CN101520582A - 电光装置及其制造方法 - Google Patents

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CN101520582A CN200910118224A CN200910118224A CN101520582A CN 101520582 A CN101520582 A CN 101520582A CN 200910118224 A CN200910118224 A CN 200910118224A CN 200910118224 A CN200910118224 A CN 200910118224A CN 101520582 A CN101520582 A CN 101520582A
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Abstract

本发明涉及一种电光装置及其制造方法。该电光装置，至少具备：基板(10)、形成于基板上的具有预定宽度的第1遮光膜(73)、形成于第1遮光膜(73)上的第1层间绝缘膜(41)、形成于第1层间绝缘膜(41)上的晶体管(30)、形成于晶体管(30)上的第2层间绝缘膜(42)、和形成于第2层间绝缘膜(42)上的第2遮光膜(30)，其特征为：晶体管(30)的半导体层(1)，以从基板(10)侧由第1遮光膜(73)覆盖的方式设置，并且以从与基板(10)相反侧由第2遮光膜(70)覆盖的方式设置；第2遮光膜(70)，形成得比第1遮光膜(73)宽；第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分，俯视存在于第1遮光膜的端部与第2遮光膜的端部之间。

Description

电光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，在便携电话机、便携型计算机、摄像机等的电子设备中，显示部广泛采用液晶装置等的电光装置。在如此的液晶装置中，由于光到达作为其构成要件的液晶驱动用的TFT(薄膜晶体管)而流动泄漏电流，存在显示质量可能下降这一问题。为了解决如此的问题，例如在专利文献1中，公开了如下液晶装置：在TFT的上层侧及下层侧的至少一方配置遮光膜，抑制光向该TFT的入射。并且，在专利文献2中，公开了如下液晶装置：使遮光膜的光反射率形成为，在与TFT相对的一侧降低、在其相反侧升高，抑制光向该TFT的入射。
【专利文献1】日本特开平10—301100号公报
【专利文献2】日本特开平2000—330133号公报
可是因为在上述液晶装置中遮光膜为平板状，所以无法充分遮挡相对于TFT从横向方向或者倾斜方向进行入射的光，存在无法充分减轻由泄漏电流所引起的显示质量的下降这一问题。
发明内容
本发明，为了解决上述问题的至少一部分而作出，能够作为以下的方式或应用例而实现。
(应用例1)
一种电光装置，其至少具备：基板、形成于上述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于上述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于上述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于上述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于上述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，其特征为：上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；上述第2遮光膜，形成得比上述第1遮光膜宽；上述第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分，俯视存在于上述第1遮光膜的端部与上述第2遮光膜的端部之间。
如果为如此的构成，则形成于上述第1层间绝缘膜上的上述第2层间绝缘膜，能够形成得连上述晶体管的侧面也覆盖。从而，形成于上述第2层间绝缘膜上的上述第2遮光膜形成为连上述晶体管的侧面也覆盖的形状，能够降低从横向方向或者倾斜方向进行入射的光的影响。
(应用例2)
一种电光装置，其至少具备：基板、形成于上述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于上述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于上述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于上述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于上述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，其特征为：上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；上述第2遮光膜，形成得比上述第1遮光膜宽；上述第1遮光膜的表面与上述第1层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于上述第1遮光膜的端部与上述第2遮光膜的端部之间。
如果为如此的构成，则形成于上述第1层间绝缘膜上的上述第2层间绝缘膜，能够形成得连上述晶体管的侧面也覆盖。从而，形成于上述第2层间绝缘膜上的上述第2遮光膜形成为连上述晶体管的侧面也覆盖的形状，能够遮挡从横向方向或者倾斜方向进行入射的光，能够降低由泄漏电流所引起的显示质量的下降。
(应用例3)
一种电光装置，其至少具备：基板、具有形成于上述基板上的预定宽度的第1遮光膜、形成于上述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于上述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于上述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于上述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，其特征为：上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；上述第2遮光膜，形成得比上述第1遮光膜宽；上述第2层间绝缘膜的表面与上述基板表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于上述第1遮光膜的端部与上述第2遮光膜的端部之间。
如果为如此的构成，则上述第2层间绝缘膜能够形成为不仅覆盖上述晶体管的上表面、而且也覆盖侧面的形状。从而，能够遮挡从横向方向或者倾斜方向入射于上述晶体管的光，能够降低由泄漏电流所引起的显示质量的下降。
(应用例4)
一种电光装置，其至少具备：基板、具有形成于上述基板上的预定宽度的第1遮光膜、形成于上述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于上述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于上述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于上述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，其特征为：上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；上述第2遮光膜，形成得比上述第1遮光膜宽；上述第1遮光膜的表面与上述第2层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于上述第1遮光膜的端部与上述第2遮光膜的端部之间。
如果为如此的构成，则形成于上述第1层间绝缘膜上的上述第2层间绝缘膜，能够形成得连上述晶体管的侧面也覆盖。从而，形成于上述第2层间绝缘膜上的上述第2遮光膜形成为连上述晶体管的侧面也覆盖的形状，能够遮挡从横向方向或者倾斜方向进行入射的光，能够降低由泄漏电流所引起的显示质量的下降。
(应用例5)
一种电光装置，作为上述的电光装置，其特征为：上述第1层间绝缘膜与上述第2层间绝缘膜中的至少一方，是通过HDP—CVD法(高密度等离子体化学气相淀积法，High-Density Plasma Chemical VaporDeposition)形成的。
如果依照于HDP—CVD法，则能够抑制成为基底的图形的绝缘膜在侧壁部处的生长(成膜)。从而，如果为如此的构成，则上述第2遮光膜能够形成得连上述晶体管的侧面也覆盖，可有效地进行由泄漏电流引起的显示质量的下降的降低。
(应用例6)
一种电光装置的制造方法，包括：在基板上形成具有预定宽度的第1遮光膜的第1工序；在上述基板上形成第1层间绝缘膜的第2工序；在上述第1层间绝缘膜上形成晶体管的第3工序；形成覆盖上述晶体管的第2层间绝缘膜的第4工序；和在上述第2层间绝缘膜上形成覆盖上述晶体管的第2遮光膜的第5工序，其特征为：在上述第2工序或上述第4工序中，至少一方的上述层间绝缘膜是通过HDP—CVD法形成的。
如果依照于如此的制造方法，则因为能够抑制成为基底的图形的绝缘膜(第1层间绝缘膜，及第2层间绝缘膜)在侧壁部处的生长(成膜)，所以上述第2遮光膜能够形成得覆盖上述晶体管的侧面。从而，能够得到降低了由泄漏电流所引起的显示质量的下降的电光装置。
附图说明
图1是实施方式的液晶装置的概略俯视图。
图2是实施方式的液晶装置的概略剖面图。
图3是表示实施方式的液晶装置的整体结构的电路结构图。
图4是实施方式的液晶装置的像素部的俯视图。
图5是实施方式的TFT的模式剖面图。
图6是现有的TFT的模式剖面图。
图7是作为电子设备的投影机的立体图。
符号的说明
1...半导体层，5...栅电极，6...数据线，7...采样电路，9...像素电极，10...元件基板，11...扫描线，11a...上侧扫描线，11b...下侧扫描线，16...取向膜，20...对向基板，21...对向电极，22...取向膜，23...遮光膜，30...作为晶体管的TFT，41...第1层间绝缘膜，42...第2层间绝缘膜，43...第3层间绝缘膜，45...栅绝缘膜，50...液晶层，52...密封材料，53...框缘遮光膜，56...间隙材料，70...第2遮光膜(存储电容)，71...下部电容电极，73...第1遮光膜，75...电介质膜，100...显示区域，101...数据线驱动电路，102...外部电路连接端子，104...扫描线驱动电路，105...布线，106...上下导通端子，300...电容线，301...上部电容电极，500...投影机，510...主体，520...透镜，E1...第1遮光膜的端部，E2...第2遮光膜的端部，S1...第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分，S2...第2层间绝缘膜的表面与元件基板的表面的间隔变得最短的部分，T1...第1遮光膜的表面与第1层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，T2...第1遮光膜的表面与第2层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分。
具体实施方式
以下，关于本发明的实施方式，以作为电光装置之一例的驱动电路内置型的有源矩阵驱动方式的透射型液晶装置为例，参照图1～图6进行说明。还有，在示于以下的各图中，为了使各构成要件在附图上为可辨识的程度的大小，使该各构成要件的尺寸、比率与实物适当不同。
首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体结构，参照图1及图2进行说明。图1是液晶装置的从对向基板20侧看元件基板10与形成于其上的各构成要件的概略俯视图，图2，是图1的H—H’上的概略剖面图。
在图1及图2中，液晶装置，包括对向配置的元件基板10与对向基板20。元件基板10例如是石英基板、玻璃基板、硅基板等的透明基板。对向基板20，也是由与元件基板10同样的材料构成的透明基板。在元件基板10与对向基板20之间封进液晶层50，元件基板10与对向基板20，通过形成于显示区域100的周围的由紫外线固化树脂、热固化树脂等构成的密封材料52相互粘接。还有，在密封材料52中，散布有用于使元件基板10与对向基板20的间隔(基板间间隙)成为预定值的玻璃纤维或者玻璃粉等的间隙材料56。
并行于配置有密封材料52的密封区域的内侧，对显示区域100的框缘区域进行限定的遮光性的框缘遮光膜53，被设置于对向基板20侧。在元件基板10上的位于显示区域100的周边的周边区域，分别形成有数据线驱动电路101、采样电路7、扫描线驱动电路104以及外部电路连接端子102。在元件基板10上的周边区域中，从密封区域向外周侧，沿该元件基板的一边设置有数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。
扫描线驱动电路104被设置为，沿相邻于元件基板10的一边的2条边、且由框缘遮光膜53覆盖。进而，为了电连接设置于像素区域100的两侧的2个扫描线驱动电路104，沿元件基板10的剩余一边、且由框缘遮光膜53覆盖而设置有多条布线105。并且，在元件基板10上的周边区域中，在对向与对向基板20的4个角部的区域，配置有上下导通端子106，并在该元件基板10及对向基板20之间对应于上下导通端子106、电连接于该上下导通端子而设置有上下导通材料。
在图2中，在元件基板10上，形成有已设有开关用的TFT、扫描线、数据线等布线的叠膜结构。在显示区域100，在开关用的TFT、扫描线、数据线等布线的上层矩阵状地设置有像素电极9。在像素电极9上，形成有取向膜16。
另一方面，在对向基板20中的与元件基板10的对向面上，形成有遮光膜23。遮光膜23，例如由遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的显示区域100内，例如图形化为栅格状等。然后，在遮光膜23上(附图2中从遮光膜向下侧)，与多个像素电极9相对向地例如整面状地形成由ITO(氧化铟锡)等的透明材料构成的对向电极21，进而在对向电极21上形成有取向膜22。
液晶层50，例如由一种或混合了几种向列液晶的液晶构成，在上述的一对取向膜间保持预定的取向状态。而且，当液晶装置驱动时，通过对像素电极9与对向电极21之间施加电压，在该双方的电极间形成液晶保持电容。
接下来，关于本实施方式中的如此的液晶装置的像素部的结构，参照图3进行说明。图3，是表示本实施方式中的如此的液晶装置的整体结构的电路结构图。在图3中，在显示区域100，扫描线11及电容线300延伸于X方向，数据线6延伸于Y方向。而且在以如此的布线所划分的多个像素的各自中，形成有像素电极9及作为晶体管的TFT30。TFT30，电连接于像素电极9，当液晶装置工作时对像素电极9进行开关控制。供给图像信号的数据线6，电连接于TFT30的源。写入于数据线6的图像信号S1、S2、...、Sn，按该顺序进行供给。
扫描线11电连接于TFT30的栅。本实施方式中的如此的液晶装置，构成为：以预定的定时脉冲性地将扫描信号G1、G2、...、Gm，按该顺序施加于扫描线11。像素电极9，电连接于TFT30的漏。通过作为开关元件的TFT30闭合其开关一定期间，从数据线6供给的图像信号S1、S2、...、Sn以预定的定时写入于(该像素电极)。通过像素电极9被写入于液晶层50的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在像素电极9与形成于对向基板20的对向电极21之间被保持一定期间。构成液晶层50(参照图2)的液晶，由于分子集合的取向、秩序因施加的电压电平发生变化，能够对光进行调制、并进行灰度显示。
在此为了防止所保持的图像信号发生泄漏，相对于形成于像素电极9与对向电极21(参照图9)之间的液晶电容电并联地形成存储电容70。存储电容70，为作为相应于图像信号的供给暂时性地保持各像素电极9的电位的保持电容而起作用的电容元件。存储电容70的一方的电极，与像素电极9电并联而电连接于TFT30的漏；另一方电极，为了成为固定电位，电连接于电位固定的电容线300。还有，存储电容70，如后述地，也作为遮挡向TFT30进行入射的光的遮光膜而起作用。
接下来，关于上述的像素部、尤其是TFT30的具体结构，参照图4及图5进行说明。图4，是规则配置于液晶装置的显示区域100内的多个像素部的俯视图。图5，是TFT30的图4的A—A’线的模式剖面图。还有，在图4及图5中，为了使各构成要件在附图上成为可以辨认的程度的大小，按每个该要件改变比例尺等。并且，在图4及图5中，在参照图1或图2进行了说明的构成中，仅对于元件基板10侧的结构进行说明，对于一部分构成要件省略图示。
在图4中，在显示区域100(参照图3)内，栅格状地形成布线、并在以如此的布线所划分的基本方形的区域形成有像素电极9。即，扫描线(上侧扫描线11a与下侧扫描线11b)与电容线300延伸于X方向，数据线6延伸于Y方向。TFT30及存储电容70，也为了使开口率提高而形成得俯视与上述的布线相重叠。
而且，为了减少光向TFT30的入射，形成有俯视与该TFT重叠的遮光膜。遮光膜，有位于TFT30的元件基板10侧的下侧遮光膜(第1遮光膜)与位于TFT30的对向基板20侧的上侧遮光膜(第2遮光膜)，上述的布线等成为兼作遮光膜的结构。
TFT30，包括半导体层1、栅电极5、及栅绝缘膜45(参照图5)等，上述半导体层1包括多晶硅。TFT30具有LDD结构，半导体层1包括；具有沿Y方向的沟道长度的沟道区域1a、数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c、以及数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e。还有，在本实施方式的液晶装置的TFT30中栅长度与沟道长度基本相同。而且，与栅长度方向相正交的方向是栅宽度方向。
沟道区域1a以外的各区域(1b、1c、1d、1e)，是通过离子注入法等注入了P(磷)等的杂质的杂质区域。LDD区域(1b、1c)，是杂质比源漏区域(1d、1e)少的低浓度杂质区域。通过如此的构成，当TFT30不工作时，降低流过源区域及漏区域的截止电流，并在TFT30工作时对流动的导通电流的下降进行抑制。
扫描线11在显示区域100内成为上侧扫描线11a与下侧扫描线11b的2层结构。如示于图4及图5地，栅电极5是延长上侧扫描线11a的一部分而形成的。上侧扫描线11a具有：包括例如多晶硅等的沿X方向进行延伸的部分、和一部分与TFT30的半导体层1相重叠地沿Y方向进行延伸的部分。上侧扫描线11a之中的与沟道区域1a相重叠的部分作为栅电极5而起作用。栅电极5与半导体层1之间，通过栅绝缘膜45而绝缘。
下侧扫描线11b，隔着第1层间绝缘膜41配置得比半导体层1靠元件基板10侧，由例如钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等的高熔点金属材料等的遮光性的导电材料构成。下侧扫描线11b，具有延伸于X方向的主线部、与从该主线部沿Y方向进行延伸的延伸部。如此的延伸部，形成得俯视与TFT30的半导体层1相重叠，作为抑制元件基板10中的内面反射等的返回光入射于TFT30的第1遮光膜而起作用。还有，下侧扫描线11b与半导体层1之间，通过第1层间绝缘膜41而绝缘。
在元件基板10上的隔着第2层间绝缘膜42比TFT30靠上层侧(对向基板20侧)，设置有存储电容70。存储电容50包括：电介质膜75(参照图5)、和隔着该电介质膜对向配置的下部电容电极71与上部电容电极301。上部电容电极301，为电容线300的一部分突出于Y方向的部分。电容线300，包括Al(铝)、Ag(银)等的金属或包括该金属的合金，能够遮挡来自对向基板20侧的光的入射。另一方面，下部电容电极71为包括导电性的多晶硅等的独立的膜，通过未图示的接触孔电连接于TFT30的像素电极侧源漏区域1e及像素电极9。因为上述的双方电极(尤其是上部电容电极301)也作为对于TFT30的遮光膜而起作用，所以以下，将存储电容70记作第2遮光膜(存储电容)70。还有，像素电极9通过未图示的中继电极、和同样未图示的接触孔等与下部电容电极71电连接。
在第2遮光膜(存储电容)70的上方(对向基板20侧)，隔着第3层间绝缘膜43，形成有数据线6。数据线6，通过未图示的接触孔电连接于半导体层1的数据线侧源漏区域1d。还有，数据线6，也具有对TFT30进行遮光的功能。
像素电极9，隔着第4层间绝缘膜(未图示)形成于数据线6的上方(对向基板20侧)。像素电极9，通过下部电容电极71、及未图示的接触孔与未图示的中继膜电连接于半导体层1的像素电极侧源漏区域1e。
如上述地，本实施方式的液晶装置，在TFT30的上下形成有遮光膜，减少光向该TFT的入射。而且，通过对层间绝缘膜的形状及形成方法等下工夫，可以进一步使遮光膜的遮光性(遮光性能)提高，对从横向方向或者倾斜方向进行入射的光进行遮光。将如此的层间绝缘膜的形状等，示于图5。
图5，是TFT30的图4的A—A’线的模式剖面图，示出TFT30的沟道区域1a部中的第2遮光膜的剖面形状。图示从元件基板10到数据线6，并省略像素电极9等的图示。Y方向是垂直于元件基板10的方向，X方向是栅宽度方向。在此，第2遮光膜(存储电容)70的栅宽度方向的尺寸，比第1遮光膜73的该尺寸大。从而，第1遮光膜73的端部(以下，称为“第1端部”。)E1，位置比第2遮光膜(存储电容)70的端部(以下，称为“第2端部”。)E2靠内侧(靠近TFT30)。而且，第1层间绝缘膜41，在由第1遮光膜73产生的阶梯差的区域并不太厚地成膜，而朝向元件基板10陡降地成膜。其结果，第1层间绝缘膜41的膜厚最薄的部分(以下，称为“第1最薄部”。)S1和第1遮光膜73的表面与第1层间绝缘膜41的表面的间隔变得最短的部分(以下，称为“第1最短部”。)T1中的至少一方位于第1端部E1与第2端部E2之间的区域。
第2层间绝缘膜42，也与第1层间绝缘膜41同样地，在由第1遮光膜73产生的阶梯差的区域并不太厚地成膜，而朝向元件基板10陡降地成膜。其结果，第2层间绝缘膜42的表面与元件基板10的表面的间隔变得最短的部分(以下，称为“第2最薄部”。)S2和第1遮光膜73的表面与第2层间绝缘膜42的表面的间隔变得最短的部分(以下，称为“第2最短部”。)T2中的至少一方位于第1端部E1与第2端部E2之间的区域。
因为第1层间绝缘膜41与第2层间绝缘膜42的双方，在第1端部E1与第2端部E2之间的区域，朝向元件基板10陡降地成膜，所以第2层间绝缘膜42的表面与元件基板10的距离在该区域内变得非常短。从而，若使第2遮光膜(存储电容)70形成于第2层间绝缘膜42上，则在该区域第2遮光膜(存储电容)70形成为不仅TFT30的上表面而且连侧面也覆盖。从而，TFT30即使对于从侧方(横向方向)或者倾斜方向进行入射的光，也能充分地遮光。
上述的(层间绝缘膜的)形状，通过使用HDP—CVD法成膜层间绝缘膜能够达到。如果依照于HDP—CVD法，则能够使成膜与溅射(由此产生的膜的蚀刻)同时进行。而且通过条件设定，能够将上述的成膜的速率与蚀刻的速率之比控制在预定的范围内。而且，该蚀刻的速率，当溅射离子的(向元件基板10的)入射角度变为大至50度时变得最快。若以上述的角度溅射同时进行成膜，则在第1端部E1的附近蚀刻的速率变得比成膜的速率快，可得到如示于图5的陡降的形状的膜。
图6，是作为比较而示的现有的TFT30的同一位置的模式剖面图。对与示于图5的实施方式的液晶装置相同的构成要件附加同一符号，说明的记载部分进行省略。以一般的CVD法形成有第1层间绝缘膜41与第2层间绝缘膜42双方。从而，在第1端部E1的附近，上述双方绝缘膜成膜得厚，形成于如此的绝缘膜上的第2遮光膜(存储电容)70，仅覆盖TFT30的上表面。
本实施方式的液晶装置，利用HDP—CVD法的特性，通过在第1端部E1的附近使绝缘膜陡峭地成膜，不使工序数增加而提高了对于TFT30的遮光性。其结果，能够得到有效地降低了由泄漏电流所引起的显示质量的下降的液晶装置。
还有，在上述的实施方式中使双方(第1与第2)层间绝缘膜以HDP—CVD法进行成膜。但是如果使任一方的绝缘膜以HDP—CVD法进行成膜则能够得到上述的效果。
电子设备
上述的液晶装置，例如，能够搭载于作为如示于图7的电子设备的投影机500而使用。投影机500，为如下装置：具有主体510、透镜520，从内置的光源(未图示)射出光，通过作为内部所具备的显示部或光阀的上述的实施方式中的液晶装置对该光进行调制，之后由透镜520投影于前方。投影机500，因为具备遮光性提高了的TFT30，所以能够进行由光泄漏电流等的影响所引起的不良状况少、高质量的显示。
变形例
在上述的实施方式中以透射型的液晶装置为例而进行说明。但是，本发明也能够应用于反射型的液晶装置。因为能够减少对图像显示无益的外光向TFT进行入射，所以与透射型的液晶装置同样地，能够减轻由泄漏电流所引起的显示质量的下降。

Claims (6)

1.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1层间绝缘膜的膜厚最薄的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
2.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1遮光膜的表面与所述第1层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
3.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第2层间绝缘膜的表面与所述基板表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
4.一种电光装置，至少具备：基板、形成于所述基板上的具有预定宽度的第1遮光膜、形成于所述第1遮光膜上的第1层间绝缘膜、形成于所述第1层间绝缘膜上的晶体管、形成于所述晶体管上的第2层间绝缘膜、和形成于所述第2层间绝缘膜上的第2遮光膜，该电光装置的特征在于，
上述晶体管的半导体层，以从上述基板侧由上述第1遮光膜覆盖的方式设置，并且以从与上述基板相反侧由上述第2遮光膜覆盖的方式设置；
所述第2遮光膜，形成得比所述第1遮光膜宽；
所述第1遮光膜的表面与所述第2层间绝缘膜的表面的间隔变得最短的部分，俯视存在于所述第1遮光膜的端部与所述第2遮光膜的端部之间。
5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
所述第1层间绝缘膜与所述第2层间绝缘膜中的至少一方，是通过HDP—CVD法形成的。
6.一种电光装置的制造方法，包括：
在基板上形成具有预定宽度的第1遮光膜的第1工序，
在所述基板上形成第1层间绝缘膜的第2工序，
在所述第1层间绝缘膜上形成晶体管的第3工序，
形成覆盖所述晶体管的第2层间绝缘膜的第4工序，和
在所述第2层间绝缘膜上形成覆盖所述晶体管的第2遮光膜的第5工序，该电光装置的制造方法的特征在于，
在所述第2工序或所述第4工序中，至少一方的所述层间绝缘膜是通过HDP—CVD法形成的。
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