CN101512037A - 具有通过带有相合熔融化合物的颗粒的固相粘结调节的组成的硫属元素化物pvd靶 - Google Patents

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Abstract

硫属元素化物PVD部件包括第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物。第一固体含有第一化合物。所述颗粒混合物可以表现出比第一化合物中的元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。所述颗粒混合物可以表现出比第一化合物中的元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。第一化合物可以是相合熔融的(congruently melting)线性化合物。该粘结的混合物可能缺乏熔融区域或升华间隙。所述颗粒混合物可以表现出包括三种或更多元素的整体式(bulk formula)。所述颗粒混合物可以包括两种或更多线性化合物。

Description

具有通过带有相合熔融化合物的颗粒的固相粘结调节的组成的硫属元素化物PVD靶
技术领域
本发明涉及硫属元素化物物理气相沉积部件。
发明背景
超过45纳米结点的按比例存储(scaling memory)技术要求在CMOS范例外部的显著切换。The International Technology Roadmap ForSemiconductors：2003-Emerging Research Devices(下文称作2003ITRS)的第2页陈述道“电力可达的高速和高密度非易失性存储器的发展会引发电脑构造中的革命”。在2003 ITRS中提出了各种具有不同风险程度的技术。相变存储器构成一种较低风险的技术。
硫属元素化物合金是已知通过可以电活化或光学活化的相变从电阻状态转变成导电状态的一类材料。从结晶相态向非晶相态转变构成这类相变的一个实例。这种转变性质允许缩放(scaling)到用于下一代DRAM技术的65至45纳米线宽和更小。表现出这种转变性质的硫属元素化物合金通常包括来自IUPAC周期表的第11-16族(也分别称作第IB、IIB、IIIA、IVA、VA和VIA族)的2至6种元素组合。实例包括GeSe、AgSe、GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS和AgInSbTe，以及其它合金，其中这类列表不表示这些元素的经验比率。
技术上说，“硫属元素”是指第16族的所有元素，也就是氧、硫、硒、碲和钋。相应地，“硫属元素化物”含有一种或多种这些元素。但是，迄今为止，还没有识别出含有氧或钋作为唯一硫属元素并表现出所需转变的硫属元素化物合金。因此，在相变材料背景中，现有技术有时使用“硫属元素化物”表示含有S、Se和/或Te的化合物，其不包括不含另一硫属元素的氧化物。
硫属元素化物化合物可以制成物理气相沉积(PVD)靶，其又可用于将相变存储材料薄膜沉积到硅晶片上。尽管存在数种沉积薄膜的方法，PVD，包括但不限于溅射，可能仍然是较低成本和较简单的沉积方法之一。明显希望提供硫属元素化物PVD靶。
发明概述
根据本发明的一个方面，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料(rigid mass)。第一固体含有相合熔融(congruently melting)的第一线性化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成。该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体(bulk)式。例如，该整体式可以包括三种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。第二固体可以包括与第一线性化合物不同的相合熔融的第二线性化合物。该颗粒混合物可以表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。该颗粒混合物可以表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。
根据本发明的另一方面，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料。第一固体含有第一化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成。该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。该颗粒混合物还表现出比第一化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
根据本发明的再一方面，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体、第二固体和一种或多种附加固体的颗粒的固相粘结的均匀混合物的溅射靶坯(blank)。该颗粒混合物缺乏熔融区域(melt region)或升华间隙(sublimation gap)。第一、第二和附加固体分别由不同的相合熔融的第一、第二和一种或多种附加线性化合物构成。该颗粒混合物表现出包括三种或更多元素的整体式，其中至少一种元素选自S、Se和Te。该颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
附图简述
下面参照下列附图描述本发明的优选实施方案。
图1是沿根据本发明的一个方面的溅射靶/背板构造的图2中的线段1-1截取的截面图。该构造相当于大的ENDURA(TM)构造。
图2是图1中所示的溅射靶/背板构造的顶视图。
图3显示了描绘传统PVD部件成型法的流程图。
图4显示了描绘根据本发明的一个方面制造PVD部件的方法的流程图。
优选实施方案的详细描述
在大多数PVD方法中，仅由含有所需材料的靶产生显著沉积。但是，在一些PVD方法中，沉积装置的非靶部件可以明显有助于沉积并由此含有与靶相同的材料。在本文献上下文中，PVD“部件”被定义为包括靶以及其它非靶部件。类似地，“PVD”包括溅射以及普通技术人员已知的其它物理气相沉积法。
相变存储器研究通常涉及具有两种或多种合金元素的特定组成式的确定。不幸地，组成控制构成形成硫属元素化物合金PVD部件中的一个难点。通常，这类合金在固相和液(熔融)相或固相和气(升华)相之间表现出宽的温度和/或压力相变区域。加工可以包括元素之间，例如Ag/Se之间和Ge/Se之间的强放热反应。加工可以包括固相向液相和/或向气相转变。反应和/或相变可能偏析(segregate)合金中的元素和产生含有一定范围的组成的固体。
控制偏析的传统尝试包括在石英安瓿中非常迅速的加热和冷却以控制低熔点元素的除气。这类尝试使加工复杂化并仅成功地形成了一些二元和一些三元化合物。可以理解地，复杂的制造方法可能不是成本有效的和/或与现有的半导体制造工艺流程和控制系统，尤其是涉及四种或更多硫属元素化物合金元素的那些不相容。
可以考察的其它制造技术包括液相取向生长(epitaxy)或化学气相沉积，但考虑到对复杂的组成控制和可能很差的成本有效性的需求，它们可能难以沉积硫属元素化物合金。原子层沉积构成另一可能性，但考虑到这类技术的相对不成熟性，似乎不能容易地为所有感兴趣的元素提供稳定的可预测的前体。
硫属元素化物合金膜的PVD构成几种商业上可行的形成硫属元素化物合金组合物的方法之一。即使如此，PVD部件制造本身具有困难。相关领域包括固相和液相转变之间的偏析、硫属元素化物合金的一些元素成分的危险性质、和污染在与硫属元素化物合金部件坯体相同的加工设备中制成的常规PVD部件坯体的风险。此外，硫属元素化物合金往往表现出与砷化镓类似的脆性，在坯体和部件的粘结、整饰(finishing)和一般操作过程中产生破裂难题。
在图1和2中，具有背板和靶的示例性PVD组合件作为组合件2示出。组合件2包括粘合到靶6上的背板4。背板4和靶6在界面8处接合，这可以包括，例如在背板和靶之间的扩散粘合。背板4和靶6可以包括许多构造，所示构造是示例性的。背板4和靶6可以包括，例如ENDURA(TM)构造，并相应地具有圆形外缘。图2以顶视图显示组合件2并显示了示例性的圆形外缘构造。
真空热压(VHP)代表了传统上用于制造硫属元素化物PVD部件的一种具体方法。图3中所示的方法10例示了VHP方法中可能的步骤。步骤12包括将预制粉末装入模组(die set)。粉末表现出与部件坯体的所需组成匹配的整体(bulk)组成。在步骤14中，可以将模组装入VHP装置。在步骤16中的抽空之后，在步骤18过程中产生热和压力递增(ramping)。步骤20过程中的烧结在低于熔融开始的温度下，但在足以产生粉末颗粒的实块(solid mass)的温度和压力下进行。步骤22中的冷却和释放压力后，在步骤24中将VHP装置排气至大气压。在步骤26中卸载压制坯。
尽管是相对简单的方法，但观察表明，VHP具有一些难点。VHP装置通常为难熔金属粉末材料的高温高压加工而设计。当硫属元素化物组合物包括低熔点元素成分，例如硒或硫时，在这类系统中存在高的熔融风险。VHP过程中的熔融可能从硫属元素化物组合物中释放出危险的蒸气，污染和/或损坏VHP装置，并破坏最终产物。具有在VHP过程中熔融的组成的坯体可能在加工过的坯体取出时粘着到模组上并破裂。此外，从模组的对开套管(split sleeves)中漏过的熔融材料可能在冷却过程中凝固，产生楔效应。在模组上产生的高剪切应力可能造成重大故障。
根据本文所述的本发明的这些方面的硫属元素化物PVD部件使所述问题最小化。除了VHP外，热等静压机(HIP)、冷等静压机(CIP)等等构成可接受的固结装置。冷等静压制之后可以进行烧结退火。通常，HIP或VHP加工包括烧结。烧结以及随后冷却和释放压力完成了颗粒混合物的固结。取出的坯体可符合用作PVD部件的规格或本领域普通技术人员已知的进一步加工可以使坯体符合部件规格。
硫属元素化物PVD部件成型方法包括将第一固体的颗粒与第二固体的颗粒混合并形成含有粘结形式的颗粒混合物的刚性物料。第一固体含有相合熔融的第一线性化合物。第二固体表现出与第一固体不同的组成。该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。例如，该整体式可以包括三种或更多种选自IUPAC周期表的第11-16族中的金属和半金属的元素。许多目前确定的有利的硫属元素化物由第13-16族中的金属和半金属构成。第11-16族中的半金属包括硼、硅、砷、硒和碲。第11-16族中的金属包括铜、银、金、锌、镉、汞、铝、镓、铟、铊、锗、锡、铅、锑、铋和钋。
第二固体可以包括与第一线性化合物不同的相合熔融的第二线性化合物。该颗粒混合物可以是粉末。粉末可以表现出1至10,000微米，更有利15至200微米的粒度范围。尽管列出上述范围的最小和最大值，但应该理解的是，内含的更窄范围也是合意的并可以与现有技术相区别。该整体式可以包括不在第11-16族中的元素。但是，该整体式可以由选自第11-16族的元素构成。一些示例性整体式包括：GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS、AgInSbTe和SbGeSeSTe，以及其它，其中这类列表不表示这些元素的经验比率。可以理解地，该整体式中的某些元素可以根据PVD部件的预期用途与其它元素的相对量相比以更高或更低的丰度提供。刚性物料可以表现出理论密度的至少95％，或更有利至少99％的密度。
该颗粒混合物可以含有下列线性化合物中的两种或多种：GeSe、GeSe2、GeS、GeS2、GeTe、Sb2Se3、Sb2S3和Sb2Te3。例如，该颗粒混合物可以含有三种所列线性化合物。在本文献上下文中，“线性化合物”是指在固体-液体相图中表现为相合熔融组合物的特定组合物。这类化合物在现有技术中也被称作“中间化合物”。对于相合熔融的线性化合物，在熔融时形成的液体具有与形成其的固体相同的组成。相图中显示出的其它固体组合物通常不相合熔融，因此在熔融时形成的液体具有与形成其的固体不同的组成。
当形成硫属元素化物PVD部件时，含有至少一种选自S、Se和Te的元素的颗粒混合物可以含有低和高熔点元素，从而产生如此大的熔点范围以致加工变困难。当不同元素的数量增至三种或更多，尤其是增至五种或更多时，与混合的低和高熔点元素相关的困难类似地增加。在上文的论述中，加工颗粒混合物以形成适合用作PVD部件的刚性物料可使低熔点元素熔化。熔融的元素可以产生强的放热反应、排气、偏析成表现出与未熔融的颗粒混合物区域不同的组成的熔融区域，升华以在颗粒混合物中产生间隙、或产生其它制造困难。PVD部件中的这种不均匀性会在沉积的薄膜中产生差的组成控制。熔融区域和/或升华间隙的存在或不存在可以通过比较局部组成与整体组成的差异和/或通过目测技术来证实。
如上所述，第一固体含有相合熔融的第一线性化合物。该颗粒混合物可以表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。固相转变温度可以是熔点或升华点。通过在第一线性化合物中提供低熔点元素而非作为元素成分，颗粒混合物的最小固相转变温度可以提高以致其高于最低熔融或升华元素的固相转变温度。通过将低熔点元素加入仍然表现出比该低熔点元素高的固相转变温度的不相合熔融化合物中，可以获得类似效果。通过以预反应状态提供低熔点元素，存在较少的制造困难。
形成含有颗粒混合物的刚性物料可以包括使该混合物承受接近第一线性化合物的熔点的温度。但是，即使第一线性化合物熔融，所产生的液体也会表现出与形成其的固体相同的组成并预反应以避免与其它化合物或元素成分反应。相合熔融的线性化合物由此使PVD部件中的偏析和放热反应最小化。
选择用于形成刚性物料的温度可部分由颗粒混合物的最大固相转变温度决定。一般而言，在与颗粒混合物的最大固相转变温度尽可能接近的烧结温度下实现最大致密化。相应地，该颗粒混合物可以表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。通过在第一线性化合物中而非在元素成分中提供高熔点元素，颗粒混合物的最大固相转变温度会降低以致其低于最高熔融或升华元素的固相转变温度。通过将高熔点元素加入仍然表现出比高熔点元素低的固相转变温度的不相合熔融化合物中，可以获得类似效果。
降低最大固相转变温度可降低所选用于形成刚性物料的温度。在较低加工温度下，存在较低的使颗粒混合物的其它成分熔融或升华的风险。相应地，本发明的方面能够从低熔点侧和/或高熔点侧缩小颗粒混合物的固相转变温度范围。
在SbGeSeSTe的上述实例中，表1表明，Se和S分别表现出217℃和115℃的熔点。如果作为具有S3Sb2的线性化合物提供S，并作为具有GeSe和Sb2Se3的线性化合物提供Se，则最小熔点升至Te的熔点，449.5℃。表2显示了该线性化合物的熔点。由此，由于使用含有低熔点元素的化合物，产生显著优点，其中该化合物表现出较高的固相转变温度。
表1表明，Ge表现出937℃的熔点。如果作为具有GeSe的线性化合物提供Ge，则最大熔点降至GeSe的熔点，660℃。表2显示了该线性化合物的熔点。由此，由于使用含有高熔点元素的化合物，也产生显著优点，其中该化合物表现出较低的固相转变温度。
当被取代的化合物是线性化合物时，由于相合熔融性质，产生尤其显著的优点。颗粒固结方法，例如HIP、与烧结结合的CIP、或VHP，可以在与颗粒混合物的最小固相转变温度接近的温度进行，以使固结过程中的压实最大化。在线性化合物熔融的情况下，产生极小的偏析问题，如果产生的话。如果化合物不相合地熔融，则可能产生更显著的偏析问题。
例如，颗粒混合物可以是粉末。粉末可以表现出1至10,000微米或更有利地15至200微米的粒度范围。刚性物料可以表现出理论密度的至少95％或更有利地至少99％的密度。考虑到上述含有带有相合熔融的第一线性化合物的第一固体的颗粒混合物的稳定性，宽范围的固结技术可适用于形成含有粘结形式的颗粒混合物的刚性物料。这种稳定性降低了熔融的负面影响。但是，仍然希望通过固相粘结颗粒混合物来形成刚性物料而不产生熔融区域或升华间隙。
以这种结果为目标，既然无意熔融的负面影响更小，可以选择通过更接近产生熔融区域的点来使颗粒混合物最大限度致密化成刚性物料的固结技术。当元素成分中提供的元素的数量降低且线性化合物中提供的元素的数量增加时，潜在的负面影响可能变得更小。在本论述的上下文中，通过作为最低熔点成分提供线性化合物，改进了稳定性。如果任何元素成分或不相合熔融化合物具有明显高于颗粒混合物的最小固相转变温度的固相转变温度，则稳定性进一步改进。由此，接近最小固相转变温度仅具有使线性化合物熔融或升华的风险而没有使元素成分或不相合熔融成分熔融或升华的风险。HIP、CIP或VHP均构成可能的固相粘结技术。
在本发明的另一方面中，硫属元素化物PVD部件成型法包括将第一固体的颗粒与第二固体的颗粒混合并形成含粘结形式的颗粒混合物的刚性物料。第一固体含有第一化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成，该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体(bulk)式。该颗粒混合物表现出比第一化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。相应地，通过在第一化合物中加入低熔点元素，最小固相转变温度可以升至超过该低熔点元素的固相转变温度。
第一化合物可以是线性化合物或不相合熔融化合物。尽管使用线性化合物与不相合熔融化合物相比提供更多优点，但本发明的这一方面即使在颗粒混合物中不包含线性化合物的情况下仍然有利。例如，如果由元素成分而非由不相合熔融化合物决定最小固相转变温度，则由于不相合熔融化合物的固相转变温度高于最小固相转变温度，仍然降低了产生熔融区域或升华间隙的风险。
在本发明的再一方面中，硫属元素化物PVD部件成型法包括选择表现出包括三种或更多元素的整体式的颗粒混合物，其中至少一种元素选自S、Se和Te。该方法包括选择包含在该颗粒混合物中的不同的相合熔融的第一、第二和一种或多种附加线性化合物并提供分别由第一、第二和一种或多种附加线性化合物构成的第一固体、第二固体和一种或多种附加固体的颗粒。该方法包括均匀混合至少第一固体、第二固体和附加固体的颗粒。混合使用产生所选整体式的比例，且该颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。该颗粒混合物经固相粘结而不产生熔融区域或升华间隙。该方法包括形成含有粘结的颗粒混合物的溅射靶坯。
例如，整体式可以包括五种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。该颗粒混合物可以进一步包括不含线性化合物的其他固体的颗粒。
图4中所示的方法50提供了本发明的这些方面的一些示例性特征。在步骤52中选择所需整体式，在步骤54中确定适当的线性化合物、不相合熔融化合物和/或元素成分。可以使用化合物和元素的固相转变温度的研究揭示低和/或高熔点元素和可能的化合物，在这些化合物中可以包括这些元素以提高最小固相转变温度和/或降低最大固相转变温度。可以确定化合物和元素成分的比例以实现步骤52中所选的整体式。下表1-3中的论述提供了这方面的更多细节。
一旦确定了化合物和元素成分以及它们各自的比例，在步骤58中选择含有所需材料的固体。所选固体可以购得或方法50可以包括根据已知方法制备它们。如果使用仅由独立的化合物和元素成分构成的固体，则这类化合物和元素成分的质量比例的预先确定将与所选固体的质量比例相匹配。但是，可能需要使用含有多种化合物和/或元素成分的固体。在这种情况下，可以确定产生所选整体式的固体的比例并可以与对独立的化合物和元素成分所确定的比例不同。
可以在步骤60中混合所选固体的颗粒。通常，需要PVD部件以提供表现出所选整体式的薄膜的均匀沉积。相应地，颗粒的均匀混合有利于形成均匀的PVD部件和达到薄膜的沉积规格。可以使用粉末掺和机和普通技术人员已知的其它装置来均匀混合颗粒。颗粒可以是粉末并表现出本文所述的粒度范围。可以在步骤62中使用如本文所述的固相粘结技术以粘结颗粒混合物。
根据在步骤54中的线性化合物、不相合熔融化合物和元素成分的选择和工艺条件的选择，粘结的颗粒混合物可以表现出或不表现出熔融区域和/或升华间隙。在最有利的情况下，进行固相粘结而不产生熔体区域或升华间隙。在仍然能解决对现有技术所述的问题的较不有利的情况下，根据特定的熔融或升华化合物或元素成分，可能存在小的熔融区域或升华间隙，但不会显著减损粘结的颗粒混合物的均匀性。在固相粘结技术没有产生在规格内的溅射靶坯或其它PVD部件的情况下，可以在步骤64中进行进一步加工以使所需部件达到规格。
考虑到本文所述的用于形成硫属元素化物PVD部件的方法，由此断定，本发明的方面也包括硫属元素化物PVD部件本身。在本发明的一个方面中，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料。第一固体含有相合熔融的第一线性化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成。该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。例如，本文所述的硫属元素化物PVD部件可以表现出本文中联系本发明的其它方面论述的式、组成、性质、特征等等。
在本发明的另一方面中，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料。第一固体含有第一化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成。该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。该颗粒混合物还表现出比第一化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
在本发明的另一方面中，硫属元素化物PVD部件包括含有第一固体、第二固体和一种或多种附加固体的颗粒的固相粘结的均匀混合物的溅射靶坯。该颗粒混合物缺乏熔融区域或升华间隙。第一、第二和附加固体分别由不同的相合熔融的第一、第二和一种或多种附加线性化合物构成。该颗粒混合物表现出包括三种或更多元素的整体式，其中至少一种元素选自S、Se和Te。该颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
表1显示了用于硫属元素化物PVD部件的五元素式的假想实施例。使用每一元素的所需原子％(at.％)和原子重量(at.wt.)，可以计算每一元素的所需质量并显示在表1中。表1还表明，除了硒和硫外，固相转变温度的范围从450℃延伸至937℃。使用分别在217和115℃熔融的硒和硫，在不产生诸如偏析、放热反应等的显著制造问题的情况下由表1中所列的元素成分构成的颗粒的充分固相粘结可能是困难的。表2列出了表1中所列的元素的已知二元线性化合物。可能存在其它相关线性化合物。显著地，所有所列线性化合物均表现出比硒和硫熔点高得多的熔点。此外，所有所列线性化合物均表现出比锗熔点低得多的熔点。
表1
 
元素 At.％ At.WL 克/Mol MP(℃)
Sb 15 121.76 18.26 630.74
Ge 15 72.64 10.90 937.4
Se 30 78.96 23.69 217
S 20 32.065 6.41 115.21
Te 20 127.6 26.52 449.5
总计 100 84-78
表2
 
化合物 At.％A元素 At.％B元素 MP(℃)
GeSe 50 50 660
GeSe2 33.3 66.7 742
GeS 50 50 665
GeS2 33.3 66.7 840
GeTe 50 50 724
S3Sb2 60 40 550
Sb2Se3 40 60 590
Sb2Te3 40 60 618
可以认识到，可以通过以适当的质量比例选择某些线性化合物来获得所需整体式。根据这些选择，线性化合物可以提高最小固相转变温度和/或降低最大固相转变温度。表3列出了三种示例性线性化合物和一种连续固溶体(SeTe)。表3列出了在三种化合物与一种固溶体各自的总质量中每一元素的质量份额。每一元素的总质量份额与表1中所列的所需质量匹配以产生每一元素的所需at.％。
表3
表3列出了含有38.5at.％Se和61.5at.％Te的SeTe连续固溶体。50at.％/50at.％ SeTe固溶体表现出大约270℃的熔点，表3中的SeTe固溶体含有更多表现出449.5℃熔点的Te。由此，表3中SeTe的熔点预计更高。相应地，表3中的化合物的固相转变温度范围小于420℃，相比之下，表1中所列的元素为822℃。由此，与传统的硫属元素化物PVD部件成型方法相比，含有表3中所列的化合物的颗粒混合物的固相粘结可以在更有利的工艺条件下进行并实现更有利的性质。
根据该情况，已经用文字在结构和方法特征上或多或少具体地描述了本发明。但是，要理解的是，本发明不限于所示和所述的具体特征，因为本文所公开的装置包括将本发明投入实施的优选形式。因此，在其在适当解释的所附权利要求的适当范围内的任何形式或修改中要求本发明的权利。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料；
第一固体含有相合熔融的第一线性化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成；且
所述颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。
2.权利要求1的部件，其中整体式包括三种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
3.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出下列整体式之一，其不表示经验比率：GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS、AgInSbTe或SbGeSeSTe。
4.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物含有下列线性化合物中的两种或多种：GeSe、GeSe2、GeS、GeS2、GeTe、Sb2Se3、Sb2S3和Sb2Te3。
5.权利要求1的部件，其中第二固体包含与第一线性化合物不同的相合熔融的第二线性化合物。
6.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度高的最小熔融或升华温度。
7.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度低的最大熔融或升华温度。
8.权利要求1的部件，其中所述物料是溅射靶坯并且该部件进一步包含粘合到该坯体上的背板。
9.权利要求1的部件，其中所述物料由没有熔融区域或升华间隙的固相粘结颗粒的混合物构成。
10.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料；
所述第一固体包含第一化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成；
所述颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式；
所述颗粒混合物表现出比第一化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度高的最小熔融或升华温度。
11.权利要求10的部件，其中所述整体式包括三种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
12.权利要求10的部件，其中所述颗粒混合物表现出下列整体式之一，其不表示经验比率：GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS、AgInSbTe或SbGeSeSTe。
13.权利要求10的部件，其中所述颗粒混合物含有下列线性化合物中的两种或多种：GeSe、GeSe2、GeS、GeS2、GeTe、Sb2Se3、Sb2S3和Sb2Te3。
14.权利要求10的部件，其中第二固体包含第二化合物，且所述颗粒混合物表现出比第二化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度低的最大熔融或升华温度。
15.权利要求10的部件，其中所述物料是溅射靶坯并且该部件进一步包含粘合到该坯体上的背板。
16.权利要求10的部件，其中所述物料由没有熔融区域或升华间隙的固相粘结颗粒的混合物构成。
17.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体、第二固体和一种或多种附加固体的颗粒的固相粘结的均匀混合物的溅射靶坯，所述颗粒混合物缺乏熔融区域或升华间隙；
第一、第二和附加固体分别由不同的相合熔融的第一、第二和一种或多种附加线性化合物构成；
所述颗粒混合物表现出包括三种或更多种元素的整体式，其中至少一种元素选自S、Se和Te；且
所述颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度高的最小熔融或升华温度。
18.权利要求17的部件，其中所述整体式包括五种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
19.权利要求17的部件，其中所述颗粒混合物进一步包含不含线性化合物的另一固体的颗粒。
20.权利要求17的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的熔融或升华温度低的最大熔融或升华温度。

Claims (20)

1.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料；
第一固体含有相合熔融的第一线性化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成；且
该颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式。
2.权利要求1的部件，其中所述整体式包括三种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
3.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出下列整体式之一，其不表示经验比率：GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS、AgInSbTe或SbGeSeSTe。
4.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物含有下列线性化合物中的两种或多种：GeSe、GeSe2、GeS、GeS2、GeTe、Sb2Se3、Sb2S3和Sb2Te3。
5.权利要求1的部件，其中第二固体包含与第一线性化合物不同的相合熔融的第二线性化合物。
6.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
7.权利要求1的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。
8.权利要求1的部件，其中所述物料是溅射靶坯并且该部件进一步包含粘合到该坯体上的背板。
9.权利要求1的部件，其中所述物料由没有熔融区域或升华间隙的固相粘结颗粒的混合物构成。
10.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体和第二固体的颗粒的粘结混合物的刚性物料；
第一固体包含第一化合物，第二固体表现出与第一固体不同的组成；
所述颗粒混合物表现出包括至少一种选自S、Se和Te的元素的整体式；
所述颗粒混合物表现出比第一化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
11.权利要求10的部件，其中整体式包括三种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
12.权利要求10的部件，其中所述颗粒混合物表现出下列整体式之一，其不表示经验比率：GeSbTe、GeSeTe、GeSbSeTe、TeGeSbS、AgInSbTe或SbGeSeSTe。
13.权利要求10的部件，其中所述颗粒混合物含有下列线性化合物中的两种或多种：GeSe、GeSe2、GeS、GeS2、GeTe、Sb2Se3、Sb2S3和Sb2Te3。
14.权利要求10的部件，其中第二固体包含第二化合物，且所述颗粒混合物表现出比第二化合物中的一种或多种元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。
15.权利要求10的部件，其中所述物料是溅射靶坯并且该部件进一步包含粘合到该坯体上的背板。
16.权利要求10的部件，其中所述物料由没有熔融区域或升华间隙的固相粘结颗粒的混合物构成。
17.硫属元素化物PVD部件，包括：
含有第一固体、第二固体和一种或多种附加固体的颗粒的固相粘结的均匀混合物的溅射靶坯，所述颗粒混合物缺乏熔融区域或升华间隙；
所述第一、第二和附加固体分别由不同的相合熔融的第一、第二和一种或多种附加线性化合物构成；
所述颗粒混合物表现出包括三种或更多元素的整体式，其中至少一种元素选自S、Se和Te；且
所述颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度高的最小固相转变温度。
18.权利要求17的部件，其中所述整体式包括五种或更多种选自第11-16族中的金属和半金属的元素。
19.权利要求17的部件，其中所述颗粒混合物进一步包含不含线性化合物的另一固体的颗粒。
20.权利要求17的部件，其中所述颗粒混合物表现出比第一、第二或附加线性化合物中的一种或多种元素的固相转变温度低的最大固相转变温度。
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