CN102583227B - 一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法,该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列,通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列,最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行,重复性高,可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度,可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法,特别涉及通过垂直的一维ZnO纳米棒阵列采用扩散法形成p型ZnO纳米阵列作为三维结构的主干,然后用水热法在主干上形成树枝状径向分布的n型ZnO纳米结构的同质结器件,属于半导体器件技术领域。
背景技术
ZnO作为一种典型的宽禁带半导体材料,室温下具有高达60 meV的激子束缚能,在室温下易实现高效率的发光,因此近年来成为发光二极管和紫外激光器等的热门材料,具有很好的应用潜力。同时ZnO纳米材料作为最优异的半导体纳米材料之一,在光学、电输运、压电、光电、场发射、光催化、稀磁等性能上具有显著特点,因此在纳米电子器件上的应用也成为全世界的研究重点。
要解决ZnO在光电方面的应用,首先需要制备各种类型的同质或者异质结。相比异质结,ZnO同质结具有晶格失配小、器件效率更高等优点。目前报道的ZnO纳米结构丰富多彩,主要集中在一维垂直阵列的研究方面,而三维ZnO纳米材料由于其具有更大的比表面积,近年来得到越来越多的关注。关于ZnO三维同质pn结纳米阵列目前还未有报道,因此本发明具有很高的研究价值和科学意义。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法。
本发明的ZnO三维同质pn结纳米阵列,其主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。
ZnO三维同质pn结纳米阵列的制备方法,包括以下步骤:
1)将纯ZnO粉末和纯石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到900~950℃,生长室通入纯氮气和纯氧气,氮气流量为90~99 sccm,氧气流量为1~10 sccm,控制压强为1000~1300 Pa,生长一维直立的ZnO纳米线阵列。
2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在p型扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至600~800℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为2000~5000 Pa,保温2~3小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列。
3)将浓度为0.5~1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至200~300℃保持10~50分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.01~0.025 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到80~100℃保温5~20小时,得到主干为一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒的ZnO三维同质pn结纳米阵列。
上述的衬底可以是单晶硅片,蓝宝石或者石英。所述的p型扩散源可以是GaAs或P2O5。
本发明中ZnO,石墨,氮气,氧气的纯度均大于99.99%。
本发明的有益效果在于:
1.设备简单,原料便宜,无需用到高真空的昂贵设备;
2.通过调整步骤1)的气相生长温度和步骤3)液相法的溶液浓度可以改变ZnO三维同质pn结垂直纳米阵列主干和分支的尺寸和密度;
3.该种ZnO三维同质pn结纳米阵列可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。
附图说明
图1是本发明的三维ZnO同质pn结纳米阵列的扫描电镜俯视图。
图2是本发明的三维ZnO同质pn结纳米阵列的扫描电镜断面图。
图3是本发明的主干较为稀疏、分支较短的三维ZnO同质pn结纳米阵列的扫描电镜俯视图。
具体实施方式
以下结合图例,通过实例对本发明制备ZnO三维同质pn结垂直纳米阵列作进一步的说明。
实施例1:以单晶硅片为衬底制备ZnO三维同质pn结纳米阵列,具体步骤如下:
1)将纯度为99.999%ZnO粉末和纯度为99.999%石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到950℃,生长室通入纯氮气(纯度 >99.99%)和纯氧气(纯度 >99.99%),氮气流量为99 sccm,氧气流量为1 sccm,控制压强为1300 Pa,生长时间为30 min,形成一维直立的ZnO纳米线阵列。
2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在GaAs扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至600℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为5000 Pa,保温2小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列。
3)将浓度为1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至250℃保持30分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.025 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到95℃保温12小时,得到主干为一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒的ZnO三维同质pn结纳米阵列,如图1和图2所示。
实施例2:以石英为衬底制备ZnO三维同质pn结纳米阵列,具体步骤如下:
1)将纯度为99.999%的ZnO粉末和纯度为99.999%的石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到900℃,生长室通入纯氮气和纯氧气,氮气流量为99 sccm,氧气流量为1 sccm,控制压强为1200 Pa,生长时间为30 min,形成一维直立的ZnO纳米线阵列。
2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在GaAs扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至600℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为3000 Pa,保温2小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列。
3)将浓度为1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至250℃保持30分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.01 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到90℃保温20小时,得到主干较为稀疏,分支较短的ZnO三维同质pn结纳米阵列,如图3所示。
实施例3:以蓝宝石为衬底制备ZnO三维同质pn结纳米阵列,具体步骤如下:
1)将纯度为99.999%的ZnO粉末和纯度为99.999%的石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到950℃,生长室通入纯氮气和纯氧气,氮气流量为90 sccm,氧气流量为10 sccm,控制压强为1000 Pa,生长时间为30 min,形成一维直立的ZnO纳米线阵列。
2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在P2O5扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至800℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为2000 Pa,保温3小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列。
3)将浓度为1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至200℃保持50分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.025 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到95℃保温12小时,得到主干为一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒的ZnO三维同质pn结纳米阵列。
Claims (3)
1. 一种ZnO三维同质pn结纳米阵列的制备方法,该ZnO三维同质pn结纳米阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒,其制备包括以下步骤:
1)将纯ZnO粉末和纯石墨粉按质量比2:1放入石英U型管中,将长有ZnO籽晶层的衬底放入U型管口一侧,生长室真空度至少抽至10 Pa,衬底加热升温到900~950℃,生长室通入纯氮气和纯氧气,氮气流量为90~99 sccm,氧气流量为1~10 sccm,控制压强为1000~1300 Pa,生长一维直立的ZnO纳米线阵列;
2)将上述长有一维直立的ZnO纳米线阵列的衬底放入石英舟内,覆盖在p型扩散源上,将石英舟放入生长室,升温至600~800℃,真空抽至10 pa,通入纯氧气,流量为100 sccm,控制压强为2000~5000 Pa,保温2~3小时,形成垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线阵列;
3)将浓度为0.5~1 mg/ml的ZnO纳米晶氯仿溶液滴在上述一维p型ZnO纳米线阵列上,升温至200~300℃保持10~50分钟,然后将衬底面朝下放置在浓度均为0.01~0.025 mol/L的六亚甲基四氨和二水硝酸锌混合溶液的聚四氟乙烯内胆内,加热到80~100℃保温5~20小时,得到主干为一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒的ZnO三维同质pn结纳米阵列。
2.按权利要求1所述的ZnO三维同质pn结纳米阵列的制备方法,其特征在于所述的衬底是单晶硅片,蓝宝石或者石英。
3.按权利要求1所述的ZnO三维同质pn结纳米阵列的制备方法,其特征在于所述的p型扩散源是GaAs或P2O5。
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