CN101481113A - 一种四氟化硅的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种四氟化硅的制备方法,以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:(1)将氟硅酸溶液和氧化镁反应10~60分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体用25~55℃气流鼓动1~3小时,脱去附着水和结晶水;(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁在200~300℃的温度下煅烧1~2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;(4)四氟化硅气体经纯化,得到高纯四氟化硅气体。本发明生产成本低,所制备的四氟化硅质量优,无三废排放,另外联产的氟化镁可做为电解铝工业的添加剂,不产生含氟废渣,具有很好的经济价值和社会价值,易于推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种四氟化硅的制备方法,尤其涉及一种以氟硅酸和氧化镁为原料制备四氟化硅的方法。
背景技术
四氟化硅在电子和半导体行业中主要用于氮化硅、硅化钽等的蚀刻剂、P型掺杂剂及外延沉积扩散硅源等;还可用于制备电子级硅烷或硅。四氟化硅还可用作光导纤维用高纯石英玻璃的原料,它在高温火焰中水解可产生具有高比表面积的热沉二氧化硅;此外,四氟化硅还广泛用于制备太阳能电池,氟硅酸和氟化铝,化学分析用氟化剂,油井钻探、镁合金浇铸用催化剂,蒸熏剂,水泥及人造大理石的硬化剂以及有机硅化合物的合成材料等方面。目前,四氟化硅的制造方法主要有以下几种:(1)硫酸法,由浓硫酸与氟化钙、二氧化硅强热而得;(2)氟硅酸法,由氟硅酸和浓硫酸反应而得;(3)氢氟酸法,由二氧化硅和氢氟酸或用氟硅酸代替氢氟酸反应而得;(4)副产回收法,回收磷肥及磷酸盐生产中的四氟化硅;(5)氟硅酸钠法,在二氧化硅存在下,氟硅酸钠和浓硫酸反应,或将氟硅酸钠加热至900℃分解而得。
工业生产中主要采用硫酸法或氟硅酸钠法。氢氟酸法成本高,副产回收法工艺复杂,不易实现工业化;氟硅酸法使用浓硫酸腐蚀严重,对设备要求极高还副产含氟废液;硫酸法使用硫酸、萤石、二氧化硅加强热,腐蚀严重、能耗高,生产四氟化硅气体中易含硅氧烷等杂质,在精制四氟化硅过程中不易除去,还副产含氟废渣;氟硅酸钠法虽可减少产生硅氧烷等杂质,但还存在煅烧温度高,设备腐蚀严重,能耗高的缺点。
发明内容
本发明目的在于提供一种四氟化硅的制备方法,以降低成本,减轻对设备的腐蚀。
为了实现上述目的,本发明的技术方案在于采用了一种四氟化硅的制备方法,以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:
(1)将氟硅酸溶液和氧化镁反应10~60分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;
(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体用25~55℃气流鼓动1~3小时,脱去附着水和结晶水;
(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁在200~300℃的温度下煅烧1~2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;
(4)步骤(4)中的纯化为将四氟化硅气体通过液氮冷冻纯化,得到高纯四氟化硅气体。
所述的氟硅酸溶液的浓度为10~40%。
所述的氧化镁为固体或浓度为10~30%的料浆。
步骤(1)中的氟硅酸溶液为磷肥行业的副产物。
步骤(2)中的六水氟硅酸镁晶体在流化床中用25~55℃气流鼓动1~3小时。
步骤(3)所制得的氟化镁做为电解铝工业添加剂。
本发明的反应式为:
本发明采用氟硅酸和氧化镁为原料进行反应,经浓缩结晶得到氟硅酸镁,再将氟硅酸镁在低于300℃下煅烧可得四氟化硅和氟化镁。本发明是以磷肥行业副产物——氟硅酸为原料代替了传统方法中的氢氟酸,降低了生产成本,减轻了磷肥行业副产氟硅酸对环境的污染;四氟化硅生产温度都不大于300℃,使能耗大为降低;同时,因反应所需要温度低,对设备的腐蚀也大为降低,还减少了硅氧烷等杂质的产生,有利于简化四氟化硅纯化工序。本发明中联产的氟化镁可做为电解铝工业的添加剂,即不产生含氟废渣,又降低了生产成本。本发明生产成本低,所制备的四氟化硅质量优,无三废排放,具有很好的经济价值和社会价值,易于推广应用。
下表使用本发明生产的四氟化硅和氟化镁质量指标
四氟化硅质量指标
项目 | 指标(本方法纯化处理后) |
纯度(SiF4),%重量比≥ | 99.99 |
惰性气体,%重量比≤ | 0.003 |
二氧化碳(CO2),%重量比≤ | 0.002 |
二氧化硫(SO2),%重量比≤ | 0.001 |
盐酸(HCl),%重量比≤ | 0.002 |
氢氟酸(HF),%重量比≤ | 0.0005 |
水份(H2O),%重量比≤ | 0.0005 |
氧(O2),PPm重量比≤ | 0.001 |
氟化镁质量指标
具体实施方法
实施例1
本发明的四氟化硅的制备方法是以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:
(1)将浓度为15%氟硅酸溶液和氧化镁固体反应40分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;
(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体在流化床中用30℃气流鼓动3小时,脱去附着水和结晶水;
(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁用转炉在200℃的温度下煅烧2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;
(4)将四氟化硅气体通过液氮冷冻纯化,得到高纯四氟化硅气体。
步骤(3)煅烧所得氟化镁做为电解铝工业添加剂。
实施例2
本发明的四氟化硅的制备方法,以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:
(1)将浓度为25%氟硅酸溶液和浓度为20%的氧化镁料浆反应30分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;
(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体在流化床中用40℃气流鼓动2小时,脱去附着水和结晶水;
(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁用转炉在200℃的温度下煅烧2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;
(4)将四氟化硅气体通过液氮冷冻纯化,得到高纯四氟化硅气体。
实施例3
本发明的四氟化硅的制备方法,以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤;
(1)将浓度为35%氟硅酸溶液和浓度为30%的氧化镁料浆反应20分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;
(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体在流化床中用55℃气流鼓动1小时,脱去附着水和结晶水;
(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁用转炉在300℃的温度下煅烧1小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;
(4)将四氟化硅气体通过液氮冷冻纯化,得到高纯四氟化硅气体。
最后所应说明的是:以上实施例仅用以说明,而非限制本发明的技术方案,尽管参照上述实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明进行修改或者等同替换,而不脱离本发明的精神和范围的任何修改或局部替换,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (7)
1、一种四氟化硅的制备方法,其特征在于:以氟硅酸和氧化镁为原料,具体包括以下步骤:
(1)将氟硅酸溶液和氧化镁反应10~60分钟,过滤得到氟硅酸镁溶液,浓缩结晶得到六水氟硅酸镁晶体;
(2)将得到的六水氟硅酸镁晶体用25~55℃气流鼓动1~3小时,脱去附着水和结晶水;
(3)脱去附着水和结晶水的氟硅酸镁在200~300℃的温度下煅烧1~2小时,得到四氟化硅气体和氟化镁;
(4)四氟化硅气体经纯化,得到高纯四氟化硅气体。
2、根据权利要求1所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:所述的氟硅酸溶液的浓度为10~40%。
3、根据权利要求1所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:所述的氧化镁为固体或浓度为10~30%的料浆。
4、根据权利要求1所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:步骤(1)中的氟硅酸溶液为磷肥行业的副产物。
5、根据权利要求1所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:步骤(2)中的六水氟硅酸镁晶体在流化床中用25~55℃气流鼓动1~3小时。
6、根据权利要求1所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:步骤(3)所制得的氟化镁做为电解铝工业添加剂。
7、根据权利要求1—6中任一条所述的四氟化硅的制备方法,其特征在于:步骤(4)中的纯化为将四氟化硅气体通过液氮冷冻纯化,以制得高纯四氟化硅气体。
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