CN101469817A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光装置,其是安装在配线板的表面上的侧面发光型发光装置,该发光装置包括:基体部分,该基体部分具有反射壳体以及在反射壳体的后部与反射壳体一体的形成的端子支撑部分;以及插入基体部分中的引线构件,该引线构件具有一对连接部分,该连接部分包括连接部分的基础部分,该连接部分从基体部分的下表面引出并沿该下表面弯曲,并且该连接部分还包括侧面弯曲部分,该侧面弯曲部分设置在连接部分的基础部分中并沿端子支撑部分的侧面弯曲,该连接部分连接到配线板的图案;其中,连接部分的基础部分设置有向着端子支撑部分的下表面的中心突出的突出部分以及切割部分被设置用于将突出部分容纳在端子支撑部分的下表面中。
Description
技术领域
本发明涉及安装在配线板表面上的侧面发光型发光装置。
背景技术
专利文件1中公开了上述类型的发光装置的示例。在该发光装置中,引线构件从反射壳体的两侧部分引出,该反射壳体具有开口的前部和平面底部,并且端子支撑部分(terminal holding part)一体地设置在反射壳体的后部。从反射壳体引出的引线构件的部分自反射壳体的侧部沿端子支撑部分的侧面弯曲,并且进一步沿端子支撑部分的下表面弯曲并且该引线构件部分的端部容纳在切割(cut-out)部分中作为连接部分。
另一方面,专利文件2公开了侧面发光型发光装置,其中引线构件从发光装置的反射壳体的下表面引出并沿端子支撑部分的下表面弯曲。此外,专利文件3公开了一种结构,其中引线构件从发光装置的反射壳体的下部引出并沿端子支撑部分的下表面弯曲,并且进一步沿端子支撑部分的侧面弯曲。
专利文件1:JP-A-2006-253551
专利文件2:日本外观设计注册号No.1171708
专利文件3:日本外观设计注册号No.1288058
当前的发光装置要求具有高输出。因此,发光装置倾向于在其上安装高输出LED(发光二极管)芯片。高输出LED芯片产生极大的热量。当LED芯片本身的温度变高时,LED芯片的输出被不期望地降低。因此,热量需要从LED芯片被有效地散发。由于侧面发光型发光装置被用作便携电话的显示器的光源,因此侧面发光型发光装置需要是紧凑的。因此,没有使用例如热沉(heat sink)的散热构件,而是通过其上安装有LED芯片的引线构件将热量传递到配线板并散热。在专利文件1中公开的发光装置中,引线构件从反射壳体的两侧部分引出。然而,由于侧面发光型发光装置在横向方向上较长,因此散热路径长,从而使得散热效率低。另一方面,在专利文件2和3中公开的发光装置中,由于引线构件从反射壳体的下表面引出,因此散热路径短。然而,由于引线构件的引出部分基于发光装置的小型化而是紧凑的,因此引线构件和配线板的接触面积相对减小。因此,不能获得足够的散热效率。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供结构紧凑和高散热效果的侧面发光型发光装置。
本发明被设计为实现上述目的并且本发明的结构如下述定义。
在安装在配线板的表面上的侧面发光型发光装置中,该发光装置包括:基体部分,该基体部分具有反射壳体以及在反射壳体的后部与反射壳体一体地形成的端子支撑部分;以及插入基体部分中的引线构件,该引线构件具有一对连接部分,该连接部分包括连接部分的基础部分,该连接部分从基体部分的下表面引出并沿该下表面弯曲,并且该连接部分还包括侧面弯曲部分,该侧面弯曲部分设置在连接部分的基础部分中并沿端子支撑部分的侧面弯曲,该连接部分连接到配线板的图案;且其特征在于连接部分的基础部分设置有向着端子支撑部分的下表面的中心突出的突出部分以及设置用于将突出部分容纳在端子支撑部分的下表面中的切割(cut-out)部分。
在如上述构造的发光装置中,引线构件设置有向着端子支撑部分的下表面的中心突出的突出部分。由于突出部分与引线构件一体地形成,因此该突出部分可以接触配线板以提高散热效果。也就是说,突出部分起到散热板的作用。由于突出部分被容纳在端子支撑部分的下表面中的切割部分中并且不突出到外部,因此该装置可以被制造得紧凑。此外,防止了外力过度施加在引线构件上以减小引线构件的弯曲或损坏。此外,由于突出部分形成了用于将引线构件连接到配线板的连接部分的部分,因此增大了引线构件的连接部分与配线板的连接面积。因此,即使当发光装置安装的位置略微偏移时,也是允许的。因此,发光装置易于安装。结果,改善了组装的可操作性并且提高了产量。
根据本发明的第二方面,本发明被如下述定义。也就是说,在根据第一方面的发光装置中,连接部分的基础部分的下表面和突出部分的下表面与反射壳体的下表面齐平。
根据本发明如上述定义的第二方面,连接部分不从装置的下部突出。因此,发光装置的发光面积被保证并且同时该装置的整个部分的厚度可以被减小。
根据本发明的第三方面,本发明被如下述定义。也就是说,在根据第一或第二方面的发光装置中,突出部分被设置在连接部分的基础部分的末端中。
根据本发明如上述定义的第三方面,突出部分被设置在足够远离连接部分的基础部分的弯曲部分(即从反射壳体引出的底部)的位置上。
由于侧面发光型发光装置被频繁地专用于照亮便携电话的光源,因此整体尺寸有限制。因此,通常由树脂形成的基体部分倾向于由薄型构件制成。当弯曲从这种基体部分引出的连接部分的基础部分所需要的力增大时,担心的是过度的力被施加在基体部分上从而使机械强度劣化。因此,当突出部分被设置在足够远离连接部分的基础部分的弯曲部分的位置处时,由于弯曲部分的宽度不因为突出部分而被扩大,因此不增大弯曲连接部分的基础部分所需要的力。因此,防止了基体部分的机械强度劣化。
附图说明
图1是本发明的实施例的发光装置的透视图;图1(A)是示出了从前表面看去的发光装置1的透视图;图1(B)是示出了从下表面看去的发光装置的透视图;
图2是六面视图;图2(A)是平面图;图2(B)是左视图;图2(C)是前视图;图2(D)是右视图;图2(E)是仰视图;图2(F)是后视图;
图3是沿图2(C)中的线I-I的截面图;
图4是沿图2(C)中的线II-II的截面图;
图5是沿图2(C)中的线III-III的截面图;
图6是示出了该实施例的发光装置的生产工艺的图示。
具体实施方式
现在,下面将参照图示的示例对本发明的实施例进行说明。
图1(A)是示出了从前表面看去的本实施例的发光装置1的透视图。图1(B)是示出了从下表面看去的发光装置的透视图。图2是六面视图。图2(A)是平面图。图2(B)是左视图。图2(C)是前视图。图2(D)是右视图。图2(E)是仰视图。图2(F)是后视图。图3是沿图2(C)中的线I-I的截面图。图4是沿图2(C)中的线II-II的截面图。图5是沿图2(C)中的线III-III的截面图。
如图1(B)所示,该实施例的发光装置1包括基体部分10、第一引线构件3和第二引线构件4。
基体部分10包括反射壳体11和端子支撑部分20。如图3所示,反射壳体11具有横向长的杯状,并且凹进部分13的内周面用作反射表面。凹进部分13填充有硅树脂型密封构件以形成密封部分70。
凹进部分13的内周面包括侧壁部分151和底部153。在底部153中,暴露出引线构件3和4的插入部分31和41。用于形成反射壳体11的材料是树脂材料。插入部分31和41涂覆有树脂材料以增加与由硅树脂制成的密封构件的树脂与树脂的接触面积,从而可以改善通过密封构件的粘合。这里,树脂与树脂的接触面积是反射壳体的树脂与密封构件的树脂(硅树脂)之间的接触面积。此外,凹进部分13的内周面可以涂覆白色涂料。
如图2(E)所示,端子支撑部分20在反射壳体11的后部中与反射壳体11一体形成并且整个为实心。在端子支撑部分20的侧面中,形成两个切割(cut out)部分23和24。在端子支撑部分20的下表面(底表面侧)中,形成自端子支撑部分20的两侧部分向中心部分导向的切割部分25和26。
第一引线构件3包括插入部分31和连接部分30。如图3所示,插入部分31的长度约为在基体部分10的横向方向上的基体部分10的长度的3/4。在插入部分31中,LED芯片60通过众所周知的方法安装在位于反射壳体11的大致中心部分处的部分上。在第一引线构件3中,自基体部分10向外引出的部分是连接部分30。如图2(E)所示,连接部分30包括连接部分的基础部分32、设置在连接部分的基础部分32的末端的侧面弯曲部分33以及突出部分34。在侧面弯曲部分33和突出部分34被弯曲之前的状态下,侧面弯曲部分33和突出部分34形成为直线形状。也就是说,连接部分30具有T形。最初,连接部分的基础部分32沿端子支撑部分20的下表面弯曲至下侧(后表面侧)并且在连接部分30的末端处的突出部分34容纳在端子支撑部分20的切割部分25中。之后,侧面弯曲部分33沿端子支撑部分20的侧面弯曲并且容纳在第一切割部分23中。当从上表面观察发光装置1时,如图2(A)所示,侧面弯曲部分33的上端部分位于端子支撑部分20的侧部。当从前表面观察发光装置1时,如图2(C)所示,侧面弯曲部分33沿反射壳体11的右侧面略微向外突出。当从右侧面侧观察发光装置1时,如图2(D)所示,侧面弯曲部分33暴露在发光装置1的右侧面中。在图2(D)中,侧面弯曲部分33的高度比发光装置1的高度(厚度)的1/2略高一些。当从后表面侧观察发光装置1时,如图2(F)所示,连接部分30具有L形并且形成发光装置1的外边缘的部分。另一方面,如图2(E)所示,突出部分34向着端子支撑部分20的下表面的中心侧突出。
第二引线构件4包括插入部分41和连接部分40。如图3所示,插入部分41的长度约为在基体部分10的横向方向上的基体部分10的长度的1/4。在第二引线构件4中,自基体部分10向外引出的部分是连接部分40。如图2(E)所示,类似于第一引线构件3的连接部分30,连接部分40包括连接部分的基础部分42、设置在连接部分的基础部分42的末端的侧面弯曲部分43以及突出部分44。最初,连接部分的基础部分42沿端子支撑部分20的下表面弯曲至下侧(后表面侧)并且突出部分44容纳在端子支撑部分20的切割部分26中。之后,侧面弯曲部分43沿端子支撑部分20的侧面弯曲并且容纳在第二切割部分24中。当从上表面观察发光装置1时,如图2(A)所示,侧面弯曲部分43的上端部分位于端子支撑部分20的侧部。当从前表面观察发光装置1时,如图2(C)所示,侧面弯曲部分43沿反射壳体11的左侧面略微向外突出。当从左侧面侧观察发光装置1时,如图2(B)所示,侧面弯曲部分43暴露在发光装置1的左侧面中。在图2(B)中,类似于侧面弯曲部分33,侧面弯曲部分43的高度比发光装置1的高度(厚度)的1/2略高一些。当从后表面侧观察发光装置1时,如图2(F)所示,连接部分40具有L形并且形成发光装置1的外边缘的部分。另一方面,如图2(E)所示,突出部分44向着端子支撑部分20的下表面的中心侧突出。
在上述说明中,基体部分10可以通过使用例如尼龙的树脂材料或例如陶瓷的无机材料而形成。基体部分10可由白色材料形成并且材料本身可以具有反射性能。
对于引线构件3和4,可以使用铜板或铝(Al)。在本实施例中,为了通过引线构件3和4获得好的反射,表面被镀银(Ag)。
对于LED芯片60,采用发射短波长的光的III族氮化物的半导体发光元件。适当的磷光体被结合到LED芯片60中以获得白光发射。在本实施例中,对于LED芯片,选择了蓝色发光二极管和吸收蓝色光线并发射黄光的磷光体。LED芯片的发光颜色可以被任意选择。此外,可以在引线构件上安装多个LED芯片。
实施例的发光装置1如下所述被制造。
铜板被压制(press)和压印(stamp)以在连接部分30和40被展开状态下获得引线构件3和4。之后,引线构件3和4被插入基体部分10以注射成形基体部分1。之后,LED芯片60被安装在第一引线构件3上以结合导线63和64。从耐久性的角度,LED芯片60和导线63和64由发光硅树脂密封。磷光体可以分散在硅树脂中。此后,铜板被切削和分割以获得图6所示的状态。
如图6所示,在第一引线构件3中,引出部分130向着基体部分10的下表面的纸面右侧的下方引出。引出部分130具有T形并且包括引出部分的基础部分132和末端133和134。最初,引出部分的基础部分132沿端子支撑部分20的下表面弯曲以具有连接部分的基础部分32。同时,末端134容纳在切割部分25中,该末端134定向为向着端子支撑部分20的下表面的中心部分以具有突出部分34。此处,切割部分25的深度略大于突出部分34的厚度。如图2(C)所示,突出部分34的下表面与反射壳体11的下表面齐平。之后,末端133沿端子支撑部分20的侧面弯曲以具有侧面弯曲部分33。侧面弯曲部分33如图2(D)所示地暴露在发光装置1的右侧面上。类似于第一引线构件3,在第二引线构件4中,包括引出部分的基础部分142和末端143和144的T形引出部分140被引出并且随后弯曲以形成连接部分的基础部分42、侧面弯曲部分43和突出部分44。如图2(B)所示,侧面弯曲部分43暴露在发光装置1的左侧面中。此外,类似于突出部分34,突出部分44的下表面与反射壳体11的下表面齐平(见图2(C))。
在以这种方式制造的发光装置1中,在发光装置1被安装在配线板(图中未示出)上的状态下,由于突出部分34和44与配线板接触,因此增加了散热效果。也就是说,突出部分34和44被用作散热板。由于突出部分34和44容纳在端子支撑部分20的下表面中的切割部分25和26中并且不向外突出,因此突出部分34和44为发光装置1的小型化作出了贡献。此外,防止了外力过度施加在引线构件3和4上以减小引线构件3和4的弯曲或损坏。此外,由于突出部分34和44形成连接部分30和40的部分,因此突出部分34和44被提供以增大引线构件的连接部分30和40与配线板的连接面积。因此,增大了发光装置1的安装位置的偏移的容限。因此,发光装置1易于安装。结果,改善了组装的可操作性并且提高了产量。
如图2(C)所示,连接部分的基础部分32和42的下表面和突出部分34和44的下表面与反射壳体11的下表面齐平。从而,由于连接部分30和40不从发光装置1的下部突出,因此,发光装置1的发光面积(凹进部分13的开口面积)被充分保证并且同时该装置的整个部分的厚度可以被减小。
由于突出部分34和44被设置在连接部分的基础部分32和42的末端,因此,突出部分34和44被设置在足够远离连接部分的基础部分32和42的弯曲部分(即从反射壳体11引出的底部)的位置处。由于弯曲部分的宽度没有因为突出部分34和44而被扩大,因此弯曲连接部分的基础部分32和42所需要的力没有增加。因而,防止了基体部分10的机械强度劣化。
如图6所示,在引线构件3和4被弯曲之前的状态下,引出部分130和140为T形并且末端133(143)和末端134(144)形成为直线形。因此,当末端133(134)被弯曲以形成侧面弯曲部分33或43时,稳定性被提高并且侧面弯曲部分44和43可以高准确度地形成。
本发明不限于上述本发明的实施例以及实施例的说明。在不背离权利要求的说明的情况下,本领域普通技术人员能够容易想到的范围内的多种修改的实施例可以包括在本发明中。
Claims (3)
1.一种安装在配线板的表面上的侧面发光型发光装置,包括:
基体部分,所述基体部分具有反射壳体以及在所述反射壳体的后部与所述反射壳体一体地形成的端子支撑部分;以及
插入所述基体部分中的引线构件,所述引线构件具有连接部分,所述连接部分包括连接部分的基础部分,所述连接部分的基础部分从所述基体部分的下表面引出并沿该下表面弯曲,并且所述连接部分还包括侧面弯曲部分,所述侧面弯曲部分设置在所述连接部分的基础部分中并沿所述端子支撑部分的侧面弯曲,所述连接部分连接到所述配线板的图案;
其中,所述连接部分的基础部分设置有向着所述端子支撑部分的下表面的中心突出的突出部分;以及
切割部分被设置用于将所述突出部分容纳在所述端子支撑部分的下表面中。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述连接部分的基础部分的下表面和所述突出部分的下表面与所述反射壳体的下表面齐平。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述突出部分设置在所述连接部分的基础部分的末端中。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102694104A (zh) * | 2011-03-24 | 2012-09-26 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN104396034A (zh) * | 2012-06-08 | 2015-03-04 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管封装 |
CN105757475A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-07-13 | 江苏华牌节能科技有限公司 | 一种超效节能led灯具 |
CN110239429A (zh) * | 2013-06-13 | 2019-09-17 | 提爱思科技股份有限公司 | 照明装置的附接结构 |
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Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62206868A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
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JPH01288058A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Seiko Epson Corp | カラー画像読み取り装置 |
EP1187227A3 (de) * | 1989-05-31 | 2002-08-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben |
JPH03238852A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Nec Corp | モールド型半導体集積回路 |
US7057273B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-06-06 | Gem Services, Inc. | Surface mount package |
USD536672S1 (en) * | 2002-09-05 | 2007-02-13 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
TWI292961B (en) * | 2002-09-05 | 2008-01-21 | Nichia Corp | Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device |
JP2004193537A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-07-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびそれを用いた面状光源 |
JP2005252168A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光装置 |
JP2006108333A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | ランプ |
JP4830321B2 (ja) | 2005-03-14 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
JP4698259B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2011-06-08 | 三洋電機株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 |
USD527352S1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-08-29 | Lite-On Technology Corp. | Edge-emitting light emitting diode component |
KR100665216B1 (ko) | 2005-07-04 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 |
JP4857791B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2012-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100714628B1 (ko) | 2006-03-17 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2007311518A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
TWI338385B (en) * | 2006-12-13 | 2011-03-01 | Silicon Base Dev Inc | Side light package structure of light diode and its producing method |
US7566159B2 (en) * | 2007-05-31 | 2009-07-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Side-emitting LED package with improved heat dissipation |
USD597499S1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-08-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD601516S1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-10-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) |
USD599306S1 (en) * | 2008-04-22 | 2009-09-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode |
USD606032S1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-12-15 | Alti-Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD605610S1 (en) * | 2008-05-22 | 2009-12-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD608307S1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-01-19 | Cree, Inc. | Light emitting diode |
USD633058S1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-02-22 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102694104A (zh) * | 2011-03-24 | 2012-09-26 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN102694104B (zh) * | 2011-03-24 | 2016-03-02 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN104396034A (zh) * | 2012-06-08 | 2015-03-04 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管封装 |
CN104396034B (zh) * | 2012-06-08 | 2018-03-06 | Lg 伊诺特有限公司 | 发光二极管封装 |
CN110239429A (zh) * | 2013-06-13 | 2019-09-17 | 提爱思科技股份有限公司 | 照明装置的附接结构 |
CN110239429B (zh) * | 2013-06-13 | 2022-07-29 | 提爱思科技股份有限公司 | 照明装置的附接结构 |
CN105757475A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-07-13 | 江苏华牌节能科技有限公司 | 一种超效节能led灯具 |
Also Published As
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---|---|
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