CN102732917A - 一种双面光电解铜箔的制备方法 - Google Patents

一种双面光电解铜箔的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电解铜箔领域,特别是一种双面光电解铜箔的制备方法,采用电沉积工艺,包括电解液组成与直流电沉积工艺,并在电解过程中加入有机混合添加剂;其中所述电解过程中,电解液组成中铜含量60~90g/L,硫酸含量100~160g/L,温度控制在40~60℃,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为50~90m3/h,电流密度4500~9000A/m2条件下进行直流电沉积;所述电解液添加的有机混合添加剂包括:H1、POSS、MDEO,该有机混合添加剂流量为300~600mL/min。通过本发明生产的电解铜箔,降低了毛面粗糙度,增强了抗拉强度,可用于锂离子电池负极材料及高频信号用印制电路板基体材料。

Description

一种双面光电解铜箔的制备方法
技术领域:
本发明涉及电解铜箔领域,特别是一种双面光电解铜箔的制备方法。
背景技术:
随着高度信息化社会的发展,移动电话以及笔记本电脑产品迅速普及,由于人们开始重视环境保护和能源节省,电力汽车的研制倍受关注,作为以上产品的电源,锂电池是最为理想的能源。由于这些电子产品向微型、薄型、容量大的方向发展,所以对制作锂电池的主要原材料--铜箔要求也越来越高,原来的电解铜箔不能满足它的要求,就要研制出适合锂电池生产要求的铜箔,厚度向薄粗糙度向低的方向发展,并且要求有一定的抗拉强度和高的延伸率。另高频率电路PCB特有“肌肤效果”现象,造成信号在电路中传送时,电流损失大,通到铜箔表面的凹凸面,使得信号传送距离延长,信号传送时间增长。适于高频电路PCB用电解铜箔在表面粗糙度上要求很低。
发明内容:
本发明正是为了解决上述技术问题而发明的一种双面光电解铜箔的制备方法。
一种双面光电解铜箔的制备方法,采用电沉积工艺,包括电解液组成与直流电沉积工艺,并在电解过程中加入有机混合添加剂;其中所述电解过程中,电解液组成中铜含量60~90g/L,硫酸含量100~160g/L,温度控制在40~60℃,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为50~90m3/h,电流密度4500~9000A/m2条件下进行直流电沉积;所述电解液添加的有机混合添加剂包括:H1、POSS、MDEO,该有机混合添加剂流量为300~600mL/min。
所述的有机混合添加剂组成为:H1浓度5~30mg/L,POSS浓度1~5ml/L,MDEO浓度0.05~0.1ml/L。
通过本发明生产的电解铜箔,降低了毛面粗糙度,增强了抗拉强度,可用于锂离子电池负极材料及高频信号用印制电路板基体材料。
具体实施方式:
实施例1:采用电解液中铜含量60~70g/L,硫酸含量100~120g/L,温度40~48℃的参数配合,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为50~60m3/h,电流密度4500~6000A/m2。在连续恒速转动的阴极钛辊上进行45s到60s时间的电镀,得到厚度为9微米到10微米电解铜箔。
所述有机混合添加剂组成为:H1浓度5~30mg/L,POSS浓度1~5ml/L,MDEO浓度0.05~0.1ml/L,该有机混合添加剂流量为300~400mL/min。
通过实施例1制备的双面光高性能电解铜箔,其毛面粗糙度Rz≤1.5μm,抗拉强度≥400Mpa,延伸率≥4.5%。
实施例2:采用电解液中铜含量70~80g/L,硫酸含量120~140g/L,温度46~54℃的参数配合,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为60~75m3/h,电流密度6000~7500A/m2在连续恒速转动的阴极钛辊上进行45s到60s时间的电镀,得到厚度为9微米到10微米电解铜箔。
所述有机混合添加剂组成为:H1浓度5~30mg/L,POSS浓度1~5ml/L,MDEO浓度0.05~0.1ml/L,该有机混合添加剂流量为400~500mL/min。
通过实施例2制备的双面光高性能电解铜箔,其毛面粗糙度Rz≤1.2μm,抗拉强度≥450Mpa,延伸率≥5%。
实施例3:采用电解液中铜含量80~90g/L,硫酸含量140~160g/L,温度54~60℃的参数配合,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为75~90m3/h,电流密度7500~9000A/m2。在连续恒速转动的阴极钛辊上进行45s到60s时间的电镀,得到厚度为9微米到10微米电解铜箔。
所述有机混合添加剂组成为:H1浓度5~30mg/L,POSS浓度1~5ml/L,MDEO浓度0.05~0.1ml/L,该有机混合添加剂流量为500~600mL/min。
通过实施例3制备的双面光高性能电解铜箔,其毛面粗糙度Rz≤1.5μm,抗拉强度≥420Mpa,高温延伸率≥4.8%。

Claims (2)

1.一种双面光电解铜箔的制备方法,其特征在于所述双面光电解铜箔的制备方法采用电沉积工艺,包括电解液组成与直流电沉积工艺,并在电解过程中加入有机混合添加剂;其中所述电解过程中,电解液组成中铜含量60~90g/L,硫酸含量100~160g/L,温度控制在40~60℃,并向电解液中添加有机混合添加剂,使电解液流量为50~90m3/h,电流密度4500~9000A/m2条件下进行直流电沉积;所述电解液添加的有机混合添加剂包括:H1、POSS、MDEO,该有机混合添加剂流量为300~600mL/min。
2.根据权利要求1所述的双面光电解铜箔的制备方法,其特征在于所述的有机混合添加剂组成为:H1浓度5~30mg/L,POSS浓度1~5ml/L,MDEO浓度0.05~0.1ml/L。
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