CN101478297A - 用于表面安装的石英晶体器件 - Google Patents

Abstract

一种石英晶体器件，包括容器本体，该容器本体具有：凹槽；在凹槽内底面上形成的一对支撑端子；以及晶体坯，其两个主表面具有激励电极以及从该对激励电极向该晶体坯一端的两侧延伸的引出电极。使用导电粘合剂将该晶体坯一端的两侧固定在支撑端子上。在凹槽内底面上与该晶体坯另一端两侧的角对应的位置上设置枕部件，并且这两个枕部件彼此独立。替代地，每个支撑端子包括在端面支撑端子附近形成的第一区域和远离端面支撑端子形成的比第一区域厚的第二区域。

Description

用于表面安装的石英晶体器件

技术领域

本发明涉及一种具有在容器内密封装入石英晶体坯的结构的石英晶体器件，具体涉及一种即使在该器件受到机械冲击时仍能正常操作并维持其良好振动特性的用于表面安装的的石英晶体器件。

背景技术

具有密封装入容器中的石英晶体坯的石英晶体单元，和将这样的晶体单元与具有采用该晶体单元的电路的IC(集成电路)芯片进行集成的石英晶体振荡器，一般被称为“石英晶体器件”。石英晶体器件用于各种电子设备。例如，具有密封装入容器中的晶体坯的表面安装晶体单元又小又轻，并因此与振荡电路一起包含在由移动电话代表的便携式电子设备中作为频率和时间基准源。

近些年来，这些石英晶体器件逐渐形成得更加紧凑。拿表面安装晶体单元来说，将容器的平面外部尺寸定义为5×3.2mm或3.2×2.5mm的标准正在执行，并且各种类型的晶体坯已根据它们的应用和功能容纳在这些容器中。此外，尺寸比这些标准化尺寸小得多的晶体单元也进行了实际应用。另外在施加机械冲击时需要这些缩小尺寸的石英晶体器件保持其振动特性，特别是防止频率变化。

图1A是示出常规表面安装晶体单元结构实例的横截面图，以及图1B是图1A中示出的晶体单元移去盖子后的平面图。

图示的表面安装晶体单元由容纳在用于表面安装的容器本体1中的晶体坯2构成，被金属盖子5覆盖并密封在容器中。容器本体1例如由叠层陶瓷构成并具有实质上是矩形的外形，也就是说，当在布线板上安装这个晶体单元时，具有矩形顶视图的实质上平坦的长方体。在容器本体1的顶面形成凹槽以容纳晶体坯2。在凹槽内底面上设置位于内底面一侧两端附近的一对支撑端子3。支撑端子3用于在凹槽内电并机械支撑晶体坯2。通过缝焊法将金属盖子5焊接到容器本体1的顶面以封闭凹槽，从而在凹槽中密封晶体坯2。

在容器本体1外底面的四个角上为容器本体1提供外部端子4，也就是说，当在布线板上安装时该表面面向布线板。使用外部端子4以将容器本体1表面安装在布线板上。每个外部端子4形成为实质上为矩形的导电层。在这四个外部端子4中，设置位于容器本体1外底面一个对角线的两端处的一对外部端子4通过在容器本体1陶瓷层间的层叠面中形成的导电通路电连接到一对支撑端子3。此外，剩余的两个外部端子4作为接地端。用作接地端的外部端子4通过在容器本体1中形成的导电通路(未示出)电连接到金属盖子5。

晶体坯2由例如如图2中示出的实质上为矩形的AT切割(AT-cut)的石英晶体坯构成。在晶体坯2的两个主表面上形成激励电极6a。形成激励电极6a的位置构成晶体坯2的振动区域。引出电极6b从该对激励电极6a向晶体坯2一端的两侧延伸。在晶体坯2该端的位置上，形成引出电极6b以在晶体坯2的两个主表面间折回。在该对引出电极6b引出位置处，通过使用例如导电粘合剂7等将这些引出电极6b固定到支撑端子3上，从而将晶体坯2固定在容器本体1的凹槽内，并将其电连接和机械连接到容器本体1上。

导电粘合剂7例如为热固型并且预先涂覆在支撑端子3上作为底涂层。在固定晶体坯2时，将晶体坯2一端的两侧置于导电粘合剂7上，然后导电粘合剂7热固化。

替代地，也可以将导电粘合剂应用到支撑端子3上作为底涂层，将晶体坯2一端的两侧置于导电粘合剂7上，进一步将导电粘合剂7应用到晶体坯2一端两侧上的顶面上作为顶涂层，然后热固化导电粘合剂7。

众所周知，AT切割的晶体坯以厚度切变振动模式操作并且具有反比于其厚度的振动频率。沿晶体坯2纵向的横截面形状的实例包括倾斜状、凸起状和平面状。如图3A所示，倾斜状的晶体坯具有中心部分的宽度的特定范围上为常数的厚度，并且从中心部分向周边减小。如图3B所示，凸起状的晶体坯具有逐渐变化的厚度，在晶体坯中心厚度为最大值。如图3C所示，平面状的晶体坯在整个范围内具有恒定的厚度。当振动频率大约为30MHz或更大时，将晶体坯2形成为平面状。另外，当振动频率低于30MHz时，通过边缘打磨将晶体坯2形成为倾斜状或凸起状，以将振动能量限定在晶体坯2的中心区域内并降低晶体坯2的晶体阻抗(crystal impedance)(CI)。

在晶体坯2纵向上的两端中，通过导电粘合剂7固定在容器本体1上的一端称为“固定端”，并且另一端称为“自由端”。在容器本体1的内底面上与晶体坯2自由端对应的位置设置从容器本体1内底面伸出的枕部件(pillow member)8。晶体坯2的自由端设置在枕部件8上但不固定于枕部件8。自由端也可以设置在枕部件8上方从而不接触枕部件8。例如，在日本专利特许公开申请No.2001-237665(JP-A-2001-237665)和日本专利特许公开申请No.2003-32068(JP-A-2003-032068)中公开了枕部件的设置。当设定晶体坯2纵向上的横截面形状为如上所述的倾斜状或凸起状时，枕部件8用于阻止其中形成晶体坯2的特定激励电极6a的振动区域接触容器本体1的内底面。同样，在晶体坯2的横截面形状为平面状的情形中，由于容器本体1的翘曲等，晶体坯2的振动区域可以与容器本体1的内底面接触，并因此在这种情形中枕部件8是有效的。

当层叠并烧制陶瓷生料薄片以形成容器本体1时，采用印刷方法，在形成作为构成支撑端子3的底部电极层的钨(W)层或钼(Mo)层的同时，设置这种枕部件8。替代地，枕部件8可以由陶瓷制成，并与容器本体1整体烧制形成。

当机械冲击施加到石英晶体器件上时，枕部件8降低了晶体坯2自由端的摆动范围并且良好地保持晶体坯2的振动特性。一旦受到冲击，晶体坯2以固定端为轴摆动，但是设置枕部件8减小了自由端处的摆动范围，并因此也降低了晶体坯2的摆动程度，以及也减小了对在固定端处支撑晶体坯的导电粘合剂7的影响。包括导电粘合剂7的晶体坯2的振动系统由冲击产生的变化更小，并因此能够良好地保持振动特性。

另一方面，当未设置枕部件8时，当施加冲击时晶体坯2自由端侧的摆动范围增加，摆动的影响也传递给了导电粘合剂7，造成其在该状态下的冲击，即，该影响到达振动系统并使晶体坯的振动特性劣化。由此，为晶体坯2自由端设置枕部件8在两方面具有意义：阻止晶体坯2的振动区域以防止接触到容器本体1的内底面；并且针对冲击保持振动系统的振动特性。

如上所述，由于晶体坯2的厚度反比于振动频率，振动频率越高，晶体坯2的厚度变得越小并且晶体坯2的平面外部尺寸也相应减小。相反地，振动频率越低，晶体坯2的厚度变得越大并且平面外部尺寸增加。在批量生产晶体坯的情形下，一般通过与研磨剂一起把大量晶体坯放入圆柱形或球形的中空容器内并旋转中空容器，进行边缘打磨(edgedressing)，边缘打磨将晶体坯的纵向形状形成为倾斜状或凸起状。当中空容器旋转时，晶体坯2的周边沿着中空容器的内周边形成为曲面。通过这种加工，具有曲面的倾斜表面不仅在晶体坯的纵向上而且在平行于晶体坯2短边的方向上形成。

由此，当晶体坯2短边方向上的横截面在中心部分厚在两端薄时，需要使支撑端子3更厚并从内底面增加支撑端子3的高度以防止晶体坯2接触容器本体1的内底面。因此，如图4所示，通过印刷将由钨、钼等制成的两层底部电极层的涂层提供给支撑端子3。在底部电极层中，直接与容器本体1的内底面接触的层，即，底层设定为第一层3a，并且在第一层3a上形成的层设定为第二层3b。由此，采用印刷方法形成的底部电极层与容器本体1整体烧制形成，然后在底部电极层的表面上镀镍(Ni)和金(Au)。由于通过印刷形成了支撑端子3，上层面积减小与用于印刷的掩模的开口宽度对应的量。第一层3a的功能不仅在于作为支撑端子3而且用作与支撑端子3和外部端子4连接的电路图案，并因此减小了第一层3a的厚度以及增加了第二层3b的厚度。

当晶体坯2一端的两侧固定于支撑端子3时，这会防止具有较大厚度的晶体坯短边方向上的中心部分接触到容器本体1的内底面。

对于晶体坯的每个振动频带，改变晶体坯的宽度，即在短边方向上的长度，以避免随宽度产生的假振动。因此，增加沿着晶体坯短边方向上的每个支撑端子3的长度，以便使用相同的容器本体1，支撑具有不同振动频带的各种类型的晶体坯2。这允许不同的平面外部尺寸的各种类型的晶体坯2，尤其是不同宽度尺寸，在标准化容器本体1的同时连接到一对支撑端子3，并提高产量。

然而，上述常规表面安装晶体单元存在着如下问题：在小型化发展时，在施加冲击时振动频率发生改变。

当晶体坯2的平面外部尺寸随着晶体单元小型化的发展减小时，如果不做更改，振动特性尤其是晶体阻抗(CI)会劣化，并因此显著增加激励电极6a的面积。例如，当设定晶体坯2的平面外部尺寸为2.1×1.45mm时，除了对应于掩模框架宽度的0.1至0.15mm的部分，使用气相沉积或溅射方法在晶体坯2的每个主表面的几乎整个表面上形成了激励电极6a。然而，由于在将引出电极6b引出的位置会考虑通过导电粘合剂7的固定，因此不会将激励电极6a形成为限制晶体坯的周边。因此，除了距外边缘0.1至0.15mm的无电极部分外，在实质为矩形的晶体坯2的三个边上形成了激励电极6a。结果，激励电极6a的外部尺寸变为1.6×1.2mm的量级，并且其面积变成大约为晶体坯2的面积的63％。当以这种方式形成激励电极6a以覆盖晶体坯2的大部分主表面时，如果由于冲击晶体坯2的自由端与枕部件8接触，不仅自由端顶端处的无电极部分接触枕部件8而且激励电极6a也和枕部件8接触。当本发明人观察激励电极6a看起来其一部分已经与枕部件8接触时，发现激励电极6a的那部分损坏。本发明人推测该损坏会造成振动频率的变化。

此外，虽然在上述的表面安装晶体单元中，对于具有不同宽度的各种类型的晶体坯2，将容器本体1标准化，但是当施加冲击时，晶体坯2易于从支撑端子3上剥离。也就是说，上述晶体单元具有不足的抗冲击特性。特别是，经过将其截面形成为倾斜状或凸起状的边缘打磨的晶体坯具有对支撑端子的固定强度小的倾向。

如图4所示，当将经过边缘打磨形成倾斜状或凸起状并具有大的宽度的晶体坯2固定于支撑端子3时，晶体坯2的倾斜面与该对支撑端子3的相对边缘互相接触。在此，由于支撑端子3也用于固定小宽度的晶体坯2，支撑端子3之间的距离W1是短的。因此，晶体坯2与支撑端子3接触的位置是接近晶体坯2中心的位置，并且晶体坯2宽度方向上的端部位于支撑端子3的表面上方并与之远离，如以间隔距离d1标示的那样。

与此相反，导电粘合剂7在与晶体坯2宽度方向上的两端对应位置处将晶体坯2固定到支撑端子3上，以避免对振动区域中的晶体坯2的特性造成影响。即使在将导电粘合剂7施加到支撑端子3上以对应晶体坯2宽度方向上的两端时，将晶体坯2设置在导电粘合剂7上，并按压晶体坯2，晶体坯2的表面与支撑端子3的边缘接触，并因此没有压力传输到导电粘合剂7。因此，用于将晶体坯2固定到支撑端子3的导电粘合剂7的厚度增加，特别是在接触晶体坯2周边的部分，施加到支撑端子3的导电粘合剂7不会扩展，并且支撑端子3和导电粘合剂7之间的接触面积以及导电粘合剂7和晶体坯2之间的接触面积变小。通过导电粘合剂7晶体坯2对支撑端子3的固定强度减小。在这种情况下，即使增加导电粘合剂7的量以扩大接触面积，导电粘合剂7的厚度不会减小，并因此针对冲击的固定强度基本不会增加。进一步增加导电粘合剂7的量造成导电粘合剂7甚至粘接晶体坯2中心附近的位置，使晶体坯2的振动特性劣化，使导电粘合剂7的扩展产生变化，从而导致振动特性不均衡。

总之，当具有通过边缘打磨形成的倾斜面的晶体坯2固定到对于具有不同平面外部形状的各种类型的晶体坯2标准化的容器本体1的支撑端子3上时，抗冲击特性劣化。

发明内容

本发明的目的是提供一种即使在施加冲击时也具有良好的抗冲击特性并能够良好保持振动特性的用于表面安装的石英晶体器件。

根据本发明的第一方面，石英晶体器件包括：具有凹槽的容器本体；在容器本体的凹槽内底面上形成的一对支撑端子；以及晶体坯，为其两个主表面提供激励电极，以及从该对激励电极向晶体坯一端的两侧延伸的引出电极，其中使用导电粘合剂将晶体坯一端的两侧固定在支撑端子上，在容器本体的凹槽内底面上与晶体坯另一端两侧的角对应的位置上设置枕部件，并且两个枕部件彼此独立。

在这样的结构中，当包括激励电极的晶体坯的自由端由于冲击摆动时，宽度方向上的激励电极的两侧与枕部件接触。即使在由于冲击产生的接触造成对激励电极的损坏时，该损坏位置位于晶体坯自由端的宽度方向上两侧的每一侧上的位置，并且这个位置离晶体坯的振动中心最远。因此，对振动特性的影响最小。结果，由于例如对激励电极的损坏产生的晶体坯的等效电路常数的变化也不大，并且能良好地保持振动特性。

根据本发明的第二方面，石英晶体器件包括：具有凹槽的容器本体；在容器本体的凹槽内底面上形成的一对支撑端子；以及晶体坯，为其两个主表面提供激励电极，以及从该对激励电极向晶体坯一端的两侧延伸的引出电极，其中使用导电粘合剂将晶体坯一端的两侧固定在支撑端子上，并且每个支撑端子包括在端面支撑端子附近形成的第一区域以及在远离端面支撑端子处形成的比第一区厚的第二区域。

在这样的结构中，当晶体坯的宽度小时，晶体坯可以在支撑端子中心附近的区域中固定到支撑端子上，即，具有小厚度的第一区域。另一方面，当晶体坯的宽度大时，晶体坯可以在支撑端子外部的区域中固定到支撑端子上，即，具有大厚度的第二区域。因此，具有不同宽度的各种类型的晶体坯可以按照与相关技术中相同的方式容纳在具有标准化尺寸的容器本体内，并且可以提高生产力。当固定具有通过边缘打磨而中心部分变大的晶体坯时，晶体坯的厚度大的区域进入由第一区域和第二区域之间的层面差而形成的凹入部分，因此可以减小晶体坯上的引出电极和设置导电粘合剂区域中的支撑端子的顶表面之间的间隔距离。导电粘合剂的厚度减小并且接触面积增加，并因此提高晶体坯和支撑端子之间的固定强度，以及可以良好地维持抗冲击性能。

附图说明

图1A是示出常规表面安装晶体单元结构实例的横截面图；

图1B是常规表面安装晶体单元移去盖子后的平面图；

图2是示出晶体坯的平面图；

图3A是倾斜状晶体坯的横截面图；

图3B是凸起状晶体坯的横截面图；

图3C是平面状晶体坯的横截面图；

图4是常规表面安装晶体单元的局部放大横截面图；

图5是根据本发明第一实施例的表面安装晶体单元移去金属盖子后的平面图。

图6A和6B是示出第一实施例中晶体坯和枕部件之间关系的其他实例的平面图；

图7是根据本发明第二实施例的表面安装晶体单元的局部放大横截面图；以及

图8是示出基于第二实施例的表面安装晶体单元的另一实例的局部放大横截面图。

具体实施方式

图5中示出了作为根据本发明第一实施例的石英晶体器件的表面安装晶体单元，与前述图1A、1B和2中相同的部件指定为相同的参考数字，并且简化或省略了多余的说明。

图5所示的晶体单元类似于图1A、1B和2示出的那些，但是与图1A、1B和2那些不同的是枕部件8的数量和布置。为了说明，图5示出了移除金属盖子的晶体单元。

通过导电粘合剂7，将引出电极6b从激励电极6a向外延伸的晶体坯2一端的两侧固定于设置在容器本体1的凹槽内底面上的支撑端子3上，并将晶体坯2容纳在凹槽内，从而获得这个晶体单元。晶体坯2的自由端与设置在凹槽内底面上的枕部件8接触，或者位于枕部件8之上。容器本体1的凹槽的开口通过金属盖子5密封(见图1)，并且在容器本体1外底面的四个角上设置外部端子4(见图1)。

在这个晶体单元中，假定设置在容器本体1内底面上的枕部件8的数量是两个。在晶体坯2自由端侧的位置上，对于晶体坯2宽度方向上的两端，彼此独立地设置这些枕部件8。枕部件8通过例如印刷和烧制陶瓷涂层形成。在这个实施例中，支撑端子3和枕部件8的厚度比在图1A和1B中示出的那些要大。

对于晶体坯2，使用与图2中示出的那个相似的晶体坯。也就是说，晶体坯的平面外部尺寸例如是如上所述的2.1×1.45mm，激励电极6a的尺寸是1.6×1.2mm，并且激励电极6a对晶体坯2的面积比大约是63％。

使用这样的结构，当施加冲击并且晶体坯2的自由端上下摆动时，只有面对枕部件8的晶体坯2主表面上的激励电极6a宽度方向上的两端与枕部件8接触。因此，由于与枕部件8接触导致的激励电极6a的损坏发生在离振动中心最远的位置，即激励电极的中心。这将激励电极6a和枕部件8之间的接触对振动特性的影响最小化。晶体单元的等效电路常数的变化也减小，频率变化被抑制并且振动特性被良好地维持。在这种情况下，由于能够用与相关技术中相同的方式保持激励电极6a的尺寸，晶体阻抗(CI)可以保持在一个小的值上。

在如图5示出的实施例中，晶体坯2中的激励电极6a的形状是具有如图2所示的四个直角的矩形，但是激励电极的形状并非局限于此。例如，如图6A所示，对应于晶体坯2自由端位置的激励电极6a的两个角可以缩进并制成弧形。结果，在晶体坯2自由端上的两个角内形成了无电极部分，并且这些无电极部分与相应的枕部件8相对。激励电极6a的顶端突起进入到夹在两个枕部件8之间的区域。

在这个结构中，即使在施加冲击并且晶体坯摆动时，枕部件8仅仅与晶体坯2的无电极部分接触，并因此能够防止对激励电极6a的损坏。由于激励电极6a的顶端突起进入夹在两个枕部件8之间的区域，激励电极6a的面积可以保持较大。因此，即使施加冲击，这个结构也容许良好地保持晶体坯2的振动特性。

进一步地，枕部件8的形状也可以形成为如图6B所示的三棱柱。在这种情况下，枕部件8的平面形状是直角三角形，并且在移去激励电极6a的角后，斜边基本上平行于激励电极6a的周边。在这种结构中，当施加冲击时，可以增加晶体坯2和枕部件8之间的接触面积，并且实现晶体坯2的进一步最小化。

在图6A和6B所示的实施例中，激励电极的角缩进去并形成为弧形，但是激励电极的角也可以切割成线形形状。只有激励电极6a的顶端向两个枕部件8之间的区域突出但并没有与枕部件8接触是必需的。

图7示出了用于表面安装晶体单元的支撑端子3，该表面安装晶体单元是根据本发明第二实施例的石英晶体器件。在图7中，与前述图1A、1B、2和4中相同的部件指定为相同的参考数字，并且简化或省略了多余的说明。

这个晶体单元类似于之前提到的那个，但是不同在于支撑晶体坯2的支撑端子3的形状。

如上所述，使用导电粘合剂7将引出电极6b从激励电极6a伸向的晶体坯2一端的两侧固定于在具有外部端子4的容器本体1内底面上设置的支撑端子3上，并采用金属盖子5覆盖并密封。对于晶体坯2，如图3A、3B和3C中所示，采用通过边缘打磨制成倾斜状或凸起状，并且针对低频使用，在纵向和宽度方向上形成凸起状的晶体坯，或者采用针对高频使用形成平面状的晶体坯。

在第二实施例的晶体单元中，在容器本体1内底面一端的两侧上设置的一对支撑端子由小厚度的区域和大厚度的区域构成。在这里，当设定构成支撑端子3的这些层为，例如，从容器本体1的内底面顺次为第一层3a、第二层3b和第三层3c，层3a至3c的每个都是平面状，并且支撑端子3形成有三层结构。所有这些层3a至3c都是如上所述的钨或钼层，并且采用印刷方法提供。第一层3a还作为实现与外部端子4电连接的电路图案。采用印刷方法在第一层3a上设置第二层3b。

在第二层3b上从第二层3b的中心到周边范围内的大约一半区域上设置第三层3c，并且这在第三层3c和第二层3b之间产生层面差。在这对支撑端子3之间，第三层3c之间的距离W2大于如图4所示的距离W1。设定3a到3c各层的厚度都是10μm。

在这个晶体单元中，当具有小宽度即具有高振动频率并形成为平面状的晶体坯2固定在支撑端子3上时，在第二层3b的暴露面上施加导电粘合剂7，并且将晶体坯2一端的两侧固定在第二层3b上。另一方面，当具有大宽度即具有低振动频率并通过边缘打磨形成中心部分变大的晶体坯2固定在支撑端子3上时，在第三层3c上施加导电粘合剂7并且将晶体坯2一端的两侧固定在第三层3c。由此，这个晶体单元也允许具有不同宽度的各种类型的晶体坯2共用相同的容器本体1。进一步地，由于第二层3b的暴露面和第三层3c的顶面都是平的，引出电极6b伸向的晶体坯2一端的两侧可使用导电粘合剂7紧紧固定在支撑端子3上，与晶体坯的宽度大小无关。

这个晶体单元在第二层3b和第三层3c之间产生层面差，并且增加了两个支撑端子3之间的第三层3c之间的距离W2。因此，当将通过边缘打磨形成具有中心部分变大形状的晶体坯2固定在支撑端子3上时，具有大厚度的晶体坯2的中心区域容纳在由第二层3b和第三层3c之间的层面差造成的凹入部分内。晶体坯2周边附近的倾斜表面与第三层3c内周边的边缘接触。

因此，在晶体坯2中，从与第三层3c边缘接触的点到周边端的距离短，并且周边端和支撑端子3的顶表面之间的间隔距离d2比相关技术中的要小。如在相关技术中的情况，在与晶体坯2宽度方向上的两端对应的第三层3c上的指定位置提供指定量的导电粘合剂7，向导电粘合剂7按压晶体坯2一端的两侧。这导致晶体坯2固定在支撑端子3上。

根据这个实施例，由于晶体坯2和第三层3c之间的间隔距离d2短，按压导电粘合剂7使其变得更薄更宽。因此，导电粘合剂7的接触面积也增加，使得增加晶体坯2一端的两侧对支撑端子3的固定强度成为可能。

在上文阐述的实施例中，采用第一层3a、第二层3b和第三层3c构成的三层结构并且为支撑端子3形成小厚度的区域和大厚度的区域，但是支撑端子3也可以具有如图8所示的双层结构。也就是说，采用印刷方法形成也将用作电路图案的第一层3a，并且然后形成第二层3b以延伸穿过容器本体1内底面的暴露部分和第一层3a的顶表面。由此，设定在内底面上直接设置第二层3b的部分是小厚度的区域，并且设定第一层3a和第二层3b层叠的部分是大厚度的区域。在这种情况下，设定该对支撑端子3大厚度区域之间的距离为W2，其比相关技术中的要宽。这使得获得与图7示出的那些相似的有益效果成为可能。由于支撑端子3可以形成为双层结构，从制造观点上来说这个实施例是有利的。更具体地，当采用印刷方法形成支撑端子3时，可以减少印刷步骤的次数。

虽然到目前为止已经说明了本发明的第一和第二实施例，但是应用本发明的石英晶体器件并不限于如上所述的那些。例如，本发明也可以应用于在相同容器中容纳晶体坯和集成了用晶体坯的振荡电路的IC(集成电路)芯片的表面安装晶体，只要这样的晶体振荡器具有在容器中支撑晶体坯2一端的两侧的结构。

Claims (9)

1、一种石英晶体器件，包括：

具有凹槽的容器本体；

在该容器本体的凹槽内底面上形成的一对支撑端子；以及

晶体坯，该晶体坯的两个主表面具有激励电极，以及从该对激励电极向该晶体坯一端的两侧延伸的引出电极，

其中使用导电粘合剂将该晶体坯一端的两侧固定在支撑端子上，在该容器本体的凹槽内底面上与该晶体坯另一端两侧的角对应的位置上设置枕部件，并且两个枕部件彼此独立。

2、根据权利要求1的石英晶体器件，其中该晶体坯具有实质上为矩形的平面形状并且所述一端与所述另一端是该晶体坯纵向上的两端。

3、根据权利要求2的石英晶体器件，其中每个激励电极具有从矩形去除与所述另一端的两个角对应的部分的形状，激励电极的顶端突起进入两个枕部件间的区域。

4、根据权利要求1的石英晶体器件，其中所述石英晶体器件被配置为晶体单元。

5、一种石英晶体器件，包括：

具有凹槽的容器本体；

在该容器本体的凹槽内底面上形成的一对支撑端子；以及

晶体坯，该晶体坯的两个主表面具有激励电极，以及从该对激励电极向该晶体坯一端的两侧延伸的引出电极，

其中使用导电粘合剂将该晶体坯一端的两侧固定在支撑端子上，以及

每个支撑端子包括在端面支撑端子附近形成的第一区域和远离端面支撑端子形成的比第一区域厚的第二区域。

6、根据权利要求5的石英晶体器件，其中第一区域和第二区域都具有平坦表面。

7、根据权利要求5的石英晶体器件，其中每个支撑端子包括在该容器本体的凹槽内底面上顺序形成的第一层、第二层和第三层，第一层还作为成为布线路径的电路图案，在第二层和第三层间设置层面差，并设定第二层的暴露区域为第一区域，以及设定其中形成第三层的区域为第二区域。

8、根据权利要求5的石英晶体器件，其中每个支撑端子包括在该容器本体的凹槽内底面上顺序形成的第一层和第二层，第一层还作为成为布线路径的电路图案，形成第二层以延伸穿过该内底面和第一层的顶表面，并且设定在该内底面上直接形成第二层的区域为第一区域，以及设定第一层和第二层层叠的区域为第二区域。

9、根据权利要求5的石英晶体器件，其中所述石英晶体器件被配置为晶体单元。

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