CN101532149A - 一种双面光高性能电解铜箔及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双面光高性能电解铜箔。电解铜箔晶粒呈层状，毛面粗糙度RZ≤2.0μm，厚度为7μm～9μm，抗拉强度≥450MPa，延伸率≥5％。本发明还公开了该电解铜箔的制备方法。本发明通过合理的电解液组成与电沉积工艺参数的配置，以及添加合理的有机添加剂，降低了电解铜箔表面粗糙度，并增强了产品在常温和高温的延伸率和抗拉强度。本发明的产品满足了电子、信息及通讯等3G产品向无线化、便携化方向发展的需求，产品的各项高性能往“轻、薄、短、小”的目标迈进，同时可作为处理高频信号的印制线路板基体材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种低轮廓高性能的电解铜箔，以及该电解铜箔的制备方法，属于电解铜箔技术领域。
背景技术
铜箔按照制备工艺不同主要可分为压延铜箔和电解铜箔，电解铜箔是电子工业的基础原材料，主要用在多层印制线路板和聚合物锂电池行业。随着电子、信息及通讯等3G产品均朝向无线化、便携化方向发展，对于产品的各项高性能也往“轻、薄、短、小”的目标迈进，虽然电解铜箔产品较多，但高性能的电解铜箔技术目前仍处于“起步阶段”，因此具有广阔的市场前景。
发明内容
本发明的目的是：提供一种双面光高性能电解铜箔及其制备方法。本发明通过合理的电解液组成与电沉积工艺参数的配置，以及添加合理的有机添加剂，降低了电解铜箔表面粗糙度，并增强了产品在常温和高温的延伸率和抗拉强度。
本发明的技术方案：一种双面光高性能电解铜箔，其特征在于：电解铜箔晶粒呈粒状，毛面粗糙度RZ≤2.0μm。
上述的双面光高性能电解铜箔中，所述的电解铜箔厚度为7μm～9μm。
前述的双面光高性能电解铜箔中，所述的电解铜箔抗拉强度≥450MPa。
前述的双面光高性能电解铜箔中，所述的电解铜箔延伸率≥5％。
前述双面光高性能电解铜箔的制备方法，采用直流电沉积工艺，其特征在于：将电解液组成与电沉积工艺参数进行合理配合，并在电解过程中添加有机混合添加剂，其工艺如下：
采用电解液铜浓度60～120g/L，H2SO4浓度为100～150g/L，Cl-30±10ppm的参数配合，T45~60℃，并向电解设备中添加有机混合添加剂，使流量为20～60m3/h，电流密度为6000～8000A/m2，进行电沉积。
上述的双面光高性能电解铜箔的制备方法中，所述有机混合添加剂组成为：3—琉基1—丙磺酸钠200～1000mg/L、低分子量胶1～10g/L和羟乙基纤维素1～7g/L。
前述的双面光高性能电解铜箔的制备方法中，所述的低分子量胶，最好是分子量不超过3000的胶。
由于采用了前述技术方案，本发明的产品满足了电子、信息及通讯等3G产品均朝向无线化、便携化方向发展的需求，产品的各项高性能往“轻、薄、短、小”的目标迈进，同时可作为处理高频信号的印制线路板基体材料。本发明采用的添加剂及其配比主要作用：降低了电解铜箔表面粗糙度，并增强了产品在常温和高温的延伸率和抗拉强度。一般在每平方米8500A以上电流的规模生产中，很难解决表面粗糙度的问题，表面粗糙度过高，将引起铜箔内在性能不稳定，抗拉强度、延伸率均得不到提高，达不到制作高频电路的要求，由于铜箔表面粗糙度过高，信号的传播距离变长，就产生信号衰减和延迟等问题。而通过本发明的电解液组合以及电沉积工艺参数的合理的配置，并通过添加合理添加剂，有效解决了上述问题。
具体实施方式
本发明的实施例1：本发明采用直流电沉积工艺，通过将电解液组成与电沉积工艺参数进行合理配合，并在电解过程中添加有机混合添加剂来实现，其工艺如下：
采用电解液铜浓度60～80g/L，H2SO4浓度为100～115g/L，Cl-30±10ppm的参数配合，T45~55℃，并向电解设备中添加有机混合添加剂，使流量为35m3/h，电流密度为6800A/m2，进行电沉积。
所述有机混合添加剂组成为：3—琉基1—丙磺酸钠200～300mg/L、分子量不超过3000的明胶2～3g/L和羟乙基纤维素1.5～3g/L。
通过实施例制备的低轮廓高性能电解铜箔，其毛面表面晶粒呈粒状，表面粗糙度RZ≤2.0μm，厚度为7μm，抗拉强度≥450MPa，延伸率≥5.3％。
本发明的实施例2：采用电解液铜浓度85～95g/L，H2SO4浓度为110～120g/L，Cl-20±10ppm的参数配合，T55~60℃，并向电解设备中添加有机混合添加剂，使流量为40m3/h，电流密度为8000A/m2进行电沉积。
所述有机混合添加剂组成为：3—琉基1—丙磺酸钠600～700mg/L、分子量不超过3000的胶8～10g/L和羟乙基纤维素5～7g/L。
制备的低轮廓高性能电解铜箔，其毛面表面晶粒呈粒状，且毛面粗糙度RZ≤2.0μm，厚度为8μm，抗拉强度≥468MPa，延伸率≥5.8％。
本发明的实施例3：采用电解液铜浓度105～115g/L，H2SO4浓度为130～145g/L，Cl－30±10ppm的参数配合，T50~60℃，并向电解设备中添加有机混合添加剂，使流量为55m3/h，电流密度为8500A/m2进行电沉积。
所述有机混合添加剂组成为：3—琉基1—丙磺酸钠750～800mg/L、分子量不超过3000的明胶9～10g/L和羟乙基纤维素6.5～7g/L。
制备的低轮廓高性能电解铜箔，其毛面表面晶粒呈粒状，且毛面粗糙度RZ≤1.87μm，厚度为9μm，抗拉强度≥500MPa，延伸率≥6.8％。
Claims (8)
- 【权利要求1】一种双面光高性能电解铜箔，其特征在于：电解铜箔晶粒呈粒状，毛面粗糙度RZ≤2.0μm。
- 【权利要求2】根据权利要求1所述的双面光高性能电解铜箔，其特征在于：所述的电解铜箔厚度为7μm～9μm。
- 【权利要求3】根据权利要求2所述的双面光高性能电解铜箔，其特征在于：所述的电解铜箔抗拉强度≥450MPa。
- 【权利要求4】根据权利要求3所述的双面光高性能电解铜箔，其特征在于：所述的电解铜箔延伸率≥5％。
- 【权利要求5】如权利要求1至4中任一权利要求所述双面光高性能电解铜箔的制备方法，采用直流电沉积工艺，其特征在于：将电解液组成与电沉积工艺参数进行合理配合，并在电解过程中添加有机混合添加剂，其工艺如下：
- 采用电解液铜浓度60～120g/L，H2SO4浓度为100～150g/L，Cl30±10ppm的参数配合，T45~60℃，并向电解设备中添加有机混合添加剂，使流量为20～60m3/h，电流密度为6000～8000A/m2，进行电沉积。
- 【权利要求6】6、根据权利要求5所述的双面光高性能电解铜箔的制备方法，其特征在于：所述有机混合添加剂组成为：3—琉基1—丙磺酸钠200～1000mg/L、低分子量胶1～10g/L和羟乙基纤维素1～7g/L。
- 【权利要求7】根据权利要求6所述的双面光高性能电解铜箔的制备方法，其特征在于：所述的低分子量胶，是分子量不超过3000的胶。
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