CN101523564B - 减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹 - Google Patents

减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹 Download PDF

Info

Publication number
CN101523564B
CN101523564B CN2007800364881A CN200780036488A CN101523564B CN 101523564 B CN101523564 B CN 101523564B CN 2007800364881 A CN2007800364881 A CN 2007800364881A CN 200780036488 A CN200780036488 A CN 200780036488A CN 101523564 B CN101523564 B CN 101523564B
Authority
CN
China
Prior art keywords
meniscus
proximity head
substrate
nozzles
vacuum openings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800364881A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101523564A (zh
Inventor
罗伯特·奥唐奈
约翰·德拉里奥斯
迈克·拉夫金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Priority claimed from PCT/US2007/020893 external-priority patent/WO2008042238A1/en
Publication of CN101523564A publication Critical patent/CN101523564A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101523564B publication Critical patent/CN101523564B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00—Work holders
    • Y10S269/90—Supporting structure having work holder receiving apertures or projections
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00—Work holders
    • Y10S269/902—Work holder member with v-shaped notch or groove
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明描述了一种生成和保持用于处理基板的弯液面的趋近头。该趋近头包括排列于趋近头表面的多个弯液面喷嘴，该弯液面喷嘴被配置为向弯液面供应液体，排列于该趋近头的该表面的多个真空开口，该真空开口被布置为完全包围该多个弯液面喷嘴，排列于趋近头表面的多个气体喷嘴，该多个气体喷嘴至少部分包围该真空开口。该趋近头还包括用于减少基板的头端边沿和尾端边沿的痕迹的尺寸和频率的装置，该装置辅助并促使来自弯液面的液体从该基板和该载具间的空隙排出。

Description

减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹
背景技术
在半导体芯片制造工业中，制造工艺会在基板表面留下不想要的残留，在制造工艺完成以后，需要对基板进行清洁和干燥。这种制造工艺的例子包括等离子体刻蚀(例如钨回蚀(WEB))和化学机械打磨(CMP)。在CMP中，基板被放置在固定器上，固定器将基板表面推向打磨表面。打磨表面使用的是包含化学品和研磨剂的浆液。不幸的是，CMP制程往往在基板表面留下浆液颗粒和残留的聚集物。如果留在基板上的话，这些不想要的残留材料和微粒会引起缺陷。在一些情况下，这些缺陷可能导致基板上的器件无法运作。在制造工艺完成之后对基板进行清洁去除不想要的残留和微粒。
基板经过湿法清洁之后，必须对基板进行有效的干燥以避免水或者清洁流体(后面用“流体”表示)残留物残留在基板表面上。如果基板表面的清洁流体能够蒸发的话，像在水滴凝结的时候经常发生的一样，先前没有溶解在流体中的残留物或污染物在蒸发之后会继续留在基板表面上并形成凝结核。为了防止蒸发的发生，清洁流体必须尽快除去而不在基板表面凝结水滴。在实现的尝试中，采用了几种不同干燥技术中的一种，例如甩干法，IPA，或马兰格尼干燥法(Marangoni drying)。所有这些干燥技术都利用基板表面上的某种形式的移动液体/气体界面，如果维持得当的话，这能够对基板进行干燥而不会凝结水滴。不幸的是，如果移动液体/气体界面损坏的话，这在前述的所有方法中都经常发生，水滴会凝结而且蒸发会发生，导致污染物残留在基板表面上。
如前所述，需要改良的清洁系统和方法，在提供高效率的清洁的同时降低留下干燥的流体水滴痕迹的可能性。
发明内容
大体上说，本发明通过减少由基板处理弯液面(meniscus)留下的干燥的流体水滴带来的进入和退出痕迹的几种技术满足了上述需要。
应当知道，本发明可以通过若干种不同方式完成，包括工艺，装置，系统，器件或方法。下面描述了本发明的几个有创造性的实施例。
在一个实施例中，提供一种生成并保持用于处理基板的弯液面的趋近头。该趋近头包括排列于趋近头表面的多个弯液面喷嘴，该弯液面喷嘴被配置为向弯液面供应液体，排列于趋近头表面的多个真空开口，该真空开口被布置为完全包围该多个弯液面喷嘴。趋近头表面上还排列有多个主气体喷嘴，该多个主气体喷嘴至少部分包围该真空开口。该趋近头还包括用于减少基板的头端边沿和尾端边沿的痕迹的尺寸和频率的装置，该装置辅助并促使来自弯液面的液体从该基板和该载具间排出。
在另一个实施例中，提供一种使用由上趋近头和下趋近头形成的弯液面处理基板的方法。在该方法中，基板被放置于载具中，该载具穿过生成在上下趋近头之间生成的弯液面。该载具具有能够容纳基板的形状的开口并在该开口内具有多个支撑该基板的支撑脚，该开口比该基板稍大，因而在基板和开口间存在一个空隙，该上下趋近头的每一个都包括排列于该趋近头表面的多个弯液面喷嘴，该弯液面喷嘴被配置为向弯液面供应液体，排列于趋近头表面的多个真空开口，该真空开口被布置为完全包围该多个弯液面喷嘴；趋近头表面上还排列有多个主气体喷嘴，该多个主气体喷嘴至少部分包围该真空开口。该方法还包括用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤，通过使用上下趋近头促使来自弯液面的液体从该空隙排出。
因为本申请人引入的用于清洗、处理和干燥半导体晶圆的趋近头生成的运动弯液面的使用，在弄湿和干燥基板过程中，降低在基板表面形成水滴的危险成为可能。本技术成功地阻止弯液面移除后水滴遗留在晶圆的活动器件区域。然而，当基板通过弯液面的时候，弯液面的确有时候仍然会在基板的外部区域的头端边沿和尾端边沿的进入和退出点留下小水滴。外部区域是从活动器件区到基板边沿的边界，在那里不形成微电子结构。偶然地，进入和退出痕迹会变成干线表面痕迹，特别是在亲水性晶圆上。因此，优选将这种进入和退出痕迹减少甚至清除。
通过下面的详细描述，结合附图，通过对本发明的原理进行具体例举的方式，本发明的优势将变得显而易见。
附图说明
通过下面的描述，并结合附图，可以更容易理解本发明，其中类似的元件用相似的数字标号表示。
图1显示了趋近头装置的一个示例性实现的透视图。
图2显示了上趋近头的示意图。
图3A，图3B，图3C和图3D描绘了基板退出由上趋近头和下趋近头形成的弯液面的过程。
图4显示了载具和基板间的空隙的透视图。
图5显示了正在完成向载具的转移的弯液面的横断面图。
图6A显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的下趋近头的俯视图。
图6B，图6C和图6D描绘了几种弯液面突起部的尺寸和形状。
图7显示了载具，基板和弯液面边界的平面图。
图8A，图8B和图8C显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头的示例性实施例。
图9A和图9B显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头的示例性实施例。
图10显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头的另一个实施例。
具体实施方式
在下面的描述中，先描述一些规则细节以提供对本发明的全面的理解。然而，显然，没有其中的一些或者全部的具体细节，本领域的技术人员仍然能够实施本发明。在其它实施例中，没有对一些熟知的工艺步骤和/或结构进行描述，以避免不必要地使得本发明的重点模糊。此处用的“弯液面”这个词，指的是部分地由液体的表面张力限定和容纳的一定量的液体。该弯液面是可控的，能够在容纳的形状的表面移动。在具体实施例中，弯液面通过将流体传送到基板表面上同时也去除流体以使得弯液面仍然是可控的来保持的。而且，弯液面形状可以通过精确的流体传送和去除系统控制，该流体传送和去除系统部分与一控制器一计算系统交界，它们可以通过网络连接。
图1是趋近头装置100的一个示例性实现的透视图。在本实施例中，基板160位于载具150内，载具150以箭头152的方向在上趋近头110和下趋近头120间穿过。上下趋近头110、120在其间形成了流体的弯液面。载具150可以与引起载具150以箭头166的方向在上下趋近头110、120间移动的一些装置(未示)相连接。在一个实施例中，基板160在趋近头110、120一侧的第一位置装载到载具150上，并在趋近头110、120另一侧的第二位置从载具150上移除。然后，载具150可穿过趋近头110、120之间，或通过趋近头110、120的上方、下方或四周回到第一位置，在那里装载下一块基板，并重复该流程。
应当注意到，尽管在图1的实施例中，基板以箭头152的方向在趋近头110、120间穿过，也可以是基板停留不动，而趋近头110、120分别在基板上方和下方通过，只要基板相对于趋近头移动即可。而且，基板穿越趋近头的方向是随意的。也就是说，基板并不一定要求是水平方向的，也可以是纵向的或任意角度的。
在某些实施例中，控制器130，可以是功能由逻辑电路或软件决定的通用的或专用的电脑系统或两者都有，控制着载具150的运动和流向上下趋近头110、120的流体的流动。
图2是上趋近头110的示意图。趋近头包括排列在趋近头110的表面111上的多个中央弯液面喷嘴116，通过喷嘴提供形成弯液面200的液体。该液体可以是去离子水，清洁溶液或其它用来处理，清洁或漂洗基板160的液体。多个开口114在弯液面200四周提供了真空。真空开口114从弯液面200或周围流体(例如空气或由主气体喷嘴112供应的其他的气体)中抽出流体。在某些实施例中，主气体喷嘴112包围真空开口114并供应异丙醇蒸汽，氮气，两者的混合物，或其他的一种或多种气体或气体/液体流体。根据该实施例，主气体喷嘴112和由此供应的流体可用来对在弯液面200表面上保持粘着的液体/气体表面提供帮助。在一个实施例中，主气体喷嘴112不存在或没有使用。在另一个实施例中，主气体喷嘴112供应二氧化碳(CO2)或N2和异丙醇(IPA)蒸汽的混合气体。下趋近头120(图2中未显示)可以是上趋近头的镜像，并可以相同的方式运作。
图3A到3D描绘了基板160退出由上下趋近头110、120形成的弯液面200。在图3A中，基板160完全穿过弯液面200从而其头端162和尾端164位于弯液面200的两侧。应当注意到，典型地，基板160是圆的，而载具150显示于弯液面200的外面，载具150的一些部分可与弯液面200接触，尽管在图中看不到。
在图3B中，弯液面200正从基板160转移到载具150。载具150的横截面可比基板160稍厚。例如，基板160为大约0.80毫米厚，而载具为大约1.5毫米厚。因此，随着弯液面200转移到载具150上，一定量的弯液面液体被载具150取代。
在图3C中，弯液面200正完全脱离基板160并转移到载具150上。此时，弯液面200的尾端仍然与基板160的尾端164接触。此时作用到弯液面200上的力将在下面参照图5加以说明。
在图3D中，弯液面已经完全脱离了基板160，并在基板160尾端164的外部区域留下了弯液面液体的小水滴202。水滴202如果干燥的话会留下由溶解的或污染的元素形成的斑点，该斑点在这里被称为退出痕迹。如果基板表面是亲水性的，水滴202能够迁移入基板的活动器件区域，这会引起那里的器件的缺陷。据信有很多因素对小水滴202在基板160的尾端164的出现和尺寸存在影响。应当注意到，头端162的进入痕迹可以是以与头端162退出弯液面200时类似的方式形成的。
图4显示了载具150和基板160间的空隙158的透视图。弯液面外围204显示了弯液面和载具150及基板160的接触区域。弯液面正以箭头208指示的方向移动。随着弯液面脱离晶圆160，空隙158中的弯液面流体被弯液面的边缘沿着箭头206的方向扫掉。当弯液面外围204的尾端210到达基板160的尾端164时，流体被导向毗邻基板尾端164的空隙内的点212。可以看出，随着弯液面移到载具150上方，空隙158中的流体不断流出空隙158。因此，流体不会真正的按照箭头206的方向移动，而是流向的分量在箭头206上，导致在点212处流体的囤积。
图5显示了正在完成向载具的转移的弯液面200在点212的横断面图。在这个点上，弯液面200仍然与基板160的尾端164接触。载具150可比基板160稍厚，阻止流体沿着箭头214向远离基板160的方向流动。真空开口114吸引流体，包括弯液面液体和周围气体，对弯液面液体施加箭头216指示的力。另一个力可以是流体退出主气体喷嘴112(图2)时施加的，该力，如果提供的话，如箭头218所示，对弯液面的气体/液体界面施加向内的推力。重力211也向弯液面200施加作用力。而且，如果基板160是亲水性的话，那么对弯液面液体的吸引力可以带来氢键力，将水拉回到基板160上，如箭头222所示。
图6A显示了，通过当弯液面转移脱离基板时，促进载具-基板间空隙的弯液面液体的流动，从而减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的下趋近头120的表面121。根据上面参照图2所述，下趋近头120包括多个设置在中心的弯液面喷嘴116，以供应弯液面液体，多个真空开口114以便于完全包围弯液面喷嘴116。真空开口114吸收弯液面液体和周围的气体。可选地，多个主气体喷嘴112至少部分地包围真空开口114，并供应气体或气体/液体混合物以帮助维持弯液面的气体/液体界面的完整性。弯液面喷嘴116，真空开口114以及主气体喷嘴112(可选)排列于趋近头120表面121。在一个实施例中，弯液面的尾端122上设置在中央的突出部提供用于减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置。真空开口114的布置决定了弯液面的形状。图6显示下趋近头120正形成位于中央的突起，通过让真空开口114和相邻的主气体喷嘴112的位置远离由下趋近头120的中央部分125的弯液面喷嘴116确定的轴线。上趋近头110(图1)上也形成相应的中央突起，因而它们均在弯液面的尾端生成位于中央的弯液面突起。
图6B显示了图6A的趋近头形成的示例性弯液面配置的轮廓。该弯液面包括主要部分225和突起220。突起220可以具有多种形状。例如，如图6C所示，突起220A有直的边沿，突起220B有两个圆凸边沿，从弯液面平滑地向中心点延伸，突起220C有内凹的边沿，而突起220D有复杂的边沿形状。在一个实施例中，边沿如图220C所示是内凹的，边沿与基板160有相同的曲率半径(图7)。
在图6C中，显示了最小的突起尺寸，突起的高度224与两个相邻的真空开口间的距离相等，突起的宽度与三个相邻的真空开口间的距离相等。然而，突起可以是任何合适的尺寸。在一个实施例中，例如，突起的高度由6个相邻的真空开口的距离确定，宽度由12个真空开口的距离确定，每个真空开口直径大约0.06英寸，并有0.12英寸的间距(中心距)。
图7显示了载具150，基板160和弯液面边界204在第一位置230及第二位置232的平面图。载具150以箭头166指示的方向移动且/或弯液面以箭头208指示的方向移动。载具150包括多个支撑脚152，每个支撑脚都有基板支撑和对准中心的特性(未示)，以确保基板160和载具150间有一致的基板-载具空隙158。在一个实施例中，载具150在头端侧154和尾端侧156有倾斜的边沿，以防止在载具150进入和退出弯液面的时候弯液面的容量的突然变化。例如，载具150有6条边，其中两条头端边沿155每个大概与横向有夹角θ，共同形成一个位于中央的点。在一个实施例中，θ为大约15度。其他的不会导致弯液面液体迅速移位的形状也是可能的，例如梯形或平行四边形，其中头端和尾端与基板运动的方向成除直角外的其他角度或与弯液面的头端或尾端边沿成一定角度(即，不是与之平行)。
在某一个时间点，弯液面位于位置230并以方向208相对于载具150移动。在后面的某个时间，弯液面位于位置232。在位置232，突起220的高度越过了空隙158。因为突起220，弯液面边界204的尾端边沿210不在空隙158的切线上。结果是，因为突起220的存在，流体流出点212(图4)的流体有额外的时间从空隙158中逃逸。因为流体有额外的时间从空隙158中逃离，就不太可能仍然附着于基板160并留下痕迹。
突起220对于减少形成在基板160头端边沿162的进入痕迹也是有效的。在一个实施例中，中央缺口形成于弯液面(未示)的头端边沿，以进一步减少进入痕迹的实例。应当注意到，突起220的形状，包括突起220的宽度和深度(指的是突起220的高度)，可以根据实施方式的不同有所不同，但是在一个实施例中，是足够窄的，而且能提供足够的高度以增进载具-基板间空隙的弯液面液体的流动。
图8A，图8B和图8C显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头250的示例性实施例，通过当弯液面移动脱离基板时促进载具-基板间空隙的弯液面液体的流动实现。特别地，趋近头250，可以是上趋近头或下趋近头，包括排列于表面251上位于中央的空隙排泄气体喷嘴252以供应额外的气体，在弯液面200完全脱离基板160时推动弯液面200，图8C最好的显示了这一点。如上面参考图5所述，接触基板160和基板-载具空隙158的弯液面受几个互相抵触的力的影响，包括将弯液面拉到基板上并阻止其转移到载具上的表面张力，使弯液面脱离基板和载具的吸力，以及将弯液面拉入基板-载具间空隙的重力。还有，气流可以对弯液面200施加正向压力，并因此帮助对抗可能引起进入和退出痕迹的表面张力。主气体喷嘴112将二氧化碳或氮气和/或异丙醇蒸汽传送至弯液面以协助弯液面容纳及晶圆干燥。然而，主气体喷嘴并不容易用来帮助消除进入和退出痕迹，因为主气体喷嘴设置在至少一部分真空开口114周围，会影响整个弯液面或其实际容积。另一方面，一个或多个空隙排泄气体喷嘴252提供了一个局部化的“风扇”，或气流“窗帘”，这些可以独立控制，因此可以仅在进入和退出痕迹形成区域选择性的应用于基板/弯液面界面。通过恰好在弯液面200的尾端边沿移入或移出时使用空隙排泄气体喷嘴252对弯液面200应用额外的压力，弯液面液体退出空隙158被推回弯液面内，从而它不会粘到晶圆上，因此降低进入和退出痕迹形成的尺寸和可能性，并避免晶圆缺陷。
在某些实施例中，多个中央流体开口区域，在基板160和载具150之间的弯液面的尾端边沿恰好转移之前和期间提供额外的压力。在本实施例中，一个或多个设置在中央的空隙排泄气体喷嘴252被一个或多个额外区域第三喷嘴254包围，在图8A和图8B所可以看到。可提供任意数量的区域，每个区域由控制器130(图1)独立控制以在弯液面转移期间的合适的时间向弯液面200提供气体压力。控制器130可包括一个机械的或电脑初始化的计时机制。例如，一种机械计时机制利用趋近探测器(proximity sensor)(未示)激活空隙排泄气体喷嘴252(或空隙排泄气体喷嘴252和二级空隙排泄气体喷嘴254)，其中该距离探测器对基板150相对于上下趋近头110、120(图1)的位置作出响应。电脑初始化的计时机制可包括来自机器人促动机构(未示)的位置信息，用于将载具150传送通过弯液面。
图9A和图9B显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头260的示例性实施例，通过当弯液面移动脱离基板时促进载具-基板间空隙的弯液面液体的流动实现。特别地，趋近头260包括一个分区的真空歧管以提供多个真空开口区域，每一个与一个独立的真空源相连。通过向中央区域262提供独立的真空源，真空分流可以最小化，该中央区域在与弯液面尾端相应的位置具有排列在表面216内的真空开口，这促进了载具-基板间空隙158的弯液面液体的流出。
当一些真空开口流过过量流体时，会发生真空分流。在这种情况下，面板265(图9A)的压力降可能不足以清除流体，使得来自弯液面的气体和液体转移到附近的真空开口中。当晶圆和载具上囤积了大量的水的时候，就在弯液面正完全脱离基板的那一刻，会发生真空分流。这减少了在最需要的那一点(基板退出弯液面的时刻的基板的尾端边沿)的可用的吸引力。
通过对位于弯液面尾端边沿上的位于中央的真空开口的中央区域262提供独立的真空源，真空分流被最小化，这增加了弯液面液体向载具-基板间空隙158外的流动。
参照图9A和图9B，排列在表面261中的多个弯液面喷嘴116提供弯液面液体给弯液面200(图2)。真空开口114包围弯液面喷嘴116，并吸出弯液面液体和周围气体的混合物。主气体喷嘴112至少部分包围真空开口114，并被用来供应气体或气体/液体，这有助于保持弯液面的完整性。在一个实施例中，真空开口114被分到多个区域，包括沿着趋近头260的尾端边沿204的设置在中央的第一区域262，以及包含其余真空开口114的至少一附加区域263，264。附加区域可以包括一个位于第一区域262的任意一侧包含多个真空开口114的二级区域264，以及包含其余真空开口114的三级区域263。每个区域263、262、264都有一个相应的专门的、独立的歧管271、272、274，并且每个歧管271、272、274都通过一个相应的连接281、282、284与真空源280流体连通。
图10显示了具有用以减少进入和退出痕迹的尺寸和频率的装置的趋近头的另一个实施例，通过当弯液面移动脱离基板时促进载具-基板间空隙的弯液面液体的流动实现。趋近头290包括排列于表面291的多个弯液面喷嘴116以供应弯液面液体。表面291上的真空开口114包围弯液面喷嘴116，并吸出弯液面液体和周围气体。真空开口114包括完全包围弯液面喷嘴的真空开口114的第一排293，以及与趋近头290的尾端边沿298的中央部分相邻的真空开口114的排295。位于第一排293内的真空开口114与一个公用的歧管相连，如上面对图9A的区域263的描述。位于第二排295内的真空开口114与一个或多个附加歧管中的一个相连。在一个实施例中，在趋近头290的尾端边沿中央设置的区域292中的排295中的开口114与一个歧管相连(未示)，区域294中的排294中的开口114与另一个歧管相连(未示)。每个歧管都包括一个与真空源的独立的连接，如上面参照图9A描述的那样。
应当注意到，上下趋近头中的任何一个或两个以及载具可以由电脑系统控制，从而载具相对于趋近头的运动速度可以根据载具相对于趋近头的位置保持不变或者作出改变。在一些实施例中，例如，当弯液面进入和退出基板时，载具的运动速度可以比较慢，从而给弯液面液体提供更多的时间以从载具-基板空隙中流出。而且，通过气体喷嘴112、252(图8C)的气流和供应到真空开口114的真空(图9A-图10)也可以通过机械和/或由电脑控制以便给吸收的激活/失活计时，或者根据基板相对于趋近头的位置改变流速。电脑控制可以通过使用硬件逻辑或与多用途电脑处理器连接，使用控制吸收的运动和/或应用的计算机程序来实现。在某些实施例中，电脑程序可以控制供应到弯液面的液体的容量和/或成分。因此，电脑程序可以对给定的多种应用中的每一个确定特别定制的流体配方。
考虑到上述实施例，应到理解本发明可以采用各种利用到存储在电脑系统中的数据的由电脑完成的操作。这些操作是指那些需要对物理量进行物理处理的操作。尽管不是一定要这样，但通常来说，这些物理量采用电子信号或磁信号的形式，可以被存储，传输，联合，比较和操作。而且，进行的操作一般指生产、识别、决定或比较等。
这里描述的组成发明的部分的任何操作通常都是有用的机器操作。本发明还涉及执行这些操作的器件或装置。该装置可以是根据所需的目的特别建造的，也可以是由存储在电脑中的电脑程序选择性地激活或配置过的通用目的的电脑。特别地，各种通用机器可以结合与本教导相对应的电脑程序加以使用，也可以更方便地建造更专门的装置来执行所需的操作。
本发明也可以表现为电脑可读介质中中的电脑可读代码。该电脑可读介质是任何的可存储数据的数据存储器件，其中的数据可以用电脑系统读取。电脑可读介质也可以包括嵌入了电脑代码的电磁载波。电脑可读介质的示例包括硬驱、网络存储(NAS)，只读存储器，随机读取存储器，CD-ROM，CD-R，CD-RW，磁带和其他的光学及非光学数据存储器件。电脑可读介质还可以通过联网的电脑系统发布，从而该电脑可读代码可以分布式存储和执行。
本发明的实施方式可以在单一电脑上处理，或使用多台互联的电脑或电脑元件处理。这里所说的电脑应当包括有自己的处理器，自己的记忆体，自己的存储器的独立电脑系统，也可以是提供电脑资源至网络终端的分布式电脑系统。在一些分布式电脑系统中，一个电脑系统的用户实际上可以访问那些多个用户间共享的元件部分。因此用户可以通过网络访问虚拟电脑，该虚拟电脑对用户来说像是对单一用户定制和专属的一个电脑。
尽管为了更清楚的理解本发明，本发明是通过细节的方式描述的，但是显然，在本发明权利要求的范围内，可以对本发明作出一些改变和修改。相应地，本说明书的实施例应当被认为是对本发明的描述，而非限制，而且本发明不限于所给的细节，而是可以在本发明的权利要求的范围内作出修改。

Claims (22)

1.一种生成和保持用于处理基板的弯液面的趋近头，该基板由载具支撑，该载具包含围绕该基板的框架，该趋近头包含：
沿着线性轴以间隔开的关系排列于该趋近头的表面的多个弯液面喷嘴，该弯液面喷嘴被配置为向弯液面供应弯液面液体；
以间隔开的关系排列于该趋近头的该表面的多个真空开口，该多个真空开口被布置为形成完全并相邻地包围该多个弯液面喷嘴的吸收区域，其中该多个真空开口的一部分相对于沿着该线性轴存在的该多个真空开口中的剩余部分离该多个弯液面喷嘴沿之形成的该线性轴更远且位于该趋近头的中央部分，
其中在该趋近头的该中央部分的离该线性轴更远的该多个真空开口的该部分减少基板的头端边沿和尾端边沿的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率，由此辅助并促使来自弯液面的液体从该基板和该载具之间的空隙排出。
2.根据权利要求1所述的趋近头，还包含排列于该趋近头的该表面的多个气体喷嘴，该气体喷嘴至少部分包围该多个真空开口。
3.根据权利要求1所述的趋近头，其中，当该基板的头端边沿退出该弯液面的尾端边沿时，在该趋近头的该中央部分的离该线性轴更远的该多个真空开口的该部分使得来自弯液面的液体从该空隙中排出，由此减少进入痕迹的尺寸和频率。
4.根据权利要求1所述的趋近头，其中在该趋近头的该中央部分的离该线性轴更远的该多个真空开口的该部分导致弯液面在该弯液面的尾侧具有突起，该突起位于中央以将基板的头端边沿和尾端边沿的流体排出。
5.根据权利要求4所述的趋近头，其中该突起的形状包含从该尾端边沿向外延伸至中心点的两个内凹边沿。
6.根据权利要求1所述的趋近头，进一步包含：
至少一个在该趋近头的尾侧上位于中央的空隙排泄气体喷嘴，其中该至少一个空隙排泄气体喷嘴与气体供应连接流体连通以供应气体，该至少一个空隙排泄气体喷嘴被配置为供应气流，该气流向排出空隙的液体施加脱离基板并返回弯液面内的力。
7.根据权利要求6所述的趋近头，其中该至少一个空隙排泄气体喷嘴被布置为与多个排列于该趋近头的该表面的主气体喷嘴相邻，该多个主气体喷嘴至少部分包围该多个真空开口，该至少一个空隙排泄气体喷嘴与气体供应连接流体连通以独立于该多个主气体喷嘴供应气体。
8.根据权利要求6所述的趋近头，还包含至少一个二级空隙排泄气体喷嘴组，每个二级空隙排泄气体喷嘴组位于该至少一个空隙排泄气体喷嘴的任意一侧，每个二级空隙排泄气体喷嘴组与相应的连接流体连通以独立于该至少一个空隙排泄气体喷嘴供应气体。
9.根据权利要求1所述的趋近头，其中该多个真空开口被分为多个区域，该多个区域包括至少一个位于该趋近头的该表面的尾侧的中央区域，该多个区域中的每个区域都包括一个相应的独立的真空连接与该区域的真空开口流体连通。
10.根据权利要求9所述的趋近头，其中该多个区域包括一个包含不在该中央区域的所有真空开口的二级区域。
11.根据权利要求9所述的趋近头，其中该多个区域包括一个包含位于该中央区域任何一侧的真空开口的二级区域，以及一个包含既不在该中央区域中又不在该二级区域中的所有真空开口的三级区域。
12.根据权利要求9所述的趋近头，其中该中央区域包含一单排真空开口，且其中该多个区域进一步包括二级区域，该二级区域包含沿着该中央区域的该单排真空开口的另一排真空开口。
13.一种使用由上趋近头和下趋近头形成的弯液面处理基板的方法，该方法包含：
将基板放置于载具中，该载具具有能够容纳基板的开口并在该开口内具有多个支撑该基板的支撑脚，该开口比该基板稍大，因而在放入基板后，在基板和开口间存在一个空隙；
将该基板和载具穿过生成在该上下趋近头之间的弯液面，该上下趋近头的每一个都包括排列于该趋近头的表面的多个弯液面喷嘴，该多个弯液面喷嘴被配置为向该弯液面供应液体，该上下趋近头的每一个都还包括排列于该趋近头的该表面的多个真空开口，该多个真空开口被布置为形成完全并相邻地包围该多个弯液面喷嘴的吸收区域；及
用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤，通过使用该上下趋近头促使来自该弯液面的液体从该空隙排出，
其中该用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤包括产生在该弯液面的尾侧具有突起的弯液面，该突起位于中央以排出该基板的头端和尾侧边沿的流体。
14.根据权利要求13所述的方法，其中该用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤使得，当该基板的头端边沿退出该弯液面的尾端边沿时，来自弯液面的液体从该空隙中排出，因此减少进入痕迹的尺寸和频率。
15.根据权利要求13所述的方法，其中该上下趋近头的每一个包括至少一个在该趋近头的尾侧上位于中央的空隙排泄气体喷嘴，该用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤进一步包含控制流到该至少一个空隙排泄气体喷嘴的气流，从而使得从该至少一个空隙排泄气体喷嘴排出的气流向弯液面施加让离开该空隙脱离该基板的液体返回该弯液面内的力。
16.根据权利要求15所述的方法，其中该至少一个空隙排泄气体喷嘴被布置为与多个排列于该趋近头的该表面的主气体喷嘴相邻，该多个主气体喷嘴至少部分包围该真空开口，该至少一个空隙排泄气体喷嘴与气体供应连接流体连通以独立于该多个主气体喷嘴供应气体，该方法还包含独立地控制该至少一个空隙排泄气体喷嘴，仅仅当该弯液面的尾端边沿离开该空隙时施加该力。
17.根据权利要求15所述的方法，其中该趋近头还包含至少一个二级空隙排泄气体喷嘴组，每个二级空隙排泄气体喷嘴组位于该上下趋近头上该至少一个空隙排泄气体喷嘴的任意一侧，该方法还包含独立地控制吹向每个该至少一个二级空隙排泄气体喷嘴组的气流，以在该弯液面的尾端边沿转移到在该基板和该载具之间时供应气流。
18.根据权利要求13所述的方法，其中该多个真空开口分割为多个区域，该用于减少基板的进入或退出至少之一的痕迹的尺寸和频率的步骤包含独立地向该多个真空开口区域供应真空，该多个区域包括至少一个位于该趋近头的该表面的尾侧的中央区域。
19.根据权利要求18所述的方法，其中该多个区域包括一个包含不在该中央区域的所有真空开口的二级区域。
20.根据权利要求18所述的方法，其中该多个区域包括一个包含位于该中央区域任何一侧的真空开口的二级区域，以及一个包含既不在该中央区域中又不在该二级区域中的所有真空开口的三级区域。
21.根据权利要求18所述的方法，其中该中央区域包含一排真空开口，该多个区域包括第二区域，该第二区域包含完全包围向该弯液面供应液体的弯液面喷嘴的真空开口，还包括沿着该中央区域的该排真空开口的一排真空开口。
22.一种生成和保持用于处理基板的弯液面的趋近头，该基板由载具支撑，该载具包含围绕该基板的框架，该趋近头包含：
沿着线性轴排列于该趋近头的表面的多个弯液面喷嘴，该弯液面喷嘴被配置为向该弯液面供应弯液面液体；
排列于该趋近头的该表面的多个真空开口，该多个真空开口被布置为形成完全并相邻地包围该多个弯液面喷嘴的吸收区域，其中该多个真空开口的一部分相对于沿着该线性轴存在的该多个真空开口中的剩余部分离该多个弯液面喷嘴沿之形成的该线性轴更远且位于该趋近头的中央部分，从而在该趋近头的该中央部分的该吸收区域以对称内凹的形状远离该趋近头的该中央部分的中心点；
排列于该趋近头的该表面的多个气体喷嘴，该气体喷嘴至少部分包围该多个真空开口；及
其中在该趋近头的该中央部分的该吸收区域的该对称内凹形状减少基板的头端边沿和尾端边沿的进入和退出至少之一的痕迹的尺寸和频率，由此辅助并促使来自弯液面的液体从该基板和该载具之间的空隙排出。
CN2007800364881A 2006-09-29 2007-09-27 减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹 Expired - Fee Related CN101523564B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/537,501 US7946303B2 (en) 2006-09-29 2006-09-29 Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
US11/537,501 2006-09-29
US11/612,868 2006-12-19
US11/612,868 US7703462B2 (en) 2006-09-29 2006-12-19 Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus
PCT/US2007/020893 WO2008042238A1 (en) 2006-09-29 2007-09-27 Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101523564A CN101523564A (zh) 2009-09-02
CN101523564B true CN101523564B (zh) 2012-05-30

Family

ID=39259932

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800364881A Expired - Fee Related CN101523564B (zh) 2006-09-29 2007-09-27 减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹
CN2007800363060A Expired - Fee Related CN101523563B (zh) 2006-09-29 2007-09-27 用于减少由基片处理弯液面留下的进入和/或离开的痕迹的载具

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800363060A Expired - Fee Related CN101523563B (zh) 2006-09-29 2007-09-27 用于减少由基片处理弯液面留下的进入和/或离开的痕迹的载具

Country Status (8)

Country Link
US (6) US7946303B2 (zh)
JP (1) JP5164990B2 (zh)
KR (1) KR101415401B1 (zh)
CN (2) CN101523564B (zh)
MY (1) MY161815A (zh)
SG (1) SG175574A1 (zh)
TW (2) TWI394228B (zh)
WO (1) WO2008042295A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8813764B2 (en) * 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US7946303B2 (en) 2006-09-29 2011-05-24 Lam Research Corporation Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
KR20100066631A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 삼성전자주식회사 세정설비 및 그의 세정방법
US20100294742A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Enrico Magni Modifications to Surface Topography of Proximity Head
US11459481B2 (en) * 2014-10-07 2022-10-04 The Boeing Company Thermal spray for durable and large-area hydrophobic and superhydrophobic/icephobic coatings
US9714462B2 (en) * 2014-10-08 2017-07-25 Applied Materials, Inc. Vacuum pre-wetting apparatus and methods
JP6713195B2 (ja) * 2016-01-22 2020-06-24 株式会社ディスコ チャックテーブル
JP6156893B1 (ja) * 2016-03-01 2017-07-05 株式会社 イアス 基板分析用のノズル
JP6916003B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11062898B2 (en) * 2018-07-30 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Particle removal apparatus, particle removal system and particle removal method

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4473455A (en) * 1981-12-21 1984-09-25 At&T Bell Laboratories Wafer holding apparatus and method
US4457259A (en) * 1983-03-14 1984-07-03 Rca Corporation Apparatus for spraying a liquid on a spinning surface
US4609285A (en) * 1985-08-30 1986-09-02 Rca Corporation Wafer support plate for photolithographic apparatus
JPS6322743U (zh) * 1986-07-29 1988-02-15
JPH0693449B2 (ja) * 1989-12-25 1994-11-16 佳英 柴野 温純水引上方式に於ける乾燥装置
JPH04123532U (ja) * 1991-04-25 1992-11-09 日立電線株式会社 半導体基板の洗浄装置
US6712577B2 (en) * 1994-04-28 2004-03-30 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
DE19800584C2 (de) * 1998-01-09 2002-06-20 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6491764B2 (en) * 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JPH11111803A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JP2974007B1 (ja) * 1997-10-20 1999-11-08 新神戸電機株式会社 被研磨物保持材及び被研磨物の製造法
JP3869137B2 (ja) * 1999-01-08 2007-01-17 ローム株式会社 超音波洗浄機
JP3653198B2 (ja) * 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
US6495005B1 (en) * 2000-05-01 2002-12-17 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus
US7000622B2 (en) * 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6591515B2 (en) * 2001-09-10 2003-07-15 Kemet Electronics Corporation Mobile incline kinetic evaporator
JP4003441B2 (ja) * 2001-11-08 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置および表面処理方法
DE10200525A1 (de) * 2002-01-09 2003-10-23 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten
US7513262B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US20050176252A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Goodman Matthew G. Two-stage load for processing both sides of a wafer
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US7946303B2 (en) 2006-09-29 2011-05-24 Lam Research Corporation Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090085588A (ko) 2009-08-07
CN101523564A (zh) 2009-09-02
US8534303B2 (en) 2013-09-17
US7946303B2 (en) 2011-05-24
TWI394228B (zh) 2013-04-21
JP5164990B2 (ja) 2013-03-21
US20130061879A1 (en) 2013-03-14
US20100170539A1 (en) 2010-07-08
US7703462B2 (en) 2010-04-27
MY161815A (en) 2017-05-15
CN101523563A (zh) 2009-09-02
TW200832603A (en) 2008-08-01
US8105441B2 (en) 2012-01-31
US8317932B2 (en) 2012-11-27
US20080078421A1 (en) 2008-04-03
TWI392007B (zh) 2013-04-01
JP2010505272A (ja) 2010-02-18
US20080081775A1 (en) 2008-04-03
US8623152B2 (en) 2014-01-07
WO2008042295A1 (en) 2008-04-10
TW200834697A (en) 2008-08-16
US20110197928A1 (en) 2011-08-18
KR101415401B1 (ko) 2014-07-04
US20120079698A1 (en) 2012-04-05
CN101523563B (zh) 2013-08-21
SG175574A1 (en) 2011-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101523564B (zh) 减少基板处理弯液面留下的进入和退出痕迹
US11342190B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5538102B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN102339774B (zh) 基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法
US20170084470A1 (en) Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber
JP4676230B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US7431038B2 (en) Wet processing device and wet processing method
JP6559602B2 (ja) 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法
CN101807514B (zh) 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP5913167B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
JP2006073998A (ja) 近接型プロキシミティプロセスヘッド
JP4343069B2 (ja) 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。
JP7197376B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005294835A (ja) 基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法
KR101670095B1 (ko) 액 처리 장치
JP5503435B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6203893B2 (ja) 液処理装置および洗浄方法
JP2010524204A (ja) 傾斜した真空導管システムを備えた近接ヘッド、並びに、その装置および方法
JP2006351864A (ja) 処理システム及び処理方法
US20200388511A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2012060137A (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2000208460A (ja) 半導体ウエ―ハを洗浄するする装置及び方法
TW201933436A (zh) 處理液吐出配管以及基板處理裝置
US20220297167A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102414891B1 (ko) 기판 액 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120530

Termination date: 20140927

EXPY Termination of patent right or utility model