CN101529558B - 具有减少微粒特性的上电极背衬构件 - Google Patents

Abstract

等离子处理装置的元件包括具有气体通道的背衬构件，该背衬构件连接于具有气体通道的上电极。为了抵消该金属背衬构件和上电极间的热膨胀系数的差异，气体通道的位置和大小被调整为在室温下是没有对齐的，而在升高的处理温度下是大体上同心的。因为热膨胀，该弹性体粘合材料中会产生不一致的切变应力。应用可变厚度的弹性体粘合材料或使用包含多个块的背衬构件可调节切变应力。

Description

具有减少微粒特性的上电极背衬构件

相关申请

根据美国法典第35篇第119条，本申请主张享有临时申请号为60/851,745，名称为“UPPER ELECTRODE BACKINGMEMBER WITH PARTICLE REDUCING FEATURES”，递交日为2006年10月16日的美国临时申请的优先权，其内容在此完整引入作为参考。

背景技术

在用刻蚀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入和光阻移除等技术处理基板时，要使用等离子处理装置。一种用于等离子处理的等离子处理装置包括具有上下电极的反应室。在该电极之间建立电场，以将处理气体激活到等离子状态，从而对反应室内的基板进行处理。

发明内容

提供一种用于半导体基板处理的等离子处理装置的元件。在一个优选实施方式中，该元件包括粘合到第二构件的第一构件。该第一构件具有多个第一穿通开口、与等离子接触的表面和第一热膨胀系数。该第二构件与该第一构件粘合，并具有多个第二穿通开口，该第二穿通开口与该第一构件中的该开口对应，该第二构件具有第二热膨胀系数，该第二热膨胀系数大于该第一热膨胀系数。在室温下该第一和第二开口是没有对齐的，当被加热到升高的处理温度时，该第一构件中的该开口和该第二构件中的该开口大体上是同心的。

在一个优选实施方式中，该元件是等离子处理装置的喷淋头电极组件。

等离子处理装置的喷淋头电极组件的优选实施方式包括硅内电极，该硅内电极具有与等离子接触的表面，该电极具有多个轴向的气体分配通道。金属背衬构件与该电极粘合，并包括多个与该电极中的通道相对应的轴向气体分配通道。该背衬构件中的通道在径向上比该电极中的通道更大，以减少该第二构件与等离子环境的接触。在室温下该电极中的通道和该背衬构件中的通道的中心是没有对齐的，当加热到升高的处理温度时，该电极的通道和该背衬构件的通道大体上是同心的。

另一个优选方式提供了一种在等离子处理装置中处理半导体基板的方法。将基板放入等离子处理装置的处理室的基板支架上。使用该喷淋头电极组件将处理气体引入该反应室。在该反应室内在该喷淋头电极组件和该基板之间产生来自处理气体的等离子。使用该等离子处理该基板。

附图说明

图1描绘了等离子处理装置的喷淋头电极组件和基板支架的实施方式的一部分。

图2A描绘了圆形背衬构件的平面图。

图2B是图2A的放大了的平面图，包括环境温度下的气体通道。

图2C是图2A的放大了的平面图，包括升高的处理温度下的气体通道。

图2D是图2A的放大了的平面图，包括最高处理温度下的气体通道。

图3是图2A的放大了的平面图，描绘了非圆形的气体通道。

图4是该背衬构件连接到上电极的横断面视图，包括弹性体粘合材料和导电构件。

图5是该背衬构件连接到上电极的横断面视图，包括凸起的周边以减少该弹性体粘合材料与等离子环境的接触。

图6是背衬构件和上电极的横断面视图，包括具有不一致厚度的弹性体粘合材料。

图7A描绘了该背衬构件的平面图，包含多个片段，该多个片段形成一个分段的同心环。

图7B描绘了该背衬构件的平面图，包括六边形的多个块。

图8描绘了该背衬构件的横断面图，其包括通过较薄的弯曲段连接起来的较厚的段。

具体实施方式

在集成电路制造过程中，为了获得可靠的器件并保持高产量，有必要对半导体晶圆表面的特定污染物进行控制。在光刻或刻蚀步骤中，晶圆表面上微粒的出现可能会干扰该处的图形转换。因此，这些微粒可能导致关键特性的缺陷，该关键特性包括门结构、金属间(intermetal)电介质层或金属连线，并导致集成电路元件出现故障或失效。

图1描绘了等离子处理装置的喷淋头电极组件10的实施方式，半导体基板(例如硅晶圆)在该半导体处理装置中进行处理。例如，该喷淋头电极组件在共同持有的美国专利申请2005/0133160中也有描述，此处完整引入作为参考。该喷淋头电极组件10包含具有上电极的喷淋头电极，与热控制板16固定的背衬构件14。基板支架18(图1中仅仅显示了该基板支架18的一部分)包括下电极，以及可选的静电固定电极，该静电固定电极位于该等离子处理装置的该真空处理室的上电极下方。基板20，为了进行等离子处理，以机械方式或静电吸附方式固定于该基板支架18的上支撑表面22上。

该上电极12可以电性接地，或者可以接电，优选地，连接射频(RF)电流源。在一个优选实施方式中，上电极12接地，而具有一种或多种频率的电源被应用到下电极上，以在该等离子处理室内产生等离子。例如，该下电极通过两个独立控制的射频电源具有2MHz和27MHz的电源频率。基板20处理完之后(例如已经对半导体基板进行过等离子刻蚀)，则关闭该下电极的电能供应，以停止等离子的产生。

在所示实施例中，该喷淋头电极的上电极12包括内电极构件24，和可选的外电极构件26。优选地，该内电极构件24是圆柱板(例如由硅制成的板)。该内电极构件24可以具有小于、等于或大于待处理的晶圆的直径，例如12英寸(300mm)大的直径，如果该板是由单片晶体硅制成的话。在一个优选实施方式中，该喷淋头电极组件10足够大到能处理大的基板，例如具有300mm或更大直径的半导体晶圆。对于300mm晶圆，上电极12的直径至少为300mm。然而，该喷淋头电极组件10的尺寸可以调整以处理其他的晶圆尺寸或具有非圆形配置的基板。在所示实施方式中，该内电极构件24比该基板20宽。为了处理300mm的晶圆，提供外电极构件26以扩展该上电极12的直径，例如从约15英寸扩展到约17英寸。该外电极构件26可以是连续构件(例如连续的多晶硅环)或分段构件(例如包括2-6个以环形配置布置的独立段，例如多个由硅构成的段)。在该包括多个段的外电极构件26的上电极12的实施方式中，该多个段具有边缘，该边缘互相重叠以避免下面的粘合材料与等离子的接触。优选地，该内电极构件24包括多个气体通道28，该气体通道28延伸穿过多个形成在该背衬构件14内的多个气体通道30且与其对应，以将处理气体注射入位于该上电极12和该基板支架18之间的等离子反应室内的空间。

硅是该内电极构件24和该外电极构件26与等离子接触的表面的优选材料。高纯度，单晶硅使得等离子处理期间基板的污染最小，且在等离子处理中非常耐磨，因而能使微粒最少。例如，可以用来作为该上电极12的与等离子接触的表面的替换材料包括SiC或AIN。

在所示实施方式中，背衬构件14包括背板32和背环34，该背环34环绕该背板32的周边延伸。在该实施方式中，内电极构件24与该背板32共同扩展，且该外电极构件与周围的背环34共同扩展。然而，在另一个实施方式中，该背板32可以延伸出该内电极构件之外，从而可以使用单个背板来支撑该内电极构件24和该多段外电极构件26。优选地，该内电极构件24和该外电极构件26通过粘合材料与背衬构件14连接。

优选地，背板32和背环34由与等离子处理室内的处理半导体基板的处理气体化学兼容的材料制成，并导电和导热。可以用来制造该背衬构件14的示例性的合适的材料包括铝、铝合金、石墨和SiC。

可以通过合适的导电和导热的弹性体粘合材料将该上电极12与该背板32和该可选的背环34连接，该弹性体粘合材料可以在上电极12和背板32和背环34之间传递热能和电能。例如，在共同持有的美国专利6,073,577中描述了弹性体将电极组件的表面粘合到一起的使用方法，此处皆由参考而纳入其内容。

在一个实施方式中，背衬构件14可以由石墨构成，石墨相对于该上基板12的制作材料硅有稍高的热膨胀系数。背衬构件14的石墨的级别具有的热膨胀系数为4.5×10^-6(°F)^-1；硅的热膨胀系数为1.4×10^-6(°F)^-1。因此，在该组件的热循环过程中，用于连接该石墨背衬构件14和该硅上电极12的粘合材料被施以向下的力。然而，对于特定的情况，石墨背衬构件14在该喷淋头电极组件10的一些实施方式中并不完全令人满意，因为石墨可以是特定污染的来源，会降低该制造工艺的总产量。

一种最小化微粒引入的途径是用金属材料(例如铝、不锈钢、铜、钼或上述材料的合金)取代石墨，金属材料可以提供极端操作环境下的更好的稳定性，并产生更少的微粒。相对于非金属替代物，金属元件的效益更高，且更容易机械加工。然而，在用例如铝取代石墨背衬构件14时，需要克服其他的问题，包括：(i)抵消铝背衬构件14和硅上电极12间的热膨胀系数的差异；及(ii)某些气体和铝之间的反应。

含氟气体(例如CF₄、CHF₃)等离子可用于等离子处理室中以刻蚀电介质或有机材料。该等离子部分地由电离氟气构成，电离氟气包括离子、电子和其他的中性成分，例如自由基。然而，当与低压、高能含氟气体等离子接触时，铝制的处理室硬件可以产生大量的氟化铝(例如AlF_x)副产品。最小化该处理室硬件的氟化铝微粒的工艺可以降低缺陷的产生概率、室内处理漂移和/或用于清洁和维护的处理室下线时间。

因为该背衬构件14和上电极12的热膨胀，在加热的时候气体通道28和30彼此相对径向移动并偏移位置。例如，因为热膨胀，气体通道28相对于该圆形上电极12的中心的径向移动根据特定的气体通道28与上电极12中心的径向距离的不同而不同。也就是说，在对上电极12加热时，靠近该上电极12外周的气体通道正常情况下比靠近中心的气体通道相对于该上电极12的中心移动的距离大。如果该背衬构件14和上电极12是由具有相似热膨胀系数的材料(例如石墨背衬构件14粘合到硅上电极12上)制成的话，气体通道28和30，它们在室温下是同心的，在升高的处理温度下仍然保持大体同心。然而，当形成该背衬构件14和上电极12的材料具有不同的热膨胀系数的话，情况变得更加复杂。例如，铝的膨胀系数是14×10^-6(°F)^-1；硅的热膨胀系数比较小，是1.4×10^-6(°F)^-1。热膨胀系数的这种巨大差异可能带来其他的问题，包括当该上电极12被加热到较高温度的时候，气体通道28和30无法对齐，且在粘合界面上产生切变应力(shear stresses)。

图2A描绘了圆形背衬构件14，包括气体通道30。图2B是环境温度下的多重气体通道28和30(如图2A中标示的)的放大的视图，该气体通道28和30在室温下是环形通孔。对于此实施方式，背衬构件14是铝的而上电极12是硅的。图2B中的虚线弧线28B、30B代表穿过气体通道28、30中心的同心圆，分别代表每个气体通道的轴向位置。在此特定实施方式中，气体通道28、30在室温下是没有对齐的(例如，每一对通孔28、30的中心都是非同心的或偏移的)。对于圆形背衬构件14和圆形上电极12来说，从该背衬构件14和上电极12的中心到这些元件的外围，不对齐的程度径向增加。然而，气体通道28，30的位置、尺寸和形状被调整，从而当该背衬构件14和上电极12被加热到特定的较高的处理温度(例如在约80℃到约160℃之间)时，气体通道28、30大体同心，如图2C所示。也就是说，在加热时，图2B中的虚线弧线28B、30B径向扩张不同的量，从而它们重合，如图2C中所示。在此实施方式中，尽管气体通道28和30在环境温度下是没有对齐的，该铝背衬构件14内的通孔的直径足够大，以便气体通道28和30在环境温度和升高的温度之间总是重合，如图2所示。

加热到最高处理温度之后，气体通道28、30变的不对齐了，如图2D中的虚线弧线28D、30D指示的每种气体通道的径向位置所示。

在替代实施方式中，通孔28、30可以是非圆形的或类似的，例如半椭圆的或径向伸长的，如图3所示。

如图2B和图2C所示，该铝背衬构件14中的气体通道30比该硅上电极12中的气体通道28大。气体通道30的尺寸可以有效的防止等离子在气体通道30内形成。如上所述，铝元件与含氟气体等离子的接触可能产生不想要的氟化铝副产品。这种配置能更好地降低铝背衬构件14与氟离子和/或自由基的接触。在等离子处理过程中，氟离子或自由基可能迁移通过气体通道28并与铝反应。因此，径向较大的铝通孔配置增加了离子或自由基的传播长度，减小了与铝背衬构件14发生反应的可能性。也就是说，径向较大的铝通孔减少了等离子中的离子或自由基与暴露的铝表面的视线。因此，较大的铝通孔可以减小并且优选地最小化该等离子处理装置中氟化铝微粒的产生。

在上电极12和背衬构件14的一个优选实施方式中，如图4所示，这两个构件通过弹性体粘合材料36连接。在此实施方式中，该背衬构件14和上电极12被配置为最小化等离子对该弹性体粘合材料36的攻击。如图4所示，在环形凹陷38的内部应用弹性体粘合材料36，该环形凹陷38延伸入该背衬构件41的表面，该凹陷深度由壁40限定。或者，凹陷38可以位于该上电极12内。该凹陷38的最外层的壁40能够保护该弹性体粘合材料36免于等离子处理反应器内等离子环境的攻击。在图4所示的实施方式中，导电构件42直接与该背衬构件14和上电极12接触。该导电构件42装载在该背衬构件14和上电极12的周边附近，以提升RF传导性能。另外，该导电构件42提升了该背衬构件14和上电极12间的直流传导性能，防止这两个元件间发生击穿。优选地，导电构件42是可变形的，因此该构件可以适应因为该电极组件的热循环引起的收缩和膨胀。例如，该可变形的导电构件42可以是螺旋金属垫圈(例如RF垫圈)，优选地，是由不锈钢或类似材料制成的。

如图5所示，在该上电极12和背衬构件14的另一个实施方式中，该背衬构件14包含外围的环形凸边44，该上电极12包含外围的环形凹陷46，该外围的环形凹陷46被配置为可与该外围的环形凸边44匹配。通过屏蔽该弹性体粘合材料36与该等离子中的离子和自由基，该凸边44减少了该弹性体粘合材料36与等离子环境的接触。另外，为了增大该粘合材料与该背衬构件14和上电极12间的接触区域的面积，在应用该弹性体粘合材料36之前，先将粘合表面粗糙化或纹理化。

如上所述，当一个元件，例如该背衬构件14或上电极12，被加热到升高的处理温度时，外面的部分比中央的部分膨胀的程度更大。如果两个具有相似热膨胀系数的元件粘合到一起(例如石墨背衬构件14和硅上电极12)，加热的时候，应用到该弹性体粘合材料的切变应力是有限的，因为两种材料经过了相似量的热膨胀。然而，如果两个具有更大差别的热膨胀系数的元件粘合到一起(也就是说铝和硅)，加热的时候，因为热膨胀比率的不同，在该弹性体粘合材料内会产生不一致的切变应力。例如，如果圆形的铝背衬构件14被同心粘合于圆形的硅上电极12的话，在升高的温度下，在背衬构件14和上电极12的中心附近的该弹性体粘合材料36内的切变应力是最小的。然而，该铝背衬构件14的外面的部分比该硅上电极12的外面的部分经过了更大的量的热膨胀。因此，当两个材料粘合起来时，最大的切变应力出现在该背衬构件14或上电极12的靠外的周边上，在该处热膨胀的差别是最大的。

图6描绘了圆形背衬构件14通过可变厚度的弹性体粘合材料36粘合于圆形上电极12的横断面视图(气体通道28、30未示)。如图所示，该弹性体粘合材料36的厚度是可变的，因而该不一致的厚度可以有效的适应热膨胀引起的不一致的切变应力。在图6所示的实施方式中，该弹性体粘合材料36在该背衬构件14和上电极12的中心附近是最薄的，在该处热膨胀引起的切变应力最小。相反，该弹性体粘合材料36在该背衬构件14和上电极12的周边附近是最厚的。

一般来说，具有更小尺寸(例如更小体积)的元件具有更小的热膨胀的量。例如，直径为12英寸的圆形的铝构件在从环境温度加热到200℃时径向膨胀约0.027英寸；直径为2英寸的圆形的铝构件在从环境温度加热到200℃时径向膨胀约0.0045英寸。因此，已经确定，通过将更小的铝构件14粘合到硅上电极12上，该弹性体粘合材料36需要适应明显更小的切变应力。也就是说，不是将该上电极12粘合到一个更大的、单独的具有连续表面的铝背衬构件14上，而是将该上电极12粘合到多块更小的铝上(也就是说，每一块的表面面积小于它所粘合的电极的表面面积)，其中每一块都经历更少量的热膨胀。因此，在热膨胀时，对于每个单独的块，该弹性体粘合材料36被施加一个较小程度的切变应力。

图7A和7B描绘了该背衬构件14的两个实施方式，每一个实施方式都包含多个块(气体通道未示)。例如，该背衬构件14包含圆板47，该圆板47具有多个同心的圆环，内环48、中间环50和外环52，如图7A所示。每个同心环48、50、52都可以是连续的(未示)或多个安排成环形配置的分开的段。在图7B所示的实施方式中，该背衬构件14包含多个六边形的块54，其中外围的块54的形状为补充该背衬构件14为完整的圆形配置。

在一个替代实施方式中，如图8所示，背衬构件14是沿着它的宽具有非一致厚度的单一块，以赋予该背衬构件14在热循环期间的灵活性(气体通道28、30未示)。与具有多个块的配置类似，具有相同厚度，但尺寸减小的较厚的段56，会经历较小程度的热膨胀。在本实施方式中，较厚的段56(例如圆板)和外面的环形区域通过较薄的弯曲段58(例如直线的或曲线的段)连接在一起，该较薄的可变形段58被配置为能调节热膨胀，从而减小热膨胀过程中应用到该弹性体粘合材料36的切变应力。在另一个实施方式中(图8未示)，可以在背衬构件14上形成同心或螺旋的沟，以提供区域来适应热膨胀。实施例1

进行测试，以确定在EXELAN

FLEX^TM电介质等离子刻蚀系统中进行半导体处理期间，该背衬构件14的材料对微粒生成的影响，该等离子刻蚀系统是由位于加利福尼亚州弗利蒙使的LamResearch Corporation生产的。至于这些测试，对于多个硅晶圆，将铝背衬构件产生的大于0.09um的微粒与石墨背衬构件产生的大于0.09um的微粒进行比较。通过将300mm的硅晶圆放入类似于图1的配置的等离子处理系统，并使用类似半导体刻蚀处理的工艺配方对该晶圆进行处理，来进行这些测试。对于多次测试，然后使用激光扫描器件对硅晶圆表面进行分析，寻找大于0.09um的微粒的数量，以获得微粒附加物(particle adders)的数量(等离子处理前和等离子处理后的晶圆上的微粒数量的差异)。如表1所示，铝背衬构件比石墨背衬构件产生了更少的微粒附加物。表1

背衬构件材料	微粒附加物(＞0.09um)(中间值)
		石墨	25
铝	9

尽管本发明是参照其具体实施方式进行描述的，显然，对本领域的技术人员来说，在不悖离权利要求的范围的情况下，可以对本发明作出多种改变和变形。

Claims (31)

1.一种用于半导体基板处理的等离子处理装置的元件，该元件包含：

第一构件，该第一构件具有多个第一穿通开口，该第一构件具有与等离子接触的表面和第一热膨胀系数；

第二构件，该第二构件与该第一构件粘合，并具有多个第二穿通开口，该第二穿通开口与该第一构件中的该开口对应，该第二构件具有第二热膨胀系数，该第二热膨胀系数大于该第一热膨胀系数；

其中，在室温下该第一和第二开口的中心是没有对齐的，当该第一和第二构件被加热到升高的处理温度时，该第一构件中的该开口和该第二构件中的该开口的中心距离更近；

其中该第二构件是由金属构成的；以及

其中该第二开口大于该第一开口。

2.根据权利要求1所述的元件，其中，当该第一和第二构件被加热到升高的处理温度时，该第一构件中的开口和该第二构件中的开口是同心的。

3.根据权利要求1所述的元件，其中该第二开口比该第一构件中的开口大减少了该第二构件与等离子环境的接触。

4.根据权利要求1所述的元件，其中该第二开口不是圆形的。

5.根据权利要求1所述的元件，其中该第二开口是半椭圆形的孔或径向伸长的狭缝。

6.根据权利要求1所述的元件，其中该第一和第二构件中的开口是轴向延伸的气体分配通道。

7.根据权利要求1所述的元件，其中该第二构件是由铝、钼、铜、不锈钢或上述金属的合金构成的。

8.根据权利要求1所述的元件，其中该第一构件是由非金属材料构成的。

9.根据权利要求1所述的元件，其中该第一构件是硅、石墨或碳化硅。

10.根据权利要求1所述的元件，其中该第二构件用弹性体粘合材料与该第一构件粘合在一起。

11.根据权利要求10所述的元件，其中该弹性体粘合材料被应用到该第一构件内形成的一个或多个凹陷，每个凹陷都具有壁，该壁适于减少该弹性体粘合材料与等离子环境的接触。

12.根据权利要求10所述的元件，其中该弹性体粘合材料被应用到该第二构件内形成的一个或多个凹陷，每个凹陷都具有壁，该壁适于减少该弹性体粘合材料与等离子环境的接触。

13.根据权利要求10所述的元件，其中该第二构件包含轴向延伸的外围凸边，该第一构件包含外围凹陷，该外围凹陷被配置为与该凸边匹配，适于减少该弹性体粘合材料与该装置内等离子环境的接触。

14.根据权利要求10所述的元件，还包含装设于该第一和第二构件之间并与该第一和第二构件直接接触的导电构件。

15.根据权利要求14所述的元件，其中该导电构件是由RF垫圈材料构成，并装设于该第一和第二构件的周边附近。

16.根据权利要求10所述的元件，其中该弹性体粘合材料具有可变的厚度，可以有效补偿半导体基板处理过程中当加热到升高的处理温度时该弹性体粘合材料内产生的不一致的切变应力。

17.根据权利要求10所述的元件，其中该第一和第二构件是同心粘合的圆形板，且该弹性体粘合材料的厚度在该第一和第二构件的轴向上是变化的，该厚度可以有效补偿当加热到升高的处理温度时该弹性体粘合材料内产生的不一致的切变应力。

18.根据权利要求10所述的元件，其中该弹性体粘合材料被应用到该第一或第二构件的纹理化粘合表面。

19.根据权利要求1所述的元件，其中该第二构件包含多个块，每个块都与该第一构件粘合。

20.根据权利要求19所述的元件，其中该多个块是六边形的。

21.根据权利要求19所述的元件，其中该多个块包含圆板，该圆板具有同心圆环，每个环都连接于该第一构件。

22.根据权利要求21所述的元件，其中至少一个该环是分段的。

23.根据权利要求1所述的元件，其中该第二构件沿其宽具有不一致的厚度，适于赋予该第二构件热循环中的灵活性。

24.根据权利要求23所述的元件，其中该第二构件包含多个同心的或螺旋的沟。

25.根据权利要求24所述的元件，其中该第二构件还包含多个具有一致厚度的段，该多个段通过较薄的段连接。

26.一种用于等离子处理装置的喷淋头电极组件，该电极组件包含：

硅内电极，该硅内电极具有与等离子接触的表面，该电极具有多个轴向延伸的气体分配通道；

金属背衬构件，该金属背衬构件与该电极粘合，并具有多个轴向延伸的气体分配通道，该通道与该电极中的通道流体连通，其中该背衬构件中的该通道比该电极中的该通道宽，以减少该第二构件与等离子环境的接触；

其中，在室温下该电极中的通道和该背衬构件中的通道的中心是没有对齐的，当该电极和背衬构件被加热到升高的处理温度时，该电极中的该通道的中心和该背衬构件的该通道的中心距离更近。

27.一种在等离子处理装置中处理半导体基板的方法，该方法包含：

将基板放入等离子处理装置的反应室的基板支架上；

使用权利要求26所述的喷淋头电极组件将处理气体引入该反应室；

在该反应室内在该喷淋头电极组件和该基板之间产生来自处理气体的等离子；

使用该等离子处理该基板。

28.根据权利要求27所述的方法，其中该处理气体是含氟气体。

29.根据权利要求27所述的方法，其中该背衬构件是由铝或铝合金制成的，该背衬构件内的更大的径向通道适于减少氟化铝的产生。

30.根据权利要求29所述的方法，其中该背衬构件中的该气体分配通道与该电极中的该分配通道在升高的处理温度下是同心的。

31.根据权利要求30所述的方法，其中该处理温度为80℃到160℃。

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