CN101497425B - 一种氧化锌径向同质结及其制备方法 - Google Patents
一种氧化锌径向同质结及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101497425B CN101497425B CN2009100791543A CN200910079154A CN101497425B CN 101497425 B CN101497425 B CN 101497425B CN 2009100791543 A CN2009100791543 A CN 2009100791543A CN 200910079154 A CN200910079154 A CN 200910079154A CN 101497425 B CN101497425 B CN 101497425B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- zinc oxide
- zinc
- radial
- homojunction
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 139
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N azepane Chemical compound C1CCCNCC1 ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成的混合源，放入石英舟中；将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层，能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其氧化锌的制备方法。
背景技术
氧化锌是一种直接宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能约为60meV。氧化锌具有良好的发射蓝光和紫外光的性能，有望替代氮化镓开发出紫外、绿光、蓝光等多种发光器件，因此成为人们关注的研究热点之一。
半导体结结构是许多半导体器件的基础。已报道的纳米颗粒膜、纳米线同质结结构多为轴向外延结构(Jieying Kong，Sheng Chu，Mario Olmedo，Lin Li，Zheng Yang，and Jianlin Liu，Applied Physics Letters，2008，93，132113和Y.Yang，X.W.Sun，B.K.Tay，G.F.You，S.T.Tan，and K.L.Teo，Applied Physics Letters，2008，93，253107)，而径向结结构一般多为异质结结构(Jih-Jen Wu，Sai-Chang Liu，Chien-Ting Wu，Kuei-Hsien Chen，Li-Chyong Chen，AppliedPhysics Letters，2002，81，1312-14和A.Vomiero，M.Ferroni，E.Comini，G.Faglia，and G.Sberveglieri，Nano Lett.，2007，7(12)，3553-3558)，径向同质结鲜有报道。
溶液法是生长氧化锌纳米结构较常用的方法，利用溶液法生长氧化锌纳米结构一般需要氧化锌籽晶层。氧化锌籽晶层可以用溶胶凝胶(Jing-Shun Huang，Ching-Fuh Lin，JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2008，103，014304)，脉冲激光溅射沉积(Chang Hyun Bae，Seung Min Park，Seung-Eon Ahn，Dong-Jin Oh，Gyu Tae Kim，Jeong Sook Ha，Applied SurfaceScience 2006，253 1758-1761)，电子束蒸发(Yanhong Tong，Yichun Liu，Lin Dong，DongxuZhao，Jiying Zhang，Youming Lu，Dezhen Shen，and Xiwu F，J.Phys.Chem.B，2006，110(41)，20263-20267)等方法制备。其它可以用来生长氧化锌薄膜的方法如热蒸发，化学气相沉积，磁控溅射等也可以用来生长溶液法用的氧化锌籽晶层。还没有报道采用上述方法可以生长出氧化锌的径向同质结结构。
发明内容
本发明的目的是提供一种氧化锌径向同质结及其制备方法，采用化学气相沉积在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜和溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层的两步法，实现在掺杂氧化锌六棱短柱径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
本发明的氧化锌径向同质结是以氧化锌为基，在掺杂氧化锌六棱短柱外包覆一层未掺杂氧化锌，构成径向同质结。
本发明提供了一种两步法大量制备氧化锌径向同质结的方法，具体步骤如下：
1、采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜。
1)采用镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，采用锌粉做锌源。
2)按10∶1～20∶1的摩尔比称取锌粉和镓或按40∶1～80∶1的摩尔比称取锌粉和氧化铟，将锌粉放入石英舟中；将镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成混合源，放入石英舟中；其中锌粉放在氩气气流的入口方向，混合源相对于锌粉放在气流下游位置，取干净的硅片置于混合源的正上方或气流下游位置。
3)将装有蒸发源和硅片的石英舟推入水平管式炉中进行化学气相沉积，将管式炉以12～18℃/min的速度升至880～920℃，保温20～30min，等炉温降至室温后取出硅片。
所述化学气相沉积过程始终通入流量为80～120sccm的氩气作为保护气体和载气。
所述混合源和锌源之间的距离为0～5mm。
所述硅片置于距混合源0～2cm处。
2、采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层。
1)将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，用电磁搅拌炉加热到80～95℃。
2)待溶液温度升高到80～95℃后，将采用CVD法制备的硅片上有沉积物的一面朝下，使其悬浮于液面上或悬挂于液体中。
3)2～4小时后从溶液中取出硅片，在去离子水或无水乙醇中漂洗，以去除硅片上容易脱落的沉积物，晾干后在扫描电镜下观察，即可看到在掺杂氧化锌六棱短柱上包覆了一层未掺杂的氧化锌，形成径向同质结。
硅片悬浮于液面上或悬挂于液体中时用薄片盖住容器，以避免所配液体过分蒸发。
本发明的优点：
1、该发明能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结。
2、该发明提供的制备方法工艺简单，成本低。
附图说明
图1为镓掺杂氧化锌外包覆结构的扫描电镜图片，中间为镓掺杂氧化锌，外围为未掺杂氧化锌形成的径向同质结，其中镓掺杂氧化锌柱的直径为0.25～0.7μm；外面的氧化锌包覆层厚度为50～270nm。
图2为铟掺杂氧化锌外包覆结构的扫描电镜图片，中间为铟掺杂氧化锌，外围为未掺杂氧化锌形成的径向同质结，其中铟掺杂氧化锌的直径为0.16～1.0μm；外面的氧化锌包覆层厚度为65～400nm。
具体实施方式
实施例1：
首先采用CVD方法制备镓掺杂氧化锌：称取500mg锌粉，30mg镓，20mg石墨粉；将其分放入石英舟中两堆，其中镓滴(分为数小滴)与石墨粉混合为一堆，锌粉一堆。锌粉位于氩气入口一侧，石墨粉与镓滴的混合物紧挨着锌粉堆，置于氩气出口一侧。然后将硅片置于镓滴与石墨粉上方。将装有源的小舟推入管式炉的石英管中，以150sccm的气流量预通氩气5min。然后将氩气流量改为80sccm，将炉温以15℃/min的速度升至900℃，保温30min后停止加热。待炉温自然冷却至室温后，关闭氩气，取出硅片。
然后用溶液法对掺镓氧化锌柱进行包覆：将2mmol的硝酸锌和2mmol的六次甲基亚胺放入同一个烧杯，加入80ml去离子水。然后将烧杯在电磁搅拌炉上边加热边搅伴。待溶液温度升至90℃后停止搅拌，将上面CVD法所得硅片有沉积物的一面朝下，浮于溶液之上，用薄片盖住容器，以避免所配液体过分蒸发，并使溶液温度保持在90℃，4小时后取出硅片，在无水乙醇中漂洗1min，晾干。此时硅片上所沉积之物即为包覆状掺镓氧化锌，如图1所示，包覆状结构里面小短柱为镓掺杂氧化锌，外面包覆层为未掺杂氧化锌，构成氧化锌径向同质结。
实施例2：
首先用CVD法制掺杂膜：称取500mg锌粉，32mg氧化铟粉，8mg石墨粉；将其分放入石英舟中两堆，其中氧化铟与石墨混合为一堆，锌粉一堆。锌粉堆置于氩气入气口一侧，氧化铟与石墨混合物紧挨锌粉堆置于氩气出口一侧。然后将硅片置于氩气流下游距离氧化铟与石墨混合物1cm的地方。将装有源的小舟推入管式炉的石英管中，以150sccm的气流量预通氩气5min。然后将氩气流量改为120sccm，将炉温以18℃/min的速度升至920℃，保温30min后停止加热。待炉温自然冷却至室温后，关闭氩气，取出硅片。
然后用溶液法对掺铟氧化锌进行包覆：将2mmol的硝酸锌和2mmol的六次甲基亚胺放入同一个烧杯，加入80ml去离子水。然后将烧杯在电磁搅拌炉上边加热边搅伴。待溶液温度升至90℃后停止搅拌，将上面CVD法所得硅片，有沉积物的一面朝下，浮于溶液之上，用薄片盖住容器，以避免所配液体过分蒸发，并使溶液温度保持在90℃，3小时后取出硅片，在无水乙醇中漂洗1min，晾干。此时硅片上所沉积之物即为包覆状掺杂氧化锌，如图2所示，包覆状结构里面氧化锌柱为铟掺杂氧化锌，外面包覆层为未掺杂氧化锌，构成氧化锌径向同质结。
实施例3：
首先用CVD法制掺杂膜：称取400mg锌粉，32mg氧化铟粉，8mg石墨粉；将其分放入石英舟中两堆，其中氧化铟与石墨混合为一堆，锌粉一堆。锌粉堆置于氩气入气口一侧，氧化铟与石墨混合物置于氩气出口一侧距锌粉堆5mm处。然后将硅片置于氩气流下游距离氧化铟与石墨混合物1cm的地方。将装有源的小舟推入管式炉的石英管中，以150sccm的气流量预通氩气5min。然后将氩气流量改为120sccm，将炉温以18℃/min的速度升至920℃，保温20min后停止加热。待炉温自然冷却至室温后，关闭氩气，取出硅片。
然后用溶液法对掺铟氧化锌进行包覆：将2mmol的硝酸锌和2mmol的六次甲基亚胺放入同一个烧杯，加入80ml去离子水。然后将烧杯在电磁搅拌炉上边加热边搅伴。待溶液温度升至80℃后停止搅拌，将上面CVD法所得硅片，有沉积物的一面朝下，浮于溶液之上，用薄片盖住容器，以避免所配液体过分蒸发，并使溶液温度保持在80℃，2小时后取出硅片，在无水乙醇中漂洗1min，晾干。此时硅片上所沉积之物即为包覆状掺铟氧化锌。
Claims (5)
1.一种氧化锌径向同质结，其特征在于，以氧化锌为基，在掺杂氧化锌六棱短柱外包覆一层未掺杂氧化锌，掺杂元素为镓或者铟。
2.一种氧化锌径向同质结的制备方法，其特征在于，
步骤一：采用镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，采用锌粉做锌源，按10∶1～20∶1的摩尔比称取锌粉和镓或按40∶1～80∶1的摩尔比称取锌粉和氧化铟，将锌粉放入石英舟中，将镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成混合源，放入石英舟中，其中锌粉放在氩气气流的入口方向，混合源相对于锌粉放在气流下游位置，取干净的硅片置于混合源的正上方或气流下游位置，将装有蒸发源和硅片的石英舟推入水平管式炉中进行化学气相沉积，将管式炉以12～18℃/min的速度升至880～920℃，保温20～30min，等炉温降至室温后取出硅片；
步骤二：将摩尔比为1∶1的硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺C6H12N4配成溶液，硝酸锌和六亚甲基四胺溶液的浓度为22.5～75mM，再用电磁搅拌炉加热到80～95℃，然后将步骤一制备的硅片上有沉积物的一面朝下，使其悬浮于液面上或悬挂于液体中，2～4小时后从溶液中取出硅片，在去离子水或无水乙醇中漂洗，晾干后得到具有径向同质结结构的氧化锌。
3.如权利要求2所述的氧化锌径向同质结的制备方法，其特征在于，步骤一中所述化学气相沉积过程始终通入流量为80～120sccm的氩气作为保护气体和载气。
4.如权利要求2所述的氧化锌径向同质结的制备方法，其特征在于，步骤一中所述混合源和锌源之间的距离为0～5mm。
5.如权利要求2所述的氧化锌径向同质结的制备方法，其特征在于，步骤一中所述硅片置于距混合源0～2cm处。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100791543A CN101497425B (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种氧化锌径向同质结及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100791543A CN101497425B (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种氧化锌径向同质结及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101497425A CN101497425A (zh) | 2009-08-05 |
| CN101497425B true CN101497425B (zh) | 2011-01-05 |
Family
ID=40944733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100791543A Expired - Fee Related CN101497425B (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种氧化锌径向同质结及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101497425B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102583227B (zh) * | 2012-03-13 | 2014-07-23 | 浙江大学 | 一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1769548A (zh) * | 2005-10-10 | 2006-05-10 | 天津大学 | 制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法 |
| CN101009228A (zh) * | 2006-12-22 | 2007-08-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法 |
| CN101319370A (zh) * | 2008-06-24 | 2008-12-10 | 济南大学 | 一种控制氧化锌纳米棒/纳米管阵列取向和形貌特征的方法 |
-
2009
- 2009-03-03 CN CN2009100791543A patent/CN101497425B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1769548A (zh) * | 2005-10-10 | 2006-05-10 | 天津大学 | 制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法 |
| CN101009228A (zh) * | 2006-12-22 | 2007-08-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法 |
| CN101319370A (zh) * | 2008-06-24 | 2008-12-10 | 济南大学 | 一种控制氧化锌纳米棒/纳米管阵列取向和形貌特征的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 杨晓杰等.ZnO同质p-n结的研究.《真空科学与技术学报》.2005,第25卷101-104. * |
| 段理等.ZnO薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展.《物理》.2003,第32卷(第1期),27-31. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101497425A (zh) | 2009-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8173205B2 (en) | Method for fabricating ZnO thin films | |
| KR20190005180A (ko) | 2차원 물질을 형성하기 위한 화학적 기상 증착 방법 | |
| Gautam et al. | The effect of growth temperature of seed layer on the structural and optical properties of ZnO nanorods | |
| CN103469173A (zh) | 空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜 | |
| CN102751318B (zh) | 一种ZnO同质pn结及其制备方法 | |
| CN101319369A (zh) | 一种p型ZnO纳米线的制备方法 | |
| CN103710675B (zh) | 一种ZnO基薄膜及其制备方法 | |
| Wang et al. | Structural, optical and electrical properties of Hf-doped ZnO transparent conducting films prepared by sol–gel method | |
| CN103531447B (zh) | 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法 | |
| CN102092774A (zh) | 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法 | |
| CN102320758A (zh) | 一种核壳结构ZnO纳米同质节阵列的制备方法 | |
| CN102040187A (zh) | 一种核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法 | |
| Yılmaz et al. | Fabrication and structural, electrical characterization of i-ZnO/n-ZnO nanorod homojunctions | |
| KR20120010388A (ko) | 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드 | |
| CN101328609B (zh) | 一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法 | |
| Xingwen et al. | Study on ZnO thin films deposited on sol–gel grown ZnO buffer by RF magnetron sputtering | |
| CN101497425B (zh) | 一种氧化锌径向同质结及其制备方法 | |
| García-Gutiérrez et al. | Luminescence and structure of ZnO grown by physical vapor deposition | |
| CN102225871B (zh) | 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法 | |
| Xu et al. | Doping-induced transition from polycrystals to single crystals in ZnO thin films | |
| CN101760726B (zh) | 一种B和N共掺杂ZnO薄膜的制备方法 | |
| TW201117412A (en) | Manufacturing method for solar cell Cux ZnSnSy (CZTS) this film | |
| CN102176410B (zh) | 一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法 | |
| CN101235483A (zh) | 利用直流反应磁控溅射制备p-ZnMgO薄膜的方法 | |
| CN100366789C (zh) | 纤锌矿结构Zn1－xMgxO半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110105 Termination date: 20130303 |