CN101892453A - 制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。本发明可方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。

Description

制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法

技术领域

本发明属于薄膜沉积技术领域，涉及一种可组装靶材，尤其涉及一种用于制备复合材料的可组装靶材；本发明还涉及上述可组装靶材的制造方法；此外，本发明进一步涉及上述可组装靶材的修复和改装方法。

背景技术

复合材料是现今应用广泛的材料，它是由两种以上的材料复合而成，与合金材料内成份均匀相比，复合材料内部是由明显的多种材料畴组成，这种特殊的结构具有特殊的性能，材料内各组份之间取长补短，因此，复合材料往往综合了材料内复合的多种材料的性能，最终得到比单一材料更强的性能，在各个领域都发挥着重要的作用。例如现今的铁电和铁磁的复合就吸引了很多研究人员的目光，有望得到有广泛的应用；在很多合金的应用中也是如此。在另外一个领域相变存储器中，有研究人员提出了一种纳米复合的相变材料的概念，在这种材料中，具有相变能力的相变材料颗粒与不具备相变能力的功能材料颗粒彼此分开，于是相变材料颗粒的尺寸得到抑制，在相变过程中，因为复合的作用，相变区域变小，相变的功耗较低，数据保持能力也更好，基于纳米复合相变材料的存储器件具有更好的性能。在另一方面，一些金属材料的复合也是有着举足轻重的作用。

虽然复合材料在各个领域都发挥着重要的作用，复合材料薄膜的制备一直是个难题，目前主要的方法是先制备复合材料靶材，随后通过物理沉积工艺得到，但是，因为材料的特性，复合材料靶材的制备工艺复杂，成品率较低，因此成本极高。即便在随后的薄膜生产过程中，因为靶材生命周期较短，且同一靶材前后制备的组分可能以为复合材料靶材成分的漂移存在较大的差别，造成薄膜性能的差异和器件性能的不可控。为了制备某一组分的复合材料薄膜必须要制备对应组分的靶材，对复合材料进行成分的微调成了一种奢望。此外，在物理沉积过程中，靶材上不同区域材料的消耗与所施加的磁场有很大的关系(磁场影响到能量束的分布密度)，往往在靶材上方某些区域会形成很深的沟槽(例如圆形靶材上方往往形成环状的深沟)，沟槽深度到达底座的上方时，价格昂贵的靶材就此报废，综上所述，因为各方面的原因，制备复合材料薄膜的平均价格就很高，效率较低，一定程度上限制了复合材料产品的大规模应用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种用于制备复合材料的可组装靶材，用于方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。

本发明还提供上述可组装靶材的制造方法，用于方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。

此外，本发明进一步提供上述可组装靶材的修复和改装方法，用于方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。

作为本发明的一种优选方案，制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。

作为本发明的一种优选方案，填充非第一材料的槽结构的深度小于或等于第一材料基底的厚度；填充非第一材料的槽结构的形状、深度、面积、以及在基座上的排布彼此之间相同或者不同；第一材料基底占组装后复合材料靶材的总表面积的比例在百分之三十三到百分之九十九之间；靶材包含基座。

作为本发明的一种优选方案，在同等的条件下，可组装靶材上第一材料区域的消耗速度小于非第一材料区域的消耗速度。基底和至少一种非第一材料区域的靶材消耗后可进行修复。

作为本发明的一种优选方案，在消耗后形成的凹槽中填充至少一种非第一材料粉末，后进行烧结和平坦化；特征还在于消耗后形成的凹槽中填充至少一种非第一材料液态材料，在惰性气体保护下进行冷却凝固，后进行平坦化。

所述的可组装复合材料靶材的制造、修复的过程中的气氛为真空、或为氮气、或为惰性气体，或为空气。

一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于第一材料靶材作为基底，基底上方覆盖有具有一定镂空面积的至少一种非第一材料靶材。更换不同的非第一材料镂空结构靶材可得到不同类型的复合材料组份；非第一材料镂空结构靶材放置的位置可以调整，使得第一材料靶材不同区域通过镂空区域暴露而被使用。

作为本发明的一种优选方案，具有镂空结构的非第一材料靶可以旋转，或者可以移动，还可以更换；还可以根据复合材料成份的要求更换非第一材料靶材的种类；所更换的非第一材料靶材，其特征在于包括不同的材料组份，或不同的镂空面积，或不同的形状，或不同的厚度；第一材料暴露在镂空结构的基底靶材被消耗之后，可以通过移动非第一材料靶材将镂空区域转移到第一材料基底靶材的其他区域；非第一材料靶材上方的镂空面积在百分之五到百分之九十五之间。

上述用于制备复合材料的可组装靶材的制造方法，所述方法包括如下步骤：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结和平坦化得到。

一种靶材的修复和改装方法，其特征在于对部分消耗的靶材的特定区域进行修复和改装，通过粉末或者熔液的填充辅助以烧结和平坦化得到新的靶材。

作为本发明的一种优选方案，在消耗后形成的凹槽内中填充至少一种非第一材料液态材料，在惰性气体保护下进行冷却、凝固，后进行平坦化；靶材的修复和改装方法、修复的过程中的气氛为真空、或为氮气、或为惰性气体，或为空气；所填充的粉末或者熔液的组份与所需修复或改装的靶材的组份相同或者不同。

作为本发明的一种优选方案，改装后的靶材制备得到的组份与原靶材不同。

本发明的有益效果在于：本发明提出两种由至少两部分立的部分组成的可组装靶材的结构和制造方法，通过本发明避免了高成本的复合材料靶材制备工艺，靶材组合后，在沉积过程中形成混合均匀的复合材料薄膜，不仅可以根据所需薄膜的成分进行靶材结构的调整，而且在靶材某一部分材料消耗之后进行简单而有效的修复。

本发明避免了高成本的复合材料靶材的制备，降低了生产成本，在尽量减少靶材数量的前提下灵活实现组分的调解，修复靶材还有助于进一步地降低生产的成本，并且提升靶材的利用率，减少环境的污染和对稀有原材料的消耗，符合国家节能减排的基本国策。

附图说明

图1为一种复合材料靶材的立体示意图(圆形)。

图2A-2B为含有多种填充材料或形状、面积的圆形复合材料靶材的俯视图。

图3A-3E为一种圆形复合材料靶材的结构、消耗和修复过程示意图。

图4A-4C为制造和组装复合材料靶材的方法。

图5A-5E为一种制造和组装复合材料靶材的方法(立体示意图，条形)。以此示意更换、移动镂空结构的方法。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

请参阅图1，图1揭示了一种制备功能材料的靶材结构。图1中所示的基底材料并非是基座，从结构中，可以看到，在基底材料内开槽(或者有分立的多块基底材料拼接后形成槽结构)，槽的深度小于等于基底材料的厚度，通过非基底材料的填充后，槽内分布有至少一种非基底材料，为后续填充或者镶嵌得到，形状、材料、数量和面积不限，跟据不同的薄膜需求进行调整。作为一种优选，沟槽填充区域在组装后的靶材上分布均匀，形状为扇形、三角形或者为扇环形。图1中显示了同时有三种非基底材料的情形，采用扇形的结构，图中，基底材料的总面积占可组装靶材的上表面面积约为75％，显然，也可以更少，例如50％、33％和25％。

下面，对本发明靶材结构进行进一步地说明，本实施例中采用的基底材料可以为硅(自然也可以是其它类型的固体材料，例如氧化物、各种合金等，在此为了表述清楚便以硅为例进行说明)，在硅基底上通过机械加工制造形成三块扇形的区域，扇形槽的深度为硅基底材料厚度的一半，随后采用相变材料作为填充物。填充的三个区域的相变材料相同或者不同，例如在三个扇形区域全部填充Sb₂Te₃(Sb₂Te₃材料相对Si-Sb₂Te₃复合材料便宜的多)，也可以分别填充Sb₂Te₃、Ge-Sb-Te和Sb三种材料，自然是根据产品的需求结合各自的薄膜的产率选择不同的材料、扇形面积和深度。如果是上述的第一种情形，那么在薄膜沉积的过程中，硅材料和Sb₂Te₃材料就会同时制备，形成了Si_xSb₂Te₃复合材料，因此用简单的方法就制备出了Si_xSb₂Te₃复合材料，采用此种靶材就避免了制造价格昂贵的Si_xSb₂Te₃复合材料(制造此类靶材的难度很大，成分不可控，机械加工能力不好，成本很高，靶材易碎)，而是通过硅基底与Sb₂Te₃合金材料的组合形成，价格低廉，性能更好。且，研究发现Si_xSb₂Te₃复合材料的性能与材料中的硅含量的组份息息相关，即通过调节材料中硅含量，可以改变材料的性能，满足不同的应用需求。在相变存储器的应用中，如若需要提升器件的数据保持能力，则需要增加材料中的硅含量，那么上述扇形槽的面积就应该相应地减小；反之，如果对器件的功耗要求较高，则可采用较大的扇形面积。虽然在靶材形状和填充槽面积上并没有限制，但是考虑到制备得到的薄膜成份的均匀性和可重复性，填充槽在组装后的靶材上的分布要尽量均匀，如上所述，填充的沟槽区域优先选择扇形、三角形或扇环形。

为了进一步说明上述可组装复合材料靶材的修复问题，做一下的实施例说明：在薄膜沉积过程中，相比Si和氧化硅等硬材料，诸如Sb₂Te₃等材料会较多地消耗(产率较高)，因此，在多次沉积后的靶材上方，在Sb₂Te₃槽内会相对硅区域明显下凹，一旦槽内露出了Si的基底，则此复合材料靶材就失效(得到组份显然偏移，制备出的薄膜中就含有了更多的硅)。在这种情况下，通过新鲜Sb₂Te₃材料粉末的填充和适当的烧结和平坦化，可修复靶材，重新使靶材具有良好的可靠性，修复的同时节约了资源，且具有很低的成本，符合我国现阶段节能减排的国策。显然，修复的方法还可以是采用Sb₂Te₃材料的高温溶液，所需要的操作过程可在真空或者保护气体下进行以避免高温下材料的氧化。

以上阐述了一种以硅作为基底Sb₂Te₃作为填充材料的复合材料靶材的结构、制造和修复方法，在此需要特别的指出，上述的基底可以是任何一中所需要复合的材料，而槽内填充的材料也可以是其它任何的一种或者多种材料。基底上方所开设的槽(2-6以及8-11)不仅仅可以是扇形，还可以是其它任何的随机的形状，如图2A和2B所示，且槽区域(即材料的填充区域)占有基底的上表面的面积从百分之一到百分之六十六。图中就显示了一些填充槽的表面形状是扇环结构，有些是不规则的三角形和长条形等，这些都不是限制本发明的特点，然而我们出于制备高性能复合材料角度的考虑，优选分布均匀的形状为扇形、扇环和三角形等结构。

而且，虽然本实施例以圆形的靶材为例进行说明，但是要指出，靶材显然可以是其它的形状，例如条形等，靶材下根据实际的需要可以有底座，底座一般情况下为金属，例如金属Cu。

又比如，作为基底的材料可以是陶瓷材料，而填充槽内的材料可以是磁性材料，靶材的制作和修复与上类似，在此就不再赘述。

实施例二

本实施例仍旧以圆形的靶材和扇形的沟槽填充为例说明复合材料靶材的修复方法，如图3A所示是一种复合材料靶材，在较难消耗的基底靶材12的上方，开了四个分布均匀的三角形的区域，在三角形的区域中填充有较容易消耗的靶材材料13，如上所述，靶材、沟槽的形状和面积都不是限制本发明的特点。

靶材中沿A-A方向的投影如图3B所示，而沿着B-B方向的投影则如图3C所示，可以看到，填充的靶材材料13的厚度小于基底靶材12的厚度，显然，其厚度也可以等于靶材12的厚度。

在薄膜沉积后，靶材不断地被消耗，且因为靶材下方安设的磁场的关系，靶材上方会有特定的环状区域被过快地消耗，图3B经过多次沉积之后的结构截面图如图3D所示，而一般在这种情况下，无论是合金靶还是本发明前面提到的复合材料靶的靶材都需要报废。在实际的应用中，我们会发现，在靶材报废以后，其实还有绝大部分的靶材材料都还完好无损，因此，靶材的利用率很低。而图3C在沉积之后的结构如图3E所示，因为，材料12相比材料13更加难被消耗，损耗相对较少，只不过略为下凹。

修复过程：通过材料13粉末的填充和平坦化，对图3D中的凹陷区域进行填充，通过烧结合平坦化，修复形成如图3B的结构，对于靶材12部分也可以有类似的步骤进行修复，上述的粉末的填充、烧结合平坦化可以根据实际的需要在真空或者保护气体中进行。而采用的粉末，根据实际的需求要有研磨等过程，在此就不赘述。

如此，通过成本较低的修复方法，能够将一些即将报废的靶材修复好，显然在成本上具有很大的优势。

实施例三

本实施例如图4所示阐明一种以第一材料作为靶材基底(而非基座)，第二材料作为遮盖材料，第二材料的遮盖上方具有一定面积的镂空，薄膜的沉积过程中，第一材料和第二材料同时沉积在衬底上，组合后形成复合材料。

通过机械加工制造W的镂空结构18，材料为W的片状物16，在片状物16的上方开有多个镂空结构17，镂空结构的形状可以是包括扇形在内的任何形状(不局限于图4A所示的形状)。以Ti为基底靶材20，Cu为基座19，W的镂空结构18安置在Ti的基底上方，得到的最终的结构如图4C所示，在靶材使用过程中，Ti和W共同沉积到基底上，形成TiW合金，其组分根据实际的需求调整W遮盖的镂空面积。例如需要提升W的含量，则就可选择镂空面积较小的遮盖，例如遮盖的镂空面积占总面积的比例可为1％，3％，9％，17％，39％，49.5％，56％，66％以及75％等。

在基底消耗过程中，可以适当地旋转W的镂空结构，使镂空部分转到未被溅射的靶材上方，使得基底靶材得到最大程度的利用(此过程可以在下面的实施例五中得到更清楚的阐述)。而镂空结构的W如果消耗完毕，可以更换新的镂空结构。此外，如需要制备其他的Ti合金，可以更换其他的镂空结构，如Ni和其他单质以及合金材料的遮盖，且根据所需要的材料组份，选择不同镂空面积和结构的镂空遮盖。如此，通过改变镂空结构，就能够制备很多种组份的材料，且材料的利用率很高，成本较低。特别是下部采用的基底靶材如果价格昂贵的话，那么成本优势更加能够得到体现。例如下方基底靶材如果为Ge-Sb-Te相变材料(价格很高)，又需要做一些掺杂的产品，那么就可以通过更换遮盖材料18来实现，获得不同产品的同时，几乎没有增加成本(因为遮盖18相对于Ge-Sb-Te的靶材的价格可能忽略不计)。

同样，如图基底靶材20在磁场的作用下消耗过快，可以通过上述的修复手段进行修复，修复可以通过粉末填充，也可以通过高温熔液进行填充，整个过程可以通过惰性的气体进行保护，最后得到修复的基底靶材20可以进行适当的平坦化。

实施例四

以Sb₂Te为基底，制造Si的镂空结构，镂空结构的形状可以是包括扇环形在内的任何形状。Si的镂空结构安置在Sb₂Te的基底上方，在靶材使用过程中，Si和Sb₂Te共同沉积到基底上，形成Si_xSb₂Te复合材料。

在基底消耗过程中，可以适当地旋转Si的镂空结构，使镂空部分转到未被溅射的靶材上方，使得基底得到最大程度的利用。而镂空结构的Si如果消耗完毕，可以更换新的镂空结构。此外，如需要制备其他的复合材料组份，可以更换其他的镂空结构，比如如Ge和AgIn合金等，且根据所需要的材料组份，选择不同镂空面积和结构的镂空结构的材料，例如需要降低Si_xSb₂Te复合材料中的Si含量，可以采用镂空面积较大的Si遮盖，反之，采用较小的。

与此同时，我们也可以同时采用多个遮盖靶材，例如在上述Sb₂Te基底的上同时安置Si和Ge靶材，最终获得GeSiSb₂Te复合材料。

实施例五

采用长条形的靶材和基座进行进一步的说明，如图5A所示，显然靶材23下方的基座22可以跟据实际需求进行任意增减。

制造具有形状和面积可变化的镂空结构24，镂空结构24的材料为所需要引入材料中进行复合的另外一种材料，图5A中所示的25为空隙，空隙面积占到了靶材24的百分之八十。

将至少一层的镂空结构靶材覆盖在靶材23的上方，形成如图5B所示的结构，如此得到的复合材料靶材26通过薄膜的沉积可得到复合材料。

上述的结构还可以是如图5C所示的结构，结构中，可以看到镂空结构的靶材28在某一方向上的长度要长于对应的靶材27(用于后续的调节和移动)，且靶材28上的镂空面积较小，占组装后靶材总面积的百分之四十八。

很显然，在多次的薄膜沉积将造成对靶材的消耗，如图5D所示，就形成了凹槽30。与此同时，可以看到，凹槽之间还具有大量的可用的靶材(理论上约占52％)，因此，可以更换新的镂空结构(如果镂空结构靶材已消耗的话)，或者将镂空结构靶材28往其中的一方向移动，使得镂空的区域恰好覆盖在还未消耗的52％的靶材区域，如图5E所示。此方法，能够尽可能地提高靶材的利用率来制备复合材料。

此外，我们还应该注意到，镂空结构28可以具有其他的材料、形状和面积等，因此，现在复合材料的组分可以通过更换镂空结构靶材2进行精确而简便的调解，这也是本发明的特点之一，利用较少的靶材组合就能够制备多种组分。在实际的应用中，基底靶材可以是较难加工的靶材，而镂空靶材往往是较容易得到机械加工的材料。

实施例六

靶材修复和改装。

如上所述，在实际的应用中，单质和合金靶的靶材在使用过程中形成了到达底座上方的凹槽后就废弃不用了，有超过80％的靶材还未使用，造成了极大的浪费。

本实施例说明本发明提出的修复靶材和改装靶材的方法。

Si-Sb-Te复合材料靶材的价格昂贵，在靶材使用一段时间(或者无法使用后)，靶材的截面积就会如上述图3D那样，在这种情况下，可以采用对凹陷区Si-Sb-Te复合材料粉末的填充，并在真空中进行烧结、压制，磨平后就恢复到最初的状态。这是靶材的修复过程的举例说明，同样适用于其他类型的靶材，例如合金和单质靶材。

还比如，在很多半导体工厂中，有很多废弃的Ti靶，往往都要当作废品回收处理，然而，可以采用本发明的方法进行修复，如上所述，就会大大节约成本，除了填充高纯的Ti粉末，对于有一些熔点较低的材料可以直接填充高纯高温的熔液进行修复。除此之外，还可以对靶材进行改装，举例如下：在形成了凹槽的Ti靶材的凹槽区，填充TiW粉末或者W的粉末，后进行烧结合平坦化，这种方法不仅修复了靶材，而且获得一个能够重新地制造TiW的靶材。这是靶材改装的说明，也就是说，通过对现有靶材区域进行异质的修复(修复的材料与原靶材不同)，得到新的不同于原靶材的靶材，沉积薄膜得到的组份也与原靶材不同，上述改装的方法显然也适用于其他类型的靶材，在此要说明不是限制本发明的特点。

综上所述，本发明提出两种由至少两部分立的部分组成的可组装靶材的结构和制造方法，通过本发明避免了高成本的复合材料靶材制备工艺，靶材组合后，在沉积过程中形成混合均匀的复合材料薄膜，不仅可以根据所需薄膜的成分进行靶材结构的调整，而且在靶材某一部分材料消耗之后进行简单而有效的修复。

本发明避免了高成本的复合材料靶材的制备，降低了生产成本，在尽量减少靶材数量的前提下灵活实现组分的调解，修复靶材还有助于进一步地降低生产的成本，并且提升靶材的利用率，减少环境的污染和对稀有原材料的消耗，符合国家节能减排的基本国策。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (25)

1.一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：其具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。

2.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。

3.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

在靶材部分消耗后，通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用。

4.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

填充非第一材料的槽结构的深度小于或等于第一材料基底的厚度。

5.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

填充非第一材料的槽结构的形状、深度、面积、以及在基座上的排布彼此之间相同或者不同。

6.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

第一材料基底占组装后复合材料靶材的总表面积的比例在百分之三十三到百分之九十九之间。

7.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

在同等的条件下，可组装靶材上第一材料区域的消耗速度小于非第一材料区域的消耗速度。

8.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

靶材包含基座。

9.根据权利要求1所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

基底和至少一种非第一材料区域消耗后可进行修复。

10.根据权利要求9所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

在消耗后形成的凹槽中填充至少一种相应的非第一材料粉末，后进行烧结和平坦化。

11.根据权利要求9所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

在消耗后形成的凹槽中填充至少一种相应的非第一材料液态材料，在惰性气体保护下进行冷却凝固，后进行平坦化。

12.根据权利要求1至11之一所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

所述靶材制造、修复的过程中的气氛为真空、或为氮气、或为惰性气体、或为空气。

13.一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：第一材料靶材作为基底，基底上方覆盖有具有设定镂空面积的至少一种非第一材料靶材；更换不同的非第一材料镂空结构靶材可得到不同类型的复合材料组份；非第一材料镂空结构靶材放置的位置可以调整，使得第一材料靶材不同区域通过镂空区域暴露而被使用。

14.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

具有镂空结构的非第一材料靶可以旋转或者可以移动，并且可以更换。

15.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

根据复合材料成份的要求更换非第一材料靶材的种类。

16.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

所述靶材包括不同的材料组份，或不同的镂空面积，或不同的形状，或不同的厚度。

17.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

第一材料暴露在镂空结构的基底靶材被消耗之后，通过移动非第一材料靶材将镂空区域转移到第一材料基底靶材的其他区域。

18.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

靶材包含基座。

19.根据权利要求13所述的用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于：

非第一材料靶材上方的镂空面积在百分之五到百分之九十五之间。

20.权利要求1至19之一所述的用于制备复合材料的可组装靶材的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结和平坦化得到。

21.权利要求1至19之一所述的可组装靶材的修复和改装方法，其特征在于：

对部分消耗的靶材的特定区域进行修复和改装，通过粉末或者熔液的填充辅助以烧结和平坦化得到新的靶材。

22.根据权利要求21所述的修复和改装方法，其特征在于：

在消耗后形成的凹槽内中填充至少一种非第一材料液态材料，在惰性气体保护下进行冷却，后进行平坦化。

23.根据权利要求21所述的修复和改装方法，其特征在于：

修复的过程中的气氛为真空、或为氮气、或为惰性气体，或为空气。

24.根据权利要求21所述的修复和改装方法，其特征在于：

所填充的粉末或者熔液的组份与所需修复或改装的靶材的组份相同或者不同。

25.根据权利要求21所述的修复和改装方法，其特征在于：

改装后的靶材制备得到的组份与原靶材不同。

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