100微米至8毫米×8毫米，优选120微米×120微米至3毫米×3毫米。
如果该无机发光材料薄片安装在最终LED顶部，和/或与LED芯片分离(这可以包括远距无机发光材料布置)，发出的光锥将完全被该薄片吸收。
此外，本发明的薄片状无机发光材料可以以分散在树脂中的直径最多达20微米的小薄片形式施用到芯片上，或以模制品(透镜)形式施用到LED上。
该薄片状无机发光元件通常具有2∶1至400∶1、特别是1.5∶1至100∶1的长厚比(直径与粒子厚度的比率)。
该无机发光元件中所用的基底优选由SiO2和/或Al2O3构成。
本发明无机发光元件的侧面可以被轻金属或贵金属、优选铝或银金属化。该金属化的作用在于，光不会由于波导从本发明无机发光元件中侧向射出。侧向射出的光会减少从LED中耦合输出的光通量。无机发光元件的金属化可以在无机发光元件制成后的工艺步骤中进行。为此，将侧面例如用硝酸银和葡萄糖的溶液润湿，然后在升高的温度下暴露在氨气氛下。在该操作过程中，在侧面上形成例如银涂层。
或者，无电金属化法是合适的，参见例如Hollemann-Wiberg，Lehrbuch der Anorganischen Chemie[无机化学教材]，Walter de GruyterVerlag或Ullmanns  der chemischen Technologie[Ullmann化学技术百科全书]。
此外，本发明无机发光元件面向LED芯片的表面可以带有对LED芯片发出的初级辐射具有抗反射作用的涂层。这也减少了初级辐射的反向散射，从而使后者更强耦合到本发明的无机发光元件中。适于此用途的是例如折光指数合适的涂层，其必须具有下述厚度d:d＝[来自LED芯片的初级辐射的波长/(4×无机发光陶瓷材料的折光指数)]，参见例如Gerthsen，Physik[物理]，Springer Verlag，第18版，1995。该涂层也可以由光子晶体构成，其还包括薄片状无机发光元件表面的结构化，以实现某些功能。
在进一步优选的实施方案中，该薄片状无机发光元件在背向LED芯片的侧面上具有结构化(例如，锥体形)的表面(参见图4)。这使得最大可能量的光可从无机发光元件中耦合出来。否则，以特定角度(临界角)击中薄片状无机发光元件/环境界面的光发生全反射，导致光在无机发光元件内的不合意传导。
无机发光元件上的结构化表面可通过下述方法制造：之后用已经结构化的合适材料涂覆，或在后续步骤中通过(光)平版印刷法、蚀刻法，或通过利用能量或材料束或机械力作用的写入法。
另一可能是使用上述方法将本发明的无机发光材料本身的表面结构化。
在进一步优选的实施方案中，本发明的无机发光元件在背向LED芯片的侧面上具有粗糙表面(参见图4)，其带有包含SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO2、ZrO2和/或Y2O3或这些材料的组合的纳米粒子，或包含无机发光材料复合物的粒子。粗糙表面在此具有最多数百纳米的粗糙度。该涂覆表面具有可减少或防止全反射、并且可以更好地从本发明无机发光元件中耦合输出光的优点。
在进一步优选的实施方案中，本发明的无机发光元件在背向芯片的表面上具有折光指数合适的层，其简化了初级辐射或该无机发光元件发出的辐射的耦合输出。
在进一步优选的实施方案中，该无机发光元件在面向LED芯片的侧面上具有符合DIN EN ISO 4287(粗糙度状况试验；抛光表面具有N3-N1的粗糙度等级)的抛光表面。这具有减小表面积以致较少的光被散射回去的优点。
此外，该抛光表面还可以带有对初级辐射透明但反射次级辐射的涂层。这样，次级辐射只能向上发射。该无机发光元件面向LED芯片的侧面还优选具有对LED发出的辐射具有抗反射性质的表面。
用于制造无机发光元件的原材料由基础材料(例如钇、铝、钆等的盐溶液)和至少一种掺杂剂(例如铈)构成。合适的原材料是溶解和/或悬浮在无机和/或有机液体中的无机和/或有机物质，例如金属、半金属、过渡金属和/或稀土的硝酸盐、卤化物、碳酸盐、碳酸氢盐、磷酸盐、羧酸盐、醇化物、乙酸盐、草酸盐、卤化物、硫酸盐、有机金属化合物、氢氧化物和/或氧化物。优选使用以必要的化学计量比含有相应元素的混合硝酸盐溶液、氯化物或氢氧化物溶液。
本发明还涉及具有下列工艺步骤的制造无机发光材料前体的方法：
a)通过将至少两种原材料与至少一种掺杂剂混合，通过湿化学法制备无机发光材料前体悬浮液，
b)制备包含云母、玻璃、TiO2、ZrO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的水悬浮液的基底，
c)将步骤a和b中制成的悬浮液合并，
d)然后将无机发光材料涂覆的基底热处理，以产生无机发光元件。
湿化学制备的优点通常在于：所得材料在用于制造本发明无机发光元件的粒子的化学计量组成、粒度和形态方面具有较高的均匀性。该无机发光材料的湿化学制备优选通过沉淀和/或溶胶-凝胶法进行。
用于本发明的薄片状基底是云母、TiO2、玻璃、SiO2(二氧化硅)或Al2O3(刚玉)薄片。该合成薄片由相应的碱金属盐(例如对于二氧化硅，由钾或钠水玻璃溶液制造)通过经由带式法的常规方法制造。该制造方法详细描述在EP 763573、EP 608388和DE 19618564中。
然后先将该薄片(图2)以具有指定固含量的水悬浮液形式引入，然后通过本领域技术人员已知的方法用无机发光材料前体涂覆。为此，使前体的所需组分的盐沉淀在基底薄片表面上。在精确指定的条件(例如pH值、温度和添加剂的存在)下，预形成的无机发光材料前体在悬浮液中沉淀出来，且形成的粒子以层形式沉积在基底上。在若干提纯步骤后，将无机发光材料涂覆的基底在600至1800℃、优选800至1700℃的温度煅烧若干小时。在此操作过程中，无机发光材料前体(优选无机发光材料氢氧化物形式)转化成实际的薄片状无机发光元件(优选氧化物形式)(参见图1)。
煅烧优选至少部分地在还原条件(例如使用一氧化碳、合成气体、纯氢气或至少真空或缺氧气氛)下进行。
这优选为在上述温度范围内的一步或多步后续热处理。这种后续热处理特别优选由两步法构成，其中第一步骤是在温度T1下的冲击加热，第二步骤是在温度T2下的调节过程。冲击加热可以例如通过将要加热的样品引入已加热至T1的炉中引发。T1在此为700至1800℃，优选900至1600℃，且对于T2，适用1000至1800℃，优选1200至1700℃的值。第一冲击加热步骤运行1至2小时。然后可将该材料冷却至室温，并细磨。T2下的调节过程进行例如2至8小时。
这种两步后续热处理的优点在于，部分结晶或无定形的、细碎的、表面反应性无机发光材料在第一步骤中在温度T1下发生部分烧结，并在之后的热步骤中在T2下，多个薄片状粒子之间的聚集体形成基本被防止，但发生了完全的结晶和/或相变，或晶体缺陷被热愈合。
本发明还涉及一种照明装置，其具有至少一个发射最大值在240纳米至510纳米范围内的初级光源，其中初级辐射被本发明的无机发光元件部分或完全转换成较长波长的辐射。该照明装置优选发白光或发射具有特定色点的光(按需选色原理)。
在本发明的照明装置的一个优选实施方案中，光源是发光的氮化镓铝铟，特别具有式IniGajAlkN的氮化镓铝铟，其中0≤i，0≤j，0≤k，且i+j+k＝1。这种类型的光源的可能形式是本领域技术人员已知的。它们可以是具有各种结构的发光LED芯片。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，光源是基于ZnO、TCO(透明导电氧化物)、ZnSe或SiC的发光装置或基于有机发光层的装置。
薄片状无机发光元件可以根据用途直接位于初级光源上，或与初级光源隔开一定距离(后一种布置也包括“远距无机发光材料技术”)。远距无机发光材料技术的优点是本领域技术人员已知的，并例如由下列出版物公开：Japanese Journ.Of Appl.Phys.第44卷，第21号(2005)，第649至651行。
在另一实施方案中，优选通过导光布置实现照明装置在无机发光元件和初级光源之间的光耦合。这使得初级光源可安装在中心位置并通过光导装置，例如光导纤维光，耦合到无机发光材料上。由此，可以获得与照明意图匹配的灯，其仅由一种或不同的无机发光材料(其可以排列形成光屏)和连接到初级光源上的光导体构成。由此，可以将强的初级光源置于有利于电气安装的位置，并且不进一步使用电缆而是仅通过铺设光导体而在任何所需位置安装包含无机发光材料的灯，这些灯与光导体连接。
该照明装置还优选由一个或多个具有相同或不同结构的无机发光元件构成。
本发明还涉及本发明的无机发光元件的用途，用于将蓝光或近紫外光发射转换成可见白光辐射。此外，本发明的无机发光元件还优选用于根据按需选色概念将初级辐射转换成特定色点。
在一个优选实施方案中，该无机发光元件可用作可见初级辐射的转换无机发光材料，用于生成白光。在这种情况下，如果该无机发光元件吸收一定比例的可见初级辐射(在是不可见初级辐射的情形，这应该完全被吸收)，并在背向初级光源的表面方向上透射其余的初级辐射，则对于高的发光功率是特别有利的。此外，在经由背向发出初级辐射的材料的表面耦合输出方面，如果该无机发光元件对其发出的辐射尽可能透明，对于高的发光功率也是有利的。
在另一优选实施方案中，该无机发光元件可用作UV初级辐射的转换无机发光材料，用于生成白光。在这种情况下，如果该无机发光元件吸收所有初级辐射，且如果该无机发光元件对其发出的辐射尽可能透明，则对于高的发光功率是有利的。
下述实施例旨在例证本发明。但是，它们无论如何不应被视为限制。该复合物中可用的所有化合物或组分是已知和市售的，或可通过已知方法合成。实施例中所示的温度始终以℃给出。此外，在说明书和在实施例中，该复合物中各组分的添加量当然始终合计为100％。所给出的百分比数据始终应在给定背景下考量。但是，它们通常总是指所述分量或总量的重量。
实施例
实施例1：在二氧化硅或Al2O3薄片上制备YAG：Ce无机发光材料
(在pH7至9下的沉淀反应)
2.94Y3++0.06Ce3++5Al3++24OH-→3(Y0.98Ce0.02)(OH)3↓+5Al(OH)3↓
在1300℃的热转化：
3(Y0.98Ce0.02)(OH)3+5Al(OH)3→(Y0.98Ce0.02)3Al5O12+12H2O↑
将来自实施例1的二氧化硅薄片或Al2O3薄片(制备参见EP 0608388和EP 763573)以固含量为50克/升的水悬浮液形式引入涂覆容器。
然后将该悬浮液加热至75℃，并以1000rpm剧烈搅拌。
然后如下制备包含实际无机发光材料的前体的水溶液：
将157.10克Al(NO3)3×9H2O在磁搅器拌板上在搅拌下溶解在600毫升去离子水(BG)中。在该盐完全溶解时，将该混合物再搅拌5分钟。然后加入Y(NO3)3×6H2O(94.331克)并同样溶解，将该混合物再搅拌5分钟。2.183克Ce(NO3)3×6H2O完成该硝酸盐溶液的组成。
借助玻璃引入管将该溶液计量加入包含二氧化硅和/或Al2O3基底的被搅拌的悬浮液中。
借助第二引入管将氢氧化钠溶液同时计量加入所述悬浮液中。由此在沉淀反应过程中使该悬浮液的pH值保持恒定在8.0。
然后预形成的YAG:Ce无机发光材料在所述pH值下在该悬浮液中沉淀，且形成的无机发光材料纳米粒子沉积在二氧化硅或Al2O3基底上，即该薄片被无机发光材料粒子涂覆。
该涂覆过程在大约30小时后完成。然后将该悬浮液再搅拌2小时，并如所述抽吸滤出材料，漂洗，并在1200℃煅烧大约6小时。在煅烧过程中，无机发光材料前体(无机发光材料氢氧化物)转化成实际的无机发光材料(氧化物形式)。在此在还原条件(例如CO气氛)下进行煅烧。
实施例2：在二氧化硅或Al2O3薄片上制备YAG:Ce无机发光材料
(在pH7至9下的沉淀反应)
2.94Y3++0.06Ce3++5Al3++24OH-→3(Y0.98Ce0.02)(OH)3↓+5Al(OH)3↓
在1300℃的热转化：
3(Y0.98Ce0.02)(OH)3+5Al(OH)3→(Y0.98Ce0.02)3Al5O12+12H2O↑
将二氧化硅薄片或Al2O3薄片(制备参见EP 0608388)以固含量为50克/升的水悬浮液形式引入涂覆容器。
然后将该悬浮液加热至75℃，并以1000rpm剧烈搅拌。
然后如下制备包含实际无机发光材料的前体的水溶液：
将101.42克AlCl3×6H2O在磁搅拌器板上在搅拌下溶解在600毫升去离子水(BG)中。在该盐完全溶解时，将该混合物再搅拌5分钟。然后加入YCl3×6H2O(74.95克)并同样溶解，将该混合物再搅拌5分钟。1.787克CeCl3×6H2O完成该氯化物溶液的组成。
借助玻璃引入管将该溶液计量加入包含二氧化硅和/或Al2O3基底的搅拌悬浮液中。借助第二引入管将氢氧化钠溶液同时计量加入所述悬浮液中。由此在沉淀反应过程中使该悬浮液的pH值保持恒定在7.5。
然后预形成的YAG:Ce无机发光材料在所述pH值下在该悬浮液中沉淀，且形成的无机发光材料纳米粒子沉积在二氧化硅或Al2O3基底上，即该薄片被无机发光材料粒子涂覆。
该涂覆过程在大约30小时后完成。然后将该悬浮液再搅拌2小时，并如所述抽吸滤出材料，漂洗，并在1200℃煅烧大约6小时。在煅烧过程中，无机发光材料前体(无机发光材料氢氧化物)转化成实际的无机发光材料(氧化物形式)。在此在还原条件(例如CO气氛)下进行煅烧。
实施例3：在二氧化硅或Al2O3薄片上制备YAG:Ce无机发光材料
(在pH7-9下的沉淀反应)
2.94Y3++0.06Ce3++5Al3++18OH-+3CO3 2-→3(Y0.98Ce0.02)(OH)(CO3)↓+5Al(OH)3↓
在1300℃下的热转化：
3(Y0.98Ce0.02)(OH)(CO3)+5Al(OH)3→(Y0.98Ce0.02)3Al5O12+3CO2↑+9H2O↑
将来自实施例1的二氧化硅薄片或Al2O3薄片(制备参见EP 0608388和EP 763573)以固含量为50克/升的水悬浮液形式引入涂覆容器。
然后将该悬浮液以1000rpm剧烈搅拌，并加入270.0克碳酸氢铵。
然后如下制备包含实际无机发光材料的前体的水溶液：
将101.42克AlCl3×6H2O在磁搅拌板上在搅拌下溶解在600毫升去离子水(BG)中。在该盐完全溶解时，将该混合物再搅拌5分钟。然后加入YCl3×6H2O(74.95克)并同样溶解，将该混合物再搅拌5分钟。1.787克CeCl3×6H2O完成该氯化物溶液的组成。
借助玻璃引入管将该溶液计量加入包含二氧化硅和/或Al2O3基底的搅拌悬浮液中。
借助第二引入管将氢氧化钠溶液同时计量加入所述悬浮液中。由此在沉淀反应过程中使该悬浮液的pH值保持恒定在7.5。
然后预形成的YAG:Ce无机发光材料在所述pH值下在该悬浮液中沉淀，且形成的无机发光材料纳米粒子沉积在二氧化硅或Al2O3基底上，即该薄片被无机发光材料粒子涂覆。
该涂覆过程在大约30小时后完成。然后将该悬浮液再搅拌2小时，并如所述抽吸滤出材料，漂洗，并在1200℃煅烧大约6小时。在煅烧过程中，无机发光材料前体(无机发光材料氢氧化物)转化成实际的无机发光材料(氧化物形式)。在此在还原条件(例如CO气氛)下进行煅烧。
结果形成了无机发光材料薄片或薄片状无机发光元件，其由已通过涂覆施用到二氧化硅薄片上的Y2.94Al5O12:Ce0.06 3+构成。
该无机发光材料薄片在用450纳米蓝光激发时表现出YAG:Ce的典型荧光。
附图说明
下面参照若干实施方案更详细解释本发明。
图1：涂覆的薄片状基底的SEM显微照片。
图2：未涂覆的基底(在此包含Al2O3)的SEM显微照片。
图3：用450纳米蓝光激发该薄片状无机发光元件时的荧光光谱。
图4：根据本发明处理薄片状无机发光元件能够在薄片一面(顶部)上制造锥体结构2。也可以根据本发明在薄片状无机发光元件的一面(粗糙面3)上施用包含SiO2、TiO2、ZnO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3等或其混合物的纳米粒子或由无机发光材料复合物构成的粒子。

Claims (28)

1.无机发光元件，其由被无机发光材料涂覆的包含云母、玻璃、ZrO2、TiO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的基底构成。
2.根据权利要求1的无机发光元件，其能够如下获得：通过湿化学法将至少两种原材料与至少一种掺杂剂混合以产生无机发光材料前体悬浮液，并添加到包含云母、玻璃、ZrO2、TiO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的基底的水悬浮液中，然后将无机发光材料涂覆的基底热处理。
3.根据权利要求1和/或2的无机发光元件，其特征在于其为薄片状，并具有80纳米至20微米、优选100纳米至15微米的厚度。
4.根据权利要求1至3的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该薄片状无机发光元件具有2∶1至400∶1、特别是1.5∶1至100∶1的长厚比。
5.根据权利要求1至4的一项或多项的无机发光元件，其特征在于所述基底由SiO2和/或Al2O3薄片构成。
6.根据权利要求1至5的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件的侧面已经被轻金属或贵金属金属化。
7.根据权利要求1至6的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件背向LED芯片的侧面具有结构化表面。
8.根据权利要求1至7的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件背向LED芯片的侧面具有粗糙表面，该粗糙表面带有包含SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO2、ZrO2和/或Y2O3或其混合氧化物的纳米粒子或包含无机发光材料复合物的粒子。
9.根据权利要求1至8的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件面向LED芯片的侧面具有符合DIN EN ISO 4287的抛光表面。
10.根据权利要求1至9的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件面向LED芯片的侧面具有在向前方向上对LED发出的辐射透明的表面。
11.根据权利要求1至10的一项或多项的无机发光元件，其特征在于该无机发光元件面向LED芯片的侧面具有对LED发出的辐射具有抗反射性质的表面。
12.根据权利要求1至11的一项或多项的无机发光元件，其特征在于其由至少一种下列无机发光材料构成：
(Y，Gd，Lu，Sc，Sm，Tb)3(Al，Ga)5O12:Ce(含或不含Pr)、(Ca，Sr，Ba)2SiO4:Eu、YSiO2N:Ce、Y2Si3O3N4:Ce、Gd2Si3O3N4:Ce、(Y，Gd，Tb，Lu)3Al5-xSixO12-xNx:Ce、BaMgAl10O17:Eu、SrAl2O4:Eu、Sr4Al14O25:Eu、(Ca，Sr，Ba)Si2N2O2:Eu、SrSiAl2O3N2:Eu、(Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Eu、锌/碱土金属原硅酸盐、铜/碱土金属原硅酸盐、铁/碱土金属原硅酸盐、钼酸盐、钨酸盐、钒酸盐、第III族氮化物、氧化物，在每种情况下它们是独立地，或是它们与一种或多种例如Ce、Eu、Mn、Cr和/或Bi的活化剂离子的混合物。
13.根据权利要求1至12的一项或多项的无机发光元件，其特征在于原材料和掺杂剂是溶解和/或悬浮在无机和/或有机液体中的无机和/或有机物质，例如金属、半金属、过渡金属和/或稀土的硝酸盐、碳酸盐、碳酸氢盐、磷酸盐、羧酸盐、醇化物、乙酸盐、草酸盐、卤化物、硫酸盐、有机金属化合物、氢氧化物和/或氧化物。
14.制造无机发光元件的方法，其具有下列工艺步骤：
a)通过将至少两种原材料与至少一种掺杂剂混合，通过湿化学法制备无机发光材料前体悬浮液，
b)制备包含云母、玻璃、ZrO2、TiO2、SiO2或Al2O3薄片或其混合物的水悬浮液的基底，
c)将在步骤a和b中制成的悬浮液合并，
d)然后将无机发光材料涂覆的基底热处理，以产生无机发光元件。
15.根据权利要求14的方法，其特征在于在步骤a)中通过湿化学法由有机和/或无机金属、半金属、过渡金属和/或稀土盐借助溶胶-凝胶法和/或沉淀法制备无机发光材料前体。
16.根据权利要求14和/或15的方法，其特征在于在步骤c)中，加入沉淀剂和/或进行热处理。
17.根据权利要求14至16的一项或多项的方法，其特征在于在步骤d)中，所述后续热处理在一个或多个步骤中在700至1800℃、优选900至1700℃的温度在还原条件下进行。
18.根据权利要求14至17的一项或多项的方法，其特征在于所述无机发光元件背向LED芯片的表面涂覆有包含SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO2、ZrO2和/或Y2O3或它们的混合氧化物的纳米粒子，或涂覆有包含无机发光材料复合物的纳米粒子。
19.根据权利要求14至18的一项或多项的方法，其特征在于在无机发光元件背向LED芯片的侧面上制造结构化表面。
20.照明装置，其具有至少一个发射最大值在240纳米至510纳米范围内的初级光源，其中该辐射被根据权利要求1至13的一项或多项的无机发光元件部分地或完全地转换成较长波长的辐射。
21.根据权利要求19的照明装置，其特征在于所述光源是发光的氮化镓铝铟，特别是具有式IniGajAlkN的氮化镓铝铟，其中0≤i，0≤j，0≤k，且i+j+k＝1。
22.根据权利要求20和/或21的照明装置，其特征在于所述光源是基于ZnO、TCO(透明导电氧化物)、ZnSe或SiC的发光材料。
23.根据权利要求20至22的一项或多项的照明装置，其特征在于所述光源是基于有机发光层的材料。
24.根据权利要求20至23的一项或多项的照明装置，其特征在于所述无机发光元件直接位于初级光源上或与初级光源隔开一定距离。
25.根据权利要求20至24的一项或多项的照明装置，其特征在于无机发光元件和初级光源之间的光耦合是通过光导布置实现的。
26.根据权利要求20至25的一项或多项的照明装置，其特征在于所述无机发光元件是包含一个或多个具有相同或不同结构的无机发光元件的布置。
27.根据权利要求1至13的一项或多项的无机发光元件的用途，用于将蓝光或近紫外光发射转换成可见白光辐射。
28.根据权利要求1至13的一项或多项的无机发光元件的用途，用于根据按需选色概念将初级辐射转换成特定色点。
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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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